JPH07147364A - Manufacture of lead frame - Google Patents
Manufacture of lead frameInfo
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- JPH07147364A JPH07147364A JP31903993A JP31903993A JPH07147364A JP H07147364 A JPH07147364 A JP H07147364A JP 31903993 A JP31903993 A JP 31903993A JP 31903993 A JP31903993 A JP 31903993A JP H07147364 A JPH07147364 A JP H07147364A
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- Japan
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- lead
- layer
- stop layer
- lead frame
- etching stop
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームの製造
方法、特に金属からなるエッチングストップ層の一方の
側に厚く且つそれと異なる材質の金属からなるアウター
リードが、他方の側に上記エッチングストップ層と別の
材質の金属からなり上記アウターリードより薄いインナ
ーリードが形成されたリードフレーム材の上記エッチン
グストップ層に対して上記アウターリード及びインナー
リードをマスクとしてエッチング処理を施すことにより
リードフレームを製造するリードフレームの製造方法に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame, and more particularly to an etching stop layer made of a metal, on one side of which an outer lead made of a metal of a different material is provided, and on the other side of the etching stop layer. A lead frame is manufactured by performing an etching process using the outer lead and the inner lead as a mask on the etching stop layer of the lead frame material in which the inner lead thinner than the outer lead and formed of a metal of another material is formed. The present invention relates to a lead frame manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】リードフレームの製造方法として、例え
ばアルミニウムからなるエッチングストップ層の両面に
厚さの異なる例えば銅からなる金属層を形成し、この銅
からなる金属層をそれぞれフォトエッチング等の技術に
よりパターニングしてインナーリードとアウターリード
を形成し、その後、該インナーリード及びアウターリー
ドをマスクとして上記エッチングストップ層を除去する
技術があり、例えば特開平１−２８８１７３号公報等に
より紹介されている。そして、インナーリードの先端部
にはエッチングストップ層からなるバンプが形成され
る。図２（Ａ）乃至（Ｃ）はバンプの形成方法の従来例
を工程順に示す斜視図である。2. Description of the Related Art As a method of manufacturing a lead frame, a metal layer made of, for example, copper having a different thickness is formed on both sides of an etching stop layer made of, for example, aluminum. There is a technique of forming an inner lead and an outer lead by patterning and then removing the etching stop layer using the inner lead and the outer lead as a mask, which is disclosed in, for example, JP-A-1-288173. Then, a bump made of an etching stop layer is formed at the tip of the inner lead. 2A to 2C are perspective views showing a conventional example of a bump forming method in the order of steps.
【０００３】（Ａ）例えばアルミニウムからなるエッチ
ングストップ層１の一方の面に銅からなりアウターリー
ド２となる厚い金属層を、他方の面に銅からなりインナ
ーリード３となる薄い金属層を積層した三層構造のリー
ドフレーム材を用意し、両面の金属層に対する同時又は
別の工程でのフォトエッチング工程によりアウターリー
ド２及びインナーリード３を形成する。図２（Ａ）はア
ウターリード２及びインナーリード２形成後の状態を示
す。(A) A thick metal layer made of copper for the outer leads 2 is laminated on one surface of the etching stop layer 1 made of aluminum, for example, and a thin metal layer made of copper for the inner leads 3 is laminated on the other surface. A lead frame material having a three-layer structure is prepared, and the outer lead 2 and the inner lead 3 are formed on the metal layers on both sides by a photo-etching process at the same time or in another process. FIG. 2A shows a state after the outer lead 2 and the inner lead 2 are formed.
【０００４】（Ｂ）次に、図２（Ｂ）に示すように、エ
ッチングストップ層１の各インナーリード３、３、…先
端近傍のバンプを形成すべき各部分上をレジスト膜４、
４、…でマスクする。 （Ｃ）その後、ウェットエッチングにより上記インナー
リード３、３、…、アウターリード２、２、…および上
記レジスト膜４、４をマスクとしてエッチングストップ
層１を除去する。その後、レジスト膜４、４、…を除去
する。このようにすることにより、図２（Ｃ）に示すよ
うに、各インナーリード３、３、…先端部にアルミニウ
ムからなるバンプ５、５、…が形成されたリードフレー
ムを得ることができる。このように、従来においては、
エッチングストップ層１の各インナーリード３、３、…
のバンプを形成すべき部分をそれぞれ島状の独立したレ
ジスト膜４、４、…で覆った状態でエッチングすること
によりエッチングストップ層１を成すアルミニウムから
なるバンプ５、５、…を形成していた。(B) Next, as shown in FIG. 2B, a resist film 4 is formed on the inner leads 3, 3, ...
