JPH07157863A - 透明導電膜および透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜および透明導電膜の形成方法Info
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- JPH07157863A JPH07157863A JP5303600A JP30360093A JPH07157863A JP H07157863 A JPH07157863 A JP H07157863A JP 5303600 A JP5303600 A JP 5303600A JP 30360093 A JP30360093 A JP 30360093A JP H07157863 A JPH07157863 A JP H07157863A
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- conductive film
- oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 室温の成膜により従来のＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ
2 系と同等の低抵抗値を有する透明導電膜を提供しよう
とするものである。 【構成】 酸化インジウムにレニウムまたはレニウム酸
化物がＲｅ／Ｉｎの比で０．０１〜１．０の割合にて添
加されていることを特徴としている。
2 系と同等の低抵抗値を有する透明導電膜を提供しよう
とするものである。 【構成】 酸化インジウムにレニウムまたはレニウム酸
化物がＲｅ／Ｉｎの比で０．０１〜１．０の割合にて添
加されていることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化インジウムを主成
分とする透明導電膜およびその形成方法に関する。
分とする透明導電膜およびその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜は、液晶表示装置の画素電
極、プラズマディスプレイの信号配線等に用いられてい
る。ところで、従来の透明導電膜は酸化インジウム（Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ）に錫を添加した酸化インジウムと酸化錫（Ｓ
ｎＯ2 ）との混合物（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）が知られ
ている。このような透明導電膜は、前記Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓ
ｎＯ2 からなるターゲットをスパタリングすることによ
り基板等に成膜する方法により形成されている。
極、プラズマディスプレイの信号配線等に用いられてい
る。ところで、従来の透明導電膜は酸化インジウム（Ｉ
ｎ2 Ｏ3 ）に錫を添加した酸化インジウムと酸化錫（Ｓ
ｎＯ2 ）との混合物（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）が知られ
ている。このような透明導電膜は、前記Ｉｎ2 Ｏ3 −Ｓ
ｎＯ2 からなるターゲットをスパタリングすることによ
り基板等に成膜する方法により形成されている。
【０００３】しかしながら、前記Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2
系の透明導電膜は低抵抗化（例えば３×１０-4Ω・ｃｍ
前後）するために成膜時に基板を１５０℃程度に加熱す
る必要がある。このため、前記熱影響により成膜される
基板が制約される。例えば、前記透明導電膜を液晶表示
装置の画素電極に適用した場合、ガラス基板として前記
１５０℃の加熱に耐える材料を用いる必要があり、液晶
表示装置のコスト増を招く。
系の透明導電膜は低抵抗化（例えば３×１０-4Ω・ｃｍ
前後）するために成膜時に基板を１５０℃程度に加熱す
る必要がある。このため、前記熱影響により成膜される
基板が制約される。例えば、前記透明導電膜を液晶表示
装置の画素電極に適用した場合、ガラス基板として前記
１５０℃の加熱に耐える材料を用いる必要があり、液晶
表示装置のコスト増を招く。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、室温
の成膜により従来のＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系と同等の低
抵抗値を有する透明導電膜およびその形成方法を提供し
ようとするものである。
の成膜により従来のＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系と同等の低
抵抗値を有する透明導電膜およびその形成方法を提供し
ようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる透明導電
膜は、酸化インジウムにレニウムまたはレニウム酸化物
がＲｅ／Ｉｎの比で０．０１〜１．０の割合にて添加さ
れていることを特徴とするものである。
膜は、酸化インジウムにレニウムまたはレニウム酸化物
がＲｅ／Ｉｎの比で０．０１〜１．０の割合にて添加さ
れていることを特徴とするものである。
【０００６】前記レニウムまたはレニウム酸化物の前記
酸化インジウムに対する添加比率を規定した理由は、Ｒ
ｅ／Ｉｎの比が０．０１〜１．０の範囲を逸脱すると低
抵抗の透明導体膜が得られなくなる。より好ましいＲｅ
／Ｉｎの比は、０．０３〜０．０５である。
酸化インジウムに対する添加比率を規定した理由は、Ｒ
ｅ／Ｉｎの比が０．０１〜１．０の範囲を逸脱すると低
抵抗の透明導体膜が得られなくなる。より好ましいＲｅ
／Ｉｎの比は、０．０３〜０．０５である。
【０００７】本発明に係わる透明導電膜の形成方法は、
エロージョンエリアにレニウム片またはレニウム酸化物
片を有する酸化インジウムのターゲットをスパッタリン
グして所望の基板上に室温で成膜することを特徴とする
ものである。
エロージョンエリアにレニウム片またはレニウム酸化物
片を有する酸化インジウムのターゲットをスパッタリン
グして所望の基板上に室温で成膜することを特徴とする
ものである。
【０００８】
【作用】本発明に係わる透明導電膜によれば、酸化イン
ジウムにレニウムまたはレニウム酸化物がＲｅ／Ｉｎの
