JPH07153720A - ダイシング装置のウェハ自給装置 - Google Patents

ダイシング装置のウェハ自給装置

Info

Publication number
JPH07153720A
JPH07153720A JP5321200A JP32120093A JPH07153720A JP H07153720 A JPH07153720 A JP H07153720A JP 5321200 A JP5321200 A JP 5321200A JP 32120093 A JP32120093 A JP 32120093A JP H07153720 A JPH07153720 A JP H07153720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stocker
semiconductor wafer
wafer
self
semiconductor wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5321200A
Other languages
English (en)
Inventor
Tei Adachi
禎 足立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Seiki KK
Original Assignee
Seiko Seiki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Seiki KK filed Critical Seiko Seiki KK
Priority to JP5321200A priority Critical patent/JPH07153720A/ja
Priority to GB9423850A priority patent/GB2284303B/en
Priority to KR1019940031393A priority patent/KR950015630A/ko
Priority to TW083111332A priority patent/TW252213B/zh
Publication of JPH07153720A publication Critical patent/JPH07153720A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Warehouses Or Storage Devices (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 占有面積が小さくて済み、かつ効率良く半導
体ウェハを供給できるようにする。 【構成】 ウェハ自給装置は、一方が加工前の半導体ウ
ェハを収納し、他方が加工後の半導体ウェハを収納し、
上下に配置され互いに独立に取り出し可能な２つのスト
ッカ１１、１２と、ストッカ１１、１２の開口部側に配
設され、半導体ウェハをローダとの間で受け渡すための
ステージ１５と、加工前の半導体ウェハを一方のストッ
カから引っ張り出してステージ１５上に載置すると共
に、加工後の半導体ウェハをステージ１５から他方のス
トッカに押し込む半導体ウェハ出し入れユニット１６
と、ステージ１５および半導体ウェハ出し入れユニット
１６を一体的に上下方向に移動させるステージ上下機構
１７とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハを切断す
るダイシング装置において、加工前の半導体ウェハを加
工部に供給すると共に、加工後の半導体ウェハを加工部
より排出するダイシング装置のウェハ自給装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ダイシング装置のウェハ自給
装置では、加工前の半導体ウェハの供給と加工後の半導
体ウェハの排出を効率良く行うため、半導体ウェハをス
トッカに収納し、このストッカから半導体ウェハを出し
入れするものが主流になっている。また、生産管理上の
理由から、ウェハ自給装置には、加工前の半導体ウェハ
と加工後の半導体ウェハを１つのストッカに収納する１
ストッカ用のものと、加工前の半導体ウェハと加工後の
半導体ウェハを別々のストッカに収納する２ストッカ用
のものとがある。
【０００３】図４は従来の１ストッカ用のウェハ自給装
置の要部を示す斜視図、図５は図４のウェハ自給装置を
含むダイシング装置の要部の配置を示す説明図である。
図４に示すように、このウェハ自給装置は、ストッカ台
５１を上下方向に移動させるストッカ台上下機構５２を
備えている。ストッカ台５１上には、加工前の半導体ウ
ェハと加工後の半導体ウェハを例えば合計２５枚収納す
る１つの給排用ストッカ５３が載置されている。また、
ストッカ台上下機構５２の上端部には、半導体ウェハを
