JPH07161877A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH07161877A JPH07161877A JP30784393A JP30784393A JPH07161877A JP H07161877 A JPH07161877 A JP H07161877A JP 30784393 A JP30784393 A JP 30784393A JP 30784393 A JP30784393 A JP 30784393A JP H07161877 A JPH07161877 A JP H07161877A
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- Japan
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- resin
- silica powder
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的特性に悪影響を与える有害物質の半導
体装置内部への侵入を阻止する能力を向上する。 【構成】 半導体装置の凹部内に充填され且つ該半導体
チップを被覆する保護樹脂７は、１００重量部のシリコ
ン樹脂と、８０〜１４０重量部のフィラー材とを含有す
る。フィラー材はシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、シ
リカ粉末の含有率はシリコン樹脂１００重量部に対して
２０〜５０重量部である。保護樹脂７に含まれるシリカ
粉末及びアルミナ粉末はシリコン樹脂よりも熱膨張係数
が小さく、保護樹脂７の熱膨張係数を低減して支持電極
との熱膨張係数差を減少する作用がある。また、シリカ
粉末の含有率が特定されているので、水分が付着した状
態で電界が印加されるような厳しい環境下で使用しても
保護樹脂が支持電極から剥離しない。
体装置内部への侵入を阻止する能力を向上する。 【構成】 半導体装置の凹部内に充填され且つ該半導体
チップを被覆する保護樹脂７は、１００重量部のシリコ
ン樹脂と、８０〜１４０重量部のフィラー材とを含有す
る。フィラー材はシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、シ
リカ粉末の含有率はシリコン樹脂１００重量部に対して
２０〜５０重量部である。保護樹脂７に含まれるシリカ
粉末及びアルミナ粉末はシリコン樹脂よりも熱膨張係数
が小さく、保護樹脂７の熱膨張係数を低減して支持電極
との熱膨張係数差を減少する作用がある。また、シリカ
粉末の含有率が特定されているので、水分が付着した状
態で電界が印加されるような厳しい環境下で使用しても
保護樹脂が支持電極から剥離しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に電気的
特性に悪影響を与える有害物質の内部への侵入を防止で
きる半導体装置に関連する。
特性に悪影響を与える有害物質の内部への侵入を防止で
きる半導体装置に関連する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、実公平４−５２９９９号公報に
示されるように、自動車に使用される交流発電機（オル
タネータ）の出力を整流する素子として、軟質樹脂、即
ちラバー状樹脂で半導体チップを封止した樹脂封止ダイ
オードが公知である。この樹脂封止ダイオードを図３に
ついて説明する。
示されるように、自動車に使用される交流発電機（オル
タネータ）の出力を整流する素子として、軟質樹脂、即
ちラバー状樹脂で半導体チップを封止した樹脂封止ダイ
オードが公知である。この樹脂封止ダイオードを図３に
ついて説明する。
【０００３】ダイオード１は、平坦なベース部２ａ及び
ベース部２ａから屈曲して伸び出す側部２ｂを有して凹
部２ｃの形成された椀形の支持電極２と、フランジ状の
ヘッダー３ａ及びヘッダー３ａより小さい横断面を有す
るリード部３ｂからなるリード電極３と、ベース部２ａ
とヘッダー３ａとの間に接続された半導体チップ４と、
