JPH07135440A - ＺｎＯ薄膜の形成方法 - Google Patents
ＺｎＯ薄膜の形成方法Info
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- JPH07135440A JPH07135440A JP28141493A JP28141493A JPH07135440A JP H07135440 A JPH07135440 A JP H07135440A JP 28141493 A JP28141493 A JP 28141493A JP 28141493 A JP28141493 A JP 28141493A JP H07135440 A JPH07135440 A JP H07135440A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 緻密であり、ｃ軸配向性に優れ、かつ比抵抗
ρの大きなＺｎＯ薄膜を得ることを可能とする方法を提
供する。 【構成】 ＥＣＲスパッタ装置１を用い、ＺｎＯ薄膜を
形成するにあたり、ターゲット１２として、Ｚｎ１００
重量％に対し、Ｃｕ及びＮｉの少なくとも１種を合計で
０．５〜１０重量％の範囲で添加してなる混合物よりな
るターゲットを用いる、ＺｎＯ薄膜の形成方法。
ρの大きなＺｎＯ薄膜を得ることを可能とする方法を提
供する。 【構成】 ＥＣＲスパッタ装置１を用い、ＺｎＯ薄膜を
形成するにあたり、ターゲット１２として、Ｚｎ１００
重量％に対し、Ｃｕ及びＮｉの少なくとも１種を合計で
０．５〜１０重量％の範囲で添加してなる混合物よりな
るターゲットを用いる、ＺｎＯ薄膜の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＺｎＯよりなる圧電薄
膜をＥＣＲスパッタ装置によって形成する方法に関し、
特に、使用するターゲットの組成を改良したＺｎＯ薄膜
の形成方法に関する。
膜をＥＣＲスパッタ装置によって形成する方法に関し、
特に、使用するターゲットの組成を改良したＺｎＯ薄膜
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＺｎＯ圧電薄膜が、表面波装置に
広く用いられている。表面波装置に用いるには、圧電薄
膜は、安定にかつ再現性よく形成されねばならない。そ
こで、従来、ＲＦスパッタリング、ＤＣスパッタリン
グ、ＲＦマグネトロン・スパッタリングなどのスパッタ
リング法によりＺｎＯ薄膜が形成されている。
広く用いられている。表面波装置に用いるには、圧電薄
膜は、安定にかつ再現性よく形成されねばならない。そ
こで、従来、ＲＦスパッタリング、ＤＣスパッタリン
グ、ＲＦマグネトロン・スパッタリングなどのスパッタ
リング法によりＺｎＯ薄膜が形成されている。
【０００３】しかしながら、従来のスパッタリング法で
は、緻密なＺｎＯ圧電薄膜を製造することができなかっ
た。すなわち、比較的密度が低い圧電薄膜しか形成する
ことができず、表面波装置の高周波化を妨げる大きな要
因の一つとなっていた。
は、緻密なＺｎＯ圧電薄膜を製造することができなかっ
た。すなわち、比較的密度が低い圧電薄膜しか形成する
ことができず、表面波装置の高周波化を妨げる大きな要
因の一つとなっていた。
【０００４】そこで、特開平４−７８２０７号公報に
は、上記問題を解決するものとして、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）イオン源を利用したＥＣＲスパッタ装
置を用いてＺｎＯ薄膜を形成する方法が提案されてい
る。
は、上記問題を解決するものとして、電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）イオン源を利用したＥＣＲスパッタ装
置を用いてＺｎＯ薄膜を形成する方法が提案されてい
る。
【０００５】ＥＣＲスパッタ装置では、真空系内に基板
を配置し、かつ基板の上方、下方または側方に圧電薄膜
を構成するための材料を含むターゲットを配置する。Ａ
ｒを含むガスを装置内に導入し、該Ａｒを含むガスに電
子を衝突させてガスをイオン化し、プラズマ状態とし、
該ガスイオンをターゲットに衝突させることにより、基
板上にターゲットを構成している材料からなる薄膜を形
成する。
を配置し、かつ基板の上方、下方または側方に圧電薄膜
を構成するための材料を含むターゲットを配置する。Ａ
ｒを含むガスを装置内に導入し、該Ａｒを含むガスに電
子を衝突させてガスをイオン化し、プラズマ状態とし、
該ガスイオンをターゲットに衝突させることにより、基
板上にターゲットを構成している材料からなる薄膜を形
成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ＥＣＲスパッタ装置を
用いてＺｎＯ薄膜を形成した場合、上記のように緻密な
ＺｎＯ圧電薄膜を得ることができる。しかしながら、表
面波装置に用いるＺｎＯ圧電薄膜では、緻密な薄膜であ
ることのほか、ｃ軸配向性が良好であり、かつ薄膜の比
抵抗ρが十分に大きいことが要求される。
用いてＺｎＯ薄膜を形成した場合、上記のように緻密な
ＺｎＯ圧電薄膜を得ることができる。しかしながら、表
面波装置に用いるＺｎＯ圧電薄膜では、緻密な薄膜であ
ることのほか、ｃ軸配向性が良好であり、かつ薄膜の比
抵抗ρが十分に大きいことが要求される。
【０００７】しかしながら、ＥＣＲスパッタ装置を用い
たＺｎＯ薄膜の形成に際し、上記比抵抗ρやｃ軸配向性
については、従来考慮されていなかった。もっとも、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタを用いた薄膜形成法では、Ｚｎ
Ｏセラミックターゲットを用いる場合について、Ｌｉ、
ＣｕもしくはＡｇなどの添加物をＺｎＯセラミックスに
添加することが有効であることが報告されている。
たＺｎＯ薄膜の形成に際し、上記比抵抗ρやｃ軸配向性
については、従来考慮されていなかった。もっとも、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタを用いた薄膜形成法では、Ｚｎ
Ｏセラミックターゲットを用いる場合について、Ｌｉ、
ＣｕもしくはＡｇなどの添加物をＺｎＯセラミックスに
添加することが有効であることが報告されている。
【０００８】本発明の目的は、ＥＣＲスパッタ装置を用
いたＺｎＯ薄膜の形成にあたり、ｃ軸配向性に優れてお
り、かつ比抵抗ρの十分に大きなＺｎＯ薄膜を得ること
を可能とする方法を提供することである。
いたＺｎＯ薄膜の形成にあたり、ｃ軸配向性に優れてお
り、かつ比抵抗ρの十分に大きなＺｎＯ薄膜を得ること
を可能とする方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、ｃ軸配向
性に優れており、かつ比抵抗ρの大きなＺｎＯ薄膜をＥ
ＣＲスパッタ装置を用いて得ることを目的として、種々
検討した結果、使用するターゲットとして、Ｚｎ金属タ
ーゲットを用い、さらに特定の成分を該金属ターゲット
中に特定の割合で含有させれば、上記目的を達成し得る
ことを見い出し、本発明を成すに至った。
性に優れており、かつ比抵抗ρの大きなＺｎＯ薄膜をＥ
ＣＲスパッタ装置を用いて得ることを目的として、種々
検討した結果、使用するターゲットとして、Ｚｎ金属タ
ーゲットを用い、さらに特定の成分を該金属ターゲット
中に特定の割合で含有させれば、上記目的を達成し得る
ことを見い出し、本発明を成すに至った。
【００１０】すなわち、本発明は、ＥＣＲスパッタ装置
によりＺｎＯ薄膜を形成する方法において、ターゲット
として、Ｚｎを１００重量％に対し、Ｃｕ及びＮｉの少
なくとも１種を合計で０．５〜１０重量％の範囲で添加
してなる混合物よりなるターゲットを用いることを特徴
とする、ＺｎＯ薄膜の形成方法である。
によりＺｎＯ薄膜を形成する方法において、ターゲット
として、Ｚｎを１００重量％に対し、Ｃｕ及びＮｉの少
なくとも１種を合計で０．５〜１０重量％の範囲で添加
してなる混合物よりなるターゲットを用いることを特徴
とする、ＺｎＯ薄膜の形成方法である。
【００１１】本発明は、上記のように、使用するターゲ
ットとして、Ｚｎ１００重量％に対し、Ｃｕ及びＮｉの
少なくとも１種を、０．５〜１０重量％の割合で添加し
てなる組成のターゲットを用いたことに特徴を有し、そ
の他の点については、例えば特開平４−７８２０７号公
報に開示されているように、従来より公知のＥＣＲスパ
ッタ装置を用いた薄膜形成法に従って行い得る。
ットとして、Ｚｎ１００重量％に対し、Ｃｕ及びＮｉの
少なくとも１種を、０．５〜１０重量％の割合で添加し
てなる組成のターゲットを用いたことに特徴を有し、そ
の他の点については、例えば特開平４−７８２０７号公
報に開示されているように、従来より公知のＥＣＲスパ
ッタ装置を用いた薄膜形成法に従って行い得る。
【００１２】
【作用】本発明では、Ｚｎ金属ターゲットに、Ｃｕ及び
Ｎｉの少なくとも１種を上記特定の割合で添加すること
により、ｃ軸配向性に優れており、かつ比抵抗ρの大き
なＺｎＯ薄膜を得ることができる。この理由は、必ずし
も明確ではないが、ＣｕまたはＮｉが補償アクセプタと
して作用し、それによってＺｎＯ薄膜の比抵抗ρ及びｃ
軸配向性が高められるためと考えられる。
Ｎｉの少なくとも１種を上記特定の割合で添加すること
により、ｃ軸配向性に優れており、かつ比抵抗ρの大き
なＺｎＯ薄膜を得ることができる。この理由は、必ずし
も明確ではないが、ＣｕまたはＮｉが補償アクセプタと
して作用し、それによってＺｎＯ薄膜の比抵抗ρ及びｃ
軸配向性が高められるためと考えられる。
【００１３】なお、Ｃｕ及びＮｉの少なくとも１種の配
合割合が、０．５重量％未満では、ｃ軸配向のよい条件
ではρが小さくなり、１０重量％を超えると、ｃ軸配向
が悪くなる。
合割合が、０．５重量％未満では、ｃ軸配向のよい条件
ではρが小さくなり、１０重量％を超えると、ｃ軸配向
が悪くなる。
【００１４】なお、上記Ｃｕ及びＮｉを添加すればよい
こと、並びにＣｕ及びＮｉの添加割合を上記特定の範囲
とすればよいことは、本願発明者により実験的に確かめ
られたものである。
こと、並びにＣｕ及びＮｉの添加割合を上記特定の範囲
とすればよいことは、本願発明者により実験的に確かめ
られたものである。
【００１５】
【実施例の説明】以下、実施例を説明することにより、
本発明を明らかにする。まず、図１に示したＥＣＲスパ
ッタ装置を用い、ＺｎＯ薄膜の形成を行った。図１を参
照して、ＥＣＲスパッタ装置１は、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を図示の矢印方向に進行させる導波管２を有す
る。導波管２の先端側には、プラズマ室３が配置されて
いる。プラズマ室３のマイクロ波導入窓３ａから、上述
したマイクロ波が導入される。
本発明を明らかにする。まず、図１に示したＥＣＲスパ
ッタ装置を用い、ＺｎＯ薄膜の形成を行った。図１を参
照して、ＥＣＲスパッタ装置１は、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波を図示の矢印方向に進行させる導波管２を有す
る。導波管２の先端側には、プラズマ室３が配置されて
いる。プラズマ室３のマイクロ波導入窓３ａから、上述
したマイクロ波が導入される。
【００１６】プラズマ室３内には、導管４ａから、ガス
が導入される。このガスとしては、Ａｒを少なくとも含
有するガスが用いられる。Ａｒは、活性度が高く、容易
にイオン化され得るからである。
が導入される。このガスとしては、Ａｒを少なくとも含
有するガスが用いられる。Ａｒは、活性度が高く、容易
にイオン化され得るからである。
【００１７】また、プラズマ室３の周囲には、導管７に
より冷却水が循環されており、それによって、プラズマ
室３の温度上昇が防止されている。また、８は磁界を発
生するためのコイルを示す。コイル８の周囲にも、冷却
水が循環されている。
より冷却水が循環されており、それによって、プラズマ
室３の温度上昇が防止されている。また、８は磁界を発
生するためのコイルを示す。コイル８の周囲にも、冷却
水が循環されている。
【００１８】コイル８により磁界を印加する。このマイ
クロ波の周波数と磁界による電子の回転周期が一致する
と、プラズマ室３内で電子がサイクロトロン共鳴状態と
なり、マイクロ波のエネルギーを吸収し、加速する。加
速した電子は、導波管４ａから導入されたガス分子に衝
突し、イオン化し、高密度のプラズマを形成する。
クロ波の周波数と磁界による電子の回転周期が一致する
と、プラズマ室３内で電子がサイクロトロン共鳴状態と
なり、マイクロ波のエネルギーを吸収し、加速する。加