後述するローダとの間で受け渡すためのステージ５４が
設けられている。また、ウェハ自給装置は、加工前の半
導体ウェハを給排用ストッカ５３から引っ張り出してス
テージ５４上に載置すると共に、加工後の半導体ウェハ
をステージ５４から給排用ストッカ５３に押し込むウェ
ハ移動ユニット５５を備えている。なお、半導体ウェハ
は、実際には、１枚ずつ図示しないキャリアフレーム内
に収納されており、このキャリアフレームと共に移動す
るようになっている。
【０００４】図５に示すように、図４に示すウェハ自給
装置を含むダイシング装置は、洗浄テーブル６１と、加
工テーブル６２と、半導体ウェハを、洗浄テーブル６１
の位置を経てローダ給排位置６０と加工テーブル６２の
位置との間で移動させる図示しないローダと、加工テー
ブル６２上に載置された半導体ウェハを切断する切断用
刃具（ブレード）６４と、この切断用刃具６４を回転さ
せるスピンドル６５と、洗浄テーブル６１上に載置され
た半導体ウェハを洗浄する図示しない洗浄装置とを備え
ている。
【０００５】ここで、図４および図５に示すウェハ自給
装置の動作について説明する。このウェハ自給装置で
は、まず、ストッカ台上下機構５２が、加工しようとす
る所定の半導体ウェハを取り出せる位置へ給排用ストッ
カ５３を移動し、ウェハ移動ユニット５５が、所定の半
導体ウェハを給排用ストッカ５３から引っ張り出してス
テージ５４上に載置する。このステージ５４の位置が、
図５におけるローダ給排位置６０となる。
【０００６】次に、図示しないローダが、半導体ウェハ
をローダ給排位置６０から加工テーブル６２へ移動させ
る。ダイシング装置は、加工テーブル６２を移動させ、
また、切断用刃具６４を回転させて、半導体ウェハを切
断加工する。ローダは、加工後の半導体ウェハを洗浄テ
ーブル６１上に載置する。図示しない洗浄装置は、この
半導体ウェハを洗浄する。次に、ローダは、半導体ウェ
ハをローダ給排位置６０に移動させる。そして、ウェハ
移動ユニット５５が、半導体ウェハを給排用ストッカ５
３に収納する。なお、この場合、半導体ウェハを収納す
る箇所は、その半導体ウェハを取り出した箇所と同じで
ある。
【０００７】図６は従来の２ストッカ用のウェハ自給装
置の要部を示す斜視図、図７は図６のウェハ自給装置を
含むダイシング装置の要部の配置を示す説明図である。
図６に示すように、このウェハ自給装置は、供給ストッ
カ台７１を上下方向に移動させる供給ストッカ台上下機
構７２と、排出ストッカ台７３を上下方向に移動させる
排出ストッカ台上下機構７４とを備えている。供給スト
ッカ台７１上には加工前の半導体ウェハを例えば２５枚
収納する供給ストッカ７５が載置され、排出ストッカ台
７３上には加工後の半導体ウェハを例えば２５枚収納す
る排出ストッカ７６が載置されている。
【０００８】また、供給ストッカ台上下機構７２の上端
部には半導体ウェハをローダへ渡すためのステージ７７
が設けられ、排出ストッカ台上下機構７４の上端部には
半導体ウェハをローダから受けるためのステージ７８が
設けられている。また、ウェハ自給装置は、加工前の半
導体ウェハを供給ストッカ７５から引っ張り出してステ
ージ７７上に載置するウェハ引っ張り出しユニット７９
と、加工後の半導体ウェハをステージ７８から排出スト
ッカ７６に押し込むウェハ押し込みユニット８０とを備
えている。
【０００９】図７に示すように、図６に示すウェハ自給
装置を含むダイシング装置は、図５とダイシング装置と
同様に、洗浄テーブル６１、加工テーブル６２、図示し
ないローダ、切断用刃具６４、スピンドル６５および図
示しない洗浄装置を備えているが、ローダは、図５の場
合と異なり、加工前の半導体ウェハをローダ供給位置８
１から加工テーブル６２の位置へ移動させ、また、加工
後の半導体ウェハを加工テーブル６２の位置から洗浄テ
ーブル６１の位置を経てローダ排出位置８２へ移動させ
るようになっている。
【００１０】このウェハ自給装置では、まず、供給スト
ッカ台上下機構７２が、加工しようとする所定の半導体
ウェハを取り出せる位置へ供給ストッカ７５を移動し、
ウェハ引っ張り出しユニット７９が、所定の半導体ウェ
ハを供給ストッカ７５から引っ張り出してステージ７７
上に載置する。このステージ７７の位置が、図７におけ
るローダ供給位置８１となる。次に、図示しないローダ
が、半導体ウェハをローダ供給装置８１から加工テーブ
ル６２へ移動させる。ダイシング装置は、加工テーブル
６２を移動させ、また、切断用刃具６４を回転させて、
半導体ウェハを切断加工する。ローダは、加工後の半導
体ウェハを洗浄テーブル６１上に載置する。図示しない
洗浄装置は、この半導体ウェハを洗浄する。次に、ロー
ダは、半導体ウェハをローダ排出位置８２に移動させ
る。そして、ウェハ押し込みユニット８０が、半導体ウ
ェハを排出ストッカ７６に収納する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示す
ような１ストッカ用のウェハ自給装置では、１つの給排
用ストッカ５３内の全ての半導体ウェハの加工が終了す
るまでは、給排用ストッカ５３内に加工前の半導体ウェ
ハと加工後の半導体ウェハとが共存することになる。そ
のため、加工の済んだ一部（例えば１０枚）の半導体ウ
ェハのみを次の工程に移すことができないという問題点
がある。
【００１２】また、図６に示すような２ストッカ用のウ
ェハ自給装置では、２つのストッカ７５、７６が平面的
に並べられているため、１ストッカ用のウェハ自給装置
に比べて、ダイシング装置のサイズ（占有面積）が大き
くなってしまう。ダイシング装置は、非常に高価な設備
であるクリーンルーム内に収容されるため、ダイシング
装置のサイズ（占有面積）が大きいことは、半導体製造
工程のコストアップにつながるという問題点がある。ま
た、ストッカ台上下機構が２つ必要になることから、ウ
ェハ自給装置のコストが高くなるという問題点がある。
【００１３】これに対処するに、図４に示すウェハ自給
装置において、ストッカ台５１上に供給ストッカと排出
ストッカとを縦に並べて載置することが考えられる。し
かしながら、この場合には、供給ストッカ内の全ての半
導体ウェハの加工と、加工済の半導体ウェハの排出スト
ッカへの収納が完全に終了するまでは、次に加工すべき
半導体ウェハを収納した供給ストッカをストッカ台５１
上に載置することができない。すなわち、ダイシング装
置では、半導体ウェハの供給、位置決め、加工、洗浄、
排出を順に行うが、供給ストッカ内の最後の半導体ウェ
ハが取り出されても、この最後の半導体ウェハについて
上述の供給から排出までの全工程が終了するまでは、空
になった供給ストッカと次に加工すべき半導体ウェハを
収納した供給ストッカを交換することができず、そのた
め次の半導体ウェハの加工が遅れるという問題点があ
る。
【００１４】そこで、本発明の目的は、占有面積が小さ
くて済み、かつ効率良く半導体ウェハを供給できるよう
にしたダイシング装置のウェハ自給装置を提供すること
にある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、一方が加工前の半導体ウェハを収納し、他方が加工
後の半導体ウェハを収納し、上下に配置されると共に互
いに独立に取り出し可能な２つのストッカと、上下方向
に移動し、２つのストッカ内の任意の半導体ウェハの出
し入れを行う半導体ウェハ出し入れ手段と、この半導体
ウェハ出し入れ手段によってストッカから取り出された
加工前の半導体ウェハを加工部まで搬送すると共に、加
工後の半導体ウェハを加工部から搬送して半導体ウェハ
出し入れ手段に渡す半導体ウェハ搬送手段とを、ダイシ
ング装置のウェハ自給装置に具備させて、前記目的を達
成する。請求項２記載の発明は、請求項１記載のダイシ
ング装置のウェハ自給装置において、さらに、下段のス
トッカが載置されると共に、半導体ウェハの取り出し方
向に対して直交する方向にスライドするストッカ台を備
えたものである。
【００１６】
【作用】請求項１記載の発明のダイシング装置のウェハ
自給装置では、加工前の半導体ウェハと加工後の半導体
ウェハは、上下に配置され互いに独立に取り出し可能な
別個のストッカ内に収納される。加工前の半導体ウェハ
は、半導体ウェハ出し入れ手段によって一方のストッカ
から取り出され、半導体ウェハ搬送手段によって加工部
まで搬送される。また、加工後の半導体ウェハは、半導
体ウェハ搬送手段によって加工部から搬送されて半導体
ウェハ出し入れ手段に渡され、半導体ウェハ出し入れ手
段によって他方のストッカに収納される。請求項２記載
の発明のダイシング装置のウェハ自給装置では、下段の
ストッカは、半導体ウェハの取り出し方向に対して直交
する方向にスライドするストッカ台に載置され、このス
トッカ台をスライドすることによって下段のストッカの
取り出しや交換が可能となる。また、ストッカ台は半導
体ウェハの取り出し方向に対して直交する方向にスライ
ドするため、ストッカ台をスライドした際にストッカ内
に収納された半導体ウェハの位置がずれることが防止さ
れる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明のダイシング装置のウェハ自給
装置における一実施例を図１ないし図３を参照して詳細
に説明する。図１は本実施例のウェハ自給装置の要部を
示す斜視図、図２は図１のウェハ自給装置を含むダイシ
ング装置の要部の配置を示す説明図である。図１に示す
ように、本実施例のウェハ自給装置は、一方が加工前の
半導体ウェハを収納し、他方が加工後の半導体ウェハを
収納し、上下に配置され互いに独立に取り出し可能な２
つのストッカ１１、１２を備えている。この２つのスト
ッカ１１、１２はそれぞれ半導体ウェハを出し入れする
