JPH07161901A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents

Manufacture of semiconductor device

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JPH07161901A
JPH07161901A JP5302882A JP30288293A JPH07161901A JP H07161901 A JPH07161901 A JP H07161901A JP 5302882 A JP5302882 A JP 5302882A JP 30288293 A JP30288293 A JP 30288293A JP H07161901 A JPH07161901 A JP H07161901A
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JP
Japan
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lead
tip
package
external
lead frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP5302882A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
幸雄 ▲高▼▲橋▼
Yukio Takahashi
Koji Imai
幸治 今井
Yasuo Deura
康男 出浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chichibu Fuji Co Ltd
Original Assignee
Chichibu Fuji Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Chichibu Fuji Co Ltd filed Critical Chichibu Fuji Co Ltd
Priority to JP5302882A priority Critical patent/JPH07161901A/en
Publication of JPH07161901A publication Critical patent/JPH07161901A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To form a plated layer in the top surface of a lead part which makes a cut surface with respect to a connection part when the whole of a lead frame is plated. CONSTITUTION:A recessed part 4 is formed in the top of an external lead 1 extending from a package part P, and after that, the whole of a lead frame L is plated to uniformly form a plated layer 6 in the Whole of an exposed part to the package part P. After that, a place in which the recessed part 4 is formed in the top of the external lead part 1, is cut off and at the same time, each external lead 1 is bent to form a lead part. Since the uniform plated layer 6 is formed in the upper and the lower and the left and the right peripheral surface of each lead part and also in the corresponding place to the inner surface of the recessed part 4 in the top surface, solder-bonding quality is ensured in both lower surface part of the top and the top surface of the lead part, so that reliability of bonding with respect to a wiring base board may be made extremely high.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はリードフレームにチップ
を搭載するタイプの半導体装置の製造方法に関し、さら
に詳しくは、パッケージ部から露出する多数のリード部
の先端面にメッキ層を形成するに好適な半導体装置の製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device of a type in which a chip is mounted on a lead frame, and more specifically, it is suitable for forming a plating layer on the tip surfaces of a large number of leads exposed from the package. The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、リードフレ−ムにチップを搭載
するタイプの半導体装置では、リードフレームがニッケ
ル系の合金,銅系の合金等を素材としており耐腐食性を
具備する必要性があることとクリーム半田を介しての配
線基板への接着性を確保する必要性があることから、リ
ードフレームに搭載したチップをパッケージングしてパ
ッケージ部を形成した後にリードフレーム,パッケージ
部の全体をメッキ液に浸漬して、パッケージ部から露出
した外部リードにメッキ層を形成することが行われてい
る。
2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor device of a type in which a chip is mounted on a lead frame, a lead frame is made of a nickel-based alloy, a copper-based alloy or the like, and it is necessary to have corrosion resistance. Since it is necessary to secure the adhesiveness to the wiring board through the cream solder, after packaging the chip mounted on the lead frame to form the package part, the entire lead frame and package part are exposed to the plating solution. The plating layer is formed on the external leads exposed from the package by immersion.

【0003】また、上記リードフレームは図1に示す如
く、パッケージ部から延出する多数の外部リードの表面
に均一にメッキ層が形成されるよう、隣り合わせる外部
リードの先端側同士を連結部により導通せしめてあり、
メッキ処理の後には、夫々の外部リードを連結部から切
り離した後、各外部リードをL型,J型等に折曲げ加工
することにより外部端子としてのリード部を形成するこ
とになる。
Further, in the lead frame, as shown in FIG. 1, the tip ends of the adjacent external leads are connected by a connecting portion so that a plating layer is uniformly formed on the surfaces of a large number of external leads extending from the package portion. It has been conducted,
After the plating process, each external lead is separated from the connecting portion, and then each external lead is bent into an L shape, a J shape or the like to form a lead portion as an external terminal.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら上記した従
来の製造方法によれば、外部リードをメッキ処理した後
にその先端側を連結部から切り離してリード部を形成す
ることから、連結部との切断面となるリード部先端面に
はメッキ層を形成することができない。よって図10に示
すように、このリード部100 をクリーム半田200 を介し
て配線基板300 に接着する場合、リード部先端箇所の下
面側101 のみが接合する状態となり、同先端箇所の幅寸
法が極めて微小(通常の100 ピンのもので0.25mm程度)
であることや所定角度をもって傾斜していること等と相
俟って、その接合が不確実になる恐れがあった。このよ
うな不具合は近年における半導体装置の高性能,小型化
の要望による多ピン化に伴ってより顕著に現れるもので
ある。
However, according to the above-mentioned conventional manufacturing method, since the lead portion is formed by separating the tip end side of the external lead from the connecting portion after plating the external lead, the external lead is formed. It is not possible to form a plating layer on the tip surface of the lead portion, which is the cut surface. Therefore, as shown in FIG. 10, when the lead portion 100 is bonded to the wiring substrate 300 via the cream solder 200, only the lower surface side 101 of the lead portion tip portion is joined, and the width dimension of the tip portion is extremely large. Minute (normal 100-pin type, about 0.25 mm)
And the fact that it is inclined at a predetermined angle, there is a risk that the joining may become uncertain. Such a problem becomes more prominent with the increase in the number of pins due to the demand for high performance and miniaturization of semiconductor devices in recent years.

