JPH07140335A - 光ファイバー結合方法 - Google Patents
光ファイバー結合方法Info
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- JPH07140335A JPH07140335A JP6164918A JP16491894A JPH07140335A JP H07140335 A JPH07140335 A JP H07140335A JP 6164918 A JP6164918 A JP 6164918A JP 16491894 A JP16491894 A JP 16491894A JP H07140335 A JPH07140335 A JP H07140335A
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/3628—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
- G02B6/3632—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the cross-sectional shape of the mechanical coupling means
- G02B6/3636—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the cross-sectional shape of the mechanical coupling means the mechanical coupling means being grooves
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/38—Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
- G02B6/3807—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs
- G02B6/3833—Details of mounting fibres in ferrules; Assembly methods; Manufacture
- G02B6/3834—Means for centering or aligning the light guide within the ferrule
- G02B6/3838—Means for centering or aligning the light guide within the ferrule using grooves for light guides
- G02B6/3839—Means for centering or aligning the light guide within the ferrule using grooves for light guides for a plurality of light guides
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- G02B6/3684—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the manufacturing process of surface profiling of the supporting carrier
- G02B6/3692—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the manufacturing process of surface profiling of the supporting carrier with surface micromachining involving etching, e.g. wet or dry etching steps
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- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ファイバーとアルミニウム被覆基板間に信
頼性のある結合を設ける。 【構成】 第一と第二のＶ溝１４、１５がそれぞれ第一
と第二の単結晶半導体素子１１、１２中に形成される。
アルミニウム層１７、１８が前記の第一および第二のＶ
溝中の、長手方向の一部にのみ形成される。光ファイバ
ー１３は前記の第一と第二の溝の間におかれ、対向する
