JPH07153065A

JPH07153065A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07153065A
Application number: JP5299683A
Authority: JP
Inventors: Kunihiro Ueda; 国博上田; Masatoshi Nakayama; 正俊中山; Kiyoshi Yato; 潔矢頭; Koji Kobayashi; 康二小林; Hiromichi Kanazawa; 弘道金沢
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1993-11-30
Filing date: 1993-11-30
Publication date: 1995-06-16

Abstract

(57)【要約】【目的】耐食性、耐久性等の優れた強磁性金属層を有す
る磁気記録媒体を提供する。【構成】非磁性基体上に下地層、強磁性金属層、保護層
及び潤滑層を順に成膜した磁気記録媒体において、前記
保護層が電極側にＡＦ（オーディオ周波数）５０ｋＨｚ
〜４５０ｋＨｚを印加し、基盤側に負のバイアスを印加
してプラズマ重合された、屈折率１．９０以上、膜厚３
０〜１５０Å、及び接触角８０度未満プラズマ重合水素
含有炭素膜であり、また前記下地層はＳｉＯｘ（ｘ＝
１．８〜１．９５）で表されるけい素酸化物膜であり、
潤滑層は極性パーフロロポリエーテル、非極性パーフロ
ロポリエーテル、パーフロロカルボン酸、フォスファゼ
ン、パーフロロアルキレート及びパーフロロアクリレー
ト系化合物より選択されたものからなることを特徴とす
る磁気記録媒体及びその製造方法。【効果】電磁変換特性が優れていると共に耐久性、耐食
性、耐摩耗性、潤滑性の優れた磁気記録媒体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録媒体及びその製
造方法に関し、特に耐食性、耐久性、耐摩耗性、潤滑性
を有する強磁性金属層を磁性層とする磁気記録媒体及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】強磁性金属層を磁性層とする磁気記録媒
体は飽和磁束密度が大きく、保磁力が高い等すぐれた特
性を有する。従来から、強磁性金属層を磁性層とする磁
気記録媒体の耐食性、耐久性、耐摩耗性、潤滑性等を改
善するにあたり種々の磁気記録媒体及びその製造方法が
提案されている。例えば強磁性金属薄膜を磁性層とする
磁気記録媒体において、非磁性の樹脂基体上に、下地膜
と強磁性金属薄膜とトップコート層を有する磁気記録媒
体であって、下地膜とトップコート膜がそれぞれＣとＨ
とを含み、かつ屈折率が１．８以上のプラズマ重合膜で
ある磁気記録媒体（特開平４−３４１９１８号公報）、
下地膜がＳｉ又はＳｉおよびＯを含むプラズマ重合膜で
あり、トップコート層がＣとＨとを含むプラズマ重合膜
である磁気記録媒体（特開平５−２０６６３号公報）、
基体と、基体上に設けられた磁性層と、磁性層上に設け
られた保護層とからなる磁気記録媒体において、保護層
が硬質カーボン層と含フッ素潤滑油層からなる磁気記録
媒体（特公平５−３３４５６号公報）、基体表面に磁性
体蒸気流を斜方入射して磁性薄膜を蒸着した後、直ちに
磁性蒸着薄膜上に有機物をプラズマ重合せしめてオーバ
ーコート薄膜層を設けたことからなる磁気記録媒体(特
開昭５７−１３５４４３号公報)、斜方蒸着型金属磁性
層上に有機高分子層、該層上に高級脂肪酸或いはそのエ
ステル層を設けることからなり、該有機高分子層および
該層上の高級脂肪酸或いはそのエステル層が真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スバッター法、又はプラ
ズマ重合法により形成されたものからなる磁気記録媒体
（特開昭５７−１６４４３２号公報）及び磁性層の表面
をシロキサン結合を有する５〜１０００Åのプラズマ重
合薄膜で被覆し防錆した磁気記録媒体（特公平３−５３
６９１号公報）等が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の磁気記録媒体、例えば特開平４−３４１９１８号公
報記載の磁気記録媒体、特開平５−２０６６３号公報記
載の磁気記録媒体では保護層の接着性および耐食性が不
充分であり、又、特公平５−３３４５６号公報記載の磁
気記録媒体では下地層がないため錆びてしまうという欠
点があった。そして、特開昭５７−１３５４４３号公報
記載および特開昭５７−１６４４３２号公報記載の磁性
層上に有機物および高級脂肪酸或いはそのエステル類を
プラズ重合させるものでは耐食性、潤滑性、耐摩耗性等
の点でまだ十分でなく、又磁性層上にシロキサン結合を
有するプラズマ重合膜を被覆するもの（特許第１６８７
３０７号、特公平３−５３６９１号公報）では磁性層の
下に下地層がなく、錆が発生し、又摩擦に対しても弱い
等の問題のあるものであった。したがって、耐食性、耐
摩耗性、耐摩擦性、耐久性、潤滑性を併せ有する磁気記
録媒体が要望されている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の課題
を解決すべく、鋭意研究の結果、磁気記録媒体におい
て、構造的に、基体上にＳｉＯｘ膜＋磁性層＋保護層
（ＤＬＣ膜）更に潤滑層を設けたものからなり、保護層
であるＤＬＣ膜が基盤に負のバイアスを印加して、電極
側の周波数ＡＦを特定の値として形成された、特定の屈
折率及び接触角を有するプラズマ重合水素含有炭素膜で
あり、潤滑層が特定のふっ素化合物からなるものである
とき、該課題が解決できるのとを見出し、本発明に到達
した。即ち、本発明は（１）非磁性基体上に下地層、強
磁性金属層、保護層及び潤滑層を順に成膜した磁気記録
媒体において、前記保護層が屈折率１．９０以上、膜厚
３０〜１５０Å、及び接触角８０度未満のプラズマ重合
水素含有炭素膜（ＤＬＣ膜）であり、また前記下地層は
ＳｉＯｘ（ｘ＝１．８〜１．９５）で表されるけい素酸
化物膜であり、潤滑層は極性パーフロロポリエーテル、
非極性パーフロロポリエーテル、パーフロロカルボン
酸、フォスファゼン、パーフロロアルキレート及びパー
フロロアクリレート系化合物より選択されたものからな
ることを特徴とする磁気記録媒体、（２）強磁性金属層
は蒸着法にて形成されたものである上記（１）記載の磁
気記録媒体、（３）非磁性基体上にＳｉＯｘ（ｘ＝１．
８〜１．９５）で表されるけい素酸化物膜よりなる下地
層を形成し、その上に強磁性金属層を気相成膜し、次い
で基盤側に負のバイアスを印加しながら周波数５０〜４
５０ｋＨｚで炭化水素ガスと水素をプラズマ重合させて
屈折率１．９０以上、接触角８０度未満及び膜厚３０〜
１５０Åの水素含有炭素膜よりなる保護層を形成し、最
後に極性パーフロロポリエーテル、非極性パーフロロポ
リエーテル、パーフロロカルボン酸、フォスファゼン、
パーフロロアルキレート及びパーフロロアクリレート系
化合物より選択された潤滑層を形成することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法、（４）負のバイアスがパル
スバイアスであり、デューティ比（ON/OFF 比)が０．３
〜３であり、周波数が１０〜５００Ｈｚである上記
（３）記載の磁気記録媒体の製造方法、及び（５）強磁
性金属層の気相成膜が蒸着法である上記（３）記載の磁
気記録媒体の製造方法に関する。