【0005】本発明は上述した従来事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、リードフレー
ム,パッケージ部の全体をメッキ液に浸漬してメッキ処
理する際に、連結部との切断面となるリード部先端面に
もメッキ層を形成することが可能な新規な製造方法を提
供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and an object thereof is to connect a lead frame and a package portion to a connecting portion when the plating treatment is performed by immersing the entire lead frame and package portion in a plating solution. It is an object of the present invention to provide a novel manufacturing method capable of forming a plating layer also on the tip surface of a lead portion which is a cut surface.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフ
レームに搭載したチップをパッケージングしてパッケー
ジ部を形成した後、該パッケージ部から多数延出する外
部リードの各々の先端部分に凹部を形成し、続いて、リ
ードフレーム,パッケージ部の全体をメッキ処理するこ
とにより、リードフレームのパッケージ部から露出した
部分全体にメッキ層を均一に形成し、さらにその後、夫
々の外部リードにおいてその先端部分における上記凹部
を形成した箇所を切り離すと共に、各外部リードを折曲
げ加工してリード部を形成することを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention comprises a method of packaging a chip mounted on a lead frame to form a package part, and then forming the package part. By forming recesses at the tip of each of the external leads extending from the lead frame and then plating the entire lead frame and package part, a uniform plating layer is formed on the entire exposed part of the lead frame package part. Then, the outer lead is formed by bending the outer leads, and the lead portions are formed by bending the outer leads.

【0007】[0007]

【作用】上述の手段によれば、夫々の外部リードにおい
てその先端部分における凹部を形成した箇所を切り離し
てリード部を形成することから、前記凹部の内面及びそ
の切断面がリード部先端面に相当し、その切り離しに先
だってリードフレームのパッケージ部から露出した部分
全体をメッキ処理することから、リード部先端面におけ
る凹部切断面を残した箇所、すなわちリード部先端面に
おける前記凹部の内面に相当する箇所にメッキ層が形成
され、クリーム半田を介してのリード部先端面の配線基
板への接着性が確保される。
According to the above-mentioned means, the lead portion is formed by cutting off the portion where the concave portion is formed in the tip portion of each external lead, so that the inner surface of the concave portion and the cut surface thereof correspond to the tip surface of the lead portion. However, since the entire exposed portion of the lead frame from the package portion is plated prior to the separation, the portion where the recess cutting surface in the lead end surface is left, that is, the portion corresponding to the inner surface of the recess in the lead end surface. A plating layer is formed on the substrate, and the adhesiveness of the lead end surface to the wiring board is secured via the cream solder.

【0008】[0008]

【実施例】以下、本発明に係る製造方法の一実施例を図
1〜8を参照して説明する。図中Lは、例えばCu,42
アロイ(鉄−Ni合金)等の極薄金属板を基材とする長
尺状のリードフレームを示し、該リードフレームLは、
プレス等の適宜な手段を用いて、チップ搭載パッド(不
図示)と、その周囲に多数並設される外部リード1とを
形成すると共に、各外部リード1の先端同士を連結部2
で導通せしめた単位フレーム部分L’を一定間隔ごとに
形成した周知の構造のもので、夫々の単位フレーム部分
L’には、チップ搭載パッドにチップを搭載し樹脂モー
ルドでパッケージング(封止成形)したパッケージ部P
が形成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the manufacturing method according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In the figure, L is, for example, Cu, 42
1 shows a long lead frame having an ultrathin metal plate such as an alloy (iron-Ni alloy) as a base material, and the lead frame L is
By using an appropriate means such as a press, a chip mounting pad (not shown) and a large number of external leads 1 arranged around the pad are formed, and the tips of the external leads 1 are connected to each other by a connecting portion 2.
It has a well-known structure in which unit frame portions L'which are electrically connected to each other are formed at regular intervals. Each unit frame portion L'is mounted with a chip on a chip mounting pad and packaged by resin molding (sealing molding). ) Package part P
Are formed.

