JPH07146315A - 交流電流センサ - Google Patents

交流電流センサ

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JPH07146315A
JPH07146315A JP6150287A JP15028794A JPH07146315A JP H07146315 A JPH07146315 A JP H07146315A JP 6150287 A JP6150287 A JP 6150287A JP 15028794 A JP15028794 A JP 15028794A JP H07146315 A JPH07146315 A JP H07146315A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 既知の領域に対して定められる磁束密度を生
じる交流一次電流を測定する交流電流センサと方法を提
供する。 【構成】 所定の領域内に含まれる第１の所定の区域で
の一次電流による磁束の変化を測定する第１のセンサ
（５０）と、既知の領域内の第２の所定の区域での一次
電流による磁束の変化を測定する第２のセンサであっ
て、該第２のセンサによって測定される磁束の変化が第
１のセンサによって測定される磁束の変化と所定値だけ
異なる第２のセンサ（５４）と、第１のセンサによって
測定される磁束の変化と第２のセンサによって測定され
る磁束の変化との間の差を相殺するように第３の所定の
区域に磁束の変化を生じさせる電流を発生する電流源
（５２）を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電流センサに関し、更
に詳しくは、測定すべき電流による磁束の変化を部分的
に相殺、すなわち低減することにより電流を測定する電
流センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】１９９１年１１月１９日に発行された
「同軸電流センサ（Coaxial Current Sensors ）」とい
う名称の米国特許第５，０６６，９０４号に記載のよう
な電流センサは本技術分野で知られている。これらのセ
ンサは、有用であるが、電流の正確な測定値を得ながら
電流センサの活性部のアンペア回数を低減することによ
り電流センサの費用を低減するために電流分路を必要と
するなどの幾つかの欠点を有している。正確な電流分路
を使用したとしても、低い温度係数の材料のような電流
センサの材料、電流分路の検知およびフィードバックコ
イルの多くのコイル巻数、および電流センサを作成する
のに必要な製造上の管理による費用が一般に必要であ
る。従って、これらの問題を解決する電流センサに対す
る要望がある。
【０００３】
【発明の目的】本発明の一目的は、検知すべき電流によ
る磁束の変化を低減または部分的に相殺することに基づ
いた電流センサを提供することにある。本発明の他の目
的は、電流分路を必要としない電流センサを提供するこ
とにある。
【０００４】
【発明の概要】要約すると、本発明による、既知の領域
に対して定められる磁束密度を生じる交流一次電流を測
定する交流電流センサは、既知の領域内に含まれる第１
の所定の区域での一次電流による磁束の変化を測定する
第１のセンサと、既知の領域内に含まれる第２の所定の
区域での一次電流による磁束の変化を測定する第２のセ
ンサであって、該第２の磁束センサによって測定された
磁束の変化が前記第１の磁束センサによって測定された
磁束の変化と所定値だけ異なっている第２のセンサと、
第１の磁束センサによって測定された磁束の変化と第２
の磁束センサによって測定された磁束の変化との差を相
殺するように第３の所定の区域に磁束の変化を生じさせ
る電流を発生する電流源とを有する。
【０００５】本発明の内容は特に特許請求の範囲に指摘
され明確に請求されている。しかしながら、本発明は構
成および動作方法の両方について他の目的および利点と
ともに添付図面を参照して次の詳細な説明を閲読するこ
とにより良く理解することができよう。
【０００６】
【詳しい説明】図１は、磁束相殺が行われる電流センサ
の一例を示している。一般に、このような電流検知方式
では、電流センサを通る測定すべき一次電流による磁束
の変化に等しいが、極性が反対のアンペア電流または磁
束の変化を供給することを含む。本発明において、磁束
の変化とは、磁束の変化の時間的割合を称する。図１に
示す電流センサでは、角度方向にほぼ均一な磁界であっ
て、ほぼ平行な磁力線を有する磁界が、１９９３年７月
６日出願の米国特許出願第０８５，７９０号に示されて
いるタイプのような電流センサを有する２つの導電性の
中空円筒体の間に存在する。図示のように、円筒体のス
ロットまたは開口部は、導電コイルのような磁束の変化
を検知するセンサまたは検知素子が磁界にアクセスでき
るようにしている。電流センサを通る一次電流は電流セ
ンサの断面積のような既知の領域に対して実質的に定め
られる磁束密度を生じる。コイル５０のような磁束の変
化を検知する第１のセンサまたは検知素子が、第１の所
定の区域での一次電流による磁束の変化を測定する。こ
の実施例において、該区域は検知素子によって決定され
るものである。図１に示すように、検知素子は所定の断
面積を有するコイル５０である。同様に、演算増幅器の
出力に接続されているコイル５２のような電流源が、第
２の所定の区域に一次電流による磁束の変化を相殺する
ような磁束の変化を生じさせる電流を発生するために設
けられている。図１において、第２の所定の区域は第１
の所定の区域内にあるように示されている。図示のよう
に、電流源は計測増幅器または演算増幅器６０の出力ポ
ートに接続されているコイル５２を有する。該演算増幅
器６０の入力ポートは検知素子すなわちコイル５０に接
続されている。そして、図示のように、磁束の変化を検
知するセンサまたは検知素子（コイル５０）によって生
じる電流は演算増幅器６０に供給されて増幅され、一次
電流の磁束の変化を相殺するようなフィードバック電流
を生じるフィードバック電圧を発生する。これは数学的
に次のように示される。起電力（ｅｍｆ）は次式により
示される。
【０００７】
【数１】
【０００８】ここで、φP は検知素子すなわちコイル５
０の区域での一次電流による磁束、およびφ2 はフィー
ドバックコイルの区域でのフィードバック電流または電
流源による磁束である。従って、 φ2 ∝ Ｎf Ｉf φP ∝ Ｉ [2] この結果、次のようになる。
【０００９】
【数２】
【００１０】次に、上述した関係においてｅS ＝０とす
ると、次のようになる。
【００１１】
【数３】
【００１２】一次電流による磁束の変化を相殺するため
のフィードバックコイルすなわち第２のコイルのコイル
巻数と一次電流に関する［４］式に示されている関係に
より、電流分路を使用して、検知すべき電流を分割する
ことができる。これは電流を更に低減する第２の分割を
伴う。不幸なことに、上述した例においてさえも、所望
の測定精度を達成する巻回数を有する分路を注意深く製
造するコストのために正確な電流分路を形成することは
しばしば経済的ではない。同様に、温度の変動は分路に
対して精度問題を導入する。
【００１３】上述した電流センサと対照的に、図２の実
施例に示すような本発明の磁束低減電流センサ１００
は、磁束の変化を検知する第２すなわち基準のセンサま
たは検知素子（この特定の実施例では、コイル５４）を
使用し、この検知素子は、演算増幅器または計測増幅器
６０に接続され、第１の検知素子によって第１の所定の
区域で測定された磁束の変化を相殺しないが、第１の検
知素子によって測定された磁束の変化と所定値だけ異な
る、一次電流による第２の所定の区域での磁束の変化を
測定する。これは、基準センサまたは基準検知素子を使
用して、図２に示す増幅器構成におけるコイル５４の区
域のような第２の所定の区域での磁束の変化の基準測定
値を得ることにより達成される。本実施例では、コイル
５４の巻数はＮ3 ＝ＮS −△であり、コイル５２は演算
増幅器または計測増幅器のような増幅器６０に接続され
て、磁束変化を生じさせる電流を発生する電流源を形成
し、図２の第１の検知素子であるコイル５０によって測
定される磁束の変化と図２の第２すなわち基準の検知素
子であるコイル５４によって測定される磁束の変化との
差を相殺する。コイル５０および５４の断面積は磁界の
方向にほぼ直角に方向付けられているが、磁束の変化を
検知し相殺することを考慮している限り、コイルの断面
積は磁界に対して直角以外の所定の角度に方向付けるこ
とができる。同様に、コイル５２は磁界に対してほぼ直
角のような所定の角度で方向付けられている。また、磁
束の変化を検知する第２すなわち基準の検知素子または
センサは、第１の検知素子の断面積と共通の区域または
該断面積内に入る区域の磁束を有する必要はない。しか
しながら、コイル５２は第１の検知素子の断面積とオー
バーラップする断面積を有することが好ましい。第１の
センサまたは検知素子は第１の所定の区域での磁束の変
化を検知し、第２のセンサまたは検知素子は第２の所定
の区域での磁束の変化を検知し、電流源は第３の所定の
区域に磁束の変化を生じさせる電流を発生する。この第
３の区域は第１の区域とほぼオーバーラップするもので
ある。
【００１４】図示のように、コイル５０および５４の電
圧出力の間の差は逆直列接続または構成によって増幅器
６０の入力ポートに供給され、磁束の変化を打ち消す、
すなわち相殺する。本発明による磁束低減電流センサの