Mask with 4. (C) After that, the etching stop layer 1 is removed by wet etching using the inner leads 3, 3, ..., Outer leads 2, 2, ... And the resist films 4, 4 as masks. After that, the resist films 4, 4, ... Are removed. By doing so, as shown in FIG. 2 (C), it is possible to obtain a lead frame in which bumps 5, 5, ... Made of aluminum are formed at the tips of the inner leads 3, 3 ,. Thus, in the past,
The inner leads 3, 3, ... Of the etching stop layer 1
, Which are to be formed with the island-shaped independent resist films 4, 4, ..., Are etched to form the bumps 5, 5 ,. .
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２に示す
ようなリードフレームの製造方法には、レジスト膜４、
４、…の位置ずれによりバンプ５、５、…を正確な位置
に形成することができないという問題があり、インナー
リードの微細化、多ピン化が制約された。というのは、
ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩと半導体装置は多ピン化の一途
を辿り、それに伴ってインナーリードの配置ピッチが小
さくなり、間隔も狭くなっており、従って、各インナー
リードの延びる方向と直交する方向におけるレジストマ
スクの僅かなマスク合せ誤差が起きるとそれに伴ってバ
ンプに位置ずれが生じ、インナーリード上からバンプ
５、５、…が食み出すような不良が発生するからであ
る。By the way, in the method of manufacturing a lead frame as shown in FIG.
There is a problem that the bumps 5, 5, ... Can not be formed at accurate positions due to the positional deviation of 4 ,. I mean,
ICs, LSIs, VLSIs, and semiconductor devices are becoming more and more pins, and accordingly, the inner leads are arranged at smaller pitches and narrower intervals. Therefore, the resists in the direction orthogonal to the extending direction of each inner lead are formed. This is because if a slight mask alignment error occurs in the mask, the bumps are misaligned, causing a defect such that the bumps 5, 5, ...
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、インナーリードが微細化、小配置ピ
ッチ化しても支障なくインナーリード上にバンプを形成
することができるようにすることを目的とする。The present invention has been made to solve such a problem, and enables bumps to be formed on the inner leads without any problem even if the inner leads are miniaturized and the arrangement pitch is reduced. The purpose is to
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１のリードフレー
ムの製造方法は、エッチングストップ層のアウターリー
ド側の面に、各インナーリードのバンプを形成すべき部
分に対応する箇所をよぎる突条マスク層を形成し、その
状態で上記エッチングストップ層に対するエッチングを
行うことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a lead frame, wherein a ridge mask is formed on a surface of the etching stop layer on the outer lead side, which crosses a portion corresponding to a portion where a bump of each inner lead is to be formed. A layer is formed, and the etching stop layer is etched in this state.
【０００８】請求項２のリードフレームの製造方法は、
エッチングストップ層のアウターリード側の面に各イン
ナーリードのバンプを形成すべき部分に対応する箇所を
よぎる突条マスク層を形成し、その状態で上記エッチン
グストップ層に対するドライエッチングをリードフレー
ム材のアウターリード側の面から行い、その後、リード
フレーム材のインナーリード側の面からインナーリード
をマスクとするエッチングストップ層に対するドライエ
ッチングを行うことを特徴とする。A method of manufacturing a lead frame according to claim 2 is
On the outer lead side surface of the etching stop layer, a ridge mask layer is formed that crosses the portion corresponding to the portion where the bump of each inner lead is to be formed, and in that state, dry etching is performed on the etching stop layer to form the outer layer of the lead frame material. It is characterized in that the etching is carried out from the surface on the lead side, and then the etching stop layer with the inner lead as a mask is dry etched from the surface on the inner lead side of the lead frame material.
【０００９】[0009]
【作用】請求項１のリードフレームの製造方法によれ
ば、インナーリードのバンプを形成すべき箇所をよぎる
ように突条マスク層を形成するので、マスク層にインナ
ーリードと直交する方向における位置合せ精度が高いこ
とは全く要求されない。従って、インナーリードが微細
化、小配置ピッチ化しても支障なくインナーリード上に
バンプを形成することができる。According to the lead frame manufacturing method of the present invention, since the ridge mask layer is formed so as to cross the portion of the inner lead where the bump is to be formed, the alignment of the mask layer in the direction orthogonal to the inner lead is performed. High accuracy is not required at all. Therefore, the bumps can be formed on the inner leads without any problems even if the inner leads are miniaturized and the arrangement pitch is reduced.