【０００５】本発明においては、保護層として、電極側
にＡＦ（オーディオ周波数）５０ｋＨｚ〜４５０ｋＨｚ
を印加し、基盤側に負のバイアスを印加して、プラズマ
重合された、屈折率１．９０以上、膜厚３０〜１５０
Å、及び接触角８０度未満のプラズマ重合水素含有炭素
膜を用いる。プラズマ重合法については、従来公知の方
法、例えば特公平３−５３６９１合公報記載の方法で行
なうことができ、電極を配した真空チャンバーを１０−
６Ｔｏｒｒまで真空排気し、マスフローコントローラに
て定められた量の原料ガスと水素ガスを導入し、所定の
圧力に保持した後、ＡＦ電源にて放電を発生させ、必要
膜厚になるようにテープの走行系を制御する。ＤＬＣ膜
成膜時にはＤＣバイアスを印加する。次いで、真空を破
壊して得られた重合膜形成サンプルを取り出すことによ
って行なわれる。保護層として形成されるプラズマ重合
水素含有炭素膜の原料としては、炭素および水素を含有
する種々のものを用いることができるが、通常操作性の
よいことから、常温で気体のメタン、エタン、プロパ
ン、ブタン、ペンタン、エチレン、プロビレン、ブテ
ン、ブタジエン、アセチレン、メチルアセチレン、その
他の飽和ないし不飽和の炭化水素の１種以上を、Ｃおよ
びＨ源として用いる。炭化水素ガスをプラズマ重合する
際に、ＡＦ５０ｋＨｚ〜４５０ｋＨｚを印加するが、Ａ
Ｆがこの範囲外になると、即ち５０ｋＨｚ未満の周波数
では性質がＤＣ（直流）に近づくので、長時間の稼働に
より膜が周囲に積層してくると、放電が不安定になるた
めに膜質に異常をきたす。又、イオンによるダメージが
大きくテープの性質を損なってくる。また、４５０ｋＨ
ｚを越える周波数とすると、イオンの動きはが緩慢にな
り、膜質がソフトとなり、耐久性に耐えられない膜とな
る。負のバイアスはＤＣにて負電位を印加する。パルス
バイアスが好ましい。バイアスとしては、ＲＦバイアス
もあるが、ＲＦの場合、セルフバイアスにて負の電位を
生成するが、正負の反転があるために、必ずしも全く負
とはいかない。実験的に行ったが、バイアスを印加しな
いものと性質的には、ほとんど変化がなかった。更にＤ
Ｃバイアスをパルス化すると、絶縁物を介しても充分な
バイアス効果があり、単にＤＣを印加しても効果が発現
するが、さらに良くなる。又デューティ比（ＯＮ／ＯＦ
Ｆ）は０．３〜３である。デューティー比が０．３未満
となると、放電が不安定となり、３を超えるとするとＤ
Ｃで連続波〔Continuous Wave(CW)〕で印加した場合と
変化が無くなる。望ましくは、０．８〜１．５程度とす
る方が更に望ましい。