本実施例では、「起電力（ｅｍｆ）」は、上述した
［３］式で与えられる。しかしながら、ｅS ＝ｅ3 とい
う条件により次式のようになる。
【００１５】
【数４】
【００１６】結果として、次のようになる。
【００１７】
【数５】
【００１８】［６］式と［４］式を比較すると、図１に
示した電流センサと比べて、小さい電流ｉのみを供給す
る必要があるという結論になる。これは一次電流の磁束
の変化が従来の方法に比較して非常に小さな値に低減す
るからである。供給する電流が小さくいと、電流分路の
必要性がなくなると共に、アンペア回数も小さくなり、
経済的で好ましい電流センサが得られる。コイル５２の
フィードバック電流ｉは検知すべき本来の電流、すなわ
ち一次電流に比例し、正確な電流測定を可能にする。同
様に、電流分路を回避することにより、電流分路に使用
する材料の温度依存性に関連する電流測定値の不正確さ
を回避することができる。
【００１９】上述した説明は、異なるコイル巻数を使用
することにより、基準すなわち第２の検知素子が第１の
検知素子と所定値だけ異なる、一次電流による磁束の変
化を測定することを示しているが、本発明はこの方法に
のみ制限されるものではない。例えば、異なるコイル巻
数を使用する代わりに、磁束の変化を測定する断面積が
異なるものを使用してもよい。一般に、第１の検知素子
と第２の検知素子との間の磁束変化の測定値の差を適当
に校正する技術が使用される。同様に、２つの検知素子
間に設定される前記所定の差が上述したように校正され
電流源によって相殺される限り、この差は、第１の検知
素子によって測定された磁束変化の大きさが第２の検知
素子のものをもっぱら越えることを必要としないし、ま
たその逆も同じである。
【００２０】別の実施例では、基準すなわち第２の検知
素子は、米国特許出願第０８５，７９０号に記載されて
いるタイプの電流センサの反対側のような電流センサの
別の位置に設けられる。これは図３に示されているが、
増幅器に関する詳細については便宜上省略されている。
同様に、図４に示すように、別の基準コイルまたは検知
素子を導入して、得られる信号を改良し、外部磁界に対
して付加的なイミュニティ（ｉｍｍｕｎｉｔｙ）を与え
ることができ、従ってより安定な測定値を得ることがで
きる。図示のように、３つのコイルまたは検知素子が互
いに幾何学的に配置されている。そして、選択された種
々の対のコイルまたは検知素子によって発生する電圧間
の差を使用して、円筒体に沿うような種々の方向に変化
する外部磁界を測定することができる。同様に、この技
術を使用して、円筒体または主軸に直交する方向に変化
する磁界の測定値を得ることができる。
【００２１】同様に、第１の検知素子によって測定され
る磁束の変化と第２すなわち基準の検知素子によって測
定される磁束の変化との差を相殺すように磁束の変化を
生じさせる電流を発生する電流源は、多くの方法で実施
することができる。例えば、コイル５０および５４の逆
直列接続によって得られる電圧のような電圧を電流に変
換する相互コンダクタンス増幅器を使用することができ
る。これはバッファ増幅器に接続された演算増幅器また
は計測増幅器によって通常実施され得るものである。同
様に、マグローヒルブックカンパニ（McGraw-Hill Book
Company）から入手し得るジョン・マーカス（John Mar
kus ）による「最新電子回路レファレンスマニュアル
（Modern Electronic Circuits Reference Manual ）」
（１９８０）またはマクミラン社（MacMilian, Inc）か
ら入手し得るウォルターＣ．ユング（Walter C. Jung）
による「ＩＣオペアンプ手引書（IC Op-Amp Cookboo
k）」（１９９３）に記載されているような他の通常の
具体例を使用することができる。
【００２２】図５は、本発明による磁束低減電流センサ
の更に他の実施例を示している。磁束低減電流センサの
多くの異なる実施例が可能であり、本発明はここに記載
される特定の実施例に制限されるものではないことを理
解されたい。例えば、磁束の変化を検知するセンサまた
は検知素子はコイルである必要はなく、代わりに磁束の
変化を測定するために使用することができるホール効果
センサ、光学センサまたは他のセンサでもよい。同様
に、磁束の変化を測定するための検知素子は代わりに例
えば半導体素子であってもよい。このような１つの実施
例では、素子の上表面は磁界の方向にほぼ直角に向けら
れている。この構成において、電圧が半導体素子に接着
された適当な電気接触端子間に誘起される。この電圧は
素子の断面を通る磁束の変化によるものである。更に、
本発明は、電流センサの本体の同じ面または反対の位置
にすべての検知素子および電流源を設けることに制限さ
