JPH04242017A - 透明導電膜の形成方法および装置 - Google Patents
透明導電膜の形成方法および装置Info
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 65
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は透明導電膜を形成する
方法および装置に関するものである。
方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の透明導電膜の形成方法および装置
においては、特開平１−２６８８５９号公報に示される
ように、スパッタリング室内の雰囲気ガスとして８族元
素のガスと酸素ガスを供給し、スパッタリング室内の雰
囲気ガスの酸素ガス分圧を一定に制御することにより、
透明導電膜の電気抵抗値を一定にしている。
においては、特開平１−２６８８５９号公報に示される
ように、スパッタリング室内の雰囲気ガスとして８族元
素のガスと酸素ガスを供給し、スパッタリング室内の雰
囲気ガスの酸素ガス分圧を一定に制御することにより、
透明導電膜の電気抵抗値を一定にしている。
【０００３】なお、スパッタリング装置は、たとえば、
電子材料別冊、「超ＬＳＩ製造・試験装置」、ｐｐ．１
２９〜１３３、１９８４年工業調査会発行で知られてい
る。
電子材料別冊、「超ＬＳＩ製造・試験装置」、ｐｐ．１
２９〜１３３、１９８４年工業調査会発行で知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような透
明導電膜の形成方法および装置においては、透明導電膜
のエッチング性にバラツキが生じ、エッチング残り、オ
ーバエッチングが発生する。また、透明導電膜の光透過
率にバラツキが発生し、また電気抵抗値も十分に一定に
することができない。
明導電膜の形成方法および装置においては、透明導電膜
のエッチング性にバラツキが生じ、エッチング残り、オ
ーバエッチングが発生する。また、透明導電膜の光透過
率にバラツキが発生し、また電気抵抗値も十分に一定に
することができない。
【０００５】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、透明導電膜のエッチング性、光透過率、
電気抵抗値を一定にすることができる透明導電膜の形成
方法および装置を提供することを目的とする。
されたもので、透明導電膜のエッチング性、光透過率、
電気抵抗値を一定にすることができる透明導電膜の形成
方法および装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
、この発明の透明導電膜の形成方法においては、スパッ
タリング室内に８族元素のガス、水蒸気ガスおよび酸素
ガスを雰囲気ガスとして供給し、上記水蒸気ガスの分圧
および上記酸素ガスの分圧を一定に保つ。
、この発明の透明導電膜の形成方法においては、スパッ
タリング室内に８族元素のガス、水蒸気ガスおよび酸素
ガスを雰囲気ガスとして供給し、上記水蒸気ガスの分圧
および上記酸素ガスの分圧を一定に保つ。
【０００７】また、この発明の透明導電膜の形成装置に
おいては、スパッタリング室に接続された８族元素のガ
スの供給管、水蒸気ガスの供給管および酸素ガスの供給
管と、上記水蒸気ガスの供給管に設けられた第１の流量
制御装置と、上記酸素ガスの供給管に設けられた第２の
流量制御装置と、上記スパッタリング室内の雰囲気ガス
を取り込むサンプリング管と、上記サンプリング管に取
り込まれた雰囲気ガス中の上記水蒸気ガスの分圧および
上記酸素ガスの分圧を測定する質量分析装置と、上記水
蒸気ガスの分圧とその設定値との差に応じて上記第１の
流量制御装置を制御し、上記酸素ガスの分圧とその設定
値との差に応じて上記第２の流量制御装置を制御する演
算装置とを設ける。
おいては、スパッタリング室に接続された８族元素のガ
スの供給管、水蒸気ガスの供給管および酸素ガスの供給
管と、上記水蒸気ガスの供給管に設けられた第１の流量
制御装置と、上記酸素ガスの供給管に設けられた第２の
流量制御装置と、上記スパッタリング室内の雰囲気ガス
を取り込むサンプリング管と、上記サンプリング管に取
り込まれた雰囲気ガス中の上記水蒸気ガスの分圧および
上記酸素ガスの分圧を測定する質量分析装置と、上記水
蒸気ガスの分圧とその設定値との差に応じて上記第１の
流量制御装置を制御し、上記酸素ガスの分圧とその設定
値との差に応じて上記第２の流量制御装置を制御する演
算装置とを設ける。
【０００８】この場合、真空密閉されかつ水が入れられ
た水容器が上記水蒸気ガスの供給管に接続してもよい。
た水容器が上記水蒸気ガスの供給管に接続してもよい。
【０００９】また、上記水容器および上記水蒸気ガスの
供給管の温度を一定に保つ温度調整装置を設けてもよい
。
供給管の温度を一定に保つ温度調整装置を設けてもよい
。
【００１０】
【作用】この透明導電膜の形成方法、形成装置において
は、水蒸気ガスの分圧および酸素ガスの分圧を一定に保
つから、透明導電膜中の水酸基量、酸素量を一定にする
ことができる。
