JPH0715903B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0715903B2 JPH0715903B2 JP62066571A JP6657187A JPH0715903B2 JP H0715903 B2 JPH0715903 B2 JP H0715903B2 JP 62066571 A JP62066571 A JP 62066571A JP 6657187 A JP6657187 A JP 6657187A JP H0715903 B2 JPH0715903 B2 JP H0715903B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- belt
- semiconductor manufacturing
- semiconductor wafer
- head
- gas
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置に係り、特に常圧気相成長装置
に関する。
に関する。
〔従来の技術〕 従来の常圧気相成長装置は第４図に示すように、半導体
ウェハ44の搬送用のベルト41、ベルト駆動用モータ42、
半導体ウェハ44の加熱ヒータ43、反応ガス46を供給する
ディスパージョンヘッド45とで構成されていた。さら
に、ディスパジョンヘッド45は、第５図に示すように、
スリット52が形成されており、反応ガス46はこのスリッ
ト52を通って加熱された半導体ウェハ44上に反応ガス導
入口56から供給され、所要の膜を形成していた。排気ガ
ス47はスリット52の周囲とヘットカバー53との間から排
出される。
ウェハ44の搬送用のベルト41、ベルト駆動用モータ42、
半導体ウェハ44の加熱ヒータ43、反応ガス46を供給する
ディスパージョンヘッド45とで構成されていた。さら
に、ディスパジョンヘッド45は、第５図に示すように、
スリット52が形成されており、反応ガス46はこのスリッ
ト52を通って加熱された半導体ウェハ44上に反応ガス導
入口56から供給され、所要の膜を形成していた。排気ガ
ス47はスリット52の周囲とヘットカバー53との間から排
出される。
前述した常圧気相成長装置のディスパージョンヘッド45
から、加熱された半導体ウェハ44上に供給される反応ガ
ス46は、半導体ウェハ44対して垂直に供給されるため、
ステップ状の段差に形成されるガラス64の形状は、第６
図に示すようになる。同図において、半導体ウェハ61上
に熱酸化膜62が形成され、さらにアルミニウム配線63が
形成される。そして、この表面にリン硅酸ガラス64また
は酸化膜が施される。さて、ガラス64は、段差上部が厚
く、そして段差側面が薄くなり、しかもオーバーハング
状になるという欠点があった。
から、加熱された半導体ウェハ44上に供給される反応ガ
ス46は、半導体ウェハ44対して垂直に供給されるため、
ステップ状の段差に形成されるガラス64の形状は、第６
図に示すようになる。同図において、半導体ウェハ61上
に熱酸化膜62が形成され、さらにアルミニウム配線63が
形成される。そして、この表面にリン硅酸ガラス64また
は酸化膜が施される。さて、ガラス64は、段差上部が厚
く、そして段差側面が薄くなり、しかもオーバーハング
状になるという欠点があった。
本発明の目的は、前記欠点が解決され、主表面の凸部分
がオーバーハング状にならないように、膜を形成しえる
半導体製造装置を提供することにある。
がオーバーハング状にならないように、膜を形成しえる
半導体製造装置を提供することにある。
本発明の構成は、半導体ウェハを載置するベルトと、こ
のベルトを移動させる駆動手段と、前記ベルトの上方に
このベルトの平面から平行な所定の距離をおいて、多数
のスリット板で仕切られたガス吹き出し部を形成したデ
ィスパージョンヘッドとを備えた半導体製造装置におい
て、前記ガス吹き出し部が、前記ヘッド内で外側にある
前記スリット板の一部をそれぞれ内側に折曲形状にする
ことにより、前記ベルトの平面に対して内側に傾斜した
吹き出し部を有することを特徴とする。
のベルトを移動させる駆動手段と、前記ベルトの上方に
このベルトの平面から平行な所定の距離をおいて、多数
のスリット板で仕切られたガス吹き出し部を形成したデ
ィスパージョンヘッドとを備えた半導体製造装置におい
て、前記ガス吹き出し部が、前記ヘッド内で外側にある
前記スリット板の一部をそれぞれ内側に折曲形状にする
ことにより、前記ベルトの平面に対して内側に傾斜した
吹き出し部を有することを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体製造装置のディスパ
ージョンヘッドを示す断面図である。同図において、特
にディスパージョンヘッド11についてのみ示したもので
ある。ここで、唯一のディスパージョンヘッド11の内部
は、スリット板12によって、多数のスリットが形成され
ており、ガス導入口16から出た反応ガスは、このスリッ
トを通って流れる。スリット板12の下部は、反応ガス14
が左右上部から供給されるように、適当に傾斜を持った
構造になっている。排気ガス15は、スリット板12の周囲
とヘッドカバー13との間から排出される。
ージョンヘッドを示す断面図である。同図において、特
にディスパージョンヘッド11についてのみ示したもので
ある。ここで、唯一のディスパージョンヘッド11の内部
は、スリット板12によって、多数のスリットが形成され
ており、ガス導入口16から出た反応ガスは、このスリッ
トを通って流れる。スリット板12の下部は、反応ガス14
が左右上部から供給されるように、適当に傾斜を持った
構造になっている。排気ガス15は、スリット板12の周囲
とヘッドカバー13との間から排出される。
第２図は本発明の他の実施例の半導体製造装置を示した
断面図である。同図において、本実施例は、ディスパー
ジョンヘッド21を３個用意し、各ヘッドがそれぞれ反応
ガス23の吹き出し方向を変えている。ヒータ26上に、離
間して半導体ウェハ24の搬送用ベルト25があり、さらに
この上に３個のディスパージョンヘッド21があり、それ
ぞれ異なった方向に反応ガス23を送出している。
断面図である。同図において、本実施例は、ディスパー
ジョンヘッド21を３個用意し、各ヘッドがそれぞれ反応
ガス23の吹き出し方向を変えている。ヒータ26上に、離
間して半導体ウェハ24の搬送用ベルト25があり、さらに
この上に３個のディスパージョンヘッド21があり、それ
ぞれ異なった方向に反応ガス23を送出している。
前記一実施例で示したディスパージョンヘッド11と同じ
効果をもつ。本実施例では、１つのディスパージョンヘ
ッドで、一定方向にのみ反応ガス23を流すため、反応ガ
ス23間の干渉がないという利点がある。
効果をもつ。本実施例では、１つのディスパージョンヘ
ッドで、一定方向にのみ反応ガス23を流すため、反応ガ
ス23間の干渉がないという利点がある。
第３図は、前記一実施例及び他の実施例にもとづいて、
製造した半導体ウェハを示す断面図である。同図におい
て、半導体ウェハ31上の熱酸化膜32上に、部分的にアル
ミニウム配線33が形成され、さらに、表面にリン硅酸ガ
ラス34（又は酸化膜）が形成される。図に示すように、
ガラス34はオーバーハング状とならず、良好な厚さを有
する。
製造した半導体ウェハを示す断面図である。同図におい
て、半導体ウェハ31上の熱酸化膜32上に、部分的にアル
ミニウム配線33が形成され、さらに、表面にリン硅酸ガ
ラス34（又は酸化膜）が形成される。図に示すように、
ガラス34はオーバーハング状とならず、良好な厚さを有
する。
以上説明したように、本発明は、常圧気相成長装置のデ
ィスパージョンヘッドのガス吹き出し部を傾斜させた構
造にすることにより、半導体ウェハに対してガスが垂直
方向のみでなく、左右斜め方向からも供給されるため、
たとえはステップ状の段差に形成される膜のステップカ
バレッジを第３図に示すように向上させることができる
という効果がある。
ィスパージョンヘッドのガス吹き出し部を傾斜させた構
造にすることにより、半導体ウェハに対してガスが垂直
方向のみでなく、左右斜め方向からも供給されるため、
たとえはステップ状の段差に形成される膜のステップカ
バレッジを第３図に示すように向上させることができる
という効果がある。
また本発明によれば、半導体ウェハの主表面に当たる反
応ガスの風量及び風速を一様にできるから、半導体ウェ
ハの全表面で一様な厚さの膜が形成できる。
応ガスの風量及び風速を一様にできるから、半導体ウェ
ハの全表面で一様な厚さの膜が形成できる。
第１図、及び第２図は本発明の一、及び他の実施例の半
導体製造装置をそれぞれ示した断面図、第３図は本発明
の一実施例、及び他の実施例によって得られるステップ
カバレッジの向上の効果を示した断面図、第４図は従来
の常圧気相成長装置の断面図、第５図は従来の常圧気相
成長装置のディスパージョンヘッドの断面図、第６図は
従来の常圧気相成長装置によるステップカバレッジの形
状を示した断面図である。 11,21,45……ディスパージョンヘッド、12,22,52……ス
リット板、13,53……ヘッドカバー、14,23,46……反応
ガス、15,47……排気ガス、16……反応ガス導入口、24,
31,44,61……半導体ウェハ、25,41……搬送用ベルト、2
6,43……ヒータ、32,62……熱酸化膜、33,63……アルミ
ニウム配線、34,64……リン珪酸ガラス（または酸化
膜）。
導体製造装置をそれぞれ示した断面図、第３図は本発明
の一実施例、及び他の実施例によって得られるステップ
カバレッジの向上の効果を示した断面図、第４図は従来
の常圧気相成長装置の断面図、第５図は従来の常圧気相
成長装置のディスパージョンヘッドの断面図、第６図は
従来の常圧気相成長装置によるステップカバレッジの形
状を示した断面図である。 11,21,45……ディスパージョンヘッド、12,22,52……ス
リット板、13,53……ヘッドカバー、14,23,46……反応
ガス、15,47……排気ガス、16……反応ガス導入口、24,
31,44,61……半導体ウェハ、25,41……搬送用ベルト、2
6,43……ヒータ、32,62……熱酸化膜、33,63……アルミ
ニウム配線、34,64……リン珪酸ガラス（または酸化
膜）。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハを載置するベルトと、このベ
ルトを移動させる駆動手段と、前記ベルトの上方にこの
ベルトの平面から平行な所定距離をおいて、多数のスリ
ット板で仕切られたガス吹き出し部を形成したディスパ
ージョンヘッドとを備えた半導体製造装置において、 前記ガス吹き出し部が、前記ヘッド内で外側にある前記
スリット板の一部をそれぞれ内側に折曲形状にすること
により、前記ベルトの平面に対して内側に傾斜した吹き
出し部を有することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066571A JPH0715903B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066571A JPH0715903B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229831A JPS63229831A (ja) | 1988-09-26 |
| JPH0715903B2 true JPH0715903B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=13319773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066571A Expired - Lifetime JPH0715903B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715903B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5290358A (en) * | 1992-09-30 | 1994-03-01 | International Business Machines Corporation | Apparatus for directional low pressure chemical vapor deposition (DLPCVD) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289322A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-23 | Hitachi Ltd | 連続式常圧ｃｖｄ装置 |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62066571A patent/JPH0715903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63229831A (ja) | 1988-09-26 |
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