比で０．０１〜１．０の割合にて添加されているため、
従来のＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系と同等の低抵抗値を有す
る。
ジウムにレニウムまたはレニウム酸化物がＲｅ／Ｉｎの
比で０．０１〜１．０の割合にて添加されているため、
従来のＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系と同等の低抵抗値を有す
る。
【０００９】また、本発明の方法によればエロージョン
エリアにレニウム片またはレニウム酸化物片を有する酸
化インジウムのターゲットをスパッタリングして所望の
基板上に室温で成膜することによって、前記基板への熱
影響を招くことなく従来の１５０℃前後で成膜されるＩ
ｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系と同等の低抵抗値を有する透明導
電膜を形成することができる。
エリアにレニウム片またはレニウム酸化物片を有する酸
化インジウムのターゲットをスパッタリングして所望の
基板上に室温で成膜することによって、前記基板への熱
影響を招くことなく従来の１５０℃前後で成膜されるＩ
ｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系と同等の低抵抗値を有する透明導
電膜を形成することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。 実施例 図１は、本実施例の透明導電膜を形成するための成膜装
置を示す概略図、図２は図１の成膜装置に設置されるタ
ーゲットを示す斜視図である。真空チャンバ１内には、
Ｉｎ2 Ｏ3 からなるターゲット２が配置されている。前
記ターゲット２は、図２に示すようにカソード３内に装
填され、かつ表面のエロージョンエリア４には酸化レニ
ウム（Ｒｅ2 Ｏ3 ）片５が配置されている。直流電源６
は、前記カソード３に接続されている。基板ホルダ７
は、前記チャンバ１内に前記ターゲット２と対向するよ
うに吊下されている。Ｏ2 ガス供給管７は、前記チャン
バ１に連結され、前記供給管７には流量制御バルブ８が
介装されている。アルゴンガス供給管９は、前記チャン
バ１に連結され、前記供給管９には流量制御バルブ１０
が介装されている。クラリオポンプ１１は、バルブ１２
を有する主排気管１３を介して前記チャンバ１に連結さ
れている。ロータリーポンプ１４は、バルブ１５を有す
る補助排気管１６を介して前記チャンバ１に連結されて
いる。前記クラリオポンプ１１は、バルブ１７を有する
排気管１８を介して前記バルブ１５と前記ロータリポン
プ１４間の前記補助排気管１６に連結されている。
に説明する。 実施例 図１は、本実施例の透明導電膜を形成するための成膜装
置を示す概略図、図２は図１の成膜装置に設置されるタ
ーゲットを示す斜視図である。真空チャンバ１内には、
Ｉｎ2 Ｏ3 からなるターゲット２が配置されている。前
記ターゲット２は、図２に示すようにカソード３内に装
填され、かつ表面のエロージョンエリア４には酸化レニ
ウム（Ｒｅ2 Ｏ3 ）片５が配置されている。直流電源６
は、前記カソード３に接続されている。基板ホルダ７
は、前記チャンバ１内に前記ターゲット２と対向するよ
うに吊下されている。Ｏ2 ガス供給管７は、前記チャン
バ１に連結され、前記供給管７には流量制御バルブ８が
介装されている。アルゴンガス供給管９は、前記チャン
バ１に連結され、前記供給管９には流量制御バルブ１０
が介装されている。クラリオポンプ１１は、バルブ１２
を有する主排気管１３を介して前記チャンバ１に連結さ
れている。ロータリーポンプ１４は、バルブ１５を有す
る補助排気管１６を介して前記チャンバ１に連結されて
いる。前記クラリオポンプ１１は、バルブ１７を有する
排気管１８を介して前記バルブ１５と前記ロータリポン
プ１４間の前記補助排気管１６に連結されている。
【００１１】次に、前述した成膜装置を用いて透明導電
薄膜をガラス基板上に形成する方法を説明する。まず、
真空チャンバ１の基板ホルダ７にガラス基板１９を保持
させた。つづいて、クラリオポンプ１１およびロータリ
ポンプ１４を作動して前記チャンバ１のガスを排気管１
３、１６を通して排気した。前記チャンバ１内の真空度
が１×１０-4Ｐａ以下に達した時点で、流量制御バルブ
８、１０を開いて所定量のＯ2 ガスおよびＡｒガスを供
給管７、９を通して前記チャンバ１内に供給した。ひき
つづき、直流電源６から所定の電力をカソード３を通し
てターゲット２に印加した。これによって、前記Ｉｎ2
Ｏ3 からなるターゲット２表面でＩｎ2 Ｏ3 がスパッタ
リングされると共に、その表面のエロージョンエリア４
に配置されたＲｅ2Ｏ3 片５もスパッタリングされる。
その結果、Ｒｅ2 Ｏ3 を含むＩｎ2 Ｏ3 からなる透明導
電膜が前記ターゲット２に対向される室温状態の前記ガ
ラス基板１９表面に形成された。
薄膜をガラス基板上に形成する方法を説明する。まず、
真空チャンバ１の基板ホルダ７にガラス基板１９を保持
させた。つづいて、クラリオポンプ１１およびロータリ
ポンプ１４を作動して前記チャンバ１のガスを排気管１
３、１６を通して排気した。前記チャンバ１内の真空度
が１×１０-4Ｐａ以下に達した時点で、流量制御バルブ
８、１０を開いて所定量のＯ2 ガスおよびＡｒガスを供
給管７、９を通して前記チャンバ１内に供給した。ひき
つづき、直流電源６から所定の電力をカソード３を通し
てターゲット２に印加した。これによって、前記Ｉｎ2
Ｏ3 からなるターゲット２表面でＩｎ2 Ｏ3 がスパッタ
リングされると共に、その表面のエロージョンエリア４
に配置されたＲｅ2Ｏ3 片５もスパッタリングされる。
その結果、Ｒｅ2 Ｏ3 を含むＩｎ2 Ｏ3 からなる透明導
電膜が前記ターゲット２に対向される室温状態の前記ガ
ラス基板１９表面に形成された。
【００１２】また、前記ターゲットのエロージョンエリ
アに配置されるＲｅ2 Ｏ3 片の量を変えて、前述したの
と同様な操作によりガラス基板表面に前記透明導電膜を
形成した。
アに配置されるＲｅ2 Ｏ3 片の量を変えて、前述したの
と同様な操作によりガラス基板表面に前記透明導電膜を
形成した。
【００１３】形成された透明導電膜のＲｅ／Ｉｎの比率
に対する同導電膜の抵抗値を測定した。その結果を図３
に示す。図３から明らかなようにＲｅ／Ｉｎの比率が
