JPH07147504A - 誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器 - Google Patents

誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器

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JPH07147504A
JPH07147504A JP31591793A JP31591793A JPH07147504A JP H07147504 A JPH07147504 A JP H07147504A JP 31591793 A JP31591793 A JP 31591793A JP 31591793 A JP31591793 A JP 31591793A JP H07147504 A JPH07147504 A JP H07147504A
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Japan
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mode
dielectric
outer conductor
shaped support
side wall
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JP31591793A
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Hiroshi Hatanaka
博 畠中
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NIPPON DENGIYOU KOSAKU KK
Nihon Dengyo Kosaku Co Ltd
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NIPPON DENGIYOU KOSAKU KK
Nihon Dengyo Kosaku Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】温度特性の良好安定な帯域通過ろ波器を実現す
る。 【構成】本件フィルタは2つの結合された誘電体共振器
により形成される。円筒状導体1,1及び端壁
,1よりなる空洞は、中央部に結合孔12を有す
る隔壁11で2分される。2,2はH01δモード
誘電体共振器であり、それぞれアルミナ磁器製円板状支
持体3,3により外部導体1,1と同軸に支持
されている。4〜4及び5〜5はそれぞれHモ
ード及びVモードの周波数調整螺子であり、6〜6
はモード間結合調整螺子である。7及び9は入出力結合
ループ、8及び10は入出力結合端子である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、極超短波帯(UHF)
ないしセンチ波帯(SHF)における無線通信装置又は
放送装置等の構成素子として好適な、H01テ゛ルタモ−ド誘
電体共振器を用いて構成した帯域通過ろ波器に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】図9(a)は、従来のH01テ゛ルタモ−ド誘
電体共振器より成る帯域通過ろ波器を示す断面図[図9
(b)のC−C断面図]、図9(b)は、図9(a)の
A−A端面図、図9(c)は、図9(a)のB−B端面
図で、11及び12は外部導体の円筒状側壁、13及び14は外
部導体の端壁、21及び22はH01テ゛ルタモ−ド誘電体共振素
子、131 ないし134 は船形の支持体で、例えばポリテト
ラフルオロエチレン(所謂テフロン)又はポリスチレン
等の誘電率の低い固体誘電体より成る。外部導体の円筒
状側壁11と支持体131 及び132 との間、外部導体の円筒
状側壁12と支持体133 及び134 との間は、適当な接着剤
で接着固定してある。41、42及び43、44はHモ−ドの共
振周波数微調整螺子、51、52及び53、54はVモ−ドの共