第一と第二の単結晶素子の間でこのアルミニウム層と光
ファイバーとを結合するに十分な熱と圧力によって加熱
され圧縮される。溝の全体ではなく一部のみをアルミニ
ウム化することによって、第一と第二の単結晶素子に加
えられる圧縮力はアルミニウム層と光ファイバーとの間
の界面に集中される。これによって光ファイバーとアル
ミニウム間の圧力がＶ字型の溝の全長にわたってアルミ
ニウム化が行われた時に生じる圧力より増加する。その
結果、信頼性のある結合が生じる。
頼性のある結合を設ける。 【構成】 第一と第二のＶ溝１４、１５がそれぞれ第一
と第二の単結晶半導体素子１１、１２中に形成される。
アルミニウム層１７、１８が前記の第一および第二のＶ
溝中の、長手方向の一部にのみ形成される。光ファイバ
ー１３は前記の第一と第二の溝の間におかれ、対向する
第一と第二の単結晶素子の間でこのアルミニウム層と光
ファイバーとを結合するに十分な熱と圧力によって加熱
され圧縮される。溝の全体ではなく一部のみをアルミニ
ウム化することによって、第一と第二の単結晶素子に加
えられる圧縮力はアルミニウム層と光ファイバーとの間
の界面に集中される。これによって光ファイバーとアル
ミニウム間の圧力がＶ字型の溝の全長にわたってアルミ
ニウム化が行われた時に生じる圧力より増加する。その
結果、信頼性のある結合が生じる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧縮結合方法に関し、
特に光ファイバーをアルミニウム被覆基板に結合する方
法に関する。
特に光ファイバーをアルミニウム被覆基板に結合する方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システムでは極めて大量の情報
を、損失を低く押さえながら低コストで長距離にわたっ
て伝送するために通常光ファイバーを利用している。光
システムはまたその動作が本質的に高速で行われるため
計算などの目的に適している。このため光ファイバーを
パッケージ化し、結合する方法についてはこれまでにも
多くの開発作業がなされてきた。
を、損失を低く押さえながら低コストで長距離にわたっ
て伝送するために通常光ファイバーを利用している。光
システムはまたその動作が本質的に高速で行われるため
計算などの目的に適している。このため光ファイバーを
パッケージ化し、結合する方法についてはこれまでにも
多くの開発作業がなされてきた。
【０００３】例えば、米国特許第４，８１８，０５８号
（発明者：ボナンニ(Bonanni)、発行日：１９８９年４
月４日）および米国特許第４，９９８，７９６号（発明
者：ボナンニほか、発行日：１９９１年３月１２日）に
は、光ファイバーリボンの複数の光ファイバーを正しい
位置に保つ、シリコンチップからなる光ファイバーコネ
クタの記載がある。シリコンは単結晶の材料であり、そ
の中に小さなＶ溝を極めて正確にホトリソグラフィーに
よるマスキングとエッチングによって形成することがで
きる。それぞれ約１００ミクロンの深さと１４０ミクロ
ンの幅を持つ、対向するＶ溝を整合させることによっ
て、通常１２５ミクロンの直径を持つ光ファイバーは正
しい位置に保たれる。対向するシリコンチップのＶ溝を
整合させることにより、ファイバーの正確な位置決めが
行われ、ファイバーはエポキシなどの接着剤によってそ
の位置が永久に保たれる。
（発明者：ボナンニ(Bonanni)、発行日：１９８９年４
月４日）および米国特許第４，９９８，７９６号（発明
者：ボナンニほか、発行日：１９９１年３月１２日）に
は、光ファイバーリボンの複数の光ファイバーを正しい
位置に保つ、シリコンチップからなる光ファイバーコネ
クタの記載がある。シリコンは単結晶の材料であり、そ
の中に小さなＶ溝を極めて正確にホトリソグラフィーに
よるマスキングとエッチングによって形成することがで
きる。それぞれ約１００ミクロンの深さと１４０ミクロ
ンの幅を持つ、対向するＶ溝を整合させることによっ
て、通常１２５ミクロンの直径を持つ光ファイバーは正
しい位置に保たれる。対向するシリコンチップのＶ溝を
整合させることにより、ファイバーの正確な位置決めが
行われ、ファイバーはエポキシなどの接着剤によってそ
の位置が永久に保たれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】米国特許第５，１７
８，３１９号（発明者：ククラス(Coucoulas)、発行
日：１９９３年１月１２日）には、このＶ溝をアルミニ
ウムで被覆し、熱と圧力を加えることにより、シリコン
基板のＶ溝の中で光ファイバーが結合できることが開示