【００１０】請求項２のリードフレームの製造方法によ
れば、各インナーリードのバンプを形成すべき箇所をよ
ぎるように突条マスク層を形成してエッチングストップ
層をアウターリード側からドライエッチングするので、
アウターリード及び突条マスク層がマスクとなってエッ
チングストップ層の不要部分が除去され、その際突条マ
スク層下に帯状にバンプが形成される。そして、その
後、インナーリード側からエッチングストップ層をドラ
イエッチングするので、帯状のバンプは各インナーリー
ド間に食み出した部分がインナーリードをマスクとして
セルフアライメントにより除去されて各インナーリード
に対応する部分がきわめて正確に位置合せされた状態で
独立する。従って、インナーリードが微細化、小配置ピ
ッチ化しても支障なくインナーリード上にバンプを形成
することができる。また、エッチングをドライエッチン
グにより行うので、サイドエッチングが生じない。According to the lead frame manufacturing method of the second aspect, since the protrusion mask layer is formed so as to cross the bumps of each inner lead and the etching stop layer is dry-etched from the outer lead side. ,
The outer lead and the ridge mask layer serve as a mask to remove unnecessary portions of the etching stop layer, and at this time, band-shaped bumps are formed under the ridge mask layer. Then, after that, the etching stop layer is dry-etched from the inner lead side, so that the strip-shaped bumps are removed by self-alignment using the inner leads as a mask so that the portions corresponding to the inner leads are removed. Become independent with very precise alignment. Therefore, the bumps can be formed on the inner leads without any problems even if the inner leads are miniaturized and the arrangement pitch is reduced. Moreover, since the etching is performed by dry etching, side etching does not occur.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明リードフレームの製造方法を図
示実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至
（Ｃ）は本発明リードフレームの製造方法の一つの実施
例を工程順に示す斜視図である。 （Ａ）図２（Ａ）に示す状態まで工程が進んだリードフ
レームに対してフォトレジストからなる突条マスク層６
を形成する。図１（Ａ）は突条マスク層６形成後の状態
を示す。該突条マスク層６は、具体的にはエッチングス
トップ層１のアウターリード２、２、…側の面であって
各リードフレーム３、３、…のバンプを形成すべき部分
に対応する箇所をよぎるように形成する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a lead frame of the present invention will be described in detail below with reference to the illustrated embodiments. 1A to 1C are perspective views showing one embodiment of a method for manufacturing a lead frame of the present invention in the order of steps. (A) The ridge mask layer 6 made of photoresist for the lead frame which has been processed up to the state shown in FIG.
To form. FIG. 1A shows a state after the ridge mask layer 6 is formed. Specifically, the ridge mask layer 6 is formed on the surface of the etching stop layer 1 on the outer leads 2, 2, ... Side corresponding to the portions of the lead frames 3, 3 ,. Form to cross.
【００１２】（Ｂ）次に、図１（２）に示すように、エ
ッチングストップ層１に対してアウターリード２、２、
…及び突条マスク層６をマスクとしてアウターリード側
からドライエッチングをしてエッチングストップ層（ア
ルミニウム）１の不要部分を除去する。すると、エッチ
ングストップ層１の不要部分は除去されるが、突条マス
ク層６下にはエッチングストップ層１が帯状にバンプ５
として残存する。その後、突条マスク層６を除去する。 （Ｃ）突条マスク層６の除去後、図１（Ｃ）に示すよう
に、インナーリード側から帯状のバンプ５をインナーリ
ード３、３、…をマスクとしてドライエッチングする。
すると、帯状のバンプは各インナーリード間に食み出し
た部分がインナーリードをマスクとしてセルフアライメ
ントにより除去されて各インナーリードに対応する部分
がきわめて正確に位置合せされた状態で独立する。(B) Next, as shown in FIG. 1B, the outer leads 2, 2,
... and dry etching from the outer lead side using the ridge mask layer 6 as a mask to remove unnecessary portions of the etching stop layer (aluminum) 1. Then, the unnecessary portions of the etching stop layer 1 are removed, but the etching stop layer 1 is striped below the ridge mask layer 6 in the form of strips.
Remains as. Then, the ridge mask layer 6 is removed. (C) After removing the ridge mask layer 6, as shown in FIG. 1C, the strip-shaped bumps 5 are dry-etched from the inner lead side using the inner leads 3, 3, ... As a mask.
Then, the strip-shaped bumps become independent in a state where the portions protruding between the inner leads are removed by self-alignment using the inner leads as a mask, and the portions corresponding to the inner leads are extremely accurately aligned.