は、水蒸気ガスの分圧および酸素ガスの分圧を一定に保
つから、透明導電膜中の水酸基量、酸素量を一定にする
ことができる。
【００１１】また、真空密閉されかつ水が入れられた水
容器を水蒸気ガスの供給管に接続すれば、簡単な構造で
水蒸気ガスを供給することができる。
容器を水蒸気ガスの供給管に接続すれば、簡単な構造で
水蒸気ガスを供給することができる。
【００１２】また、水容器および水蒸気ガスの供給管の
温度を一定に保つ温度調整装置を設ければ、水蒸気ガス
の分圧を正確に制御することができる。
温度を一定に保つ温度調整装置を設ければ、水蒸気ガス
の分圧を正確に制御することができる。
【００１３】
【実施例】図１はこの発明に係る透明導電膜の形成方法
を実施するための装置、すなわちこの発明に係る透明導
電膜の形成装置を示す概略図、図２は図１に示した透明
導電膜装置の一部を示す概略図である。図において、１
は真空チャンバ、１ａは真空チャンバ１のスパッタリン
グ室、１ｂ、１ｃは真空チャンバ１の他室、２ｂは他室
１ｂとスパッタリング室１ａとを仕切るゲートバルブ、
２ｃはスパッタリング室１ａと他室１ｃとを仕切るゲー
トバルブ、４はスパッタリング室１ａに接続された排気
装置、５は排気装置４の主排気ポンプで、主排気ポンプ
５としてはターボポンプ等が用いられている。６は排気
装置４の補助ポンプで、補助ポンプ６としては油回転ポ
ンプ等が用いられている。７はスパッタリング室１ａに
設けられたＩＴＯからなるスパッタターゲット、１５は
スパッタリング室１ａに設けられたアノードで、アノー
ド１５はスパッタリング室１ａに対して電気的に絶縁さ
れている。８はスパッタターゲット７、アノード１５に
接続された放電用高圧電源、９は基板、１０はスパッタ
リング室１ａに設けられた基板搬送装置、１９〜２２は
スパッタリング室１ａに接続されたアルゴンガスの供給
管、酸素ガスの供給管、水素ガスの供給管、水蒸気ガス
の供給管で、供給管１９〜２２はそれぞれアルゴンガス
供給装置２３、酸素ガス供給装置２４、水素ガス供給装
置２５、水蒸気ガス供給装置２６に接続されている。１
１〜１４は供給管１９〜２２に設けられた流量制御装置
、１８はスパッタリング室１ａ内の雰囲気ガスを取り込
むサンプリング管、１６はサンプリング管１８に取り込
まれた雰囲気ガス中の酸素ガスの分圧、水素ガスの分圧
、水蒸気ガスの分圧を測定する質量分析装置、１７は酸
素ガスの分圧とその設定値との差、水素ガスの分圧とそ
の設定値との差、水蒸気ガスの分圧とその設定値との差
に応じて流量制御装置１２〜１４を制御するコンピュー
タである。また、３１は水容器で、水容器３１の上部に
供給管２２が接続されている。３５は水容器３１内に入
れられた水、３４は水容器３１の上部に接続された真空
排気装置、３３は水容器３１の上部に接続された圧力計
、３２は水容器３１の温度を一定に保つ温度調整装置で
、供給管２２の温度を一定に保つ温度調整装置（図示せ
ず）も設けられており、水容器３１、真空排気装置３４
等で水蒸気ガス供給装置２６が構成されている。
を実施するための装置、すなわちこの発明に係る透明導
電膜の形成装置を示す概略図、図２は図１に示した透明
導電膜装置の一部を示す概略図である。図において、１
は真空チャンバ、１ａは真空チャンバ１のスパッタリン
グ室、１ｂ、１ｃは真空チャンバ１の他室、２ｂは他室
１ｂとスパッタリング室１ａとを仕切るゲートバルブ、
２ｃはスパッタリング室１ａと他室１ｃとを仕切るゲー
トバルブ、４はスパッタリング室１ａに接続された排気
装置、５は排気装置４の主排気ポンプで、主排気ポンプ
５としてはターボポンプ等が用いられている。６は排気
装置４の補助ポンプで、補助ポンプ６としては油回転ポ
ンプ等が用いられている。７はスパッタリング室１ａに
設けられたＩＴＯからなるスパッタターゲット、１５は
スパッタリング室１ａに設けられたアノードで、アノー
ド１５はスパッタリング室１ａに対して電気的に絶縁さ
れている。８はスパッタターゲット７、アノード１５に
接続された放電用高圧電源、９は基板、１０はスパッタ
リング室１ａに設けられた基板搬送装置、１９〜２２は
スパッタリング室１ａに接続されたアルゴンガスの供給
管、酸素ガスの供給管、水素ガスの供給管、水蒸気ガス
の供給管で、供給管１９〜２２はそれぞれアルゴンガス
供給装置２３、酸素ガス供給装置２４、水素ガス供給装
置２５、水蒸気ガス供給装置２６に接続されている。１
１〜１４は供給管１９〜２２に設けられた流量制御装置
、１８はスパッタリング室１ａ内の雰囲気ガスを取り込
むサンプリング管、１６はサンプリング管１８に取り込
まれた雰囲気ガス中の酸素ガスの分圧、水素ガスの分圧
、水蒸気ガスの分圧を測定する質量分析装置、１７は酸
素ガスの分圧とその設定値との差、水素ガスの分圧とそ
の設定値との差、水蒸気ガスの分圧とその設定値との差
に応じて流量制御装置１２〜１４を制御するコンピュー
タである。また、３１は水容器で、水容器３１の上部に
供給管２２が接続されている。３５は水容器３１内に入
れられた水、３４は水容器３１の上部に接続された真空
排気装置、３３は水容器３１の上部に接続された圧力計