０．０１〜１．０、特に０．０３〜０．０５の範囲にお
いて抵抗値を低減できることがわかる。しかも、室温で
の成膜により約３．０×１０-4Ω・ｃｍの低抵抗値の透
明導電膜を形成できることがわかる。
に対する同導電膜の抵抗値を測定した。その結果を図３
に示す。図３から明らかなようにＲｅ／Ｉｎの比率が
０．０１〜１．０、特に０．０３〜０．０５の範囲にお
いて抵抗値を低減できることがわかる。しかも、室温で
の成膜により約３．０×１０-4Ω・ｃｍの低抵抗値の透
明導電膜を形成できることがわかる。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば室
温の成膜により従来のＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系と同等の
低抵抗値を有する透明導電膜およびその形成方法を提供
でき、ひいては液晶表示装置の画素電極、プラズマディ
スプレイの信号配線などに有効に利用できる等顕著な効
果を奏する。
温の成膜により従来のＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 系と同等の
低抵抗値を有する透明導電膜およびその形成方法を提供
でき、ひいては液晶表示装置の画素電極、プラズマディ
スプレイの信号配線などに有効に利用できる等顕著な効
果を奏する。
【図１】本実施例の透明導電膜を形成するための成膜装
置を示す概略図。
置を示す概略図。
【図２】図１の成膜装置に設置されるターゲットを示す
斜視図。
斜視図。
【図３】透明導電膜のＲｅ／Ｉｎの比率と同導電膜の抵
抗値との関係を示す特性図。
抗値との関係を示す特性図。
１…真空チャンバ、２…ターゲット、４…エロージョン
エリア、５…酸化レニウム片、６…直流電源、７…基板
ホルダ、７、９…供給管、１１…クラリオポンプ、１４
…ロータリポンプ、１９…ガラス基板。
エリア、５…酸化レニウム片、６…直流電源、７…基板
ホルダ、７、９…供給管、１１…クラリオポンプ、１４
…ロータリポンプ、１９…ガラス基板。
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化インジウムにレニウムまたはレニウ
ム酸化物がＲｅ／Ｉｎの比で０．０１〜１．０の割合に
て添加されていることを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】 エロージョンエリアにレニウム片または
レニウム酸化物片を有する酸化インジウムのターゲット
をスパッタリングして所望の基板上に室温で成膜するこ
とを特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30360093A JP2809981B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 透明導電膜および透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30360093A JP2809981B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 透明導電膜および透明導電膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07157863A true JPH07157863A (ja) | 1995-06-20 |
| JP2809981B2 JP2809981B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=17922957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30360093A Expired - Fee Related JP2809981B2 (ja) | 1993-12-03 | 1993-12-03 | 透明導電膜および透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2809981B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1033355A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-09-06 | Idemitsu Kosan Company Limited | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass and transparent electroconductive film |
-
1993
- 1993-12-03 JP JP30360093A patent/JP2809981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1033355A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-09-06 | Idemitsu Kosan Company Limited | Target for transparent electroconductive film, transparent electroconductive material, transparent electroconductive glass and transparent electroconductive film |
| EP1033355A4 (en) * | 1998-08-31 | 2010-12-01 | Idemitsu Kosan Co | TARGET FOR TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER, TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL, TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE GLASS AND TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2809981B2 (ja) | 1998-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |