JPH07147362A - Lead frame - Google Patents
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- JPH07147362A JPH07147362A JP5294975A JP29497593A JPH07147362A JP H07147362 A JPH07147362 A JP H07147362A JP 5294975 A JP5294975 A JP 5294975A JP 29497593 A JP29497593 A JP 29497593A JP H07147362 A JPH07147362 A JP H07147362A
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに関す
る。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to lead frames.
【０００２】[0002]
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、半導体素子の
パワーの増大に伴い、高い放熱性が求められるようにな
っている。図８はこの種の半導体装置であり、半導体素
子３０を搭載するステージ部３１に金属製の放熱体３２
を接着して用いている。また図９はいわゆるメタルコア
パッケージに半導体素子３０を搭載した半導体装置を示
し、この場合には、金属製の放熱体３２の表裏面を樹脂
にてコーティングすると共に、該放熱体３２表面に回路
パターン３３を形成し、放熱体３２上に半導体素子３０
を搭載し、回路パターン３３の外端部にアウターリード
３４を接続し、さらに半導体素子３０の電極と回路パタ
ーン３３の内端部とをワイヤボンディングして封止樹脂
にて封止している。2. Description of the Related Art A resin-sealed semiconductor device is required to have a high heat radiation property as the power of a semiconductor element increases. FIG. 8 shows a semiconductor device of this type, in which a metal radiator 32 is mounted on a stage 31 on which a semiconductor element 30 is mounted.
Is used by bonding. FIG. 9 shows a semiconductor device in which a semiconductor element 30 is mounted on a so-called metal core package. In this case, the front and back surfaces of a metal radiator 32 are coated with resin, and the circuit pattern 33 is formed on the surface of the radiator 32. And the semiconductor element 30 is formed on the radiator 32.
Is mounted, the outer lead 34 is connected to the outer end of the circuit pattern 33, and the electrode of the semiconductor element 30 and the inner end of the circuit pattern 33 are wire-bonded and sealed with a sealing resin.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の上記半
導体装置には次のような問題点がある。すなわち、リー
ドフレームと放熱体とを別に設け、放熱体をリードフレ
ームに接着等により固定して用いるようにしているた
め、コストがかかる問題点がある。また放熱体をグラン
ドとして使用するような場合には、放熱体とグランド用
のインナーリードとを溶接により接続する必要がある
が、インナーリードはファインなパターンが多く、接続
が困難であるという問題点がある。The conventional semiconductor device described above has the following problems. That is, since the lead frame and the radiator are separately provided and the radiator is used by being fixed to the lead frame by adhesion or the like, there is a problem that the cost is increased. Further, when the heat radiator is used as the ground, the heat radiator and the inner lead for the ground need to be connected by welding, but the inner lead has many fine patterns, which makes the connection difficult. There is.
【０００４】そこで本発明は上記問題点を解消すべくな
されたものであり、その目的とするところは、放熱性に
優れ、かつ製造が容易でコストの低減化が図れるリード
フレームを提供するにある。Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a lead frame which has excellent heat dissipation, is easy to manufacture, and can reduce the cost. .
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、母材上に電鋳に
よりめっき皮膜を盛り上げて所要のパターンに形成した
リードフレームにおいて、該リードフレームの半導体素
子を搭載するステージ部が多層めっき皮膜によりインナ
ーリードより厚く形成されていることを特徴としてい
る。前記ステージ部を異種金属によるめっき皮膜で多層
に形成すると好適である。異種金属によるめっき皮膜を
ニッケル−コバルト合金めっき皮膜と銅めっき皮膜とで
形成すると好適である。ステージ部と該ステージ部を囲
むインナーリード先端との間において、所要のインナー
リード先端とステージ部との間を、インナーリード先端
およびステージ部外縁から延出しためっき皮膜による薄
肉の連絡部で接続すると好適である。ステージ部の半導
体素子搭載面とは反対面に、該反対面表面より内側に拡
径する複数のディンプルを形成すると好適である。ま
た、アウターリードを多層めっき皮膜によりインナーリ
ードより厚く形成するとよい。。この場合にも、アウタ
ーリードを異種金属によるめっき皮膜で多層に形成する
と好適である。The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. That is, in a lead frame in which a plating film is formed on a base material by electroforming and formed into a desired pattern, the stage part on which the semiconductor element of the lead frame is mounted is formed to be thicker than the inner lead by the multilayer plating film. It has a feature. It is preferable that the stage part is formed in multiple layers by plating films of different metals. It is preferable to form a plating film of a different metal with a nickel-cobalt alloy plating film and a copper plating film. Between the stage part and the inner lead tip surrounding the stage part, if the required inner lead tip and the stage part are connected by a thin connecting part formed by a plating film extending from the inner lead tip and the outer edge of the stage part. It is suitable. It is preferable to form a plurality of dimples on the surface of the stage portion opposite to the semiconductor element mounting surface, the dimples having a diameter increased inward from the surface of the opposite surface. Also, the outer lead may be formed thicker than the inner lead by a multi-layer plating film. . Also in this case, it is preferable to form the outer leads in a multi-layered manner by using plating films of different metals.
【０００６】[0006]
【作用】ステージ部を多層のめっき皮膜によりインナー
リードより厚肉に形成したので、放熱性に優れるリード
フレームを提供できる。ステージ部を異種金属による多
層めっき皮膜とすることにより、放熱性と強度との両方
を満足させるリードフレームを提供できる。また電鋳に
よりインナーリードを薄く、アウターリードを厚肉に形
成することで、インナーリードをファインなパターンに
形成できると共にアウターリードの変形も防止できるリ
ードフレームを提供できる。グランド用のインナーリー
ド先端やステージサポートバーとステージ部との間を薄
肉の連絡部にて接続することにより、接続が容易である
と共にステージ部をインナーリード面に対して押し下げ
るディプレス加工の際インナーリードに無理な力が加わ
らず、インナーリードの変形を防止できる。ステージ部
にディンプルを形成することにより、封止樹脂との密着
性を向上できる。Since the stage portion is formed to be thicker than the inner leads by the multi-layered plating film, it is possible to provide a lead frame having excellent heat dissipation. By forming the stage part with a multi-layered plating film of different metals, it is possible to provide a lead frame satisfying both heat dissipation and strength. Further, by forming the inner lead thin and the outer lead thick by electroforming, it is possible to provide a lead frame in which the inner lead can be formed in a fine pattern and the outer lead can be prevented from being deformed. By connecting the tip of the inner lead for the ground and the stage support bar and the stage part with a thin connecting part, the connection is easy and the inner part is pressed during the depressing process to push the stage part against the inner lead surface. It is possible to prevent deformation of the inner lead without applying excessive force to the lead. By forming the dimples on the stage portion, the adhesion with the sealing resin can be improved.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るリードフレ
ーム１０の一例を示す断面図、図２はその部分平面図で
ある。リードフレーム１０は後記するように電鋳、すな
わち母材上にめっきによりめっき皮膜を所要のパターン
で形成することにより製造される。１２はそのレール
部、１４はアウターリード、１６はインナーリード、１
８はステージ部である。なおステージ部１８は図２に示
すようにインナーリード１６の内グランドとして使用さ
れるインナーリード１６ａに連絡部１６ｂを介して接続
するようにしてもよい。あるいは図示しないがステージ
部１８をステージサポートバーに接続するようにしても
よい。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an example of a lead frame 10 according to the present invention, and FIG. 2 is a partial plan view thereof. The lead frame 10 is manufactured by electroforming, that is, by forming a plating film in a required pattern on the base material by plating as described later. 12 is the rail part, 14 is the outer lead, 16 is the inner lead, 1
8 is a stage part. The stage portion 18 may be connected to the inner lead 16a used as the inner ground of the inner lead 16 via the connecting portion 16b as shown in FIG. Alternatively, although not shown, the stage unit 18 may be connected to the stage support bar.