振周波数微調整螺子、61、62及び63、64はモ−ド間結合
調整螺子で、螺子61及び62の共通軸芯と螺子63及び64
共通軸芯とが互いに直交するように取り付けてある。7
は入力(又は出力)結合ル−プ、8は入力(又は出力)
端子、9は出力(又は入力)結合ル−プ、10は出力(又
は入力)端子、11は隔壁、12は結合孔である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図9に示した従来のH
01テ゛ルタモ−ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器にお
いては、誘電率の低い固体誘電体より成る支持体131
いし134 によって、H01テ゛ルタモ−ド誘電体共振素子21
び22を所要箇所に支持するように構成してあるが、一般
に、低誘電率の固体誘電体は温度変化に対する線膨張係
数が大で、又、誘電率の温度特性に劣るため、このよう
な固体誘電体によって共振素子を支持するように構成し
た従来の共振器を用いて構成した帯域通過ろ波器は、温
度特性を良好安定にすることが極めて困難である。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、外部導体に内
装されたH01テ゛ルタモ−ド誘電体共振素子と、外部導体の
円筒状側壁の内周面に周縁を固着し、板面にH01テ゛ルタ
−ド誘電体共振素子の端部を固着してH01テ゛ルタモ−ド誘
電体共振素子を外部導体の円筒状側壁と同軸状に支持す
るアルミナ磁器より成る円板状の支持体とを備えた誘電
体共振器より成る帯域通過ろ波器を実現することによ
り、従来の欠点を除こうとするものである。
【0005】
【実施例】図1(a)は、本発明の一実施例を示す断面
図[図1(b)のC−C断面図]、図1(b)は、図1
(a)のA−A端面図、図1(c)は、図1(a)のB
−B端面図で、11及び12は外部導体の円筒状側壁、13
び14は外部導体の端壁、21及び22はH01テ゛ルタモ−ド誘電
体共振素子、31は本発明の要旨である円板状の支持体
で、適当なセラミックス、例えば、共振素子21の誘電率
より適宜低い誘電率を有するアルミナ磁器より成り、そ
の板面、即ち、外部導体の端壁13と向き合う板面と反対
側の板面に、直径が共振素子21の外径にほぼ等しい円形
の凹部を穿ち、この凹部に共振素子21の外端部を嵌入す
ると共に、適当な接着剤、例えばアルミナ系の接着剤を
用いて両者を固着して共振素子21を外部導体の円筒状側
壁11と同軸状に支持する。円板状の支持体31を外部導体
内の所要位置、したがって、共振素子21を外部導体の円
筒状側壁11の軸方向の所要位置に保持するために、外部
導体の円筒状側壁11の内径を、外端部(端壁13を取り付
けた端部)から適宜軸長に亙って円板状の支持体31の直
径とほぼ等しく形成し、他の部分の内径を円板状の支持
体31の直径より適宜小に形成し、円板状の支持体31を、
その板面が円筒状側壁11の軸方向と直角になるように保
って円筒状側壁11の外端部から筒内に挿入し、円筒状側
壁11の内径の変化する箇所に生ずるリング状の段部に円
板状の支持体31の周縁を押し付けると共に、適当な接着
剤、例えばアルミナ系の接着剤を用いて固着する。円筒
状側壁11の内径の変化する箇所に生ずるリング状の段部
に円板状の支持体31の周縁を押し付けて固着する代り
に、円筒状側壁11の内径を全軸長に亙って、円板状の支
持体31の直径にほぼ等しい一様の内径に形成し、円筒状
側壁11の内周面の所要箇所に円板状の支持体31の周縁を
固着するように形成してもよい。円板状の支持体31の板
面と共振素子21の端部との固着用接着剤の接着力が強力
な場合には、円板状の支持体31の板面に、共振素子21
端部を嵌入させるための凹部を設けることなく、平坦な
面のままに保ち、この平坦面に共振素子21の端部を固着
すようにしてもよい。円板状の支持体31の周縁を外部導
体の円筒状側壁11の内周面に固着する場合には、前記の
ように、適当な接着剤を用いる代りに、円板状の支持体
31の周縁に金属薄層を付着させ、この金属薄層を付着さ
せた周縁部と外部導体の円筒状側壁11の内周面との間を
半田付けによって固着するようにしてもよい。32もまた
本発明の要旨である円板状の支持体で、その材質、形状
は円板状の支持体31と同様で、共振素子22と円板状の支
持体32との結合関係、外部導体の円筒状側壁12と円板状
の支持体32の結合関係も、共振素子21と円板状の支持体
31との結合関係、外部導体の円筒状側壁11と円板状の支
持体31の結合関係と全く同様である。41、42及び43、44
はHモ−ドの共振周波数微調整螺子、51、52及び53、54
はVモ−ドの共振周波数微調整螺子、61、62及び63、64
はモ−ド間結合調整螺子で、螺子61及び62の共通軸芯と
螺子63及び64の共通軸芯とが互いに直交するように取り
付けてある。7は入力(又は出力)結合ル−プ、8は入
力(又は出力)端子、9は出力(又は入力)結合ル−
プ、10は出力(又は入力)端子、11は導体より成る隔壁
で、外部導体の円筒状側壁11及び12の内端間に介在させ
て、隔壁11、円筒状側壁11及び12を一体に結合してあ
る。12は結合孔で、図2に示すように、隔壁11のほぼ中
央部に設け、例えば縦方向の孔隙の長さに対して横方向
の孔隙の長さが適宜短い変形十字型の結合孔に形成して
ある。
【0006】図1には、共振素子21及び22の各一端部を
円板状の支持体31及び32によって支持するように形成し
た場合を例示したが、帯域通過ろ波器を構成する共振器
の共振周波数が低く、したがって、共振素子21及び22
大型で重量が大なる場合には、図3に断面図[図1
(a)と同様の断面図]を示すように、円板状の支持体
31及び32と同様の材質、形状の円板状の支持体33及び34
を用い、共振素子21と円板状の支持体33との結合関係、
外部導体の円筒状側壁11と円板状の支持体33との結合関
係、共振素子22と円板状の支持体34との結合関係及び外
部導体の円筒状側壁12と円板状の支持体34との結合関係
を、共振素子21、円板状の支持体31及び外部導体の円筒
状側壁11間の各結合関係、共振素子22、円板状の支持体
32及び外部導体の円筒状側壁12間の各結合関係と同様に
して、共振素子21の両端部を円板状の支持体31及び33
支持すると共に、共振素子22の両端部を円板状の支持体
32及び34で支持するように形成することによって、共振
素子21及び22を機械的、電気的に安定に支持することが
でき、又、使用電力が大で、共振素子21及び22における
損失電力により生ずる発熱が比較的大なる場合にも、大
量の発熱を、図1に示した実施例における円板状の支持
体の倍の数の円板状の支持体31ないし34を介して外部導
体に伝達し、外部導体から効果的に放熱させることがで
きる。尚、図3における他の符号及び構成は、図1と同
様で、又、図1及び図3には、入力(又は出力)結合素
子7及び出力(又は入力)結合素子9をル−プで形成し
た場合を例示してあるが、プロ−ブ等の容量結合素子で
形成しても本発明を実施することができる。
【0007】図1又は図3における結合ル−プ7に電流
が流れると、結合ル−プ7の周りに発生した磁界が共振
素子21と磁気結合して図4(a)に示すような電磁界を
生ずる。図4において、矢印を付した実線は電界を、矢
印を付した破線は磁界を、それぞれ表わす。モ−ド間結
合調整螺子61及び62の管内挿入長を適当に調整すると、
図4(b)に示す電磁界が発生し、更に、この電磁界に
よって図4(c)に示す電磁界が発生する。したがっ
て、Hモ−ドの共振周波数微調整螺子41及び42の管内挿
入長を適宜調整すると共に、Vモ−ドの共振周波数微調
整螺子51及び52の管内挿入長を適宜調整することによっ
て、デュアルモ−ドの共振が行われる。図4(c)に示
した電磁界は結合孔12を励振し、共振素子22を備えた共
振器内に図4(d)に示す電磁界を発生させる。モ−ド
間結合調整螺子63及び64の管内挿入長を適当に調整する
と、図4(e)に示す電磁界が発生し、更に、この電磁
界によって図4(f)に示す電磁界が発生する。したが
って、Hモ−ドの共振周波数微調整螺子43及び44の管内
挿入長を適宜調整すると共に、Vモ−ドの共振周波数微
調整螺子53及び54の管内挿入長を適宜調整することによ
って、デュアルモ−ドの共振が行われる。図4(f)に
示した電磁界は結合ル−プ9と結合し、出力端子10から
出力される。図4(a)に示した電磁界と図4(f)に
示した電磁界は、隔壁11に穿った結合孔12の横方向の短
い孔隙を介して逆相で結合し、有極形の帯域通過ろ波器
を構成する。結合孔12の形状を、例えば縦方向のみの矩
形状又は縦方向の細長い楕円形状に形成するか、縦方向
の孔隙の長さと横方向の孔隙の長さの比を適当にするこ
とによって、図4(a)に示した電磁界と図4(f)に
示した電磁界を結合させることなく、無極形帯域通過ろ
波器を構成することができる。図5は、本発明による有
極形帯域通過ろ波器の基本的な等価回路図で、Q1及びQ2
は共振素子21を備えた側の2個の共振回路、Q3及びQ4
共振素子22を備えた側の2個の共振回路、C1及びC4は副
結合容量である。図6は、図5に示した等価回路図を変
形して示した等価回路図で、Z2、Z4、Z6及びZ8は共振回
路Q1ないしQ4(図5)の各回路インピ−ダンス、Z1は入
力結合インピ−ダンス、Z3、Z5及びZ7は段間結合インピ
−ダンス、Z9は出力結合インピ−ダンス、RLは正規化負
荷抵抗でRL=1、ZCは図5における副結合容量C1及びC4
を合成して表わした副結合インピ−ダンス、I1ないしI6
は回路電流、I7は帰還電流、Eは入力電圧、ERは負荷電
圧である。
【0008】図1又は図3に示した隔壁11に設ける結合
孔12を、例えば図2における縦方向の孔隙のみから成る
結合孔に形成して無極形の帯域通過ろ波器を構成した場
合(図6におけるZC≒∞の場合)の回路方程式は、次の
マトリクスで表わすことができる。
【数1】 とおくと、
【数2】 ER=I6RL ・・・・(4) LV=ER/E ・・・・(5) LV:電圧伝達比 図1又は図3の隔壁11に設けた結合孔12を例えば図2に
示すような変形十字形に形成し、図6における副結合イ
ンピ−ダンスZCの値が適宜の値となるようにして、本発
明帯域通過ろ波器を有極形に構成した場合には、
【数3】 とおくと、
【数4】 ER=I6RL ・・・・(9) LV=ER/E ・・・・(10)
【0009】本発明を無極形帯域通過ろ波器に実施する
場合、帯域通過ろ波器の段間結合に寄与するインピ−ダ
ンスはZ1、Z3、Z5、Z7及びZ9で、これらのインピ−ダン
スの値をチェビシェフ特性となるように選ぶと、伝送特
性は次式で求めることができる。
【数5】 L:伝送損失 Tn(x):チェビシェフの多項式で、 x<1 の場合、 Tn(x)=cos(n cos-1x) x>1 の場合、 Tn(x)=cosh(n cosh-1x) x:基準化リアクタンスで、
【数6】 f0 :帯域通過ろ波器の通過域における中心周波数 f:任意の伝送周波数 BWr:帯域通過ろ波器の許容通過周波数帯域幅 S:通過帯域内における許容電圧定在波比(VSWR) 本発明を有極形帯域通過ろ波器に実施する場合、帯域通
過ろ波器の段間結合に寄与するインピ−ダンスはZ1
Z3、Z5、Z7、Z9及びZCで、これらのインピ−ダンスの値
を有極形チェビシェフ特性となるように選ぶと、伝送特
性は次式で求めることができる。
【数7】 本実施例のように回路次数nが4、即ち、nが偶数の場
合は、
【数8】 次数nが奇数の場合は、
【数9】 fp:許容電圧定在波比を与えるバンドエッジの周波数 上式においてReは実数部をとるの意、Imは虚数部をとる
の意である。図7は、理論値に基づく本発明帯域通過ろ
波器の伝送特性の一例を示す図で、横軸は周波数、縦軸
は減衰量、実線は無極形帯域通過ろ波器の伝送特性、破
線は有極形帯域通過ろ波器の伝送特性である。図8は、
本発明有極形帯域通過ろ波器の試作品における実測値に
基づく伝送特性の一例を示す図で、横軸及び縦軸は図7
と同様である。以上は、帯域通過ろ波器の次数nが4の
場合について説明したが、次数nはこれを適宜増減して
本発明を実施することができる。
【0010】
【発明の効果】本発明は、H01テ゛ルタモ−ド誘電体共振素
子21及び22の支持体としてセラミックス、例えばアルミ
ナ磁器のうち、共振素子21及び22の誘電率より適宜低い
誘電率を有する材質より成る円板状の支持体31ないし34
を用いることによって次のような効果を呈させることが
できる。即ち、円板状の支持体31ないし34を形成するセ
ラミックス、特にアルミナ磁器は、機械的強度が高く、
線膨張係数が小で、温度変化による誘電率の変化が小で
あるから、共振素子21及び22の支持が機械的電気的に極
めて安定で、又、アルミナ磁器は熱伝導度が良好なた
め、共振素子21及び22における電力損失により生ずる発
熱は、円板状の支持体31ないし34を介して外部導体に伝
達され、外部導体から効果的に放熱されるので、共振器
を構成する各素子の温度上昇による変形によって共振周
波数が変動するおそれがほとんどない。特に、図3に示
した実施例においては、共振素子21及び22の各両端部を
円板状の支持体31、33及び32、34によって支持するよう
に構成してあるため、共振周波数が低く、したがって、
共振素子21及び22が大型で重量が大なる場合にも機械的
電気的に安定に支持することが可能で、又、使用電力容
量が大で、共振素子21及び22における損失電力により生
ずる発熱が大なる場合、図1に示した実施例の2倍の数
の円板状の支持体31ないし34を介して前記発熱を外部導
体に伝達して効果的に放熱させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す図である。
【図2】本発明帯域通過ろ波器における段間結合孔の一
例を示す図である。
【図3】本発明の他の実施例を示す図である。
【図4】本発明帯域通過ろ波器の作動説明のための電磁
界分布図である。
【図5】本発明有極形帯域通過ろ波器の等価回路図であ
る。
【図6】本発明有極形帯域通過ろ波器の等価回路図であ
る。
【図7】本発明帯域通過ろ波器の理論値に基づく伝送特
性の一例を示す図である。
【図8】本発明帯域通過ろ波器の実測値に基づく伝送特
性の一例を示す図である。
【図9】従来の帯域通過ろ波器を示す図である。
【符号の説明】
11、12 外部導体の円筒状側壁 13、14 外部導体の端壁 21、22 共振素子 31〜34 円板状の支持体 41〜44 Hモ−ドの共振周波数微調整螺子 51〜54 Vモ−ドの共振周波数微調整螺子 61〜64 モ−ド間結合調整螺子 7 入力(又は出力)結合ル−プ 8 入力(又は出力)端子 9 出力(又は入力)結合ル−プ 10 出力(又は入力)端子 11 隔壁 12 結合孔 131 〜134 支持体

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】外部導体に内装されたH01テ゛ルタモ−ド誘電
    体共振素子と、 前記外部導体の円筒状側壁の内周面に周縁を固着し、板
    面に前記H01テ゛ルタモ−ド誘電体共振素子の端部を固着し
    て前記H01テ゛ルタモ−ド誘電体共振素子を前記外部導体の
    円筒状側壁と同軸状に支持するアルミナ磁器より成る円
    板状の支持体とを備えたことを特徴とする誘電体共振器
    より成る帯域通過ろ波器。
  2. 【請求項2】外部導体の円筒状側壁の内径を、円板状の
    支持体の直径にほぼ等しい部分と、円板状の支持体の直
    径より適宜小なる部分に形成し、内径の変化する部分に
    形成されるリング状の段部に円板状の支持体の周縁を固
    着して成る請求項1に記載の誘電体共振器より成る帯域
    通過ろ波器。
  3. 【請求項3】円板状の支持体の板面に凹部を穿ち、この
    凹部にH01テ゛ルタモ−ド誘電体共振素子の端部を嵌入固着
    して成る請求項1に記載の誘電体共振器より成る帯域通
    過ろ波器。
  4. 【請求項4】外部導体の円筒状側壁の内周面と円板状の
    支持体の周縁との固着部分及び円板状の支持体の板面と
    H01テ゛ルタモ−ド誘電体共振素子の端部との固着部分をア
    ルミナ系接着剤で固着して成る請求項1に記載の誘電体
    共振器より成る帯域通過ろ波器。
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