【0009】パッケージ部Pの周縁には、チップ電極に
導通している外部リード1が多数露出しており、それら
外部リード1の先端部分は前述の如く連結部2に連設さ
れ、且つ夫々の外部リード1の基端付近同士はダムバー
3で連結されている。また、各外部リード1間には間隙
が形成され、各間隙におけるダムバー3とパッケージ部
Pの間の部分にはレジン(パッケージングの際の余り樹
脂)rが充填された状態にある。
A large number of external leads 1 which are electrically connected to the chip electrodes are exposed at the peripheral edge of the package portion P, and the tip portions of the external leads 1 are connected to the connecting portion 2 as described above, and each of them is connected. The vicinity of the proximal ends of the external leads 1 are connected by a dam bar 3. In addition, a gap is formed between each external lead 1, and a portion (between the dam bar 3 and the package portion P in each gap) is filled with resin (residual resin at the time of packaging).

【0010】この状態から、リードフレームLのパッケ
ージ部Pから露出した部分全体をメッキ処理する工程に
先だって、パッケージ部Pから多数延出する外部リード
1の各々の先端部分に凹部4を形成する。該工程は、例
えば図2に示すように、凹部4の形成位置下方に該凹部
4よりも若干小寸な幅寸法を有する食い込み孔11を備え
たダイ10の上面所定位置にリードフレームLを固定し、
その状態で、前記食い込み孔11より若干大寸な幅寸法を
備えたポンチ12を下降せしめ、且つそのポンチ12の下降
限を、外部リード1を打ち抜く手前の位置、詳しくは、
凹部4の深さdが、外部リード1の厚さ(すなわち、リ
ードフレームLの板厚)tの少なくとも1/2 以上、本実
施例では2/3 程度となるよう適宜調整するをもって行
う。
From this state, prior to the step of plating the entire portion of the lead frame L exposed from the package portion P, the recesses 4 are formed in the respective tip portions of the external leads 1 extending from the package portion P in large numbers. In this step, for example, as shown in FIG. 2, the lead frame L is fixed at a predetermined position on the upper surface of the die 10 having a bite hole 11 having a width dimension slightly smaller than the recess 4 below the formation position of the recess 4. Then
In that state, the punch 12 having a slightly larger width than the bite hole 11 is lowered, and the lower limit of the punch 12 is located at a position before punching out the outer lead 1, specifically,
The depth d of the recess 4 is at least ½ of the thickness t of the outer lead 1 (that is, the plate thickness of the lead frame L), and is about 2/3 in this embodiment.

【0011】これにより図3に示すように、外部リード
1における先端部分に適宜深さ、本実施例ではリードフ
レームLの板厚tの2/3 程度の深さdを有する凹部4が
形成されると同時に、同先端部分下面側に凹部4の凹み
分だけ突出する凸部5が形成される。尚、上記凹部4と
凸部5の形成は各外部リード1ごとに行っても構わない
が、パッケージ部Pを囲む枠状の食い込み孔11とポンチ
12を用いれば、各単位フレーム部分L’における全ての
外部リード1,1…各々に同時に凹部4と凸部5を形成
することができる。
As a result, as shown in FIG. 3, a concave portion 4 having an appropriate depth, that is, a depth d which is about 2/3 of the plate thickness t of the lead frame L in this embodiment, is formed at the tip portion of the external lead 1. At the same time, a convex portion 5 is formed on the lower surface side of the tip portion so as to protrude by the amount of the concave portion. The concave portion 4 and the convex portion 5 may be formed for each external lead 1, but a frame-shaped bite hole 11 and a punch surrounding the package portion P may be formed.
If 12 is used, the concave portions 4 and the convex portions 5 can be simultaneously formed on all the external leads 1, 1 ... In each unit frame portion L ′.