【０００８】本実施例において特徴とするところは、レ
ール部１２、並びにステージ部１８の部位を多層めっき
皮膜によりインナーリード１６よりも厚肉に形成した点
である。図示の例では、レール部１２はアウターリード
１４、インナーリード１６側に接続する第１層１２ａ、
第１層１２ａ上に形成された第２層１２ｂの２層からな
る。また同様にステージ部１８は、インナーリード１６
に連絡部１６ｂを介して接続する第１層１８ａ、この第
１層１８ａ上に形成された第２層１８ｂの２層からな
る。上記第１層１２ａ、アウターリード１４、インナー
リード１６、第１層１８ａは強度の点からニッケル−コ
バルト合金めっきによるめっき皮膜とするのが好適であ
る。また第２層１２ｂ、第２層１８ｂは特にステージ部
１８の放熱性を高めることから銅めっきによるめっき皮
膜とするのが好適である。上記のように異種金属により
多層に形成すると好適であるが、同種金属により多層に
形成してもよい。また２層に限られず、必要に応じて３
層以上の多層とすることができる。A feature of this embodiment is that the rail portion 12 and the stage portion 18 are formed thicker than the inner leads 16 by a multi-layer plating film. In the illustrated example, the rail portion 12 includes the first layer 12a connected to the outer lead 14 and inner lead 16 sides,
It is composed of two layers, a second layer 12b formed on the first layer 12a. Similarly, the stage portion 18 includes the inner lead 16
The first layer 18a is connected to the first layer 18a via the connecting portion 16b, and the second layer 18b is formed on the first layer 18a. The first layer 12a, the outer leads 14, the inner leads 16, and the first layer 18a are preferably plated with nickel-cobalt alloy plating from the viewpoint of strength. In addition, the second layer 12b and the second layer 18b are preferably formed as a plating film by copper plating because the heat dissipation of the stage portion 18 is particularly enhanced. As described above, it is preferable to form a multi-layer with different metals, but it is also possible to form a multi-layer with the same metal. Also, the number of layers is not limited to 2 and may be 3 if necessary.
The number of layers can be more than one.
【０００９】上記のようにレール部１２を厚肉に形成す
るのは、アウターリード１４の強度を補填するためであ
る。アウターリード１４、インナーリード１６、特にイ
ンナーリード１６を薄肉に形成することでファインなパ
ターンに形成できる。また場合によっては、ステージ部
１８の回りに密に集合するインナーリード１６とは異な
り、アウターリード１４はそれほどファインなパターン
を必要としないから、ステージ１８と同様にアウターリ
ード１４も、図３に示すようにニッケル−コバルト合金
めっき被膜からなる第１層１４ａ、銅めっき被膜からな
る第２層１４ｂの２層に形成して厚肉にして強度を補填
するようにすると好適である。さらに、ＬＯＣ（リード
オン チップ）、ＣＯＬ（チップ オン リード）タ
イプのステージ部のないリードフレームにおいてもレー
ル部を厚肉にしたり、アウターリードを厚肉にして用い
ることができる。The reason why the rail portion 12 is formed thick as described above is to supplement the strength of the outer lead 14. By forming the outer leads 14 and the inner leads 16, especially the inner leads 16, to be thin, a fine pattern can be formed. Also, in some cases, unlike the inner leads 16 that are densely gathered around the stage portion 18, the outer leads 14 do not require a very fine pattern, so the outer leads 14 as well as the stage 18 are shown in FIG. As described above, it is preferable to form the two layers of the first layer 14a made of the nickel-cobalt alloy plating film and the second layer 14b made of the copper plating film to have a large thickness to compensate for the strength. Further, even in a lead frame without a LOC (lead on chip) or COL (chip on lead) type stage portion, the rail portion can be made thick and the outer leads can be made thick.
【００１０】図４、図５は図１のリードフレーム１０の
製造工程を示す。まず母材２２上にレジストを塗布し、
露光、現像して所要のレジストパターン２４を形成し、
次いで公知の電鋳技術により、母材２２上にニッケル−
コバルト合金めっき皮膜を盛り上げて、レール部１２の
第１層１２ａ、アウターリード１４、インナーリード１
６、ステージ部１８の第１層１８ａ等からなる第１層を
形成する。このときステージ部１８の第１層１８ａとイ
ンナーリード１６ａとは連絡部１６ｂにより接続された
状態となる。必要に応じて、上記のようにして形成した
めっき皮膜を物理的方法で研摩する。次いで図５に示す
ように、上記のように形成した第１層のパターン上にレ
ジストを塗布し、露光、現像して、前記の第２層１２
ｂ、１８ｂのためのレジストパターン２６を形成し、該
パターン２６を用いて銅めっきを施し、第２層１２ｂ、
第２層１８ｂを形成するのである。なお第１層、第２層
のめっき皮膜は上記のめっき皮膜に限られないことはも
ちろんである。4 and 5 show a manufacturing process of the lead frame 10 of FIG. First, apply a resist on the base material 22,
Expose and develop to form the required resist pattern 24,
Then, by a known electroforming technique, nickel-
The cobalt alloy plating film is raised to form the first layer 12a of the rail portion 12, the outer lead 14, the inner lead 1
6. A first layer including the first layer 18a of the stage unit 18 is formed. At this time, the first layer 18a of the stage portion 18 and the inner lead 16a are connected by the connecting portion 16b. If necessary, the plating film formed as described above is polished by a physical method. Next, as shown in FIG. 5, a resist is applied on the pattern of the first layer formed as described above, exposed and developed to form the second layer 12 described above.
b, 18b, a resist pattern 26 is formed, copper plating is performed using the pattern 26, and the second layer 12b,
The second layer 18b is formed. Needless to say, the plating films of the first layer and the second layer are not limited to the above plating films.