速した電子は、導波管４ａから導入されたガス分子に衝
突し、イオン化し、高密度のプラズマを形成する。
【００１９】他方、プラズマ室３の出口側には、プラズ
マ引出し窓３ｂが形成されている。プラズマ引出し窓３
ｂの外側にはターゲット１２が配置されており、アース
とターゲット１２との間にマイナスの電圧が印加されて
いる。従って、ガスイオンは、ターゲットの方に加速さ
れて衝突する。１１は、成膜室を示し、図示しない真空
ポンプなどの吸引手段により高真空度を有するように維
持されている。ターゲット１２の側面方向には、垂直方
向に基板１３が配置されている。
マ引出し窓３ｂが形成されている。プラズマ引出し窓３
ｂの外側にはターゲット１２が配置されており、アース
とターゲット１２との間にマイナスの電圧が印加されて
いる。従って、ガスイオンは、ターゲットの方に加速さ
れて衝突する。１１は、成膜室を示し、図示しない真空
ポンプなどの吸引手段により高真空度を有するように維
持されている。ターゲット１２の側面方向には、垂直方
向に基板１３が配置されている。
【００２０】右手方向に進行してきたイオンは、ターゲ
ット１２に衝突されて、ターゲット１２を構成している
材料が酸素と反応しながら基板１３方向に飛んでいき堆
積され、それによって基板１３上に薄膜が形成される。
ット１２に衝突されて、ターゲット１２を構成している
材料が酸素と反応しながら基板１３方向に飛んでいき堆
積され、それによって基板１３上に薄膜が形成される。
【００２１】よって、上記ターゲット１２として、Ｚｎ
Ｏ薄膜を構成するための材料を含むものを用いれば、基
板１３の上面に、ＺｎＯ薄膜を形成することができる。
すなわち、ターゲットをＺｎＯで構成したり、Ｚｎで構
成し、ガス中にＯ2 を含有させておくことにより、ガス
イオンとターゲット１２から叩き出されたＺｎとを反応
させることにより、基板１３の上面にＺｎＯ薄膜を形成
することができる。
Ｏ薄膜を構成するための材料を含むものを用いれば、基
板１３の上面に、ＺｎＯ薄膜を形成することができる。
すなわち、ターゲットをＺｎＯで構成したり、Ｚｎで構
成し、ガス中にＯ2 を含有させておくことにより、ガス
イオンとターゲット１２から叩き出されたＺｎとを反応
させることにより、基板１３の上面にＺｎＯ薄膜を形成
することができる。
【００２２】本実施例では、まず、ターゲットとしてＺ
ｎのみを含むＺｎ金属ターゲットを用い、Ａｒガス及び
Ｏ2 ガスをプラズマ室３あるいは成膜室１１に導入し、
ＺｎＯ薄膜を形成した。基板１３としては、ホウ珪酸ガ
ラスからなるものを用いた。また、Ｏ2 分圧比すなわち
Ｏ2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）を種々異ならせ、他の条件は下記
の表１に示すように設定し、種々のＺｎＯ薄膜を形成
し、そのＸ線回折強度を測定した。結果を図２に示す。
ｎのみを含むＺｎ金属ターゲットを用い、Ａｒガス及び
Ｏ2 ガスをプラズマ室３あるいは成膜室１１に導入し、
ＺｎＯ薄膜を形成した。基板１３としては、ホウ珪酸ガ
ラスからなるものを用いた。また、Ｏ2 分圧比すなわち
Ｏ2 ／（Ａｒ＋Ｏ2 ）を種々異ならせ、他の条件は下記
の表１に示すように設定し、種々のＺｎＯ薄膜を形成
し、そのＸ線回折強度を測定した。結果を図２に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】図２から明らかなように、Ｚｎ金属ターゲ
ットを用いた場合、ｃ軸配向性に相関するＸ線回折強度
は、Ｏ2 分圧比が５０〜６０％の場合に高められること
がわかる。
ットを用いた場合、ｃ軸配向性に相関するＸ線回折強度
は、Ｏ2 分圧比が５０〜６０％の場合に高められること
がわかる。
【００２５】他方、上記Ｏ2 分圧比の影響をふまえて、
下記の３種類のターゲットを用い、他の条件は表１に示
す場合と同様にし、さらにＯ2 分圧比を種々異ならせて
ＺｎＯ薄膜を形成した。
下記の３種類のターゲットを用い、他の条件は表１に示
す場合と同様にし、さらにＯ2 分圧比を種々異ならせて
ＺｎＯ薄膜を形成した。
【００２６】ターゲットＡ… Ｚｎ１００重量％に対
し、Ｎｉを５重量％含有させてなるもの。 ターゲットＢ… Ｚｎ１００重量％に対し、Ｃｕを５重