凹部２ｃ内に充填され且つ半導体チップ４を封止するシ
リコン樹脂５とを備えている。半導体チップ４の上面４
ａ及び下面４ｂは、それぞれ半田６によりヘッダー３ａ
の下面３ａ1及びベース部２ａの上面２ａ1に接着されて
いる。
ベース部２ａから屈曲して伸び出す側部２ｂを有して凹
部２ｃの形成された椀形の支持電極２と、フランジ状の
ヘッダー３ａ及びヘッダー３ａより小さい横断面を有す
るリード部３ｂからなるリード電極３と、ベース部２ａ
とヘッダー３ａとの間に接続された半導体チップ４と、
凹部２ｃ内に充填され且つ半導体チップ４を封止するシ
リコン樹脂５とを備えている。半導体チップ４の上面４
ａ及び下面４ｂは、それぞれ半田６によりヘッダー３ａ
の下面３ａ1及びベース部２ａの上面２ａ1に接着されて
いる。
【０００４】半導体チップ４が作動時に発生する熱を放
熱する椀形の支持電極２のベース部２ａは、約１ｍｍの
厚さを有する。また、ベース部２ａから屈曲して伸び出
す側部２ｂは、直径約９.５ｍｍ、高さ約２.３ｍｍ及び
厚さ約０.５ｍｍの環状である。リード電極３のヘッダ
ー３ａは、約５ｍｍの直径と約０.５ｍｍの厚さを有す
る。ヘッダー３ａから上方に伸びるリード部３ｂは、約
１.５ｍｍの直径で約１８ｍｍの長さを有する。リード
部３ｂにはＵ字形のベンド部３ｂ1が形成される。しか
し、Ｕ字形のベンド部３ｂ1を設けずに、リード部３ｂ
を直線状に形成してもよい。
熱する椀形の支持電極２のベース部２ａは、約１ｍｍの
厚さを有する。また、ベース部２ａから屈曲して伸び出
す側部２ｂは、直径約９.５ｍｍ、高さ約２.３ｍｍ及び
厚さ約０.５ｍｍの環状である。リード電極３のヘッダ
ー３ａは、約５ｍｍの直径と約０.５ｍｍの厚さを有す
る。ヘッダー３ａから上方に伸びるリード部３ｂは、約
１.５ｍｍの直径で約１８ｍｍの長さを有する。リード
部３ｂにはＵ字形のベンド部３ｂ1が形成される。しか
し、Ｕ字形のベンド部３ｂ1を設けずに、リード部３ｂ
を直線状に形成してもよい。
【０００５】半導体チップ４の両主面４ａ、４ｂにはニ
ッケル電極（図示せず）が形成されている。半田６は、
鉛（Ｐｂ）９５重量％、錫（Ｓｎ）５重量％のＰｂ−Ｓ
ｎ系合金である。椀形の支持電極２及びリード電極３
は、ニッケルが被覆された銅材である。シリコン樹脂５
は、椀形の支持電極２の凹部２ｃから少し盛り上がるよ
うに形成され、半導体チップ４の側面４ｃ、ヘッダー３
ａに続くリード部３ｂの下部及び椀形の支持電極２の凹
部２ｃ側を被覆する。また、シリコン樹脂５は、椀形の
支持電極２に半導体チップ４とリード電極３を固着した
後に椀形の支持電極２の凹部２ｃに樹脂形成用粘液を注
ぎ、熱処理を施して形成される。
ッケル電極（図示せず）が形成されている。半田６は、
鉛（Ｐｂ）９５重量％、錫（Ｓｎ）５重量％のＰｂ−Ｓ
ｎ系合金である。椀形の支持電極２及びリード電極３
は、ニッケルが被覆された銅材である。シリコン樹脂５
は、椀形の支持電極２の凹部２ｃから少し盛り上がるよ
うに形成され、半導体チップ４の側面４ｃ、ヘッダー３
ａに続くリード部３ｂの下部及び椀形の支持電極２の凹
部２ｃ側を被覆する。また、シリコン樹脂５は、椀形の
支持電極２に半導体チップ４とリード電極３を固着した
後に椀形の支持電極２の凹部２ｃに樹脂形成用粘液を注
ぎ、熱処理を施して形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シリコン樹
脂５は支持電極２を形成する金属に対して熱膨張係数及
び硬化収縮が大きいため、支持電極２との接着界面にお
いて剥離が生じ易く、電気的特性を低下させるおそれが
あった。即ち、シリコン樹脂５の支持電極２及びリード
電極３との接着は、酸やアルカリの存在によって分断さ
れやすい。しかも、シリコン樹脂５を固化する熱処理工
程では、シリコン樹脂５に収縮が伴い、矢印Ａ及びＢで
示す接着部にストレスが集中する。このため、接着部Ａ
及びＢにおいてシリコン樹脂５がリード電極３のリード
部３ｂ又は椀形の支持電極２の上部２ｂ2の表面から剥
離しやすい状態になる。従って、厳しい環境の下でダイ
オード１を長期間使用すると、接着部Ａ及びＢを起点と
してリード電極３のリード部３ｂ又は椀形の支持電極２
の側部２ｂの表面に沿ってシリコン樹脂５の剥離が進行
し、最終的にはヘッダー３ａの上面３ａ2及び側面３ａ3
又は椀形の支持電極２の側部２ｂの内面２ｂ1及びベー
ス部２ａの上面２ａ1を経て、半導体チップ４の側面４
ｃにまでシリコン樹脂５の剥離が達することがある。こ
のように剥離が進行した状態では、ダイオード１は、シ
リコン樹脂５の剥離部から半導体チップ４の側面４ｃに
侵入する水分やイオン性不純物等の有害物質により、逆
方向電流が増加しするなどの特性不良が生じる。
脂５は支持電極２を形成する金属に対して熱膨張係数及
び硬化収縮が大きいため、支持電極２との接着界面にお
いて剥離が生じ易く、電気的特性を低下させるおそれが
あった。即ち、シリコン樹脂５の支持電極２及びリード
電極３との接着は、酸やアルカリの存在によって分断さ
れやすい。しかも、シリコン樹脂５を固化する熱処理工
程では、シリコン樹脂５に収縮が伴い、矢印Ａ及びＢで
示す接着部にストレスが集中する。このため、接着部Ａ
及びＢにおいてシリコン樹脂５がリード電極３のリード
部３ｂ又は椀形の支持電極２の上部２ｂ2の表面から剥
離しやすい状態になる。従って、厳しい環境の下でダイ
オード１を長期間使用すると、接着部Ａ及びＢを起点と
してリード電極３のリード部３ｂ又は椀形の支持電極２
の側部２ｂの表面に沿ってシリコン樹脂５の剥離が進行
し、最終的にはヘッダー３ａの上面３ａ2及び側面３ａ3
又は椀形の支持電極２の側部２ｂの内面２ｂ1及びベー
ス部２ａの上面２ａ1を経て、半導体チップ４の側面４
ｃにまでシリコン樹脂５の剥離が達することがある。こ
のように剥離が進行した状態では、ダイオード１は、シ
リコン樹脂５の剥離部から半導体チップ４の側面４ｃに
侵入する水分やイオン性不純物等の有害物質により、逆
方向電流が増加しするなどの特性不良が生じる。
【０００７】この問題を解決するためにシリコン樹脂に
シリカ粉末を含有させて熱膨張係数を小さくして、保護
樹脂の熱膨張係数を支持電極の熱膨張係数に近づける方
法が公知になっている。この保護樹脂では、通常の環境
下では剥離が生じない。しかしながら、保護樹脂に水分
が付着した状態で電界中に配置して、電界が印加される
と、剥離防止効果が損なわれることが判明した。
シリカ粉末を含有させて熱膨張係数を小さくして、保護
樹脂の熱膨張係数を支持電極の熱膨張係数に近づける方
法が公知になっている。この保護樹脂では、通常の環境
下では剥離が生じない。しかしながら、保護樹脂に水分
が付着した状態で電界中に配置して、電界が印加される
と、剥離防止効果が損なわれることが判明した。
【０００８】そこで本発明は、厳しい環境下で使用して
も保護樹脂が支持電極から剥離せずに、電気的特性に悪
影響を与える有害物質の内部への侵入を阻止する能力の
大きい半導体装置を提供することを目的とする。
も保護樹脂が支持電極から剥離せずに、電気的特性に悪
影響を与える有害物質の内部への侵入を阻止する能力の
大きい半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、銅を主成分とする金属により形成され且つ凹部を有
する支持電極と、リード電極と、支持電極の凹部の底部
とリード電極との間に接続された半導体チップと、凹部
内に充填され且つ半導体チップを被覆する保護樹脂とを
備えている。保護樹脂は、１００重量部のシリコン樹脂
と、８０〜１４０重量部のフィラー材とを含有する。フ
ィラー材はシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、シリカ粉
末の含有率はシリコン樹脂１００重量部に対して２０〜
５０重量部である。
は、銅を主成分とする金属により形成され且つ凹部を有
する支持電極と、リード電極と、支持電極の凹部の底部
とリード電極との間に接続された半導体チップと、凹部
内に充填され且つ半導体チップを被覆する保護樹脂とを
備えている。保護樹脂は、１００重量部のシリコン樹脂
と、８０〜１４０重量部のフィラー材とを含有する。フ
ィラー材はシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、シリカ粉