ための開口部を有している。上段のストッカ１１は、ダ
イシング装置に対して固定されたストッカ台１３上に載
置されている。下段のストッカ１２は、ストッカ１２の
開口部の反対側にスライドするストッカ台１４上に載置
されている。
【００１８】また、ウェハ自給装置は、さらに、ストッ
カ１１、１２の開口部側に配設され、半導体ウェハを後
述するローダとの間で受け渡すためのステージ１５と、
加工前の半導体ウェハを一方のストッカから引っ張り出
してステージ１５上に載置すると共に、加工後の半導体
ウェハをステージ１５から他方のストッカに押し込む半
導体ウェハ出し入れユニット１６と、ステージ１５およ
び半導体ウェハ出し入れユニット１６を一体的に上下方
向に移動させるステージ上下機構１７とを備えている。
なお、半導体ウェハは、実際には、１枚ずつ図示しない
キャリアフレーム内に収納されており、このキャリアフ
レームと共に移動するようになっている。キャリアフレ
ームは、３インチから６インチまでの半導体ウェハを収
納する６インチ以下用キャリアフレームと、８インチの
半導体ウェハを収納する８インチ用キャリアフレームの
２種類がある。ステージ１５には、８インチ用キャリア
フレームを位置決めするためのガイド１５ａと、６イン
チ以下用キャリアフレームを位置決めするためのガイド
１５ｂとが形成されている。
【００１９】図２に示すように、図１に示すウェハ自給
装置を含むダイシング装置は、洗浄テーブル２１と、加
工テーブル２２と、半導体ウェハを、洗浄テーブル２１
の位置を経てローダ給排位置２０と加工テーブル２２の
位置との間で移動させる半導体ウェハ搬送手段としての
ローダ２３と、加工テーブル２２上に載置された半導体
ウェハを切断する切断用刃具（ブレード）２４と、この
切断用刃具２４を回転させるスピンドル２５と、洗浄テ
ーブル２１上に載置された半導体ウェハを洗浄する図示
しない洗浄装置とを備えている。
【００２０】次に、本実施例のウェハ自給装置の動作に
ついて説明する。このウェハ自給装置では、加工前の半
導体ウェハと加工後の半導体ウェハは、ストッカ１１、
１２に別個に収納される。半導体ウェハを加工する場合
は、まず、ステージ上下機構１７が、加工しようとする
所定の半導体ウェハを取り出せる位置へステージ１５お
よび半導体ウェハ出し入れユニット１６を移動し、半導
体ウェハ出し入れユニット１６が、加工前の半導体ウェ
ハを収納したストッカから所定の半導体ウェハを引っ張
り出してステージ１５上に載置する。その後、ステージ
上下機構１７は、ステージ１５をローダ給排位置２０へ
移動させる。
【００２１】次に、ローダ２３が、半導体ウェハをロー
ダ給排位置２０にあるステージ１５から加工テーブル２
２へ移動させる。ダイシング装置は、加工テーブル２２
を移動させ、また、切断用刃具２４を回転させて、半導
体ウェハを切断加工する。その後、ローダ２３は、加工
後の半導体ウェハを洗浄テーブル２１上に載置する。図
示しない洗浄装置は、この半導体ウェハを洗浄する。次
に、ローダ２３は、半導体ウェハをローダ給排位置２０
にあるステージ１５へ搬送する。そして、ステージ上下
機構１７が、ステージ１５上の半導体ウェハを、加工後
の半導体ウェハを収納するストッカへ押し込んで収納す
る。なお、上段のストッカ１１は、ダイシング装置の上
部の扉を開けて出し入れする。一方、下段のストッカ１
２の出し入れは、ダイシング装置の正面（図２の下側）
の扉を開け、図１において２点鎖線で示すようにストッ
カ台１４上をスライドさせて行う。
【００２２】以上説明したように本実施例によれば、２
つのストッカ１１、１２が上下に配置されているので、
ダイシング装置の占有面積が小さくなる。また、図６に
示すような従来の２ストッカ用のウェハ自給装置に比べ
て上下機構が少なくなるため、コストを低減できる。ま
た、加工前の半導体ウェハを収納するストッカと加工後
の半導体ウェハを収納するストッカとが、互いに独立に
取り出し可能であるため、効率良く半導体ウェハを供給
できる。すなわち、加工前の半導体ウェハを収納してい
たストッカから最後の半導体ウェハが取り出されたら、
その半導体ウェハの加工が行われている間に、空になっ
たストッカと次に加工すべき半導体ウェハを収納したス
トッカを交換することができ、直ぐに次の半導体ウェハ
の加工を行うことが可能となる。また、加工の済んだ一
部の半導体ウェハのみを次の工程に移すことも可能とな
る。
【００２３】また、本実施例のウェハ自給装置は、スト
ッカ１１またはストッカ１２を、加工前の半導体ウェハ
と加工後の半導体ウェハを収納する給排兼用ストッカと
することによって、１ストッカ用のウェハ自給装置とし
ても使用することができる。さらに、ストッカ１１とス
トッカ１２を共に給排兼用ストッカとすることにより、
従来１ストッカ用のウエハ自給装置の２倍の収納量とな
り、無人運転の時間を２倍にすることができる。