れるものではない。例えば、図５に示すように、コイル
５２に代わって、トロイド状のフィードバックコイル６
７を、円筒体１４の内面と円筒体１２の外面との間の空
間内に配設してもよい。この特定の構成は外側円筒体１
４の外側または内側円筒体１２の内側に磁界がないよう
にする。更に詳しくは、トロイド体の内側の磁界は角度
方向においてほぼ均一であるので、図５に示す円筒体の
スロットまたは開口部内の第１の検知素子用のコイル５
０’および第２のすなわち基準の検知素子用のコイル５
４’の面にほぼ直角である。この集中磁界は電流測定を
高める可能性を提供する。同様に、トロイド状コイルを
フェライトまたはμ金属のような強磁性材料内に埋設
し、またはその回りに巻回して、円筒体の間の空間を充
填し、設定される電磁界を増強するようにしてもよい。
【００２３】本発明による磁束低減電流センサは多くの
利点を有している。第１としては、上述したように、本
実施例が使用される２つの円筒体の内側円筒体の内側ま
たは外側円筒体の外側の磁界が実質的にないことであ
る。これは上述したようにいくつかの電流センサが３相
回路網におけるように互いに近接して使用される計量用
途に対して特に有益である。同様に、これは、更に絶縁
材料を飽和させる強い直流成分を有する磁界が存在する
状態において有効な絶縁を行えないような好ましくない
磁気絶縁を必要としない。更に他の利点は電流センサが
電流源および他の雑音源の導体による磁界のような外部
磁界に対して比較的敏感でないことである。これは少な
くとも部分的に発生する。その理由は磁束の変化を検知
するセンサまたは検知素子が角度方向においてほぼ均一
な磁界の方向に対して直角な平面内に配置され、これら
の外部磁界と検知素子を通る区域との内積、従って磁束
が本質的にゼロになるからである。また、この敏感でな
いことは直流にも適用され、この場合、変化しない磁束
によって何ら電圧は誘起されないためである。電流セン
サは均一な外部磁界に対して敏感でないばかりでなく、
均一な温度効果に対しても敏感でない。同様に、外部磁
界勾配および温度勾配は通常のディジタル信号処理技術
によって補正できる。最後に、この種のフィードバック
コイル構成における雑音の影響は少なくとも更に悪いと
いうものでなく、上述した米国特許第５，０６６，９０
４号のような他の代わりの電流センサ構成よりも一層良
いものである。
【００２４】本発明による電流センサの更に他の利点
は、内側管が使用されている場合、外側管の外面と内側
管の内面との間の空間または半径方向の所定の間隔内に
磁束を集中させることにより、電流センサの構造を簡単
化し、比較的製造し易くすることに加えて、精度を改良
していることである。上述したように、この利点は図５
に示すようにトロイド状のフィードバックコイルを使用
することにより更に改良することができる。更に、外側
管と内側円筒状導電性素子または管との間の任意の位置
にいくつかの検知素子を挿入することにより、得られる
信号を改良し、更に良好な電流測定値を得ることができ
る。特に、図４に示すように基準検知素子を配設するこ
とにより、得られる測定値を改良することができる。更
に、図６に示す本発明の磁束低減電流センサの実施例で
は、１つの装置で３つの電流測定値を効果的に提供する
１９９３年７月６日出願の米国特許出願第０８５，７９
０号および第０８５，７８７号に記載されているように
少なくとも２つの他の電流検知方式に適応させることが
出来る。便宜な実施例を提供しているにも関わらず、本
発明の磁束低減電流センサは上述した同心の管または中
空円筒体構成に制限されるものではない。本発明による
磁束低減電流センサのこのような他の実施例に対してさ
えも、上述したように、このような電流センサは電流分
路を不要とし、温度変化による不正確さを除去し、電流
センサの費用を低減している。
【００２５】図６は、米国特許出願第０８５，７９０号
および第０８５，７８７号に記載されている電流検知方
式に適応できる本発明の磁束低減電流センサの実施例を
示している。図示のように、電流センサ１００は１対の
同心の中空円筒体、すなわち管１２および１４を有し、
これらの管はワッシャ１６によって電気的に接続され、
米国特許出願第０８５，７８７号に記載されているよう
な非誘電性分路電流センサを可能にしている。同様に、
コイル６０，６２および６４が管１２の外面と管１４の
内面との間の空間内に配置されている。これらのコイル
のいずれも米国特許第０８５，７９０号に記載されてい
るような角度方向にほぼ均一な磁界に対する相互誘導電
流検知方式で使用されている。結局、コイル６０，６２
および６４はそれぞれ図２に示したコイル５０，５２お
よび５４に対応し、本発明による磁束低減電流センサを
提供している。特に、図示のように、コイル６０および