【0012】全ての単位フレーム部分L’の外部リード
1に凹部4と凸部5を形成したリードフレームLは、パ
ッケージ部Pから露出した部分全体にメッキ層6を形成
するべくメッキ処理を行う。該メッキ処理は従来周知な
メッキ工程、即ち、リードフレームLに陰極を印加した
状態で、陽極板を内設せるメッキ槽のメッキ液中に浸漬
するラック方式、若しくは、陰極を印加したリードフレ
ームLにメッキ液を吹き付けるスパージャ方式等を採用
して、パッケージ部Pから露出した部分全体に所定厚の
メッキ層6を均一に形成する(図5参照)。
The lead frame L in which the concave portions 4 and the convex portions 5 are formed on the outer leads 1 of all the unit frame portions L'is subjected to the plating treatment so as to form the plated layer 6 on the entire portion exposed from the package portion P. The plating process is a well-known plating process, that is, a rack system in which a cathode is applied to the lead frame L and is immersed in a plating solution in a plating tank in which an anode plate is installed, or a lead frame L to which a cathode is applied. A sparger method or the like in which a plating solution is sprayed on is used to uniformly form a plating layer 6 having a predetermined thickness on the entire portion exposed from the package portion P (see FIG. 5).

【0013】尚、上記メッキ処理工程に先だって、前述
のダムバー3の切断と、間隙内に充填しているレジンr
を除去するトリミング/フォーミング1次処理を行う。
該処理工程はメッキ処理終了後に行っても良いが、ダム
バー切断用及びレジン除去用のポンチ(兼用するも可)
へのメッキの付着を防ぐには、メッキ処理前に行うこと
が好ましい。
Incidentally, prior to the above-mentioned plating process, the cutting of the dam bar 3 and the resin r filled in the gap are described.
Trimming / forming primary processing for removing is performed.
The treatment step may be performed after the plating treatment, but a punch for cutting the dam bar and for removing the resin (can also be used)
In order to prevent the plating from adhering to the surface, it is preferable to perform it before the plating treatment.

【0014】メッキ処理が終了した後、外部リード1の
配線基板への半田接合を可能にするべく、各外部リード
1を折曲げるトリミング/フォーミング2次処理を行
う。該処理工程は図6に示すように、上記凹部4が下
に、凸部5が上になるようリードフレームLを位置せし
め、且つ外部リード1の基端側を上下のストッパー20,2
1で押さえた状態で、リードフレームLにおけるそのス
トッパー20,21 の外側に突出する部分の上方からポンチ
22を下降せしめて、外部リード1をL形に折曲げ加工す
る。尚、この2次処理工程においては図示の如く、ポン
チ22の底面に凸部5の逃げになる凹み23を設けること
で、トリミング/フォーミング2次処理に用いる従来の
プレス装置をそのまま使用できる。
After the plating process is completed, a secondary trimming / forming process is performed to bend each external lead 1 so that the external lead 1 can be soldered to the wiring board. In the processing step, as shown in FIG. 6, the lead frame L is positioned so that the concave portion 4 is on the lower side and the convex portion 5 is on the upper side, and the base end side of the external lead 1 is moved to the upper and lower stoppers 20,2.
Punch from above the part of the lead frame L projecting outside of the stoppers 20 and 21 while being pressed by 1.
22 is lowered and the external lead 1 is bent into an L shape. In this secondary processing step, as shown in the figure, by providing the recesses 23 on the bottom surface of the punch 22 which allow the projections 5 to escape, the conventional press machine used for the secondary processing of trimming / forming can be used as it is.