【０００６】また、周波数が１０Ｈｚ未満となると、バ
イアス印加効果がなくなり、５００Ｈｚを超えるもので
は、高周波的挙動となるために、膜が硬くならない。そ
して、本発明のプラズマ重合水素含有炭素膜は屈折率が
１．９０以上である。屈折率が１．９０未満のときは耐
久性が著しく低下し、保存特性も劣化する。これは、膜
硬度か低くなるためと、併せて膜密度が低下するために
水が膜を透過しやすくなるためである。原因としては、
膜中の水素含有量が多くなり、架橋構造をとることがで
きなくなるためである。又、本発明のプラズマ重合水素
含有炭素膜は膜厚３０〜１５０Åである。膜厚が３０Å
未満では効果が発現しないし、１５０Åを超えると、ス
ページングロスが大きいために、蒸着テープ本来が持つ
電磁変換特性に影響をおよぼす。又、その接触角は８０
度未満である。接触角が８０度以上の値を示すと、膜の
表面にＣ＝Ｃの生成が不足しているために、スチル特性
が向上しない。このような屈折率１．９０以上、接触角
８０度未満の膜では、ＦＴ−ＩＲの２，９００ｃｍ~¹に
表れるメチル・メチレンの吸収はほとんど観察されな
い。

【０００７】本発明の下地層はＳｉＯｘ（ｘ＝１．８〜
１．９５）で表される珪素酸化物膜である。酸化珪素に
おいてｘ＝１．８未満では膜中に炭素が残り、きちんと
した膜にならず、密度が向上しないために水分遮断性が
発現しない。ｘ＝１．９５を越えるものも水分遮断性が
不足し、水分遮断膜としての機能を果たさない。ｘ＝
１．８未満の膜では、ＥＳＣＡ（Electron spectroscop
y for chemical analysis）にて測定した結果では、全
原子の１５ａｔ％（原子％）前後の未反応の炭素原子を
含むのに対し、１．８以上では十分反応が進行するため
に１ａｔ％未満の値となっている。炭素含有量が非常に
水分遮断性にたいして影響をおよぼすことが判明してい
る。ＳｉＯｘ（ｘ＝１．８〜１．９５）の珪素酸化物膜
は、真空チャンバーを１０−６Ｔｏｒｒまで排気した
後、原料ガスと酸素を定められた量をマスフローコント
ローラにて、導入し、ＡＦ電源にてプラズマを発生させ
る。ＤＬＣ膜の場合はＤＣバイアスを印加したが、Ｓｉ
Ｏｘ膜ではバイアスはあってもよいが特に必要ない。た
だし、原料となるシラン系ガスと酸素との導入流量比が
Ｓｉ／Ｏ₂＝１／３以上の酸素が必要であり、この比以
下の酸素料とすると、１．８以上の膜とはならない。原
料として用いるシラン系ガスは、シラン、トリメチルシ
ラン、テトラメチルシラン、トリメトキシシラン、テト
ラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等が挙げられ
る。取り扱い上は、０℃、１気圧の標準状態で液体のも
のが扱いやすい。又、沸点としては、１００℃前後のも
のが扱いやすい。液体の原料は、市販の液体供給機を用
いて、マスフローコントローラにて供給すれば良い。