末の含有率はシリコン樹脂１００重量部に対して２０〜
５０重量部である。
【００１０】
【作用】保護樹脂に含まれるシリカ粉末及びアルミナ粉
末はシリコン樹脂よりも熱膨張係数が小さく、保護樹脂
の熱膨張係数を低減して支持電極との熱膨張係数差を減
少する作用がある。このシリカ粉末とアルミナ粉末から
成るフィラー材をシリコン樹脂１００重量部に対して８
０〜１４０重量部となるように含有する保護樹脂は、良
好な熱膨張係数と硬化収縮率を備える。また、フィラー
中のシリカ粉末の含有割合がシリコン樹脂１００重量部
に対して２０重量部以上となっているので、フィラー材
が保護樹脂中に均一に分布する。また、フィラー中のシ
リカ粉末の含有割合がシリコン樹脂１００重量部に対し
て５０重量部以下となっているので、保護樹脂に水分が
付着した状態で電界が印加されても保護樹脂が支持電極
から剥離しない。
末はシリコン樹脂よりも熱膨張係数が小さく、保護樹脂
の熱膨張係数を低減して支持電極との熱膨張係数差を減
少する作用がある。このシリカ粉末とアルミナ粉末から
成るフィラー材をシリコン樹脂１００重量部に対して８
０〜１４０重量部となるように含有する保護樹脂は、良
好な熱膨張係数と硬化収縮率を備える。また、フィラー
中のシリカ粉末の含有割合がシリコン樹脂１００重量部
に対して２０重量部以上となっているので、フィラー材
が保護樹脂中に均一に分布する。また、フィラー中のシ
リカ粉末の含有割合がシリコン樹脂１００重量部に対し
て５０重量部以下となっているので、保護樹脂に水分が
付着した状態で電界が印加されても保護樹脂が支持電極
から剥離しない。
【００１１】
【実施例】次に、自動車用整流ダイオードに適用した本
発明による半導体装置の実施例を図１について説明す
る。図１では、図２に示す箇所と同一の部分には同一符
号を付し、説明を省略する。
発明による半導体装置の実施例を図１について説明す
る。図１では、図２に示す箇所と同一の部分には同一符
号を付し、説明を省略する。
【００１２】図１に示す本実施例の整流ダイオード１０
は、シリカ粒末とアルミナ粉末からなるフィラー材を含
有するシリコン樹脂によって保護樹脂７を構成した点で
図３に示す従来の整流ダイオード１と異なる。
は、シリカ粒末とアルミナ粉末からなるフィラー材を含
有するシリコン樹脂によって保護樹脂７を構成した点で
図３に示す従来の整流ダイオード１と異なる。
【００１３】本実施例の保護樹脂７は、シリコン樹脂１
００重量部に対してフィラー材を１１０重量部含有す
る。また、フィラー材中のシリカ粉末の割合はシリコン
樹脂１００重量部に対して４０重量部であり、残部はア
ルミナ粉末である。
００重量部に対してフィラー材を１１０重量部含有す
る。また、フィラー材中のシリカ粉末の割合はシリコン
樹脂１００重量部に対して４０重量部であり、残部はア
ルミナ粉末である。
【００１４】本発明の硬化を確認するため、図１と同一
の構造を備えシリカ粉末の含有量が相違する多数の整流
ダイオードサンプルを製作して、電界品質試験を行っ
た。各サンプルを塩水中に浸漬した後、恒温槽内に配置
してサンプル中の水分を蒸発させ、支持電極２とリード
電極３との間に所定の電圧を印加して保護樹脂７と支持
電極２との接着状態を検査した。
の構造を備えシリカ粉末の含有量が相違する多数の整流
ダイオードサンプルを製作して、電界品質試験を行っ
た。各サンプルを塩水中に浸漬した後、恒温槽内に配置
してサンプル中の水分を蒸発させ、支持電極２とリード
電極３との間に所定の電圧を印加して保護樹脂７と支持
電極２との接着状態を検査した。
【００１５】図２に示すグラフは、フィラー材中のシリ
カ粉末の含有率を変化させた多数の整流ダイオードサン
プルの電界品質試験の結果を示す。シリカ粉末含有率が
シリコン樹脂１００重量部に対して５０重量部を超える
サンプル及び２０重量部に満たないサンプルは８回未満
の試験回数で保護樹脂７と支持電極２の界面に剥離が見
られた。この理由は、シリカ粉末の含有量が５０重量％
を超えると、シリカ粉末中に不純物として含まれるＳｉ
Ｏ（一酸化けい素）及びＳｉ（けい素）等の未反応物が
悪影響を及ぼし、また、シリカ粉末の含有率が２０重量
