JPH07147407A - 薄膜トランジスタ素子およびその製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタ素子およびその製造方法Info
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- JPH07147407A JPH07147407A JP29303993A JP29303993A JPH07147407A JP H07147407 A JPH07147407 A JP H07147407A JP 29303993 A JP29303993 A JP 29303993A JP 29303993 A JP29303993 A JP 29303993A JP H07147407 A JPH07147407 A JP H07147407A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】第１の絶縁膜の耐フッ酸性と絶縁耐圧を達成す
ることができる薄膜トランジスタ素子およびその製造方
法を提供する。 【構成】絶縁性基板１上に形成された第１の電極２と、
この第１の電極２の表面に陽極酸化により形成した耐圧
性のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層以上の第１
の絶縁膜３と、この第１の絶縁膜３上に陽極酸化以外の
手段によって形成された第２の絶縁膜４と、この第２の
絶縁膜４上に形成されたチャンネルストッパ層６を含む
半導体層５と、この半導体層５上に形成された第２の電
極７とを備えている。
ることができる薄膜トランジスタ素子およびその製造方
法を提供する。 【構成】絶縁性基板１上に形成された第１の電極２と、
この第１の電極２の表面に陽極酸化により形成した耐圧
性のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層以上の第１
の絶縁膜３と、この第１の絶縁膜３上に陽極酸化以外の
手段によって形成された第２の絶縁膜４と、この第２の
絶縁膜４上に形成されたチャンネルストッパ層６を含む
半導体層５と、この半導体層５上に形成された第２の電
極７とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示装置等に利
用できる薄膜トランジスタ素子およびその製造方法に関
するものである。
用できる薄膜トランジスタ素子およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置を構成するアクティ
ブマトリクス基板における薄膜トランジスタ（以下ＴＦ
Ｔと略する）の構造を、図２の部分断面図を用いて説明
する。非晶質シリコン薄膜トランジスタは、ガラスや石
英などの絶縁性基板１上に第１の電極たとえばアルミニ
ウムからなるゲ−ト電極８が形成され、そのゲ−ト電極
８を覆うようにしてアルミニウムを陽極酸化することに
よって第１のゲ−ト絶縁膜９が形成され、さらに窒化シ
リコンの第２のゲ−ト絶縁膜１０を介して非晶質シリコ
ン半導体層（ａ−Ｓｉ層）１１とチャンネルストッパ層
１２が形成され、チタンおよびアルミニウムからなるソ
−ス電極１３ａおよびドレイン電極１３ｂがリンを含む
非晶質シリコン半導体層（ｎ+ ａ−Ｓｉ層）１１ａ，１
１ｂを介して形成されている。
ブマトリクス基板における薄膜トランジスタ（以下ＴＦ
Ｔと略する）の構造を、図２の部分断面図を用いて説明
する。非晶質シリコン薄膜トランジスタは、ガラスや石
英などの絶縁性基板１上に第１の電極たとえばアルミニ
ウムからなるゲ−ト電極８が形成され、そのゲ−ト電極
８を覆うようにしてアルミニウムを陽極酸化することに
よって第１のゲ−ト絶縁膜９が形成され、さらに窒化シ
リコンの第２のゲ−ト絶縁膜１０を介して非晶質シリコ
ン半導体層（ａ−Ｓｉ層）１１とチャンネルストッパ層
１２が形成され、チタンおよびアルミニウムからなるソ
−ス電極１３ａおよびドレイン電極１３ｂがリンを含む
非晶質シリコン半導体層（ｎ+ ａ−Ｓｉ層）１１ａ，１
１ｂを介して形成されている。
【０００３】このようなＴＦＴの製造方法における製作
工程の例は図３に示す通りである。まず、図３（ａ）の
ように絶縁性基板１上にアルミニウム（Ａｌ）を製膜し
て、フォトリソグラフィ技術によりゲ−ト電極８を形成
する。次に図３（ｂ）のようにゲ−ト電極８の必要部分
に陽極酸化することにより、酸化アルミニウム（ＡｌＯ
ｘ）の第１のゲ−ト絶縁膜９を形成する。次に図３
（ｃ）のようにＴＦＴの主材料である窒化シリコン（Ｓ
ｉＮx ）からなる第２のゲ−ト絶縁膜１０、非晶質半導
体層（ａ−Ｓｉ層）１１、チャンネルストッパ層１２お
よびソ−ス・ドレイン電極１３ａ，１３ｂと半導体間で
オ−ミック接触を得るためのｎ+ ａ−Ｓｉ層１１ａ，１
１ｂをプラズマＣＶＤ法により連続製膜し、図３（ｄ）
のようにＴＦＴを形成する部分以外のチャンネルストッ
パ層１２とａ−Ｓｉ層１１およびｎ+ａ−Ｓｉ層１１
ａ，１１ｂをエッチング除去する。最後に図３（ｅ）の
ようにＡｌを製膜してフォトリソグラフィ技術によりソ
−ス電極１３ａおよびドレイン電極１３ｂを形成し、Ｔ
ＦＴのチャンネル部上のｎ+ ａ−Ｓｉ層１１ａ，１１ｂ
を除去してＴＦＴが完成する。
工程の例は図３に示す通りである。まず、図３（ａ）の
ように絶縁性基板１上にアルミニウム（Ａｌ）を製膜し
て、フォトリソグラフィ技術によりゲ−ト電極８を形成
する。次に図３（ｂ）のようにゲ−ト電極８の必要部分
に陽極酸化することにより、酸化アルミニウム（ＡｌＯ
ｘ）の第１のゲ−ト絶縁膜９を形成する。次に図３
（ｃ）のようにＴＦＴの主材料である窒化シリコン（Ｓ
ｉＮx ）からなる第２のゲ−ト絶縁膜１０、非晶質半導
体層（ａ−Ｓｉ層）１１、チャンネルストッパ層１２お
よびソ−ス・ドレイン電極１３ａ，１３ｂと半導体間で
オ−ミック接触を得るためのｎ+ ａ−Ｓｉ層１１ａ，１
１ｂをプラズマＣＶＤ法により連続製膜し、図３（ｄ）
のようにＴＦＴを形成する部分以外のチャンネルストッ
パ層１２とａ−Ｓｉ層１１およびｎ+ａ−Ｓｉ層１１
ａ，１１ｂをエッチング除去する。最後に図３（ｅ）の
ようにＡｌを製膜してフォトリソグラフィ技術によりソ
−ス電極１３ａおよびドレイン電極１３ｂを形成し、Ｔ
ＦＴのチャンネル部上のｎ+ ａ−Ｓｉ層１１ａ，１１ｂ