６２の断面積はほぼオーバーラップしている。
【００２６】少なくとも既知の領域に対して定められる
磁束密度を生じる一次電流を測定する方法は次のように
行われる。前記既知の領域内の第１の所定の区域での一
次電流による磁束の変化を検知する。また、前記既知の
領域内の第２の所定の区域での一次電流による磁束の変
化を検知する。一次電流による磁束の変化は、第１の区
域で検知された磁束変化が第２の区域で検知された磁束
変化と所定値異なるように検知される。第１の区域での
検知された磁束の変化と第２の区域での検知された磁束
の変化との差を実質的に相殺するように第３の所定の区
域に磁束の変化を生じさせる電流が発生される。本発明
は、第１の区域での磁束の変化の大きさが第２の区域で
の検知される磁束の変化の大きさより大きいかまたは小
さいかに範囲が限定されるものではない。検知された磁
束変化における差は適切に校正される所定値であること
で十分である。同様に、第１の区域で検知された磁束変
化と第２の区域で検知された磁束変化との差を実質的に
相殺するように磁束の変化を生じさせる電流を発生した
後、この発生した電流が測定される。同様に、この発生
した電流の測定値は次いで一次電流の測定値に変換され
る。更に、上述したように、第１の所定の区域を図２に
示したような第３の所定の区域と実質的にオーバーラッ
プさせることが好ましい。
【００２７】本発明のある特徴のみについて示し説明し
たが、本技術分野に専門知識を有する者には多くの変
更、置き換え、変形、等価が可能であろう。従って、特
許請求の範囲は本発明の真の精神に入るこのようなすべ
ての変更および変形をカバーするものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁束相殺電流センサの一例の構成図である。
【図２】本発明による磁束低減電流センサの一実施例の
構成図である。
【図３】本発明による磁束低減電流センサの他の実施例
の構成図である。
【図４】本発明による磁束低減電流センサの一実施例に
使用されるような磁束の変化を検知する基準センサの別
の幾何学的配置構成図である。
【図５】本発明による磁束低減電流センサの更に他の実
施例を示す斜視図である。
【図６】本発明による磁束低減電流センサのもう一つの
実施例を示す斜視図である。
【符号の説明】
５０，５２，５４ コイル ６０ 演算増幅器 １００ 電流センサ

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも既知の領域に対して定められ
    る磁束密度を生じる交流一次電流を測定する交流電流セ
    ンサであって、 前記既知の領域内の第１の所定の区域での一次電流によ
    る磁束の変化を測定する第１のセンサと、 前記既知の領域内の第２の所定の区域での一次電流によ
    る磁束の変化を測定する第２のセンサであって、該第２
    のセンサによって測定された磁束の変化が前記第１のセ
    ンサによって測定された磁束の変化と所定値だけ異なっ
    ている第２のセンサと、 前記第１のセンサによって測定された磁束の変化と前記
    第２のセンサによって測定された磁束の変化との差を実
    質的に相殺するように前記既知の領域内の第３の所定の
    区域に磁束の変化を生じさせる電流を発生する電流源と
    を有する交流電流センサ。
  2. 【請求項２】 前記第１のセンサが測定する磁束の変化
    の大きさは前記第２のセンサが測定する磁束の変化の大
    きさよりも大きい請求項１記載の交流電流センサ。
  3. 【請求項３】 前記第２のセンサが測定する磁束の変化
    の大きさは、前記第１のセンサが測定する磁束の変化の
    大きさよりも大きい請求項１記載の交流電流センサ。
  4. 【請求項４】 前記第１のセンサおよび第２のセンサ
    は、それぞれ第１の導電コイルおよび第２の導電コイル
    を有し、これらのコイルの各々は、一次電流によって生
    じる磁界の方向に対して所定の角度に方向付けられた断
    面積を有している請求項１記載の交流電流センサ。
  5. 【請求項５】 前記第１および第２のコイルの各々は、
    一次電流によって生じる磁界の方向に対してほぼ直角に
    方向付けられた断面積を有する請求項４記載の交流電流
    センサ。
  6. 【請求項６】 前記電流源は、増幅器の出力ポートに接
    続された第３の導電コイルを有し、該第３のコイルは、
    一次電流によって生じる磁界の方向に対して所定の角度
    に方向付けられた断面積を有する請求項４記載の交流電
    流センサ。
  7. 【請求項７】 前記電流源は、増幅器の出力ポートに接
    続された第３の導電コイルを有し、該第３のコイルは、