量％添加してなる組成のもの。
し、Ｎｉを５重量％含有させてなるもの。 ターゲットＢ… Ｚｎ１００重量％に対し、Ｃｕを５重
量％添加してなる組成のもの。
【００２７】ターゲットＣ… Ｚｎ金属ターゲット。 結果を図３に示す。図３から明らかなように、ｃ軸配向
性が高められるＯ2 分圧比５０〜６０％の範囲において
は、ターゲットＡ及びターゲットＢを用いることによ
り、ターゲットＣを用いた場合に比べて比抵抗ρを著し
く高める得ることがわかる。すなわち、ターゲットＡ及
びターゲットＢを用いた場合には、ｃ軸配向性を高め得
るだけでなく、比抵抗ρが著しく高められる。
性が高められるＯ2 分圧比５０〜６０％の範囲において
は、ターゲットＡ及びターゲットＢを用いることによ
り、ターゲットＣを用いた場合に比べて比抵抗ρを著し
く高める得ることがわかる。すなわち、ターゲットＡ及
びターゲットＢを用いた場合には、ｃ軸配向性を高め得
るだけでなく、比抵抗ρが著しく高められる。
【００２８】なお、図３から明らかなように、ターゲッ
トＣを用いた場合には、Ｏ2 分圧比が５０〜６０％の範
囲では、比抵抗ρは１０5 Ω・ｃｍ以下と非常に小さ
く、ＺｎＯ薄膜が圧電性を有しないことがわかる。
トＣを用いた場合には、Ｏ2 分圧比が５０〜６０％の範
囲では、比抵抗ρは１０5 Ω・ｃｍ以下と非常に小さ
く、ＺｎＯ薄膜が圧電性を有しないことがわかる。
【００２９】参考のために、図４〜図６に、それぞれ、
ターゲットＡ〜Ｃを用いた場合のＺｎＯ薄膜の結晶構造
の断面を透過型電子顕微鏡で撮影した状態を示す。Ｚｎ
金属よりなるターゲットＣを用いた場合には、図６から
明らかなようにＺｎＯ膜断面に柱状あるいは針状構造の
みられる膜であり、図４及び図５に示すように、Ｎｉや
Ｃｕを含有させたターゲットＡ，Ｂでは柱状や針状構造
のあまり見られない（特に図４では）ＺｎＯ膜断面が得
られていることがわかる。
ターゲットＡ〜Ｃを用いた場合のＺｎＯ薄膜の結晶構造
の断面を透過型電子顕微鏡で撮影した状態を示す。Ｚｎ
金属よりなるターゲットＣを用いた場合には、図６から
明らかなようにＺｎＯ膜断面に柱状あるいは針状構造の
みられる膜であり、図４及び図５に示すように、Ｎｉや
Ｃｕを含有させたターゲットＡ，Ｂでは柱状や針状構造
のあまり見られない（特に図４では）ＺｎＯ膜断面が得
られていることがわかる。
【００３０】また、上記ターゲットＡを用いて形成され
たＺｎＯ薄膜のＸ線回折強度を図７に実線Ａで、ターゲ
ットＣを用いて形成されたＺｎＯ薄膜のＸ線回折強度を
破線Ｃで示す。図７から明らかなように、Ｎｉを５重量
％添加してなるターゲットＡを用いた場合には、Ｚｎ金
属ターゲットを用いた場合に比べて、ｃ軸配向性がより
一層高められることがわかる。
たＺｎＯ薄膜のＸ線回折強度を図７に実線Ａで、ターゲ
ットＣを用いて形成されたＺｎＯ薄膜のＸ線回折強度を
破線Ｃで示す。図７から明らかなように、Ｎｉを５重量
％添加してなるターゲットＡを用いた場合には、Ｚｎ金
属ターゲットを用いた場合に比べて、ｃ軸配向性がより
一層高められることがわかる。
【００３１】次に、下記の表２に示すように、Ｚｎ１０
０重量％に対し、種々の割合（重量％）でＮｉ及びＣｕ
を添加してなるターゲットＤ〜Ｉを作製し、Ｏ2 分圧比
を６０％とし、他の条件は表１に示す通りとしてＺｎＯ
薄膜を形成した。また、各ＺｎＯ薄膜のｃ軸配向性及び
比抵抗ρを測定した。結果を表２に併せて示す。
０重量％に対し、種々の割合（重量％）でＮｉ及びＣｕ
を添加してなるターゲットＤ〜Ｉを作製し、Ｏ2 分圧比
を６０％とし、他の条件は表１に示す通りとしてＺｎＯ
薄膜を形成した。また、各ＺｎＯ薄膜のｃ軸配向性及び
比抵抗ρを測定した。結果を表２に併せて示す。
【００３２】なお、ｃ軸配向性の良否は、○…良（図２
のＸ軸回折強度相対値が１０5 以上）及び×…不良（図
２のＸ軸回折強度相対値が１０5 未満）で表した。
のＸ軸回折強度相対値が１０5 以上）及び×…不良（図
２のＸ軸回折強度相対値が１０5 未満）で表した。
【００３３】
【表２】
【００３４】その結果、表２に併せて示すように、Ｎｉ
及びＣｕの少なくとも一方を合計で０．５〜１０重量％
の範囲で添加されているターゲットＤ〜Ｅでは、ｃ軸配