【０００８】潤滑層は極性パーフロロポリエーテル、非
極性プーフロロカルボン酸、フォスファゼン、パーフロ
ロアルキレート及びパーフロロアクリレート系化合物か
ら選択される化合物を溶剤に溶解させて塗布して形成さ
れる。通常は、グラビア塗布法、リバース塗布法、ダイ
ノズル塗布法等磁気記録媒体にて使用されている方法で
あれば、特に限定されるものではない。溶剤に対する潤
滑剤の濃度は、１〜０．１ｗｔ％の範囲で調製される。
極性パーフロロポリエーテルは例えば、クライトックス
（デェポン社製）、Ｚ−ＤＯＬ,ＡＭ２００１（モンテ
ジソン社製）、ＳＡ１，ＳＹ３（ダイキン工業社製）等
が挙げられる。非極性パーフロロポリエーテルは、例え
ばＳ２０（ダイキン工業社製）等が挙げられ、パーフロ
ロカルボン酸は例えばｎ−ＣｍＦｌＣＯＯＨ（ｍ＝７〜
１０，ｌ＝１４〜２１）が挙げられ、パーフロロアルキ
レートは例えばＦＡ１０８（共栄社油脂化学社製）等で
あり、パーフロロアクリレート系化合物は例えばｎ−Ｃ
ｍＦｌＣＯＯＣｐＦｑ（ｐ＝７〜１０，ｑ＝１４〜２
１，ｍ，ｌは前記と同じ）等である。溶剤としてはたと
えばフロン系で例えばＬ−９０，トリブチルアミンでＥ
ＦＬ−１５０（ダイキン工業社製）が用いられる。これ
らの潤滑剤以外のものでは、例えばステアリン酸、ミリ
スチン酸等の飽和カルボン酸やシリコンオイルなどでは
効果がない。金属磁性層には、フッ素系で表面エネルギ
ーの低いものが好ましい。

【０００９】非磁性基体としては、通常のものが用いら
れ、強磁性金属薄膜蒸着時の熱に耐える各種フィルムが
用いることができる。例えばポリエステル、ポリイミ
ド、アラミド、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテル
ケトン（ＰＥＥＫ）等のフィルムであり、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）のフィルム等が用いられる。強磁性金属層に
はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの金属やこれらの各種合金が用
いられるが、ＣｏまたはＣｏを主成分とする合金が望ま
しい。Ｃｏを主成分とする合金としては、Ｃｏ−Ｎｉ，
Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｓｍ，Ｃｏ−Ｐなどが用
いられ、Ｃｏ−Ｎｉ合金が好ましく、特にモル比でＣｏ
を約８０％以上、Ｎｉが２０％以下含有するものが好ま
しい。これらの強磁性金属薄膜としては、この種の金属
薄膜形成方法が用いられ、真空蒸着法、イオンプレーテ
ィング法、スパッター法等によって形成される。好まし
くは蒸着法であり、斜め蒸着法によるものが好ましい。
なお成膜中に酸素などの酸化性ガスを導入してもよい。
磁性層の厚さは５００〜３０００Åであり、好ましくは
１５００〜２０００Åである。

【００１０】

【作用】強磁性金属層を磁性層とする磁気記録媒体にお
いて、強磁性金属層の下地層をＳｉＯｘ（ｘ＝１．８〜
１．９５）のけい素酸化物膜とし、保護層を電極側にＡ
Ｆ５０ｋＨｚ〜４５０ｋＨｚを印加し、基盤側に負のバ
イアスを印加して、プラズマ重合により得られた屈折率
１．９０以上、膜圧３０〜１５０Å、接触角８０度未満
のプラズマ重合水素含有炭素膜とし、潤滑層として極性
パーフロロポリエーテル、非極性パーフロロポリエーテ
ル、パーフロロカルボン酸、フォスファゼン、パーフロ
ロアルキレート、又はパーフロロアクリレート系化合物
を用いることにより、強磁性金属層を磁性層とする優れ
た特性を有する磁気記録媒体において、その特性を保持
するとともに、その耐食性、耐久性、耐摩耗性、潤滑性
の改善されたものとすることができる。