を除去してＴＦＴが完成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来例は、陽極酸化によって形成された第１のゲ−ト絶縁
膜９において、後工程のチャンネルストッパ層１２の形
成のためのＢＨＦエッチング中に、たとえば図３（ｃ）
の第２のゲ−ト絶縁膜１０の欠陥部１７などによる陽極
酸化膜である第１のゲート絶縁膜９の露出部で、図３
（ｄ）のように第１のゲート絶縁膜９がフッ酸によって
エッチングされ、第１のゲ−ト絶縁膜９が薄くなること
により、低耐圧部が発生するという問題点があった。
来例は、陽極酸化によって形成された第１のゲ−ト絶縁
膜９において、後工程のチャンネルストッパ層１２の形
成のためのＢＨＦエッチング中に、たとえば図３（ｃ）
の第２のゲ−ト絶縁膜１０の欠陥部１７などによる陽極
酸化膜である第１のゲート絶縁膜９の露出部で、図３
（ｄ）のように第１のゲート絶縁膜９がフッ酸によって
エッチングされ、第１のゲ−ト絶縁膜９が薄くなること
により、低耐圧部が発生するという問題点があった。
【０００５】これに対して、耐フッ酸性に優れた第１の
ゲート絶縁膜９を形成しようとすると、膜表面の凹凸が
大きくなって、絶縁耐圧を低下させるという問題点もあ
った。その結果、図２のようにゲート電極８−ドレイン
電極１３ｂ間が短絡１５する可能性があった。
ゲート絶縁膜９を形成しようとすると、膜表面の凹凸が
大きくなって、絶縁耐圧を低下させるという問題点もあ
った。その結果、図２のようにゲート電極８−ドレイン
電極１３ｂ間が短絡１５する可能性があった。
【０００６】したがって、この発明の目的は、第１の絶
縁膜の耐フッ酸性と絶縁耐圧を達成することができる薄
膜トランジスタ素子およびその製造方法を提供すること
である。
縁膜の耐フッ酸性と絶縁耐圧を達成することができる薄
膜トランジスタ素子およびその製造方法を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の薄膜トランジ
スタ素子は、絶縁性基板上に形成された第１の電極と、
この第１の電極の表面に陽極酸化により形成した耐圧性
のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層以上の第１の
絶縁膜と、この第１の絶縁膜上に陽極酸化以外の手段に
よって形成された第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜上
に形成されたチャンネルストッパ層を含む半導体層と、
この半導体層上に形成された第２の電極とを備えたもの
である。
スタ素子は、絶縁性基板上に形成された第１の電極と、
この第１の電極の表面に陽極酸化により形成した耐圧性
のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層以上の第１の
絶縁膜と、この第１の絶縁膜上に陽極酸化以外の手段に
よって形成された第２の絶縁膜と、この第２の絶縁膜上
に形成されたチャンネルストッパ層を含む半導体層と、
この半導体層上に形成された第２の電極とを備えたもの
である。
【０００８】請求項２の薄膜トランジスタ素子の製造方
法は、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製造方法
であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の電解液
の有機溶媒に、第１層は水を３０％以下含み、第２層は
水を６０％以上含むことにより、耐圧性のある層と耐フ
ッ酸性のある層を形成するものである。請求項３の薄膜
トランジスタ素子の製造方法は、請求項１記載の薄膜ト
ランジスタ素子の製造方法であって、第１の絶縁膜を形
成する陽極酸化時の電流値が、第１層は１ｍＡ／ｃｍ2
より大きく、第２層は１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることに
より、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を形成する
ものである。
法は、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製造方法
であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の電解液
の有機溶媒に、第１層は水を３０％以下含み、第２層は
水を６０％以上含むことにより、耐圧性のある層と耐フ
ッ酸性のある層を形成するものである。請求項３の薄膜
トランジスタ素子の製造方法は、請求項１記載の薄膜ト
ランジスタ素子の製造方法であって、第１の絶縁膜を形
成する陽極酸化時の電流値が、第１層は１ｍＡ／ｃｍ2
より大きく、第２層は１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることに
より、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を形成する
ものである。
【０００９】請求項４の薄膜トランジスタ素子の製造方
法は、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製造方法
であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の温度
が、第１層は３０℃以下であり、第２層は５０℃以上と
することにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層
を形成するものである。請求項５の薄膜トランジスタ素
子の製造方法は、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子
の製造方法であって、第１の絶縁膜の少なくとも一層を
形成する際の陽極酸化時の電解液にフッ素を含むもので
ある。
法は、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製造方法
であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の温度
が、第１層は３０℃以下であり、第２層は５０℃以上と
することにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層
を形成するものである。請求項５の薄膜トランジスタ素
子の製造方法は、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子
の製造方法であって、第１の絶縁膜の少なくとも一層を
形成する際の陽極酸化時の電解液にフッ素を含むもので
ある。
【００１０】請求項６の薄膜トランジスタ素子の製造方
法は、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５に
おいて、第１の電極をＡｌまたはＴａを主成分とした薄
膜とするものである。
法は、請求項２、請求項３、請求項４または請求項５に
おいて、第１の電極をＡｌまたはＴａを主成分とした薄
膜とするものである。
【００１１】
【作用】請求項１の薄膜トランジスタ素子によれば、第
１の電極上に陽極酸化により形成する第１の絶縁膜を、
耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層以上に
形成したため、第２の絶縁膜の欠陥部などによりチャン
ネルストッパ層の形成の際のＢＨＦエッチング中に欠陥
部等を通して第１の絶縁膜がエッチングされ、低耐圧部
が発生するのを防止でき、このため耐フッ酸性と絶縁耐
圧を同時に向上できるので、ゲート電極とソース電極間
等の短絡を防止することができる。
１の電極上に陽極酸化により形成する第１の絶縁膜を、
耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層以上に
形成したため、第２の絶縁膜の欠陥部などによりチャン
ネルストッパ層の形成の際のＢＨＦエッチング中に欠陥
部等を通して第１の絶縁膜がエッチングされ、低耐圧部
が発生するのを防止でき、このため耐フッ酸性と絶縁耐
圧を同時に向上できるので、ゲート電極とソース電極間
等の短絡を防止することができる。
【００１２】請求項２の薄膜トランジスタ素子の製造方
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
電解液の有機溶媒に、第１層は水を３０％以下含み、第
２層は水を６０％以上含むことにより、耐圧性のある層
と耐フッ酸性のある層を形成するため、ゲート電極とソ
ース電極間等の短絡のない薄膜トランジスタ素子が形成
できるので、歩留りを向上することができる。
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
電解液の有機溶媒に、第１層は水を３０％以下含み、第
２層は水を６０％以上含むことにより、耐圧性のある層
と耐フッ酸性のある層を形成するため、ゲート電極とソ
ース電極間等の短絡のない薄膜トランジスタ素子が形成
できるので、歩留りを向上することができる。
【００１３】請求項３の薄膜トランジスタ素子の製造方
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
電流値が、第１層は１ｍＡ／ｃｍ2 より大きく、第２層
は１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることにより、耐圧性のある
層と耐フッ酸性のある層を形成するため、請求項２と同
作用がある。
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
電流値が、第１層は１ｍＡ／ｃｍ2 より大きく、第２層
は１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることにより、耐圧性のある
層と耐フッ酸性のある層を形成するため、請求項２と同
作用がある。
【００１４】請求項４の薄膜トランジスタ素子の製造方
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
温度が、第１層は３０℃以下であり、第２層は５０℃以
上とすることにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のあ
る層を形成するため、同作用がある。請求項５の薄膜ト
ランジスタ素子の製造方法によれば、請求項１記載の薄
膜トランジスタ素子の製造方法であって、第１の絶縁膜
の少なくとも一層を形成する際の陽極酸化時の電解液に
フッ素を含むため、請求項２と同作用がある。
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
温度が、第１層は３０℃以下であり、第２層は５０℃以
上とすることにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のあ
る層を形成するため、同作用がある。請求項５の薄膜ト
ランジスタ素子の製造方法によれば、請求項１記載の薄
膜トランジスタ素子の製造方法であって、第１の絶縁膜
の少なくとも一層を形成する際の陽極酸化時の電解液に
フッ素を含むため、請求項２と同作用がある。
【００１５】請求項６の薄膜トランジスタ素子の製造方
法によれば、請求項２、請求項３、請求項４または請求
項５において、第１の電極をＡｌまたはＴａを主成分と
した薄膜とするため、請求項２、請求項３、請求項４ま
たは請求項５の作用のほか、第１の電極が単一層および
積層のいずれの場合でも、第１の絶縁膜の形成が容易に
できる。
法によれば、請求項２、請求項３、請求項４または請求
項５において、第１の電極をＡｌまたはＴａを主成分と
した薄膜とするため、請求項２、請求項３、請求項４ま
たは請求項５の作用のほか、第１の電極が単一層および
積層のいずれの場合でも、第１の絶縁膜の形成が容易に
できる。
【００１６】
【実施例】この発明の第１の実施例を図１に基づいて説
明する。すなわち、図１は薄膜トランジスタ素子の製造
工程を示す部分断面図であり、１は薄膜トランジスタ素
子の絶縁性基板であり、ガラス基板を用いている。２は
絶縁性基板１上に形成されたストライプ状のＡｌ膜のゲ
ート電極である第１の電極である。３は第１の電極２の
表面に陽極酸化により形成した耐圧性のある第１層３ａ
と耐フッ酸性のある第２層３ｂからなるＡｌ2 Ｏ3 のゲ
ート絶縁膜である第１の絶縁膜である。４は第１の絶縁
膜３上に陽極酸化以外の手段によって形成されたＳｉＮ
x （窒化シリコン絶縁膜）のゲート絶縁膜である第２の
絶縁膜である。５はａ−Ｓｉ層（非晶質シリコン半導体
層）の半導体層である。６はＳｉＮx 膜のチャンネルス
トッパ層である。７は第１の電極２に直交したソース電
極である第２の電極である。
明する。すなわち、図１は薄膜トランジスタ素子の製造
工程を示す部分断面図であり、１は薄膜トランジスタ素
子の絶縁性基板であり、ガラス基板を用いている。２は
絶縁性基板１上に形成されたストライプ状のＡｌ膜のゲ
ート電極である第１の電極である。３は第１の電極２の
表面に陽極酸化により形成した耐圧性のある第１層３ａ
と耐フッ酸性のある第２層３ｂからなるＡｌ2 Ｏ3 のゲ
ート絶縁膜である第１の絶縁膜である。４は第１の絶縁
膜３上に陽極酸化以外の手段によって形成されたＳｉＮ
x （窒化シリコン絶縁膜）のゲート絶縁膜である第２の
絶縁膜である。５はａ−Ｓｉ層（非晶質シリコン半導体
層）の半導体層である。６はＳｉＮx 膜のチャンネルス
トッパ層である。７は第１の電極２に直交したソース電
極である第２の電極である。
【００１７】この実施例によれば、第１の電極２上に形
成する第１の絶縁膜３を陽極酸化により、耐圧性のある
第１層３ａと耐フッ酸性のある第２層３ｂを含むため、
図１（ｄ）のように第２の絶縁膜４の欠陥部１７などに
よりチャンネルストッパ層６の形成の際のＢＨＦエッチ
ング中に欠陥部１７を通して第１の絶縁膜３がエッチン
グされ低耐圧部が発生するのを防止でき、耐フッ酸性と
絶縁耐圧を同時に向上できるので、ゲート電極である第
１の電極２とソース電極である第２の電極７間等の短絡
を防止することができる。
成する第１の絶縁膜３を陽極酸化により、耐圧性のある
第１層３ａと耐フッ酸性のある第２層３ｂを含むため、
図１（ｄ）のように第２の絶縁膜４の欠陥部１７などに
よりチャンネルストッパ層６の形成の際のＢＨＦエッチ
ング中に欠陥部１７を通して第１の絶縁膜３がエッチン
グされ低耐圧部が発生するのを防止でき、耐フッ酸性と
絶縁耐圧を同時に向上できるので、ゲート電極である第
１の電極２とソース電極である第２の電極７間等の短絡
を防止することができる。
【００１８】なお、第１の絶縁膜３は２層以上形成され
てもよい。つぎにこの薄膜トランジスタ素子の製造方法
について説明する。すなわち、図１に示すように、絶縁
性基板１としてのガラス基板上にＡｌ膜を３００ｎｍ形
成し、フォトリソグラフィとエッチングにより第１の電
極２として図１（ａ）のようにゲ−ト電極を完成した。
陽極酸化法により、第１の絶縁膜３の第１層３ａとして
図１（ｂ）のようにＡｌ2 Ｏ3 膜（Ａｌの陽極酸化膜）
を１００ｎｍ形成した。陽極酸化条件はクエン酸アンモ
ニウムを主成分とし、エチレングリコ−ルを溶媒とする
電解液を３０℃に加温し、電流密度５ｍＡ／ｃｍ2 、所
定電圧７０Ｖまで定電流で行った。続いて第２層３ｂと
して図１（ｃ）のようにＡｌ2 Ｏ3 膜を１００ｎｍ形成
した。陽極酸化条件はクエン酸アンモニウムを主成分と
し、水を溶媒とする電解液を３０℃に加温し、電流密度
０．５ｍＡ／ｃｍ2 、所定電圧１４０Ｖまで定電流で行
った。１４０Ｖ到達後は定電圧で電流値が初期の１％に
低下するまで延長した。
てもよい。つぎにこの薄膜トランジスタ素子の製造方法
について説明する。すなわち、図１に示すように、絶縁
性基板１としてのガラス基板上にＡｌ膜を３００ｎｍ形
成し、フォトリソグラフィとエッチングにより第１の電
極２として図１（ａ）のようにゲ−ト電極を完成した。
陽極酸化法により、第１の絶縁膜３の第１層３ａとして
図１（ｂ）のようにＡｌ2 Ｏ3 膜（Ａｌの陽極酸化膜）
を１００ｎｍ形成した。陽極酸化条件はクエン酸アンモ
ニウムを主成分とし、エチレングリコ−ルを溶媒とする
電解液を３０℃に加温し、電流密度５ｍＡ／ｃｍ2 、所
定電圧７０Ｖまで定電流で行った。続いて第２層３ｂと
して図１（ｃ）のようにＡｌ2 Ｏ3 膜を１００ｎｍ形成
した。陽極酸化条件はクエン酸アンモニウムを主成分と
し、水を溶媒とする電解液を３０℃に加温し、電流密度
０．５ｍＡ／ｃｍ2 、所定電圧１４０Ｖまで定電流で行
った。１４０Ｖ到達後は定電圧で電流値が初期の１％に
低下するまで延長した。
【００１９】つぎに図１（ｄ）のようにプラズマＣＶＤ
法により第２の絶縁膜４としてゲ−ト絶縁膜ＳｉＮ
x （窒化シリコン絶縁膜）を２００ｎｍ製膜するととも
に、半導体層５のａ−Ｓｉ（非晶質シリコン半導体層）
を５０ｎｍと、その上に設けられるチャンネルストッパ
層６のＳｉＮx 膜を１００ｎｍ連続製膜した。このチャ
ンネルストッパ層６のＳｉＮx 膜を選択的にエッチング
し、図１（ｅ）のようにチャンネルストッパ層６とし
た。Ａｌの３００ｎｍをスパッタリング法で形成した
後、フォトリソグラフィとエッチングにより、図１
（ｆ）のようにソース電極７を形成し、薄膜トランジス
タ素子を完成した。
法により第２の絶縁膜４としてゲ−ト絶縁膜ＳｉＮ
x （窒化シリコン絶縁膜）を２００ｎｍ製膜するととも
に、半導体層５のａ−Ｓｉ（非晶質シリコン半導体層）
を５０ｎｍと、その上に設けられるチャンネルストッパ
層６のＳｉＮx 膜を１００ｎｍ連続製膜した。このチャ
ンネルストッパ層６のＳｉＮx 膜を選択的にエッチング
し、図１（ｅ）のようにチャンネルストッパ層６とし
た。Ａｌの３００ｎｍをスパッタリング法で形成した
後、フォトリソグラフィとエッチングにより、図１
（ｆ）のようにソース電極７を形成し、薄膜トランジス
タ素子を完成した。
【００２０】また比較測定のため、第１の絶縁膜３を第
１層３ａまたは第２層３ｂのどちらか一層としたサンプ
ルも用意した。これらのサンプルについて、ゲ−ト電極
２とソ−ス電極７間に５０Ｖ印加したときのショ−ト発
生数を測定した。尚クロスポイントは一枚あたり１０万
個有するものを用いた。その結果、第１の絶縁膜３の構
成と欠陥数の関係を表１に示した。
１層３ａまたは第２層３ｂのどちらか一層としたサンプ
ルも用意した。これらのサンプルについて、ゲ−ト電極
２とソ−ス電極７間に５０Ｖ印加したときのショ−ト発
生数を測定した。尚クロスポイントは一枚あたり１０万
個有するものを用いた。その結果、第１の絶縁膜３の構
成と欠陥数の関係を表１に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】ここで、第１の実施例のサンプルは、第１
層３ａが水系で第２層３ｂが非水系の場合の欠陥数と、
第１層３ａが非水系で第２層３ｂが水系の場合の欠陥数
を示し、比較のためのサンプルは非水系の場合と水系の
場合の各欠陥数を示している。この表１より、第１の絶
縁膜３を２層構成としたものが良好であることがわかっ
た。
層３ａが水系で第２層３ｂが非水系の場合の欠陥数と、
第１層３ａが非水系で第２層３ｂが水系の場合の欠陥数
を示し、比較のためのサンプルは非水系の場合と水系の
場合の各欠陥数を示している。この表１より、第１の絶
縁膜３を２層構成としたものが良好であることがわかっ
た。
【００２３】したがって、この薄膜トランジスタ素子の
製造方法によれば、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある
層を形成したため、ゲート電極２とソース電極７間の短
絡のない薄膜トランジスタ素子が形成できるので、欠陥
のない緻密な第１の絶縁膜３を得ることで、歩留りを向
上することができる。この発明の第２の実施例の薄膜ト
ランジスタ素子の製造方法について説明する。すなわ
ち、絶縁性基板１としてのガラス基板上にＡｌ：Ｔａ膜
を３００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィとエッチング
により第１の電極２としてゲ−ト電極を形成した。第１
の絶縁膜３のＡｌ2 Ｏ3 膜の第１層３ａおよび第２層３
ｂは、表２に示したように、種々の陽極酸化条件とくに
電解液の溶媒の液組成（水：有機溶媒）と耐ＨＦ性の関
係に着目して、各々１００ｎｍの厚さに形成した。この
時の陽極酸化条件は、温度３０℃、アジピン酸アンモニ
ウムの非水溶液を用いて、電流密度１ｍＡ／ｃｍ2 であ
った。その他は第１の実施例と同様である。
製造方法によれば、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある
層を形成したため、ゲート電極２とソース電極７間の短
絡のない薄膜トランジスタ素子が形成できるので、欠陥
のない緻密な第１の絶縁膜３を得ることで、歩留りを向
上することができる。この発明の第２の実施例の薄膜ト
ランジスタ素子の製造方法について説明する。すなわ
ち、絶縁性基板１としてのガラス基板上にＡｌ：Ｔａ膜
を３００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィとエッチング
により第１の電極２としてゲ−ト電極を形成した。第１
の絶縁膜３のＡｌ2 Ｏ3 膜の第１層３ａおよび第２層３
ｂは、表２に示したように、種々の陽極酸化条件とくに
電解液の溶媒の液組成（水：有機溶媒）と耐ＨＦ性の関
係に着目して、各々１００ｎｍの厚さに形成した。この
時の陽極酸化条件は、温度３０℃、アジピン酸アンモニ
ウムの非水溶液を用いて、電流密度１ｍＡ／ｃｍ2 であ
った。その他は第１の実施例と同様である。
【００２４】第１の絶縁膜３の膜質の評価は、チャンネ
ルストッパ層６の形成時に用いるＢＨＦ液によるエッチ
ング量と膜表面の凹凸の観察によって行った。第１層３
ａと第２層３ｂの積層構成の良否の判定は、ＢＨＦ液の
エッチング量では２分浸漬後の陽極酸化膜の残膜量が３
０ｎｍ以上のものを○、０より大きく２０ｎｍ以下を
△、０以下を×とした。膜表面の凹凸は目検で白濁の感
じられるものを×とした。これら２点より両方を満足す
るものを○とした。
ルストッパ層６の形成時に用いるＢＨＦ液によるエッチ
ング量と膜表面の凹凸の観察によって行った。第１層３
ａと第２層３ｂの積層構成の良否の判定は、ＢＨＦ液の
エッチング量では２分浸漬後の陽極酸化膜の残膜量が３
０ｎｍ以上のものを○、０より大きく２０ｎｍ以下を
△、０以下を×とした。膜表面の凹凸は目検で白濁の感
じられるものを×とした。これら２点より両方を満足す
るものを○とした。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２を参照すると、第１層３ａと第２層３
ｂの液組成の構成が、第１層（水：有機溶媒）／第２層
（水：有機溶媒）として、20:80 ／60:40 ，20:80 ／8
0:20，30:70 ／60:40 ，30:70 ／80:20 の４種類でよい
結果が得られた。つぎに、実施例１と同様に４種類の積
層構成の薄膜トランジスタ素子を作製し、これらのサン
プルについてゲ−ト電極２とソ−ス電極７間に５０Ｖ印
加したときのショ−ト発生数を測定した。その結果、い
ずれも欠陥数はゼロであった。
ｂの液組成の構成が、第１層（水：有機溶媒）／第２層
（水：有機溶媒）として、20:80 ／60:40 ，20:80 ／8
0:20，30:70 ／60:40 ，30:70 ／80:20 の４種類でよい
結果が得られた。つぎに、実施例１と同様に４種類の積
層構成の薄膜トランジスタ素子を作製し、これらのサン
プルについてゲ−ト電極２とソ−ス電極７間に５０Ｖ印
加したときのショ−ト発生数を測定した。その結果、い
ずれも欠陥数はゼロであった。
【００２７】したがって、第１の絶縁膜３を形成する陽
極酸化時の電解液の溶媒として有機溶媒に、第１層３ａ
は水を３０％以下含み、第２層３ｂは水を６０％以上含
むことにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を
形成し得ることがわかる。これにより、第１の実施例と
同様の効果を得ることができる。この発明の第３の実施
例の薄膜トランジスタ素子の製造方法について説明す
る。すなわち、実施例２と同様に、ガラス基板上にＡ
ｌ：Ｔａ膜を３００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィと
エッチングにより第１の電極２としてゲ−ト電極を形成
した。第１の絶縁膜３のＡｌ2 Ｏ3 膜の第１層３ａおよ
び第２層３ｂは、表３に示したように、種々の陽極酸化
条件とくに電流密度と耐ＨＦ性の関係に着目して、各々
１００ｎｍの厚さに形成した。この時の陽極酸化条件
は、温度３０℃、アジピン酸アンモニウムの非水溶液を
用いて行った。その他は第１の実施例と同様である。ま
た膜質評価は実施例２と同様である。
極酸化時の電解液の溶媒として有機溶媒に、第１層３ａ
は水を３０％以下含み、第２層３ｂは水を６０％以上含
むことにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を
形成し得ることがわかる。これにより、第１の実施例と
同様の効果を得ることができる。この発明の第３の実施
例の薄膜トランジスタ素子の製造方法について説明す
る。すなわち、実施例２と同様に、ガラス基板上にＡ
ｌ：Ｔａ膜を３００ｎｍ形成し、フォトリソグラフィと
エッチングにより第１の電極２としてゲ−ト電極を形成
した。第１の絶縁膜３のＡｌ2 Ｏ3 膜の第１層３ａおよ
び第２層３ｂは、表３に示したように、種々の陽極酸化
条件とくに電流密度と耐ＨＦ性の関係に着目して、各々
１００ｎｍの厚さに形成した。この時の陽極酸化条件
は、温度３０℃、アジピン酸アンモニウムの非水溶液を
用いて行った。その他は第１の実施例と同様である。ま
た膜質評価は実施例２と同様である。
【００２８】
【表３】
【００２９】表３を参照すると、第１層３ａと第２層３
ｂの構成が、第１層の電流密度／第２層の電流密度とし
て、5mA/cm2 ／0.1mA/cm2 ，5mA/cm2 ／0.5mA/cm2 ，5m
A/cm 2 ／1mA/cm2 ，10mA/cm2／0.1mA/cm2 ，10mA/cm2／
0.5mA/cm2 ，10mA/cm2／1mA/cm2 の６種類でよい結果が
得られた。また実施例１と同様に６種類の積層構成の薄
膜トランジスタ素子を作製し、これらのサンプルについ
てゲ−ト電極２とソ−ス電極７間に５０Ｖ印加したとき
のショ−ト発生数を測定した。その結果、いずれも欠陥
数はゼロであった。
ｂの構成が、第１層の電流密度／第２層の電流密度とし
て、5mA/cm2 ／0.1mA/cm2 ，5mA/cm2 ／0.5mA/cm2 ，5m
A/cm 2 ／1mA/cm2 ，10mA/cm2／0.1mA/cm2 ，10mA/cm2／
0.5mA/cm2 ，10mA/cm2／1mA/cm2 の６種類でよい結果が
得られた。また実施例１と同様に６種類の積層構成の薄
膜トランジスタ素子を作製し、これらのサンプルについ
てゲ−ト電極２とソ−ス電極７間に５０Ｖ印加したとき
のショ−ト発生数を測定した。その結果、いずれも欠陥
数はゼロであった。
【００３０】したがって、第１の絶縁膜３を形成する陽
極酸化時の電流値が、第１層３ａは１ｍＡ／ｃｍ2 より
大きく、第２層３ｂは１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることに
より、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を形成し得
ることがわかる。この発明の第４の実施例の薄膜トラン
ジスタ素子の製造方法について説明する。すなわち、実
施例２と同様に、ガラス基板上にＡｌ：Ｔａ膜を３００
ｎｍ形成し、フォトリソグラフィとエッチングにより第
１の電極２としてゲ−ト電極を形成した。第１の絶縁膜
３のＡｌ2 Ｏ3 膜の第１層３ａおよび第２層３ｂは、表
４に示したように、種々の陽極酸化条件とくに温度すな
わち電解液の浴温と耐ＨＦ性の関係に着目して、各々１
００ｎｍの厚さに形成した。この時の陽極酸化条件は、
アジピン酸アンモニウムの非水溶液を用いて電流密度１
ｍＡ／ｃｍ2 で行った。その他は第１の実施例と同様で
あり、また膜質評価は実施例２と同様である。
極酸化時の電流値が、第１層３ａは１ｍＡ／ｃｍ2 より
大きく、第２層３ｂは１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることに
より、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を形成し得
ることがわかる。この発明の第４の実施例の薄膜トラン
ジスタ素子の製造方法について説明する。すなわち、実
施例２と同様に、ガラス基板上にＡｌ：Ｔａ膜を３００
ｎｍ形成し、フォトリソグラフィとエッチングにより第
１の電極２としてゲ−ト電極を形成した。第１の絶縁膜
３のＡｌ2 Ｏ3 膜の第１層３ａおよび第２層３ｂは、表
４に示したように、種々の陽極酸化条件とくに温度すな
わち電解液の浴温と耐ＨＦ性の関係に着目して、各々１
００ｎｍの厚さに形成した。この時の陽極酸化条件は、
アジピン酸アンモニウムの非水溶液を用いて電流密度１
ｍＡ／ｃｍ2 で行った。その他は第１の実施例と同様で
あり、また膜質評価は実施例２と同様である。
【００３１】
【表４】
【００３２】表４を参照すると、第１層３ａと第２層３
ｂの構成が、第１層の温度／第１層の温度として、20℃
／50℃，20℃／60℃，30℃／50℃，30℃／60℃，の４種
類でよい結果が得られた。また実施例１と同様に４種類
の積層構成で薄膜トランジスタ素子を作製し、これらの
サンプルについてゲ−ト電極２とソ−ス電極７間に５０
Ｖ印加したときのショ−ト発生数を測定した。その結
果、いずれも欠陥数はゼロであった。
ｂの構成が、第１層の温度／第１層の温度として、20℃
／50℃，20℃／60℃，30℃／50℃，30℃／60℃，の４種
類でよい結果が得られた。また実施例１と同様に４種類
の積層構成で薄膜トランジスタ素子を作製し、これらの
サンプルについてゲ−ト電極２とソ−ス電極７間に５０
Ｖ印加したときのショ−ト発生数を測定した。その結
果、いずれも欠陥数はゼロであった。
【００３３】したがって、第１の絶縁膜３を形成する陽
極酸化時の温度が、第１層３ａは３０℃以下であり、第
２層３ｂは５０℃以上とすることにより、耐圧性のある
層と耐フッ酸性のある層を形成し得ることがわかる。こ
の発明の第５の実施例の薄膜トランジスタ素子の製造方
法について説明する。すなわち、実施例２と同様に、ガ
ラス基板上にＡｌ：Ｔａ膜を３００ｎｍ形成し、フォト
リソグラフィとエッチングにより第１の電極２としてゲ
−ト電極を形成した。第１の絶縁膜３のＡｌ2 Ｏ3 膜の
第１層３ａおよび第２層３ｂは、表５に示したように、
種々の陽極酸化条件とくに電解液の添加剤の種類と耐Ｈ
Ｆ性の関係に着目して：各々１００ｎｍの厚さに形成し
た。この時の陽極酸化条件は、アジピン酸アンモニウム
の非水溶液を用いて、温度３０℃、電流密度１ｍＡ／ｃ
ｍ2 で行った。その他は第１の実施例と同様であり、ま
た膜質評価は実施例２と同様である。
極酸化時の温度が、第１層３ａは３０℃以下であり、第
２層３ｂは５０℃以上とすることにより、耐圧性のある
層と耐フッ酸性のある層を形成し得ることがわかる。こ
の発明の第５の実施例の薄膜トランジスタ素子の製造方
法について説明する。すなわち、実施例２と同様に、ガ
ラス基板上にＡｌ：Ｔａ膜を３００ｎｍ形成し、フォト
リソグラフィとエッチングにより第１の電極２としてゲ
−ト電極を形成した。第１の絶縁膜３のＡｌ2 Ｏ3 膜の
第１層３ａおよび第２層３ｂは、表５に示したように、
種々の陽極酸化条件とくに電解液の添加剤の種類と耐Ｈ
Ｆ性の関係に着目して：各々１００ｎｍの厚さに形成し
た。この時の陽極酸化条件は、アジピン酸アンモニウム
の非水溶液を用いて、温度３０℃、電流密度１ｍＡ／ｃ
ｍ2 で行った。その他は第１の実施例と同様であり、ま
た膜質評価は実施例２と同様である。
【００３４】
【表５】
【００３５】表５を参照すると、第１層３ａと第２層３
ｂの構成が、第１層の添加剤／第２層の添加剤として、
なし／ＨＦ，ＮＨ4 Ｆ／なし，ＮＨ4 Ｆ／ＮＨ4 Ｆ，Ｎ
Ｈ4Ｆ／ＨＦ，の４種類でよい結果が得られた。また実
施例１と同様に４種類の積層構成で薄膜トランジスタ素
子を作製し、これらのサンプルについてゲ−ト電極２と
ソ−ス電極７間に５０Ｖ印加したときのショ−ト発生数
を測定した。その結果、いずれも欠陥数はゼロであっ
た。
ｂの構成が、第１層の添加剤／第２層の添加剤として、
なし／ＨＦ，ＮＨ4 Ｆ／なし，ＮＨ4 Ｆ／ＮＨ4 Ｆ，Ｎ
Ｈ4Ｆ／ＨＦ，の４種類でよい結果が得られた。また実
施例１と同様に４種類の積層構成で薄膜トランジスタ素
子を作製し、これらのサンプルについてゲ−ト電極２と
ソ−ス電極７間に５０Ｖ印加したときのショ−ト発生数
を測定した。その結果、いずれも欠陥数はゼロであっ
た。
【００３６】したがって、第１の絶縁膜３の少なくとも
一層を形成する際の陽極酸化時の電解液にフッ素を含む
ことにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を形
成し得ることがわかる。なお、第１の電極２はＡｌまた
はＴａを主成分とした薄膜の単一層および積層構造にす
ると、第１の絶縁膜３の形成が容易にできる。
一層を形成する際の陽極酸化時の電解液にフッ素を含む
ことにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を形
成し得ることがわかる。なお、第１の電極２はＡｌまた
はＴａを主成分とした薄膜の単一層および積層構造にす
ると、第１の絶縁膜３の形成が容易にできる。
【００３７】
【発明の効果】請求項１の薄膜トランジスタ素子によれ
ば、第１の電極上に陽極酸化により形成する第１の絶縁
膜を、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層
以上に形成したため、第２の絶縁膜の欠陥部などにより
チャンネルストッパの形成の際のＢＨＦエッチング中に
欠陥部等を通して第１の絶縁膜がエッチングされ、低耐
圧部が発生するのを防止でき、このため耐フッ酸性と絶
縁耐圧を同時に向上できるので、ゲート電極とソース電
極間等の短絡を防止することができるという効果があ
る。
ば、第１の電極上に陽極酸化により形成する第１の絶縁
膜を、耐圧性のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層
以上に形成したため、第２の絶縁膜の欠陥部などにより
チャンネルストッパの形成の際のＢＨＦエッチング中に
欠陥部等を通して第１の絶縁膜がエッチングされ、低耐
圧部が発生するのを防止でき、このため耐フッ酸性と絶
縁耐圧を同時に向上できるので、ゲート電極とソース電
極間等の短絡を防止することができるという効果があ
る。
【００３８】請求項２の薄膜トランジスタ素子の製造方
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
電解液の有機溶媒に、第１層は水を３０％以下含み、第
２層は水を６０％以上含むことにより、耐圧性のある層
と耐フッ酸性のある層を形成するため、ゲート電極とソ
ース電極間等の短絡のない薄膜トランジスタ素子が形成
できるので、歩留りを向上することができる。
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
電解液の有機溶媒に、第１層は水を３０％以下含み、第
２層は水を６０％以上含むことにより、耐圧性のある層
と耐フッ酸性のある層を形成するため、ゲート電極とソ
ース電極間等の短絡のない薄膜トランジスタ素子が形成
できるので、歩留りを向上することができる。
【００３９】請求項３の薄膜トランジスタ素子の製造方
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
電流値が、第１層は１ｍＡ／ｃｍ2 より大きく、第２層
は１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることにより、耐圧性のある
層と耐フッ酸性のある層を形成するため、請求項２と同
効果がある。
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
電流値が、第１層は１ｍＡ／ｃｍ2 より大きく、第２層
は１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることにより、耐圧性のある
層と耐フッ酸性のある層を形成するため、請求項２と同
効果がある。
【００４０】請求項４の薄膜トランジスタ素子の製造方
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
温度が、第１層は３０℃以下であり、第２層は５０℃以
上とすることにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のあ
る層を形成するため、同効果がある。請求項５の薄膜ト
ランジスタ素子の製造方法によれば、請求項１記載の薄
膜トランジスタ素子の製造方法であって、第１の絶縁膜
の少なくとも一層を形成する際の陽極酸化時の電解液に
フッ素を含むため、請求項２と同効果がある。
法によれば、請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の製
造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時の
温度が、第１層は３０℃以下であり、第２層は５０℃以
上とすることにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性のあ
る層を形成するため、同効果がある。請求項５の薄膜ト
ランジスタ素子の製造方法によれば、請求項１記載の薄
膜トランジスタ素子の製造方法であって、第１の絶縁膜
の少なくとも一層を形成する際の陽極酸化時の電解液に
フッ素を含むため、請求項２と同効果がある。
【００４１】請求項６の薄膜トランジスタ素子の製造方
法によれば、請求項２、請求項３、請求項４または請求
項５において、第１の電極をＡｌまたはＴａを主成分と
した薄膜とするため、請求項２、請求項３、請求項４ま
たは請求項５の効果のほか、第１の電極が単一層および
積層のいずれの場合でも、第１の絶縁膜の形成が容易に
できる。
法によれば、請求項２、請求項３、請求項４または請求
項５において、第１の電極をＡｌまたはＴａを主成分と
した薄膜とするため、請求項２、請求項３、請求項４ま
たは請求項５の効果のほか、第１の電極が単一層および
積層のいずれの場合でも、第１の絶縁膜の形成が容易に
できる。
【図１】この発明の第１の実施例の薄膜トランジスタ素
子の製造工程を示す部分断面図である。
子の製造工程を示す部分断面図である。
【図２】従来の薄膜トランジスタ素子の部分断面図であ
る。
る。
【図３】その薄膜トランジスタ素子の製造工程を示す部
分断面図である。
分断面図である。
１ 絶縁性基板 ２ 第１の電極 ３ 第１の絶縁膜 ３ａ 第１層 ３ｂ 第２層 ４ 第２の絶縁膜 ５ 半導体層 ６ チャンネルストッパ層 ７ 第２の電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 達彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 竹田 守 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成された第１の電極
と、この第１の電極の表面に陽極酸化により形成した耐
圧性のある層と耐フッ酸性のある層を含む２層以上の第
１の絶縁膜と、この第１の絶縁膜上に前記陽極酸化以外
の手段によって形成された第２の絶縁膜と、この第２の
絶縁膜上に形成されたチャンネルストッパ層を含む半導
体層と、この半導体層上に形成された第２の電極とを備
えた薄膜トランジスタ素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の
製造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時
の電解液の有機溶媒に、第１層は水を３０％以下含み、
第２層は水を６０％以上含むことにより、耐圧性のある
層と耐フッ酸性のある層を形成することを特徴とする薄
膜トランジスタ素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の
製造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時
の電流値が、第１層は１ｍＡ／ｃｍ2 より大きく、第２
層は１ｍＡ／ｃｍ2 以下とすることにより、耐圧性のあ
る層と耐フッ酸性のある層を形成することを特徴とする
薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の
製造方法であって、第１の絶縁膜を形成する陽極酸化時
の温度が、第１層は３０℃以下であり、第２層は５０℃
以上とすることにより、耐圧性のある層と耐フッ酸性の
ある層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタ素
子の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の薄膜トランジスタ素子の
製造方法であって、第１の絶縁膜の少なくとも一層を形
成する際の陽極酸化時の電解液にフッ素を含むことを特
徴とする薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 【請求項６】 第１の電極がＡｌまたはＴａを主成分と
した薄膜である請求項２、請求項３、請求項４または請
求項５記載の薄膜トランジスタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5293039A JP3056927B2 (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 薄膜トランジスタ素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5293039A JP3056927B2 (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 薄膜トランジスタ素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147407A true JPH07147407A (ja) | 1995-06-06 |
| JP3056927B2 JP3056927B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=17789703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5293039A Expired - Fee Related JP3056927B2 (ja) | 1993-11-24 | 1993-11-24 | 薄膜トランジスタ素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3056927B2 (ja) |
-
1993
- 1993-11-24 JP JP5293039A patent/JP3056927B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3056927B2 (ja) | 2000-06-26 |
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