向性及び比抵抗ρが十分に高くなるのに対し、Ｎｉまた
はＣｕの添加割合が０．５重量％未満または１０重量％
を超えるターゲットＦ，Ｇ，Ｈ，Ｉでは、ｃ軸配向性及
びρの何れをも高くすることはできないことがわかっ
た。
及びＣｕの少なくとも一方を合計で０．５〜１０重量％
の範囲で添加されているターゲットＤ〜Ｅでは、ｃ軸配
向性及び比抵抗ρが十分に高くなるのに対し、Ｎｉまた
はＣｕの添加割合が０．５重量％未満または１０重量％
を超えるターゲットＦ，Ｇ，Ｈ，Ｉでは、ｃ軸配向性及
びρの何れをも高くすることはできないことがわかっ
た。
【００３５】
【発明の効果】本発明では、ＥＣＲスパッタ装置におい
てＺｎＯ薄膜を形成するにあたり、ターゲットとしてＺ
ｎ１００重量％に対し、Ｃｕ及びＮｉを０．５〜１０重
量％の割合で添加してなる組成のものを用いるため、ｃ
軸配向性に優れかつ比抵抗ρが十分に高いＺｎＯ薄膜を
得ることができる。
てＺｎＯ薄膜を形成するにあたり、ターゲットとしてＺ
ｎ１００重量％に対し、Ｃｕ及びＮｉを０．５〜１０重
量％の割合で添加してなる組成のものを用いるため、ｃ
軸配向性に優れかつ比抵抗ρが十分に高いＺｎＯ薄膜を
得ることができる。
【００３６】よって、緻密であり、かつ表面波装置に用
いるのに適した優れた圧電性を示すＺｎＯ圧電薄膜を提
供することが可能となる。
いるのに適した優れた圧電性を示すＺｎＯ圧電薄膜を提
供することが可能となる。
【図１】ＥＣＲスパッタ装置を説明するための概略構成
図。
図。
【図２】Ｚｎターゲットを用いた場合のＯ2 分圧比とＸ
線回折強度との関係を示す図。
線回折強度との関係を示す図。
【図３】Ｏ2 分圧比と得られたＺｎＯ薄膜の比抵抗ρと
の関係を示す図。
の関係を示す図。
【図４】Ｎｉを添加するＺｎターゲット（ターゲット
Ａ）を用いて得られたＺｎＯ薄膜の結晶構造を示す図。
Ａ）を用いて得られたＺｎＯ薄膜の結晶構造を示す図。
【図５】Ｃｕを添加してなるＺｎターゲット（ターゲッ
トＢ）を用いて得られたＺｎＯ薄膜の結晶構造を示す
図。
トＢ）を用いて得られたＺｎＯ薄膜の結晶構造を示す
図。
【図６】Ｚｎ金属ターゲット（ターゲットＣ）を用いて
得られたＺｎＯ薄膜の結晶構造を示す図。
得られたＺｎＯ薄膜の結晶構造を示す図。
【図７】ターゲットＡ及びターゲットＣを用いて得られ
たＺｎＯ薄膜のＸ線回折強度を示す図。
たＺｎＯ薄膜のＸ線回折強度を示す図。
１…ＥＣＲスパッタ装置 ３…プラズマ室 １１…成膜室 １２…ターゲット １３…基板
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 3/08 7259−5Ｊ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＥＣＲスパッタ装置によりＺｎＯ薄膜を
形成する方法において、 ターゲットとして、Ｚｎを１００重量％に対し、Ｃｕ及
びＮｉの少なくとも１種を合計で０．５〜１０重量％の
範囲で添加してなる混合物よりなるターゲットを用いる
ことを特徴とする、ＺｎＯ薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28141493A JPH07135440A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | ＺｎＯ薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28141493A JPH07135440A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | ＺｎＯ薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135440A true JPH07135440A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17638831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28141493A Pending JPH07135440A (ja) | 1993-11-10 | 1993-11-10 | ＺｎＯ薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135440A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100343949B1 (ko) * | 2000-01-26 | 2002-07-24 | 한국과학기술연구원 | 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ＺｎＯ박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치 |
| GB2382460A (en) * | 2001-10-17 | 2003-05-28 | Murata Manufacturing Co | Forming a moisture-proof layer on a surface acoustic wave device |
| JP2013503469A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | インディアン インスティテュート オブ テクノロジー マドラス | ＬｉおよびＮｉ共ドープＺｎＯでの安定したｐ型半導体的挙動 |
| US8845867B2 (en) | 2008-12-09 | 2014-09-30 | Tdk Corporation | Method for manufacturing magnetoresistance effect element using simultaneous sputtering of Zn and ZnO |
| JP2017151408A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 株式会社タムロン | 赤外線透過膜、光学膜、反射防止膜、光学部品、光学系及び撮像装置 |
-
1993
- 1993-11-10 JP JP28141493A patent/JPH07135440A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100343949B1 (ko) * | 2000-01-26 | 2002-07-24 | 한국과학기술연구원 | 상온에서 작동하는 자외선 수광, 발광소자용 ＺｎＯ박막의 제조 방법 및 그를 위한 장치 |
| GB2382460A (en) * | 2001-10-17 | 2003-05-28 | Murata Manufacturing Co | Forming a moisture-proof layer on a surface acoustic wave device |
| GB2382460B (en) * | 2001-10-17 | 2004-01-07 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| US6831340B2 (en) | 2001-10-17 | 2004-12-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
| US8845867B2 (en) | 2008-12-09 | 2014-09-30 | Tdk Corporation | Method for manufacturing magnetoresistance effect element using simultaneous sputtering of Zn and ZnO |
| JP2013503469A (ja) * | 2009-08-26 | 2013-01-31 | インディアン インスティテュート オブ テクノロジー マドラス | ＬｉおよびＮｉ共ドープＺｎＯでの安定したｐ型半導体的挙動 |
| JP2017151408A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 株式会社タムロン | 赤外線透過膜、光学膜、反射防止膜、光学部品、光学系及び撮像装置 |
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