【００２４】なお、図１では、下段のストッカ１２用の
ストッカ台１４が、ストッカ１２の開口部の反対側にス
ライドするようになっているが、図３において２点鎖線
で示すように、ストッカ１２の開口部の側方、すなわち
半導体ウェハの取り出し方向に対して直交する方向にス
ライドするようにしても良い。これにより、ストッカ台
１４をスライドした際にストッカ１２内に収納された半
導体ウェハの位置がずれることが防止される。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、加工前の半導体ウェハを収納するストッカと
加工後の半導体ウェハを収納するストッカを、上下に配
置し、かつ互いに独立に取り出し可能としたので、ダイ
シング装置のウェハ自給装置の占有面積が小さくて済
み、かつ効率良く半導体ウェハを供給することができる
という効果がある。また、請求項２記載の発明によれ
ば、下段のストッカを、半導体ウェハの取り出し方向に
対して直交する方向にスライドするストッカ台に載置す
るようにしたので、上記効果に加え、ストッカ台をスラ
イドした際にストッカ内に収納された半導体ウェハの位
置がずれることを防止することができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のウェハ自給装置の要部を示
す斜視図である。
【図２】図１のウェハ自給装置を含むダイシング装置の
要部の配置を示す説明図である。
【図３】図１のウェハ自給装置の変形例を示す斜視図で
ある。
【図４】従来の１ストッカ用のウェハ自給装置の要部を
示す斜視図である。
【図５】図４のウェハ自給装置を含むダイシング装置の
要部の配置を示す説明図である。
【図６】従来の２ストッカ用のウェハ自給装置の要部を
示す斜視図である。
【図７】図６のウェハ自給装置を含むダイシング装置の
要部の配置を示す説明図である。
【符号の説明】
１１、１２ ストッカ １３、１４ ストッカ台 １５ ステージ １６ 半導体ウェハ出し入れユニット １７ ステージ上下機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一方が加工前の半導体ウェハを収納し、
    他方が加工後の半導体ウェハを収納し、上下に配置され
    ると共に互いに独立に取り出し可能な２つのストッカ
    と、 上下方向に移動し、前記２つのストッカ内の任意の半導
    体ウェハの出し入れを行う半導体ウェハ出し入れ手段
    と、 この半導体ウェハ出し入れ手段によってストッカから取
    り出された加工前の半導体ウェハを加工部まで搬送する
    と共に、加工後の半導体ウェハを加工部から搬送して半
    導体ウェハ出し入れ手段に渡す半導体ウェハ搬送手段と
    を具備することを特徴とするダイシング装置のウェハ自
    給装置。
  2. 【請求項２】 下段のストッカが載置されると共に、半
    導体ウェハの取り出し方向に対して直交する方向にスラ
    イドするストッカ台を具備することを特徴とする請求項
    １記載のダイシング装置のウェハ自給装置。
JP5321200A 1993-11-26 1993-11-26 ダイシング装置のウェハ自給装置 Pending JPH07153720A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5321200A JPH07153720A (ja) 1993-11-26 1993-11-26 ダイシング装置のウェハ自給装置
GB9423850A GB2284303B (en) 1993-11-26 1994-11-25 Automatic wafer handler for a dicing machine
KR1019940031393A KR950015630A (ko) 1993-11-26 1994-11-26 자동 웨이퍼 핸들러를 구비한 다이싱 머신
TW083111332A TW252213B (ja) 1993-11-26 1994-12-06

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5321200A JPH07153720A (ja) 1993-11-26 1993-11-26 ダイシング装置のウェハ自給装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07153720A true JPH07153720A (ja) 1995-06-16

Family

ID=18129915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5321200A Pending JPH07153720A (ja) 1993-11-26 1993-11-26 ダイシング装置のウェハ自給装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPH07153720A (ja)