    一次電流によって生じる磁界の方向に対してほぼ直角に
    方向付けられた断面積を有する請求項５記載の交流電流
    センサ。
  8. 【請求項８】 前記第１および第２の導電コイルは、互
    いに逆直列構成で前記増幅器の入力ポートに結合されて
    いる請求項７記載の交流電流センサ。
  9. 【請求項９】 前記第１の所定の区域と前記第３の所定
    の区域は実質的にオーバーラップしている請求項１記載
    の交流電流センサ。
  10. 【請求項１０】 前記第１および第２のコイルの各々は
    所定数のコイルループを有し、前記第１のコイルにおけ
    るコイルループの数は前記第２のコイルのコイルループ
    の数と異なっている請求項４記載の交流電流センサ。
  11. 【請求項１１】 更に、２つの同心の管を含み、該管の
    各々は第１端部、第２端部、内面および外面を有し、前
    記２つの管のそれぞれの第２端部は導電ブリッジによっ
    て電気的に接続されて、前記２つの管のうちの内側管の
    第１端部と外側管の第１端部との間に導電路を形成し、
    前記管の各々は前記第１、第２および第３のコイルを受
    け入れる少なくとも１つのスロットを有し、前記外側管
    の少なくとも１つのスロットは前記内側管の少なくとも
    １つのスロットと実質的にオーバーラップしている請求
    項８記載の交流電流センサ。
  12. 【請求項１２】 更に、２つの同心の管を含み、該管の
    各々は第１端部、第２端部、内面および外面を有し、前
    記２つの管のそれぞれの第２端部は導電ブリッジによっ
    て電気的に接続されて、前記２つの管のうちの内側管の
    第１の端部と外側管の第１端部との間に導電路を形成
    し、前記内側管の外面は前記外側管の内面から半径方向
    に所定の距離離隔し、前記第３のコイルは複数のコイル
    ループを持つトロイド状コイルで構成され、該トロイド
    状コイルは前記内側管と外側管の間の空間内に配置さ
    れ、前記コイルループの各々は、前記導電路に沿った一
    次電流の流れによって生じる磁界の方向に対してほぼ直
    角に方向付けられた断面積を有する請求項７記載の交流
    電流センサ。
  13. 【請求項１３】 前記第１および第２のコイルは各々複
    数のコイルループを持つトロイド状コイルで構成され、
    前記第１および第２のコイルは前記内側管および外側管
    の間の空間内に配置され、前記コイルループの各々は、
    前記導電路に沿った一次電流の流れによって生じる磁界
    の方向に対してほぼ直角に方向付けられた断面積を有す
    る請求項１２記載の交流電流センサ。
  14. 【請求項１４】 少なくとも既知の領域に対して定めら
    れる磁束密度を生じる交流一次電流を測定する方法であ
    って、 前記既知の領域内の第１の所定の区域での一次電流によ
    る磁束の変化を検知し、 前記既知の領域内の第２の所定の区域での一次電流によ
    る磁束の変化を検知し、前記第１の区域での検知された
    磁束の変化は前記第２の区域での検知された磁束の変化
    と所定値だけ異なり、 前記第１の区域での検知された磁束の変化と前記第２の
    区域での検知された磁束の変化との差を実質的に相殺す
    るように第３の所定の区域に磁束の変化を生じさせる電
    流を発生するステップを有する前記方法。
  15. 【請求項１５】 前記第２の所定の区域での検知された
    磁束の変化の大きさは前記第１の所定の区域での検知さ
    れた磁束の変化の大きさよりも大きい請求項１４記載の
    方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１の所定の区域での検知された
    磁束の変化の大きさは前記第２の所定の区域での検知さ
    れた磁束の変化の大きさよりも大きい請求項１４記載の
    方法。
  17. 【請求項１７】 前記発生した電流を測定するステップ
    を更に有する請求項１４記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記発生した電流の測定値を一次電流
    の測定値に変換するステップを更に有する請求項１７記
    載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記第３の所定の区域と前記第１の所
    定の区域は実質的にオーバーラップしている請求項１４
    記載の方法。
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