【0015】上記折曲げ加工が終了した後、各単位フレ
ーム部分L’を切り離すと共に、各外部リード1の先端
同士を連結する連結部2を切断する切り離し工程を行
う。該工程は図7に示すように、夫々の外部リード1の
先端部分における上記凹部4と凸部5を形成した箇所の
手前を上下のストッパー30,31 で押さえた状態で、凹部
4の内面に形成したメッキ層6の表面に沿ってポンチ32
を上昇せしめて、外部リード1の先端部分における上記
凹部4を形成した箇所と連結部2とを同時に切り離し、
且つ外部リード1の長さを適宜に調整してリード部L1を
形成する。これにより、パッケージ部Pの周縁から多数
のリード部L1,L1 …がL形状に突出すると共に、各リー
ド部L1の上下左右の周面全域、並びにその先端面L1-1に
おける上記凹部4の内面に相当する箇所(すなわち、リ
ード部L1の先端面L1-1における高さ方向2/3 程度の領
域)に、均一なメッキ層6が形成された半導体装置が製
造される(図8参照)。
After the bending process is completed, the unit frame portions L'are separated and the connecting portion 2 for connecting the tips of the outer leads 1 is cut off. In the step, as shown in FIG. 7, the inner surface of the recess 4 is pressed with the upper and lower stoppers 30 and 31 being pressed in front of the positions where the recesses 4 and the protrusions 5 are formed at the tips of the respective outer leads 1. Punch 32 along the surface of the formed plating layer 6
And the connecting portion 2 is cut off at the same time as the portion where the concave portion 4 is formed in the tip portion of the external lead 1.
In addition, the length of the outer lead 1 is appropriately adjusted to form the lead portion L1. As a result, a large number of lead portions L1, L1 ... Project in the L shape from the peripheral edge of the package portion P, and the entire upper, lower, left, and right peripheral surfaces of each lead portion L1 and the inner surface of the recessed portion 4 at the tip surface L1-1 thereof. A semiconductor device in which a uniform plated layer 6 is formed in a portion corresponding to (i.e., a region of the tip surface L1-1 of the lead portion L1 in the height direction of about 2/3) is manufactured (see FIG. 8).

【0016】このようにして製造された半導体装置Aは
図9に示すように、各リード部L1の先端をクリーム半田
40を介して、配線基板50のリード51に接着するが、リー
ド部L1の先端下面部分L1-2と先端面L1-1との双方におい
て半田接合性を備えていることから、先端下面部分のみ
しか半田接合性を備えていない従来方法により製造され
た半導体装置(図10参照)に比べ、極めて高い接合信頼
性が得られる。このような特性は、半導体装置の高性
能,小型化の要望による多ピン化,極薄化に伴い、より
顕著に得られるものである。
As shown in FIG. 9, the semiconductor device A manufactured in this manner has the tip of each lead L1 soldered with cream solder.
Although it is adhered to the lead 51 of the wiring board 50 via 40, only the tip lower surface portion is provided because both the tip lower surface portion L1-2 and the tip surface L1-1 of the lead portion L1 have solder jointability. As compared with a semiconductor device manufactured by a conventional method having only soldering property (see FIG. 10), extremely high bonding reliability can be obtained. Such characteristics are more remarkably obtained as the number of pins and the thickness of the semiconductor device are increased to meet the demand for higher performance and smaller size.

【0017】尚、本実施例では上述の如く、リード部先
端面L1-1におけるメッキ層6が形成される領域を該先端
面L1-1の高さ方向2/3 程度としたが、本発明はこれに限
定されず、少なくともリード部先端面L1-1における高さ
方向1/2 程度の領域にメッキ層6が形成されれば、初期
の目的を達成することは可能である。また、そのメッキ
層6が形成される領域の増減は、外部リード1の先端部
分に凹部4を形成する際のポンチ12の下降限が、凹部4
の深さdがリードフレームLの板厚tに対して1/2 〜2/
3 程度の範囲内になるよう、適宜調節して行うことはい
うまでもない。
In this embodiment, as described above, the region of the lead surface L1-1 on which the plating layer 6 is formed is about 2/3 of the height of the lead surface L1-1. The present invention is not limited to this, and the initial purpose can be achieved if the plating layer 6 is formed at least in a region of about 1/2 in the height direction on the lead end face L1-1. Further, the increase / decrease of the area where the plating layer 6 is formed depends on the lowering limit of the punch 12 when the recess 4 is formed at the tip portion of the outer lead 1.
Depth d is 1/2 to 2 / with respect to the plate thickness t of the lead frame L.
It goes without saying that it is adjusted appropriately so that it falls within the range of about 3.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明は以上説明したように、外部リー
ドの先端部分に凹部を設け、リードフレームのパッケー
ジ部から露出した部分全体をメッキ処理した後、外部リ
ードの先端において前記凹部を設けた箇所を切り離して
リード部を形成するようにしたので、リード部先端面に
おける前記凹部の内面に相当する箇所に形成したメッキ
層によって、リード部先端面の配線基板への半田接着性
を確保できる。従って、リード部先端下面側及びその先
端面の双方を配線基板に半田付けすることが可能にな
り、半導体装置の配線基板に対する接合信頼性を極めて
高いものとして、高性能,小型化の要望による多ピン
化,極薄化に最適な半導体装置の製造方法を提供し得
た。
As described above, according to the present invention, the concave portion is provided at the tip of the external lead, the concave portion is provided at the tip of the external lead after the entire exposed portion of the lead frame from the package portion is plated. Since the lead portions are formed by separating the portions, the plating layer formed at the portions corresponding to the inner surfaces of the recesses on the tip end surfaces of the lead portions can secure the solder adhesiveness of the lead end tip surfaces to the wiring board. Therefore, it becomes possible to solder both the lower end surface of the lead portion and the front end surface thereof to the wiring board, and the reliability of the bonding of the semiconductor device to the wiring board is extremely high. We have been able to provide a semiconductor device manufacturing method that is optimal for pinning and ultra-thinning.