【００１１】

【実施例】以下に実施例を説明する。なお磁気記録テー
プの特性測定は以下の方法によった。（１）スチル４０℃２０％ＲＨの環境にて、７ＭＨｚの信号を記録し
て、その出力が−５ｄＢになるまでの時間を測定した。（２）耐食性６０℃９０％ＲＨの環境に、１週間保存して飽和磁束密
度の低下率を測定した。（３）初期摩擦１８０度ピン摩擦試験機で１パス目の摩擦係数を測定し
た。（４）耐久摩擦１８０度ピン摩擦試験機で５００パス目の摩擦係数を測
定した。（５）表面観察２００パス後の面状態をを光学顕微鏡にて観察し、すり
傷の入り具合を観察した。キズがないものに○、キズの
数が１〜５のものを△、キズが６本以上を×とした。（６）電磁変換特性比較例１の７ＭＨｚの出力を０ｄＢとした時、各サンプ
ルの値との差が２ｄＢ未満を○とし、２ｄＢ以上を×と
した。

【００１２】実施例１〜２０、比較例１〜２９厚さ７μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム基体
に、チャンバー内を１０−６Ｔｏｒｒに排気した後、原
料としてテトラメトキシシランと酸素を１：３量導入し
て、圧力を１０−２Ｔｏｒｒに調整した。その後、電極
にＡＦ１００ｋＨｚを印加しプラズマ放電を発生させ各
種の組成のＳｉＯｘをプラズマ重合して下地層とした。
ＳｉＯｘ膜のｘ値は、シラン系有機化合物と同時導入す
る酸素量比を変更した。ついでＣｏ８０重量％−Ｎｉ２
０重量％の合金を酸素雰囲気下蒸着して強磁性金属層
（膜厚１５００Å）を形成した。その上に図１に示すＤ
ＬＣ膜装置にて、炭化水素源としてメタンを使用してプ
ラズマ重合し保護層とした。即ち、チャンバー内を１０
−６Ｔｏｒｒに排気した後、原料としてメタンと水素を
１：１量導入して、圧力を１０−２Ｔｏｒｒに調整し
た。その後、電極に高周波にて電磁波を印加しプラズマ
放電を発生させた。同時にＤＣバイアスを図１に示すよ
うに結線し印加した。さらに該保護層上に各種潤滑剤を
溶剤ＥＦＬ−１５０（ダイキン工業社製）に０．３ｗｔ
％溶解し、グラビア塗布法にて塗布した。膜厚は約４０
Åであった。基盤側のＤＣバイアスは、パルス発生機構
を有しているものを使用した。非極性ＰＦＰＥ（パーフ
ロロポリエーテル）はＳ２０（ダイキン工業社製）を、
シリコンオイルは、ＫＦ−８５１（信越化学工業社製）
を用いた。極性ＰＦＰＥは、ＳＡ１（ダイキン工業社
製）、ＰＦＡ（パーフロロカルボン酸）はｎ−Ｃ₁₀Ｆ₂₀
ＣＯＯＨをフォスアゼンは出光石油化学社製をパーフロ
ロアクリレートはＦＡ１０８を、パーフロロアルキレー
トは、ｎ−Ｃ₁₀Ｆ₂₀ＣＯＯＣ₁₀Ｆ₂₀を用い、潤滑層を形
成した。ＳｉＯｘ下地層の組成と膜厚、プラズマ重合水
素含有炭素膜保護層の成膜時のプラズマ周波数とバイア
ス、得られた保護層の膜厚、屈折率、および接触角、潤
滑層の材料を表１−１および表１−２に示す。パルスバ
イアスを使用したときのパルスは５０Ｈｚである。また
得られた磁気記録テープのスチル時間、耐食性、初期摩
擦、耐久摩擦、および表面観察結果を表１−３および表
１−４に示す。なお膜厚と屈折率はエリプソメトリーを
使用した。ＳｉＯｘの組成の測定はＥＳＣＡにて測定し
た。接触角は液滴を落下する方式（協和界面化学社製接
触角計）を用いた。比較のためにＲＦおよび１ＭＨｚを
使用して保護層を形成した。