KR (1) KR950015630A (ja)
GB (1) GB2284303B (ja)
TW (1) TW252213B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013031048A1 (ja) * 2011-08-30 2013-03-07 パナソニック株式会社 液剤塗布装置及び液剤塗布方法
JP2016016525A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111604810B (zh) * 2020-07-24 2020-11-03 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆传输设备、化学机械平坦化装置及晶圆传输方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4775281A (en) * 1986-12-02 1988-10-04 Teradyne, Inc. Apparatus and method for loading and unloading wafers
US5064337A (en) * 1988-07-19 1991-11-12 Tokyo Electron Limited Handling apparatus for transferring carriers and a method of transferring carriers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013031048A1 (ja) * 2011-08-30 2013-03-07 パナソニック株式会社 液剤塗布装置及び液剤塗布方法
JP2016016525A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW252213B (ja) 1995-07-21
GB2284303A (en) 1995-05-31
GB9423850D0 (en) 1995-01-11
GB2284303B (en) 1997-10-08
KR950015630A (ko) 1995-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5387265A (en) Semiconductor wafer reaction furnace with wafer transfer means
US6079927A (en) Automated wafer buffer for use with wafer processing equipment
US6341740B2 (en) Cutting-and-transferring system and pellet transferring apparatus
US6398476B1 (en) Automatic storage unit and automatic storing method
JPH10256346A (ja) カセット搬出入機構及び半導体製造装置
JP2791251B2 (ja) 半導体処理装置及び方法並びに半導体処理装置モジュール
JP2003203887A (ja) 切削装置
JP7420514B2 (ja) 加工装置
JPH07153720A (ja) ダイシング装置のウェハ自給装置
JP2002540620A (ja) 半導体製品を製造するための装置
JP3347528B2 (ja) 半導体製造装置
JPH05338728A (ja) ウエーハ搬送方法及び装置
JP3225431B2 (ja) イオン注入装置におけるウエハ搬送装置
JP2007305862A (ja) カセット搬送方法およびカセット搬送装置
JPH06236914A (ja) 半導体製造設備
JP2506379B2 (ja) 搬送方法及び搬送装置
JP2003115471A (ja) 半導体チップの裏面研削方法および裏面研削システム
JPH088290B2 (ja) 縦型拡散・ｃｖｄ装置のウェーハカセットロード・アンロード装置
KR100533700B1 (ko) 디스크형 물품용 지지체를 처리, 저장 및 로딩하기 위한장치 및 방법
JPH0590388A (ja) 移替装置
JPH10326818A (ja) 半導体製造装置
KR20240020672A (ko) 칩의 반송 방법
JP2021169135A (ja) 切削方法、及び切削装置
JPH09199447A (ja) ウェーハを垂直に載置したダイシング装置
JPH04267538A (ja) 多連半導体製造装置