【００１３】従って、インナーリードが微細化、小配置
ピッチ化してもマスク層６の位置決め精度を高める必要
性を伴うことなく支障なくインナーリード上にバンプを
形成することができる。また、エッチングをドライエッ
チングにより行うので、サイドエッチングが生じない。
尚、ドライエッチングは具体的には、例えばＲＩＥによ
り行い、電力は例えば１．１［ｋｗ］、エッチング内部
圧力は例えば１０［Ｐａ］、使用ガスの種類及び流量
は、ＢＣｌ3 が４０［ＳＣＣＭ］、Ｃｌ2 が１００［Ｓ
ＣＣＭ］、エッチングスピードは１［μｍ／ｍｉｎ］で
ある。Therefore, even if the inner leads are miniaturized and the arrangement pitch is reduced, the bumps can be formed on the inner leads without any trouble without the necessity of increasing the positioning accuracy of the mask layer 6. Moreover, since the etching is performed by dry etching, side etching does not occur.
The dry etching is specifically performed by, for example, RIE, the electric power is 1.1 [kw], the etching internal pressure is 10 [Pa], and the type and flow rate of the gas used are 40 [SCCM] of BCl 3 . , Cl 2 is 100 [S
CCM] and etching speed is 1 [μm / min].
【００１４】[0014]
【発明の効果】請求項１のリードフレームの製造方法
は、エッチングストップ層のアウターリード側の面に各
インナーリードのバンプを形成すべき部分に対応する箇
所をよぎる突条マスク層を形成し、その状態で上記エッ
チングストップ層に対するエッチングを行うことを特徴
とするものである。従って、請求項１のリードフレーム
の製造方法によれば、インナーリードのバンプを形成す
べき箇所をよぎるように突条マスク層を形成するので、
マスク層にインナーリードと直交する方向における位置
合せ精度が高いことは全く要求されない。また、インナ
ーリードの延びる方向における位置合せ精度はもともと
さほど高いことが要求されない。従って、インナーリー
ドが微細化、小配置ピッチ化しても支障なくインナーリ
ード上にバンプを形成することができる。According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a lead frame, wherein a ridge mask layer is formed on a surface of the etching stop layer on the outer lead side, the ridge mask layer crossing a portion corresponding to a portion where a bump of each inner lead is to be formed. In this state, the etching stop layer is etched. Therefore, according to the lead frame manufacturing method of the first aspect, since the protrusion mask layer is formed so as to cross the portion where the bump of the inner lead is to be formed,
It is not absolutely necessary for the mask layer to have high alignment accuracy in the direction orthogonal to the inner leads. Further, the alignment accuracy in the extending direction of the inner leads is not required to be originally high. Therefore, the bumps can be formed on the inner leads without any problems even if the inner leads are miniaturized and the arrangement pitch is reduced.
【００１５】請求項２のリードフレームの製造方法は、
エッチングストップ層のアウターリード側の面に各イン
ナーリードのバンプを形成すべき部分に対応する箇所を
よぎる突条マスク層を形成し、その状態で上記エッチン
グストップ層に対するドライエッチングをリードフレー
ム材のアウターリード側の面から行い、その後、リード
フレーム材のインナーリード側の面からインナーリード
をマスクとするエッチングストップ層に対するドライエ
ッチングを行うことを特徴とするものである。従って、
請求項２のリードフレームの製造方法によれば、各イン
ナーリードのバンプを形成すべき箇所をよぎるように突
条マスク層を形成してエッチングストップ層をアウター
リード側からドライエッチングするので、アウターリー
ド及び突条マスク層がマスクとなってエッチングストッ
プ層の不良部分が除去され、その際突条マスク層下に帯
状にバンプが形成される。そして、その後、インナーリ
ード側からエッチングストップ層をドライエッチングす
るので、帯状のバンプは各インナーリード間に食み出し
た部分がインナーリードをマスクとしてセルフアライメ
ントにより除去されて各インナーリードに対応する部分
がきわめて正確に位置合せされた状態で独立する。従っ
て、インナーリードが微細化、小配置ピッチ化しても支
障なくインナーリード上にバンプを形成することができ
る。また、エッチングをドライエッチングにより行うの
で、サイドエッチングが生じない。A method of manufacturing a lead frame according to claim 2 is
On the outer lead side surface of the etching stop layer, a ridge mask layer is formed that crosses the portion corresponding to the portion where the bump of each inner lead is to be formed, and in that state, dry etching is performed on the etching stop layer to form the outer layer of the lead frame material. It is characterized in that the etching is performed from the surface on the lead side, and thereafter, the etching stop layer using the inner lead as a mask is dry-etched from the surface on the inner lead side of the lead frame material. Therefore,
According to the method of manufacturing a lead frame of claim 2, since the ridge mask layer is formed so as to cross the portion where the bump of each inner lead is to be formed and the etching stop layer is dry-etched from the outer lead side, the outer lead is formed. Also, the defective portion of the etching stop layer is removed by using the ridge mask layer as a mask, and at that time, a strip-shaped bump is formed under the ridge mask layer. After that, since the etching stop layer is dry-etched from the inner lead side, the strip-shaped bumps are removed by self-alignment using the inner leads as a mask, and the portions protruding between the inner leads are removed. Become independent with very precise alignment. Therefore, the bumps can be formed on the inner leads without any problems even if the inner leads are miniaturized and the arrangement pitch is reduced. Moreover, since the etching is performed by dry etching, side etching does not occur.