部に満たないと、シリカ粉末に比べて比重の大きいアル
ミナ粉末の含有率が相対的に増加して、フィラー材が保
護樹脂７中に均一に分布しないためと考えられる。な
お、フィラー材を全てアルミナ粉末としたときはフィラ
ー材の沈降が著しく、剥離防止効果が十分に発揮されな
いことが確認された。
カ粉末の含有率を変化させた多数の整流ダイオードサン
プルの電界品質試験の結果を示す。シリカ粉末含有率が
シリコン樹脂１００重量部に対して５０重量部を超える
サンプル及び２０重量部に満たないサンプルは８回未満
の試験回数で保護樹脂７と支持電極２の界面に剥離が見
られた。この理由は、シリカ粉末の含有量が５０重量％
を超えると、シリカ粉末中に不純物として含まれるＳｉ
Ｏ（一酸化けい素）及びＳｉ（けい素）等の未反応物が
悪影響を及ぼし、また、シリカ粉末の含有率が２０重量
部に満たないと、シリカ粉末に比べて比重の大きいアル
ミナ粉末の含有率が相対的に増加して、フィラー材が保
護樹脂７中に均一に分布しないためと考えられる。な
お、フィラー材を全てアルミナ粉末としたときはフィラ
ー材の沈降が著しく、剥離防止効果が十分に発揮されな
いことが確認された。
【００１６】本発明に基づく保護樹脂７は、１００重量
部のシリコン樹脂と、８０〜１４０重量部のフィラー材
とを含有する。シリコン樹脂１００重量部に対して、シ
リカ粉末及びアルミナ粉末から構成されるフィラー材を
８０〜１４０重量部含有する保護樹脂は、良好な熱膨張
係数と硬化収縮率を備え、しかも硬化後に支持電極に良
好に密着する。フィラー材の含有率が８０重量部に満た
ない場合及び１４０重量部を超える場合、所望の熱膨張
係数と硬化収縮率が得られない。また、本発明に基づく
フィラー材がシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、シリカ
粉末の含有率がシリコン樹脂１００重量部に対して２０
〜５０重量部であるから、水分が付着した状態で電界が
印加されても剥離が生じないし、フィラー材を保護樹脂
中に均一に分布させることができる。
部のシリコン樹脂と、８０〜１４０重量部のフィラー材
とを含有する。シリコン樹脂１００重量部に対して、シ
リカ粉末及びアルミナ粉末から構成されるフィラー材を
８０〜１４０重量部含有する保護樹脂は、良好な熱膨張
係数と硬化収縮率を備え、しかも硬化後に支持電極に良
好に密着する。フィラー材の含有率が８０重量部に満た
ない場合及び１４０重量部を超える場合、所望の熱膨張
係数と硬化収縮率が得られない。また、本発明に基づく
フィラー材がシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、シリカ
粉末の含有率がシリコン樹脂１００重量部に対して２０
〜５０重量部であるから、水分が付着した状態で電界が
印加されても剥離が生じないし、フィラー材を保護樹脂
中に均一に分布させることができる。
【００１７】本発明の実施態様は前記の実施例に限定さ
れず、変更が可能である。自動車用整流ダイオード以外
の半導体装置にも本発明を適用することができる。ま
た、保護樹脂７中には、フィラー材の外に、本発明の効
果が阻害されない範囲内で、硬化促進剤、軟化剤、接着
剤等他の添加剤を混入させてもよい。
れず、変更が可能である。自動車用整流ダイオード以外
の半導体装置にも本発明を適用することができる。ま
た、保護樹脂７中には、フィラー材の外に、本発明の効
果が阻害されない範囲内で、硬化促進剤、軟化剤、接着
剤等他の添加剤を混入させてもよい。
【００１８】
【発明の効果】本発明による半導体装置では、水分が付
着した状態で電界が印加されるような厳しい環境の下で
使用されても、封止樹脂体と電極との剥離が進行し難
く、有害物質の侵入を阻止する能力が強化された信頼性
の高い半導体装置を得ることができる。
着した状態で電界が印加されるような厳しい環境の下で
使用されても、封止樹脂体と電極との剥離が進行し難
く、有害物質の侵入を阻止する能力が強化された信頼性
の高い半導体装置を得ることができる。
【図１】 自動車用整流ダイオードに適用した本発明に
よる半導体装置の断面図
よる半導体装置の断面図