【００１３】

【表１−１】

【００１４】

【表１−２】

【００１５】

【表１−３】

【００１６】

【表１−４】

【００１７】実施例２１〜４２厚さ７μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム基体
に、テトラメトキシシランと酸素の混合等を使用し、放
電周波数として４００ｋＨｚを使用してＳｉＯｘ（ｘ＝
１．９００）をプラズマ重合して下地層とし、ついでＣ
ｏ８０重量％−Ｎｉ２０重量％の合金を酸素雰囲気下、
蒸着して強磁性金属層（膜厚１．５００Å）を形成し
た。その上に各種炭化水素を使用してプラズマ重合して
保護層とした。さらに、液体潤滑剤として極性ＰＦＰＥ
（パーフロロポリエーテル）を用いて潤滑層を形成し
た。ＳｉＯｘ下地層の膜厚、炭化水素の種類および成膜
時のプラズマ周波数とバイアス、得られた保護層の膜
厚、屈折率および接触角等を表２−１に示す。また得ら
れ磁気記録テープの電磁変換特性、スチル時間、耐食
性、初期摩擦、耐久摩擦、および表面観察結果を表２−
２に示す。なお、膜厚、屈折率、ＳｉＯｘの組成および
接触角の測定は実施例１〜２０と同一である。

【００１８】

【表２−１】

【００１９】

【表２−２】

【００２０】実施例４３〜５７，比較例３０〜３６負のバイアスをＣＷ及びパルスバイアスとし、パルス周
波数Ｈｚ、ＣＨ₄／Ｈの流量比及びパルス比ＯＮ／ＯＦ
Ｆを種々変えた以外は上記実施例と同様にして、磁気記
録媒体を製造した。パルス比は電源付属の設定スイッチ
にて、ＯＮ／ＯＦＦ時間を設定し変更した。結果を表３
−１および表３−２に示す。

【００２１】

【表３−１】

【００２２】

【表３−２】

【００２３】

【発明の効果】本発明では強磁性金属層を磁性層とする
磁気記録媒体において、磁性層の下地層を特定の珪素酸
化物膜とし、保護層を特定の印加条件でプラズマ重合さ
れた特定の特性を有するプラズマ重合水素含有炭素膜と
し、且つ潤滑層を特定のフッ素化合物とすることによ
り、電磁変換特性が優れ、耐食性、耐久性、耐摩耗性、
潤滑性の優れた磁気記録媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるＤＬＣ膜製造装置である。

【符号の説明】

１電極２回転ドラム３ガイドロール４ガイドロール５テープ巻き取りロール６テープ巻だしロール７ＤＣバイアス用電源

フロントページの続き (72)発明者小林康二東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内 (72)発明者金沢弘道東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基体上に下地層、強磁性金属層、保
護層及び潤滑層を順に成膜した磁気記録媒体において、
前記保護層が屈折率１．９０以上、膜厚３０〜１５０
Å、及び接触角８０度未満のプラズマ重合水素含有炭素
膜であり、また前記下地層はＳｉＯｘ（ｘ＝１．８〜
１．９５）で表されるけい素酸化物膜であり、潤滑層は
極性パーフロロポリエーテル、非極性パーフロロポリエ
ーテル、パーフロロカルボン酸、フォスファゼン、パー
フロロアルキレート及びパーフロロアクリレート系化合
物より選択されたものからなることを特徴とする磁気記
録媒体。
【請求項２】強磁性金属層は蒸着法にて形成されたもの
である請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】非磁性基体上にＳｉＯｘ（ｘ＝１．８〜
１．９５）で表されるけい素酸化物膜よりなる下地層を
形成し、その上に強磁性金属層を気相成膜し、次いで基
盤側に負のバイアスを印加しながら周波数５０〜４５０
ｋＨｚで炭化水素ガスと水素をプラズマ重合させて屈折
率１．９０以上、接触角８０度未満及び膜厚３０〜１５
０Åのプラズマ重合水素含有炭素膜よりなる保護層を形
成し、最後に極性パーフロロポリエーテル、非極性パー
フロロポリエーテル、パーフロロカルボン酸、フォスフ
ァゼン、パーフロロアルキレート及びパーフロロアクリ
レート系化合物より選択された潤滑層を形成することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】負のバイアスがパルスバイアスであり、デ
ューティ比（ON/OFF 比)が０．３〜３であり、周波数が
１０〜５００Ｈｚである請求項３記載の磁気記録媒体の
製造方法。
【請求項５】強磁性金属層の気相成膜が蒸着法である請
求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。