されている。その結果生じる熱−圧縮結合はこの光ファ
イバーを確実にＶ溝の中に保つことができるので、フォ
トニクスパッケージのその他の素子を汚染する可能性の
ある接着剤が不要となる。ボナンニの米国特許に記載さ
れているコネクターを製造する上で必要とされる接着剤
の使用をさけるために、ボナンニらのコネクタパッケー
ジにこのククラスの発明を定常的に使用することが可能
なように思われる。しかし、実験によるとボナンニの米
国特許に記載されているようなコネクタのＶ溝をアルミ
ニウム化し、反対側のシリコン素子を加熱された光ファ
イバーに対して圧縮して結合すると、信頼性のない結合
が生じる場合があることがわかった。光ファイバーの内
のいくらかは満足できる結合を形成するに十分なほどア
ルミニウム被覆の中に圧縮されていないようであり、ま
た多数のファイバーの長手方向に信頼性のある結合を作
るのに必要とされる力は時にシリコンチップに加えるこ
とのできる力を上回ってしまうことがわかった。つま
り、あまり大きな力を加えると、シリコンチップは割れ
てしまう。したがって光ファイバーを基板へ結合するた
めのさらに便利で信頼性のよい方法が引き続き必要とさ
れており、特に単結晶の材料中に設けたＶ溝を用いて、
光ファイバーコネクタを組み立てるためのより便利な方
法が求められている。
８，３１９号（発明者：ククラス(Coucoulas)、発行
日：１９９３年１月１２日）には、このＶ溝をアルミニ
ウムで被覆し、熱と圧力を加えることにより、シリコン
基板のＶ溝の中で光ファイバーが結合できることが開示
されている。その結果生じる熱−圧縮結合はこの光ファ
イバーを確実にＶ溝の中に保つことができるので、フォ
トニクスパッケージのその他の素子を汚染する可能性の
ある接着剤が不要となる。ボナンニの米国特許に記載さ
れているコネクターを製造する上で必要とされる接着剤
の使用をさけるために、ボナンニらのコネクタパッケー
ジにこのククラスの発明を定常的に使用することが可能
なように思われる。しかし、実験によるとボナンニの米
国特許に記載されているようなコネクタのＶ溝をアルミ
ニウム化し、反対側のシリコン素子を加熱された光ファ
イバーに対して圧縮して結合すると、信頼性のない結合
が生じる場合があることがわかった。光ファイバーの内
のいくらかは満足できる結合を形成するに十分なほどア
ルミニウム被覆の中に圧縮されていないようであり、ま
た多数のファイバーの長手方向に信頼性のある結合を作
るのに必要とされる力は時にシリコンチップに加えるこ
とのできる力を上回ってしまうことがわかった。つま
り、あまり大きな力を加えると、シリコンチップは割れ
てしまう。したがって光ファイバーを基板へ結合するた
めのさらに便利で信頼性のよい方法が引き続き必要とさ
れており、特に単結晶の材料中に設けたＶ溝を用いて、
光ファイバーコネクタを組み立てるためのより便利な方
法が求められている。
【０００５】
【課題を解決しようとする手段】本発明を説明する一つ
の実施例に従い、第一および第二のＶ溝が第一および第
二の単結晶半導体素子の中にそれぞれ形成される。整合
用アルミニウム層はこの第一と第二のＶ溝の中に形成さ
れるが、各アルミニウム層はそれぞれの溝の長さの一部
にのみ設けられるものとする。光ファイバーが第一と第
二の溝の間に置かれこの対向する第一と第二の単結晶素
子の間で、アルミニウム層と光ファイバーの間に結合を
生じるに十分な熱と圧力を用いて加熱圧縮される。前記
の溝の全長ではなく、整合部分のみをアルミニウム化す
ることにより、第一と第二の単結晶素子へ加えられる圧
縮力はアルミニウム層と光ファイバーとの界面に集中す
る。これによって光ファイバーとアルミニウム間の圧力
は、Ｖ溝の全長にわたってアルミニウム化が行われた場
合の圧力よりも増加する。その結果生じる結合が信頼性
を増す。
の実施例に従い、第一および第二のＶ溝が第一および第
二の単結晶半導体素子の中にそれぞれ形成される。整合
用アルミニウム層はこの第一と第二のＶ溝の中に形成さ
れるが、各アルミニウム層はそれぞれの溝の長さの一部
にのみ設けられるものとする。光ファイバーが第一と第
二の溝の間に置かれこの対向する第一と第二の単結晶素
子の間で、アルミニウム層と光ファイバーの間に結合を
生じるに十分な熱と圧力を用いて加熱圧縮される。前記
の溝の全長ではなく、整合部分のみをアルミニウム化す
ることにより、第一と第二の単結晶素子へ加えられる圧
縮力はアルミニウム層と光ファイバーとの界面に集中す
る。これによって光ファイバーとアルミニウム間の圧力
は、Ｖ溝の全長にわたってアルミニウム化が行われた場