、３２は水容器３１の温度を一定に保つ温度調整装置で
、供給管２２の温度を一定に保つ温度調整装置（図示せ
ず）も設けられており、水容器３１、真空排気装置３４
等で水蒸気ガス供給装置２６が構成されている。
【００１４】この透明導電膜の形成装置においては、排
気装置４によりスパッタリング室１ａを真空排気し、供
給管１９〜２２からアルゴンガス、アルゴンガスの圧力
に対して０．１〜１％の分圧の酸素ガス、水素ガス、水
蒸気ガスを供給し、基板搬送装置１０で基板９を搬送し
、放電用高圧電源８によりスパッタターゲット７、アノ
ード１５に電圧を印加すれば、基板９に透明導電膜が形
成される。この場合、質量分析装置１６によりサンプリ
ング管１８に取り込まれた雰囲気ガス中の酸素ガスの分
圧、水素ガスの分圧、水蒸気ガスの分圧を測定し、コン
ピュータ１７により酸素ガスの分圧とその設定値との差
、水素ガスの分圧とその設定値との差、水蒸気ガスの分
圧とその設定値との差に応じて流量制御装置１２〜１４
を制御するから、スパッタリング室１ａ内の酸素ガスの
分圧、水素ガスの分圧、水蒸気ガスの分圧を一定に保つ
ことができるので、透明導電膜中の水酸基量、酸素量、
水素量を一定にすることができるため、エッチング性、
光透過率、電気抵抗値を一定にすることができる。 また、真空密閉されかつ水３５が入れられた水容器３１
を水蒸気ガスの供給管２２に接続しているから、簡単な
構造で水蒸気ガスを供給することができるので、製造コ
ストが安価である。さらに、水容器３１の温度を一定に
保つ温度調整装置３２、水蒸気ガスの供給管２２の温度
を一定に保つ温度調整装置を設けているから、水蒸気ガ
スの分圧を正確に制御することができるので、エッチン
グ性、光透過率、電気抵抗値をより一定にすることがで
きる。
気装置４によりスパッタリング室１ａを真空排気し、供
給管１９〜２２からアルゴンガス、アルゴンガスの圧力
に対して０．１〜１％の分圧の酸素ガス、水素ガス、水
蒸気ガスを供給し、基板搬送装置１０で基板９を搬送し
、放電用高圧電源８によりスパッタターゲット７、アノ
ード１５に電圧を印加すれば、基板９に透明導電膜が形
成される。この場合、質量分析装置１６によりサンプリ
ング管１８に取り込まれた雰囲気ガス中の酸素ガスの分
圧、水素ガスの分圧、水蒸気ガスの分圧を測定し、コン
ピュータ１７により酸素ガスの分圧とその設定値との差
、水素ガスの分圧とその設定値との差、水蒸気ガスの分
圧とその設定値との差に応じて流量制御装置１２〜１４
を制御するから、スパッタリング室１ａ内の酸素ガスの
分圧、水素ガスの分圧、水蒸気ガスの分圧を一定に保つ
ことができるので、透明導電膜中の水酸基量、酸素量、
水素量を一定にすることができるため、エッチング性、
光透過率、電気抵抗値を一定にすることができる。 また、真空密閉されかつ水３５が入れられた水容器３１
を水蒸気ガスの供給管２２に接続しているから、簡単な
構造で水蒸気ガスを供給することができるので、製造コ
ストが安価である。さらに、水容器３１の温度を一定に
保つ温度調整装置３２、水蒸気ガスの供給管２２の温度
を一定に保つ温度調整装置を設けているから、水蒸気ガ
スの分圧を正確に制御することができるので、エッチン
グ性、光透過率、電気抵抗値をより一定にすることがで
きる。
【００１５】なお、上述実施例においては、８族元素の
ガスとしてアルゴンガスを用いたが、他の８族元素のガ
スを用いてもよい。また、上述実施例においては、スパ
ッタターゲット７、アノード１５、放電用高圧電源８を
１組設けたが、スパッタターゲット７、アノード１５、
放電用高圧電源８を複数組設けてもよい。
ガスとしてアルゴンガスを用いたが、他の８族元素のガ
スを用いてもよい。また、上述実施例においては、スパ
ッタターゲット７、アノード１５、放電用高圧電源８を
１組設けたが、スパッタターゲット７、アノード１５、
放電用高圧電源８を複数組設けてもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る透
明導電膜の形成方法、形成装置においては、透明導電膜
中の水酸基量、酸素量を一定にすることができるので、
エッチング性、光透過率、電気抵抗値を一定にすること
ができる。
明導電膜の形成方法、形成装置においては、透明導電膜
中の水酸基量、酸素量を一定にすることができるので、
エッチング性、光透過率、電気抵抗値を一定にすること
ができる。
【００１７】また、水が入っておりかつ空間部が真空密
閉された水容器を水蒸気ガスの供給管に接続すれば、簡
単な構造で水蒸気ガスを供給することができるから、製
造コストが安価である。
閉された水容器を水蒸気ガスの供給管に接続すれば、簡
単な構造で水蒸気ガスを供給することができるから、製
造コストが安価である。
【００１８】さらに、水容器および水蒸気ガスの供給管
の温度を一定に保つ温度調整装置を設ければ、水蒸気ガ
スの分圧を正確に制御することができるから、エッチン
グ性、光透過率、電気抵抗値をより一定にすることがで
きる。
の温度を一定に保つ温度調整装置を設ければ、水蒸気ガ
スの分圧を正確に制御することができるから、エッチン
グ性、光透過率、電気抵抗値をより一定にすることがで