【図２】 シリカ粉末の含有量の変化と試験回数との関
係を示すグラフ
係を示すグラフ
【図３】 従来の自動車用整流ダイオードの断面図
２．．支持電極、 ２ａ．．ベース部、 ２ｂ．．側部、
２ｃ．．凹部、 ３．．リード電極、 ３ａ．．ヘッダ
ー、 ３ｂ．．リード部、 ４．．半導体チップ、
６．．半田、７．．保護樹脂、
２ｃ．．凹部、 ３．．リード電極、 ３ａ．．ヘッダ
ー、 ３ｂ．．リード部、 ４．．半導体チップ、
６．．半田、７．．保護樹脂、
Claims (1)
- 【請求項１】 銅を主成分とする金属により形成され且
つ凹部を有する支持電極と、リード電極と、前記支持電
極の凹部の底部と前記リード電極との間に接続された半
導体チップと、前記凹部内に充填され且つ該半導体チッ
プを被覆する保護樹脂とを備えた半導体装置において、 前記保護樹脂は、１００重量部のシリコン樹脂と、８０
〜１４０重量部のフィラー材とを含有し、前記フィラー
材はシリカ粉末とアルミナ粉末を有し、前記シリカ粉末
の含有率は前記シリコン樹脂１００重量部に対して２０
〜５０重量部であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30784393A JP2958948B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30784393A JP2958948B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161877A true JPH07161877A (ja) | 1995-06-23 |
| JP2958948B2 JP2958948B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=17973863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30784393A Expired - Fee Related JP2958948B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2958948B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7423349B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-09-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| DE102008046724A1 (de) | 2007-09-20 | 2009-04-02 | Hitachi Ltd. | Halbleitervorrichtung |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP30784393A patent/JP2958948B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7423349B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-09-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| DE102008046724A1 (de) | 2007-09-20 | 2009-04-02 | Hitachi Ltd. | Halbleitervorrichtung |
| DE102008046724B4 (de) * | 2007-09-20 | 2014-09-25 | Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. | Halbleitervorrichtung |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2958948B2 (ja) | 1999-10-06 |
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