【００１１】この場合にステージ部１８の第２層１８ｂ
を形成するパターンを第１層１８ａよりも若干広げるこ
とで、図５に明確なように第２層１８ｂが第１層１８ａ
の外縁よりも若干外側にはみ出して形成される。このよ
うにすることで樹脂封止した際はみ出し部分が封止樹脂
中に食い込み、ステージ部１８と封止樹脂との密着性を
向上させることができる。また、熱伝導面積が広がり熱
放散性が高まる。次にレジストをアルカリ性の水溶液な
どで除去し、最後に母材２２上から剥離して所望のリー
ドフレーム１０を得る。なお母材２２上からリードフレ
ーム１０を剥離する際には薄肉のインナーリード１６等
が変形しないようにインナーリード１６上に電気的絶縁
性のテープを貼着して変形を防止するようにすると好適
である。半導体素子は、母材２２側のステージ部１８の
面が鏡面となるので、該鏡面側に搭載するようにすると
よい。In this case, the second layer 18b of the stage portion 18
By slightly expanding the pattern for forming the first layer 18a as compared with the first layer 18a, the second layer 18b becomes the first layer 18a as clearly shown in FIG.
Is formed so as to extend slightly outside the outer edge of the. By doing so, the protruding portion bites into the sealing resin when the resin is sealed, and the adhesion between the stage portion 18 and the sealing resin can be improved. In addition, the heat conduction area is expanded and the heat dissipation is enhanced. Next, the resist is removed with an alkaline aqueous solution or the like, and finally the base material 22 is peeled off to obtain a desired lead frame 10. When the lead frame 10 is peeled from the base material 22, it is preferable to attach an electrically insulating tape on the inner leads 16 so as to prevent the thin inner leads 16 and the like from being deformed and prevent the deformation. Is. Since the surface of the stage portion 18 on the side of the base material 22 is a mirror surface, the semiconductor element may be mounted on the mirror surface side.
【００１２】図６は他の実施例を示す。本実施例では、
第２層１８ｂを形成する際、ステージ部１８の第１層１
８ａ上にレジスト膜を形成すると共に、該レジスト膜を
露光、現像して図示のごとく多数の透孔を有するレジス
トパターン２６を形成する。該透孔は外表面に近いほど
大径になるようにするとよい。このようにして第１層１
８ａ上に第２層１８ｂを形成する。レジストパターン２
６を除去すると、第２層１８ｂにはレジストパターン２
６が抜け出た内部ほど径が大きくなる多数のディンプル
が形成される。このように第２層１８ｂに多数のディン
プルが形成されるので、半導体素子をステージ部１８に
搭載して該ステージ部１８と共に半導体素子を樹脂封止
すると、封止樹脂がディンプル内に入り込み、ステージ
部１８と樹脂との密着が良好となる。なお図示しない
が、ステージ部１８の第２層１８ｂは、第１層１８ａと
同一種の金属であっても結晶構造の異なるいわゆる焼け
めっきとして表面を粗面にしためっき皮膜に形成して
も、封止樹脂との密着性を向上させることができる。FIG. 6 shows another embodiment. In this embodiment,
When forming the second layer 18b, the first layer 1 of the stage portion 18 is formed.
A resist film is formed on 8a, and the resist film is exposed and developed to form a resist pattern 26 having a large number of through holes as shown in the drawing. The through holes may have a larger diameter as they approach the outer surface. In this way the first layer 1
A second layer 18b is formed on 8a. Resist pattern 2
6 is removed, the resist pattern 2 is formed on the second layer 18b.