きる。
【００１９】このように、この発明の効果は顕著である
。
。
【図１】この発明に係る透明導電膜の形成方法を実施す
るための装置、すなわちこの発明に係る透明導電膜の形
成装置を示す概略図である。
るための装置、すなわちこの発明に係る透明導電膜の形
成装置を示す概略図である。
【図２】図１に示した透明導電膜装置の一部を示す概略
図である。
図である。
１ａ…スパッタリング室
１１〜１４…流量制御装置
１６…質量分析装置
１７…コンピュータ
１８…サンプリング管
１９〜２２…供給管
３１…水容器
３２…温度調節装置
３４…真空排気装置
３５…水
Claims (2)
- 【請求項１】スパッタリング室内に８族元素のガス、水
蒸気ガスおよび酸素ガスを雰囲気ガスとして供給し、上
記水蒸気ガスの分圧および上記酸素ガスの分圧を一定に
保つことを特徴とする透明導電膜の形成方法。 - 【請求項２】スパッタリング室に接続された８族元素の
ガスの供給管、水蒸気ガスの供給管および酸素ガスの供
給管と、上記水蒸気ガスの供給管に設けられた第１の流
量制御装置と、上記酸素ガスの供給管に設けられた第２
の流量制御装置と、上記スパッタリング室内の雰囲気ガ
スを取り込むサンプリング管と、上記サンプリング管に
取り込まれた雰囲気ガス中の上記水蒸気ガスの分圧およ
び上記酸素ガスの分圧を測定する質量分析装置と、上記
水蒸気ガスの分圧とその設定値との差に応じて上記第１
の流量制御装置を制御し、上記酸素ガスの分圧とその設
定値との差に応じて上記第２の流量制御装置を制御する
演算装置とを具備することを特徴とする透明導電膜の形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP252491A JPH04242017A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 透明導電膜の形成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP252491A JPH04242017A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 透明導電膜の形成方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04242017A true JPH04242017A (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=11531769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP252491A Pending JPH04242017A (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 透明導電膜の形成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04242017A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0925571A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-28 | Canon Inc | 酸化物薄膜の成膜方法 |
| JPH11236666A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 成膜装置、および誘電体膜の製造方法 |
| WO2018220907A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP252491A patent/JPH04242017A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0925571A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-28 | Canon Inc | 酸化物薄膜の成膜方法 |
| JPH11236666A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 成膜装置、および誘電体膜の製造方法 |
| WO2018220907A1 (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| KR20190138670A (ko) * | 2017-05-31 | 2019-12-13 | 가부시키가이샤 아루박 | 성막 장치 및 성막 방법 |
| CN110678575A (zh) * | 2017-05-31 | 2020-01-10 | 株式会社爱发科 | 成膜装置和成膜方法 |
| TWI714836B (zh) * | 2017-05-31 | 2021-01-01 | 日商愛發科股份有限公司 | 成膜裝置及成膜方法 |
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