【図１】（Ａ）乃至（Ｃ）は本発明リードフレームの製
造方法の一つの実施例を工程順に示す斜視図である。1A to 1C are perspective views showing, in the order of steps, one embodiment of a method for manufacturing a lead frame according to the present invention.
【図２】（Ａ）乃至（Ｃ）は従来例を工程順に示す斜視
図である。FIG. 2A to FIG. 2C are perspective views showing a conventional example in the order of steps.
１ エッチングストップ層 ３ アウターリード ３ インナーリード ５ バンプ ６ 突条マスク層 1 Etching Stop Layer 3 Outer Lead 3 Inner Lead 5 Bump 6 Ridge Mask Layer
Claims (2)
方の側に厚く且つそれと異なる材質の金属からなるアウ
ターリードが、他方の側に上記エッチングストップ層と
別の材質の金属からなり上記アウターリードより薄いイ
ンナーリードが形成されたリードフレーム材の上記エッ
チングストップ層に対して上記アウターリード及びイン
ナーリードをマスクとしてエッチング処理を施すことに
よりリードフレームを製造するリードフレームの製造方
法において、 上記エッチングストップ層のアウターリード側の面に各
インナーリードのバンプを形成すべき部分に対応する箇
所をよぎる突条マスク層を形成し、その状態で上記エッ
チングストップ層に対するエッチングを行うことを特徴
とするリードフレームの製造方法1. An outer lead made of a metal different in thickness from one side of an etching stop layer made of a metal and a metal made of a material different from that of the etching stop layer on the other side and thinner than the outer lead. In a lead frame manufacturing method for manufacturing a lead frame by performing an etching process on the etching stop layer of a lead frame material on which inner leads are formed, using the outer leads and the inner leads as a mask, the outer layer of the etching stop layer is used. A method for manufacturing a lead frame, characterized in that a ridge mask layer is formed on a surface of a lead side that crosses a portion corresponding to a portion where a bump of each inner lead is to be formed, and in that state, the etching stop layer is etched.
方の側に厚く且つそれと異なる材質の金属からなるアウ
ターリードが、他方の側に上記エッチングストップ層と
別の材質の金属からなり上記アウターリードより薄いイ
ンナーリードが形成されたリードフレーム材の上記エッ
チングストップ層に対して上記アウターリード及びイン
ナーリードをマスクとしてエッチング処理を施すことに
よりリードフレームを製造するリードフレームの製造方
法において、 上記エッチングストップ層のアウターリード側の面に各
インナーリードのバンプを形成すべき部分に対応する箇
所をよぎる突条マスク層を形成し、その状態で上記エッ
チングストップ層に対するドライエッチングをリードフ
レーム材のアウターリード側の面から行い、 その後、リードフレーム材のインナーリード側の面から
インナーリードをマスクとするエッチングストップ層に
対するドライエッチングを行うことを特徴とするリード
フレームの製造方法2. An etching stop layer made of metal, and an outer lead made of a metal different in thickness from one side of the etching stop layer and made of a metal made of a material different from that of the etching stop layer on the other side and thinner than the outer lead. In a lead frame manufacturing method for manufacturing a lead frame by performing an etching process on the etching stop layer of a lead frame material on which inner leads are formed, using the outer leads and the inner leads as a mask, the outer layer of the etching stop layer is used. A ridge mask layer is formed on the surface of the lead side that crosses the portion corresponding to the portion where the bump of each inner lead is to be formed, and in that state, dry etching is performed on the etching stop layer from the surface of the outer lead side of the lead frame material. Done and then lead The method of manufacturing a lead frame, characterized in that dry etching to the etch stop layer to the inner leads and the mask from the face of the inner lead of the frame member
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31903993A JPH07147364A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Manufacture of lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31903993A JPH07147364A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Manufacture of lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147364A true JPH07147364A (en) | 1995-06-06 |
Family
ID=18105836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31903993A Pending JPH07147364A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Manufacture of lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07147364A (en) |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP31903993A patent/JPH07147364A/en active Pending
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