A large number of dimples having a larger diameter are formed in the interior where 6 is removed. Since many dimples are formed in the second layer 18b in this way, when a semiconductor element is mounted on the stage portion 18 and the semiconductor element is resin-sealed together with the stage portion 18, the sealing resin enters the dimples and the stage Adhesion between the portion 18 and the resin becomes good. Although not shown, the second layer 18b of the stage portion 18 may be formed of a plating film having a roughened surface as so-called burn plating having a different crystal structure even if it is made of the same metal as the first layer 18a. The adhesion with the sealing resin can be improved.
【００１３】図７は他の実施例を示す。本実施例では、
第１層を形成する際、前記したインナーリード１６（グ
ランド用）先端とステージ部１８の第１層１８ａとの間
を連絡部１６ｂにて連絡せず、第１層１８ａをインナー
リード１６側から完全に分離した形状に形成する。次い
でレジストパターン２６をステージ部１８の第１層１８
ａ、インナーリード１６ａ先端を除く部位に形成し、第
２層を形成するめっきを施す。すると、インナーリード
１６ａ先端上、ステージ部１８の第１層１８ａ上にめっ
き皮膜が形成され、このめっき皮膜が成長するにつれて
インナーリード１６ａ先端と第１層１８ａ間のレジスト
２４を越えて成長し、図示のごとく中央部にて薄くなっ
た形状の連絡部１７にて接続されるようになる。このよ
うにしてインナーリード１６ａ先端とステージ部１８の
第２層１８ｂとの間が薄い連絡部１７にて連結されたリ
ードフレーム１０を得ることができる。本実施例のリー
ドフレーム１０によれば、ステージ部１８が薄い連絡部
１７を介してインナーリード１６側に連結されているこ
とから、ステージ部１８をインナーリード１６面に対し
て押し下げるディプレス工程時にインナーリード１６ａ
の変形を防止することができる。もちろん図示しない
が、ステージサポートバーとステージ部１８との間を同
様の薄肉の連絡部で連結するようにしてもよい。FIG. 7 shows another embodiment. In this embodiment,
When forming the first layer, the tip of the inner lead 16 (for ground) and the first layer 18a of the stage portion 18 are not connected by the connecting portion 16b, and the first layer 18a is moved from the inner lead 16 side. Form into completely separate shapes. Next, the resist pattern 26 is applied to the first layer 18 of the stage section 18.
a, the inner lead 16a is formed on a portion other than the tips, and plating is performed to form a second layer. Then, a plating film is formed on the tips of the inner leads 16a and on the first layer 18a of the stage portion 18. As the plating film grows, it grows beyond the resist 24 between the tips of the inner leads 16a and the first layer 18a, As shown in the drawing, the connection is made at the connecting portion 17 having a thin shape at the central portion. In this way, the lead frame 10 in which the tips of the inner leads 16a and the second layer 18b of the stage portion 18 are connected by the thin connecting portion 17 can be obtained. According to the lead frame 10 of the present embodiment, since the stage portion 18 is connected to the inner lead 16 side via the thin connecting portion 17, during the depressing step of pushing the stage portion 18 against the inner lead 16 surface. Inner lead 16a
Can be prevented from being deformed. Of course, although not shown, the stage support bar and the stage portion 18 may be connected by a similar thin connecting portion.
【００１４】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。Although the present invention has been variously described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to these embodiments, and many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. Of course.
【００１５】[0015]
【発明の効果】ステージ部を多層のめっき皮膜によりイ
ンナーリードより厚肉に形成したので、放熱性に優れる
リードフレームを提供できる。ステージ部を異種金属に
よる多層めっき皮膜とすることにより、放熱性と強度と
の両方を満足させるリードフレームを提供できる。また
電鋳によりインナーリードを薄く、アウターリードを厚
肉に形成することで、インナーリードをファインなパタ
ーンに形成できると共にアウターリードの変形も防止で
きるリードフレームを提供できる。グランド用のインナ
ーリード先端やステージサポートバーとステージ部との
間を薄肉の連絡部にて接続することにより、接続が容易
であると共にステージ部をインナーリード面に対して押
し下げるディプレス加工の際インナーリードに無理な力
が加わらず、インナーリードの変形を防止できる。ステ
ージ部にディンプルを形成することにより、封止樹脂と
の密着性を向上できる。Since the stage portion is made thicker than the inner leads by the multilayer plating film, it is possible to provide a lead frame having excellent heat dissipation. By forming the stage part with a multi-layered plating film of different metals, it is possible to provide a lead frame satisfying both heat dissipation and strength. Further, by forming the inner lead thin and the outer lead thick by electroforming, it is possible to provide a lead frame in which the inner lead can be formed in a fine pattern and the outer lead can be prevented from being deformed. By connecting the tip of the inner lead for the ground and the stage support bar and the stage part with a thin connecting part, the connection is easy and the inner part is pressed during the depressing process to push the stage part against the inner lead surface. It is possible to prevent deformation of the inner lead without applying excessive force to the lead. By forming the dimples on the stage portion, the adhesion with the sealing resin can be improved.