合の圧力よりも増加する。その結果生じる結合が信頼性
を増す。
【０００６】
【実施例】図１に複数の光ファイバー１３をその間に挟
んでいる、第一と第二の単結晶半導体チップ１１および
１２からなる光ファイバーコネクタアセンブリを組み立
てるための装置の分解図を示す。Ｖ溝１４と１５は前述
のボナンニの米国特許に記載された原理にしたがってそ
れぞれチップ１１と１２の中にホトリソグラフィーによ
るマスキングとエッチングによって形成されている。光
ファイバーは通常直径が約１２５ミクロンであり、前記
のマスキングとエッチングはＶ溝１４と１５を極めて正
確に規定することができるので、対向する溝の間にはフ
ァイバーが他のファイバーやレンズなどとの位置あわせ
に必要な精密さをもって挟みこまれる。
んでいる、第一と第二の単結晶半導体チップ１１および
１２からなる光ファイバーコネクタアセンブリを組み立
てるための装置の分解図を示す。Ｖ溝１４と１５は前述
のボナンニの米国特許に記載された原理にしたがってそ
れぞれチップ１１と１２の中にホトリソグラフィーによ
るマスキングとエッチングによって形成されている。光
ファイバーは通常直径が約１２５ミクロンであり、前記
のマスキングとエッチングはＶ溝１４と１５を極めて正
確に規定することができるので、対向する溝の間にはフ
ァイバーが他のファイバーやレンズなどとの位置あわせ
に必要な精密さをもって挟みこまれる。
【０００７】前述のククラスの特許に記載されている原
理に従い、前記のＶ溝１４と１５はアルミニウムの層１
７と１８によって被覆されている。光ファイバー１３は
対向するプレス部材２０および２１を持つツールを用い
て、チップ１１と１２の間で圧縮され、チップ１１と１
２に永久的に結合されている。このプレス部材は図示さ
れているように、熱源２２によって加熱されている。こ
の熱源の目的は光ファイバー１３とアルミニウム層１７
と１８がプレス部材２０と２１の間で圧縮される際にこ
れらの界面を加熱することである。別法として、熱をチ
ップ１１と１２に加えることもでき、また図に示すアセ
ンブリを炉の中に入れてもよい。このファイバーは通常
摂氏４００度から４５０度に加熱され、十分な加圧によ
って単結晶チップ１１および１２の歪みや損傷を起こす
ことなく、アルミニウム層１７と１８へと永久的に結合
される。
理に従い、前記のＶ溝１４と１５はアルミニウムの層１
７と１８によって被覆されている。光ファイバー１３は
対向するプレス部材２０および２１を持つツールを用い
て、チップ１１と１２の間で圧縮され、チップ１１と１
２に永久的に結合されている。このプレス部材は図示さ
れているように、熱源２２によって加熱されている。こ
の熱源の目的は光ファイバー１３とアルミニウム層１７
と１８がプレス部材２０と２１の間で圧縮される際にこ
れらの界面を加熱することである。別法として、熱をチ
ップ１１と１２に加えることもでき、また図に示すアセ
ンブリを炉の中に入れてもよい。このファイバーは通常
摂氏４００度から４５０度に加熱され、十分な加圧によ
って単結晶チップ１１および１２の歪みや損傷を起こす
ことなく、アルミニウム層１７と１８へと永久的に結合
される。
【０００８】図２に示すように、アルミニウム層１７は
本発明に従い各Ｖ溝１４の長さの一部のみを覆ってい
る。図に示す例において、このアルミニウム層１７は各
Ｖ溝１４をその長さの約三分の一だけ覆っている。図３
に示すように、アルミニウム層１８はアルミニウム層１
７の形状に整合し、したがって層１８はそれぞれＶ溝１
５の長さの約三分の一のみを同様に覆っており、ファイ
バー１３の層１７とは反対の側に位置している。アルミ
ニウム層１７と１８を溝１４と１５の長さより短くする
ことは部材２０と２１をアルミニウム層１７と１８に押
し付けることにより加えられる力を集中させる効果を持
つ。その結果、アルミニウム層１７と１８の光ファイバ
ー１３との界面に加わる圧力（単位面積分の力）はアル
ミニウムが各Ｖ溝の全長に沿って被覆された時よりも大
きくなる。
本発明に従い各Ｖ溝１４の長さの一部のみを覆ってい
る。図に示す例において、このアルミニウム層１７は各
Ｖ溝１４をその長さの約三分の一だけ覆っている。図３
に示すように、アルミニウム層１８はアルミニウム層１
７の形状に整合し、したがって層１８はそれぞれＶ溝１
５の長さの約三分の一のみを同様に覆っており、ファイ
バー１３の層１７とは反対の側に位置している。アルミ
ニウム層１７と１８を溝１４と１５の長さより短くする
ことは部材２０と２１をアルミニウム層１７と１８に押
し付けることにより加えられる力を集中させる効果を持
つ。その結果、アルミニウム層１７と１８の光ファイバ
ー１３との界面に加わる圧力（単位面積分の力）はアル
ミニウムが各Ｖ溝の全長に沿って被覆された時よりも大
きくなる。
【０００９】一つの実験において、それぞれ一つのＶ溝
を持つ対向する一組のチップを用意し、その間に一本の
光ファイバーを挟んだ。このＶ溝は長さ１０ミリメート
ルで、アルミニウムで溝の全長を被覆してあった。この
アセンブリを摂氏４００度から４５０度に加熱し、２．
５ｋｇの力をチップへ加えファイバーをチップの間で圧
縮した。この圧縮は５から１０秒間行われたが、結合は
生じなかった。
を持つ対向する一組のチップを用意し、その間に一本の
光ファイバーを挟んだ。このＶ溝は長さ１０ミリメート
ルで、アルミニウムで溝の全長を被覆してあった。この
アセンブリを摂氏４００度から４５０度に加熱し、２．
５ｋｇの力をチップへ加えファイバーをチップの間で圧
縮した。この圧縮は５から１０秒間行われたが、結合は
生じなかった。
【００１０】１０ミリメートルの長さの整合用Ｖ溝を持
つ、全く同一の一組のチップを用意し、Ｖ溝の長さのう
ち、２から２．５ミリメートルのみをアルミニウムで被
覆した。このアセンブリもまた摂氏４００度から４５０
度へと加熱した。２．５ｋｇの代わりに５００ｇの力し
か加えず、５から１０秒間の間チップを圧縮した。この
Ｖ溝のアルミニウム化された部分の全長にそって信頼性
のある結合が形成されていた。すなわち、不成功であっ
た実験で使用した力のほんの五分の一の力で信頼性のあ
る結合ができたのであった。
つ、全く同一の一組のチップを用意し、Ｖ溝の長さのう
ち、２から２．５ミリメートルのみをアルミニウムで被
覆した。このアセンブリもまた摂氏４００度から４５０
度へと加熱した。２．５ｋｇの代わりに５００ｇの力し
か加えず、５から１０秒間の間チップを圧縮した。この
Ｖ溝のアルミニウム化された部分の全長にそって信頼性
のある結合が形成されていた。すなわち、不成功であっ
た実験で使用した力のほんの五分の一の力で信頼性のあ
る結合ができたのであった。
【００１１】力の集中と結合の有効性の間の関係につい
て我々は詳細な分析を行なってはいない。しかし、アル
ミニウム化される溝の長さの短縮と結合を形成するのに
必要とされる力の減少との間にはほぼ直線的な関係があ
るように見受けられる。したがって、例えば、アルミニ
ウム化される溝の長さを８０％減少すると、上述の力の
集中が生じるため、結合を形成する力も８０％少ないも
のですむ。アルミニウム化される溝の長さが半分以下で
あると、そうでない場合に必要とされる力の半分で信頼
性のある結合が形成される。単結晶シリコンは過剰な力
に耐えられないため、このことは重要であり、同時に多
数の溝と多数のファイバーとが結合されなければならな
いとすると、本発明に従う力の集中を利用しなければ信
頼性のある結合を形成するに十分な力を加えることは困
難である。また本発明により、プレス部材２０と２１の
平行配置におけるずれの許容度は引き上げられる。つま
り、本発明を使わない場合、厳密に平行な位置からわず
かに外れるだけでファイバーに加えられる力の不正分配
が生じ、シリコンに割れが生じたりファイバーに結合残
りが生じたりすることになる。
て我々は詳細な分析を行なってはいない。しかし、アル
ミニウム化される溝の長さの短縮と結合を形成するのに
必要とされる力の減少との間にはほぼ直線的な関係があ
るように見受けられる。したがって、例えば、アルミニ
ウム化される溝の長さを８０％減少すると、上述の力の
集中が生じるため、結合を形成する力も８０％少ないも
のですむ。アルミニウム化される溝の長さが半分以下で
あると、そうでない場合に必要とされる力の半分で信頼
性のある結合が形成される。単結晶シリコンは過剰な力
に耐えられないため、このことは重要であり、同時に多
数の溝と多数のファイバーとが結合されなければならな
いとすると、本発明に従う力の集中を利用しなければ信
頼性のある結合を形成するに十分な力を加えることは困
難である。また本発明により、プレス部材２０と２１の
平行配置におけるずれの許容度は引き上げられる。つま
り、本発明を使わない場合、厳密に平行な位置からわず
かに外れるだけでファイバーに加えられる力の不正分配
が生じ、シリコンに割れが生じたりファイバーに結合残
りが生じたりすることになる。
【００１２】本発明は、ガラスの光ファイバーを支持す
るためにＶ溝を用いる、ボナンニの特許に記載されてい
るタイプの構造に特に応用できるものであるが、その他
の配置においても場合によっては有用である。ククラス
の特許にあるように、ガラス−アルミニウム間の界面に