【0019】また、メッキ処理に先立つ外部リード先端
部分への凹部の形成をプレス等の加圧装置により行うよ
うにすれば、該装置をメッキ処理後の凹部の切断用に兼
用することもでき、従来に比してメッキライン,製造ラ
インが大型化したり作業時間が増大するようなことなく
実施可能である。
Further, if the depression is formed in the tip portion of the external lead prior to the plating treatment by a pressing device such as a press, the device can also be used for cutting the depression after the plating treatment. It can be implemented without increasing the plating line and manufacturing line or increasing the work time compared to the conventional method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】パッケージ部を形成したリードフレームの平面
図で、要部を拡大して表す。
FIG. 1 is a plan view of a lead frame in which a package portion is formed, showing an enlarged main portion.

【図2】外部リードの先端部分に凹部を形成する前の状
態を示す拡大断面図。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a state before a recess is formed in the tip portion of the external lead.

【図3】外部リードの先端部分に凹部を形成した後の状
態を示す拡大断面図。
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view showing a state after forming a recess in the tip portion of the external lead.

【図4】図3の状態の平面図。FIG. 4 is a plan view of the state of FIG.

【図5】パッケージ部から露出した部分全体にメッキ層
を形成した後の状態を示す拡大断面図。
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a state after a plating layer is formed on the entire portion exposed from the package portion.

【図6】外部リードを折曲げ加工した後の状態を示す断
面図で、要部を拡大して表す。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state after bending the external lead, showing an enlarged main part.

【図7】外部リード先端の凹部を切り離す前の状態を示
す拡大断面図。
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a state before the concave portion at the tip of the external lead is cut off.

【図8】外部リード先端の凹部を切り離した後の状態を
示す拡大断面図。
FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view showing a state after the concave portion at the tip of the external lead is cut off.

【図9】本発明方法により製造された半導体装置を配線
基板に接合した状態を示す断面図で、要部を拡大して表
す。
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state in which a semiconductor device manufactured by the method of the present invention is bonded to a wiring board, and an essential part is enlarged.

【図10】従来の方法により製造された半導体装置を配線
基板に接合した状態を示す要部拡大図。
FIG. 10 is an enlarged view of an essential part showing a state in which a semiconductor device manufactured by a conventional method is bonded to a wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

L:リードフレーム P:パッケージ部
1:外部リード 2:連結部 3:ダムバー
4:凹部 5:凸部 6:メッキ層
A:半導体装置 L1:リード部 L1-1: リード部先端面 40:クリーム半田 50:配線基板 5
1:リード
L: Lead frame P: Package
1: External lead 2: Connection part 3: Dam bar
4: concave portion 5: convex portion 6: plating layer
A: Semiconductor device L1: Lead L1-1: Lead end surface 40: Cream solder 50: Wiring board 5
1: Lead

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 リードフレームに搭載したチップをパッ
ケージングしてパッケージ部を形成した後、該パッケー
ジ部から多数延出する外部リードの各々の先端部分に凹
部を形成し、続いて、リードフレーム,パッケージ部の
全体をメッキ処理することにより、リードフレームのパ
ッケージ部から露出した部分全体にメッキ層を均一に形
成し、さらにその後、夫々の外部リードにおいてその先
端部分における上記凹部を形成した箇所を切り離すと共
に、各外部リードを折曲げ加工してリード部を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A chip mounted on a lead frame is packaged to form a package portion, and a recess is formed at each tip of each of the external leads extending from the package portion. A plating layer is uniformly formed on the entire exposed portion of the lead frame from the package portion by plating the entire package portion, and thereafter, the portion where the recessed portion is formed at the tip portion of each external lead is separated. At the same time, a method of manufacturing a semiconductor device is characterized in that each outer lead is bent to form a lead portion.
JP5302882A 1993-12-02 1993-12-02 Manufacture of semiconductor device Pending JPH07161901A (en)

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