【図１】ステージ部、レール部を多層めっきにより厚肉
に形成したリードフレームの一例を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a lead frame in which a stage part and a rail part are formed thick by multi-layer plating.
【図２】図１に示すリードフレームの部分平面図であ
る。FIG. 2 is a partial plan view of the lead frame shown in FIG.
【図３】アウターリードも厚肉に形成したリードフレー
ムの一例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a lead frame in which an outer lead is also formed thick.
【図４】図１に示すリードフレームの製造工程を示す断
面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the lead frame shown in FIG.
【図５】図１に示すリードフレームの製造工程を示す断
面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the lead frame shown in FIG.
【図６】ステージ部にディンプルを形成する実施例を示
した部分断面図である。FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing an embodiment in which dimples are formed on a stage part.
【図７】インナーリード先端とステージ部とを薄肉の連
結部にて連結した実施例を示す部分断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing an embodiment in which the inner lead tips and the stage portion are connected by a thin connecting portion.
【図８】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing an example of a conventional semiconductor device.
【図９】従来のメタルコア型の半導体装置を示す断面図
である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a conventional metal core type semiconductor device.
１０ リードフレーム １２ レール部 １４ アウターリード １６ インナーリード １８ ステージ部 ２２ 母材 ２４ レジストパターン ２６ レジストパターン 10 lead frame 12 rail part 14 outer lead 16 inner lead 18 stage part 22 base material 24 resist pattern 26 resist pattern
Claims (7)
げて所要のパターンに形成したリードフレームにおい
て、 該リードフレームの半導体素子を搭載するステージ部が
多層めっき皮膜によりインナーリードより厚く形成され
ていることを特徴とするリードフレーム。1. In a lead frame in which a plating film is formed on a base material by electroforming to form a desired pattern, a stage portion of the lead frame on which a semiconductor element is mounted is formed to be thicker than an inner lead by a multilayer plating film. Lead frame characterized by
皮膜で多層に形成されていることを特徴とする請求項１
記載のリードフレーム。2. The stage part is formed in multiple layers by plating films of different metals.
Lead frame as described.
コバルト合金めっき皮膜と銅めっき皮膜であることを特
徴とする請求項２記載のリードフレーム。3. A plating film made of a dissimilar metal is nickel-
The lead frame according to claim 2, wherein the lead frame is a cobalt alloy plating film and a copper plating film.
ーリード先端との間において、所要のインナーリード先
端とステージ部との間が、インナーリード先端およびス
テージ部外縁から延出しためっき皮膜による薄肉の連絡
部で接続されていることを特徴とする請求項１、２また
は３記載のリードフレーム。4. A thin wall formed by a plating film extending from the inner lead tip and the outer edge of the stage section between the required inner lead tip and the stage section between the stage section and the inner lead tip surrounding the stage section. The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is connected by a connecting portion.
面に、該反対面表面より内側に拡径する複数のディンプ
ルが形成されていることを特徴とする請求項１、２、３
または４記載のリードフレーム。5. A plurality of dimples that expand inward from the surface of the opposite surface are formed on the surface of the stage portion opposite to the semiconductor element mounting surface.
Or the lead frame described in 4.
インナーリードより厚く形成されていることを特徴とす
る請求項１、２、３、４または５記載のリードフレー
ム。6. The lead frame according to claim 1, wherein the outer lead is formed thicker than the inner lead by a multilayer plating film.
っき皮膜で多層に形成されていることを特徴とする請求
項６記載のリードフレーム。7. The lead frame according to claim 6, wherein the outer leads are formed in multiple layers by plating films of different metals.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294975A JPH07147362A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294975A JPH07147362A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147362A true JPH07147362A (en) | 1995-06-06 |
Family
ID=17814735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5294975A Pending JPH07147362A (en) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07147362A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (en) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ic card and manufacture thereof |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP5294975A patent/JPH07147362A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (en) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ic card and manufacture thereof |
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