は熱ではなくて音波エネルギーを圧縮結合用に加えても
よい。本発明は水平表面へファイバーを結合するのにも
役立つであろう。
るためにＶ溝を用いる、ボナンニの特許に記載されてい
るタイプの構造に特に応用できるものであるが、その他
の配置においても場合によっては有用である。ククラス
の特許にあるように、ガラス−アルミニウム間の界面に
は熱ではなくて音波エネルギーを圧縮結合用に加えても
よい。本発明は水平表面へファイバーを結合するのにも
役立つであろう。
【００１３】
【発明の効果】以上述べた如く、本発明は、光ファイバ
ーを基板へ結合するための便利で信頼性のよい方法、特
に単結晶の材料中に設けたＶ溝を用いて、光ファイバー
コネクタを組み立てるためのより便利な方法を提供する
ものである。本発明においては、前記の溝の全長ではな
く、整合部分のみをアルミニウム化することにより、光
ファイバーとアルミニウム間の圧力が、Ｖ溝の全長にわ
たってアルミニウム化が行われた場合の圧力よりも増加
し、信頼性のある結合が生じる。
ーを基板へ結合するための便利で信頼性のよい方法、特
に単結晶の材料中に設けたＶ溝を用いて、光ファイバー
コネクタを組み立てるためのより便利な方法を提供する
ものである。本発明においては、前記の溝の全長ではな
く、整合部分のみをアルミニウム化することにより、光
ファイバーとアルミニウム間の圧力が、Ｖ溝の全長にわ
たってアルミニウム化が行われた場合の圧力よりも増加
し、信頼性のある結合が生じる。
【図１】本発明の一つの実施例に従い、光ファイバーコ
ネクタを組み立てるための装置の分解図である。
ネクタを組み立てるための装置の分解図である。
【図２】図１の線２−２に沿った断面図である。
【図３】図２の線３−３に沿った断面図である。
１１ 第一の単結晶材料素子 １２ 第ニの単結晶材料素子 １３ 光ファイバー １４ Ｖ溝 １５ Ｖ溝 １７ アルミニウム層 １８ アルミニウム層 ２０ プレス部材 ２１ プレス部材 ２２ 熱源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ランジャン ドゥッタ アメリカ合衆国、08648 ニュージャージ ー、マーサー カウンティ、ローレンスビ ル、スターウッド ウエイ 1101
Claims (10)
- 【請求項１】 第１部材の一部をアルミニウムで被覆す
る被覆ステップと、 前記アルミニウムの表面上に光ファイバーを位置決めす
るステップと、 前記光ファイバーと前記アルミニウムを圧着し、同時に
この光ファイバーとアルミニウムとの界面にエネルギー
を加え、前記光ファイバーと前記アルミニウムの間に永
久結合を形成する結合形成ステップとからなる、光ファ
イバーをアルミニウムで被覆した部材に結合する方法に
おいて、 前記被覆ステップが、前記部材の前記光ファイバーが接
触する部分にのみアルミニウムを被覆するステップから
なり、 前記結合形成ステップが、前記光ファイバーに対し、前
記アルミニウムと接触している部分以上にわたって力を
加え、それによってその力を前記光ファイバーと前記ア
ルミニウムとの界面に集中させるステップからなること
を特徴とする光ファイバー結合方法。 - 【請求項２】 前記第１部材の長さの半分以下をアルミ
ニウムで被覆し、前記第１部材の全長にわたり力を前記
光ファイバーに加えることを特徴とする請求項１の方
法。 - 【請求項３】 前記第１部材の前記光ファイバーが接触
する部分が、光ファイバーを含むＶ字型の溝の形である
ことを特徴とする請求項２の方法。 - 【請求項４】 前記結合形成ステップが、前記光ファイ
バーを第２部材のＶ溝へ押し付けるステップからなり、
前記第２部材の前記Ｖ溝の一部が、前記第１部材の上の
アルミニウムの被覆と整合するべくアルミニウムによっ
て被覆されていることを特徴とする請求項３の方法。 - 【請求項５】 前記第１部材および前記第２部材がそれ
ぞれ単結晶半導体材料からなり、前記第１部材および前
記第２部材のＶ溝がホトリソグラフィーによるマスキン
グとエッチングによって形成されることを特徴とする請
求項４の方法。 - 【請求項６】 前記エネルギーが熱エネルギーであるこ
とを特徴とする請求項５の方法。 - 【請求項７】 複数の第１のＶ溝および複数の第２のＶ
溝がそれぞれ前記第１部材および前記第２部材に形成さ
れ、 光ファイバーが、前記第１および第２のＶ溝の各対の間
に別々に押し付けられ、 前記被覆ステップが、前記Ｖ溝を横切って伸びる連続し
たストリップとしてアルミニウム層を形成するステップ
からなることを特徴とする請求項５の方法。 - 【請求項８】 前記アルミニウム層は、厚さが３から５
ミクロンであり、幅が約２．５ミリメートルであり、前
記第１および第２のＶ溝の長さがそれぞれ約１０ミリメ
ートルであることを特徴とする請求項７の方法。 - 【請求項９】 前記第１のＶ溝中の前記アルミニウム層
の位置が、前記第２のＶ溝中のアルミニウム層の位置と
整合し、 前記第１および第２のＶ溝中の前記アルミニウム層の長
さがそれぞれ前記第１および第２のＶ溝の長さの半分未
満であることを特徴とする請求項８の方法。 - 【請求項１０】 前記第１部材および前記第２部材がシ
リコンチップであり、 前記結合形成ステップが、加熱された対向するプレス部
材の間で前記シリコンチップを圧縮するステップからな
ることを特徴とする請求項９の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8172093A | 1993-06-25 | 1993-06-25 | |
| US081720 | 1993-06-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07140335A true JPH07140335A (ja) | 1995-06-02 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6164918A Pending JPH07140335A (ja) | 1993-06-25 | 1994-06-24 | 光ファイバー結合方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JPH07140335A (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499134B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 압축 접합 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH11242128A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-09-07 | Ngk Insulators Ltd | 熱融着一体型フェルールとその製造方法、ファイバーアレイの製造方法 |
| EP1243953A1 (de) | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Alcatel | Verbindung zwischen Faser und Träger |
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| US5178723A (en) | 1991-11-04 | 1993-01-12 | At&T Bell Laboratories | Method and apparatus for making optical devices |
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1994
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- 1994-06-15 EP EP19940304329 patent/EP0631162B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-24 JP JP6164918A patent/JPH07140335A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499134B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2005-07-04 | 삼성전자주식회사 | 압축 접합 방법 |
Also Published As
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|---|---|
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| EP0631162A1 (en) | 1994-12-28 |
| DE69413136T2 (de) | 1999-05-20 |
| EP0631162B1 (en) | 1998-09-09 |
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