JPH07135076A

JPH07135076A - 高周波加熱装置

Info

Publication number: JPH07135076A
Application number: JP5283432A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Ishio; 嘉朗石尾; Kazuho Sakamoto; 和穂坂本; Shiro Takeshita; 志郎竹下; Daisuke Betsusou; 大介別荘; Haruo Suenaga; 治雄末永; Toyotsugu Matsukura; 豊継松倉; Yuji Nakabayashi; 裕治中林; Makoto Shibuya; 誠渋谷
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-11-12
Filing date: 1993-11-12
Publication date: 1995-05-23
Anticipated expiration: 2016-04-23
Also published as: JP3158816B2

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、半導体スイッチング素子を有する
インバータ電源を用いた高周波加熱装置に関するもの
で、半導体スイッチング素子の過電圧保護手段を提供す
るものである。【構成】インバータ電源６に半導体スイッチング素子
１１の電圧耐量よりも低く設定した電圧耐量を持つ強制
転流回路２５を設け、駆動電圧検知手段２７、または端
子電圧検知手段２９を設けた。半導体スイッチング素子
１１の端子間に過電圧が発生した場合、前記強制転流回
路が導通し、駆動電圧検知手段２７が検知し、インバー
タ電源６を停止又は一時停止させる。もしくは端子電圧
検知手段２９と基準電圧発生手段２８との比較でインバ
ータ電源６を停止又は一次停止させる構成とした。この
構成により必要最小限の電圧耐量を持つ半導体スイッチ
ング素子の利用を可能とし、しかも電圧破壊等を防止す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波加熱装置に関す
るものであり、特に共振型インバータ電源を用いた高周
波加熱装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来では、高周波加熱装置の電源装置
は、いわゆる鉄共振型トランスを用いたものが長い間用
いられていた。しかし近年、半導体技術の進歩により大
電力を扱う電力変換器が比較的低価格で実用に供され得
るようになり、２０ｋHz程度の共振型高周波インバータ
（電力変換器）を用いたものが実用化されている。

【０００３】図３に従来の共振型インバータを用いた高
周波加熱装置の回路図を示す。図３において、電源装置
１は商用電源２から電力を供給され、高周波加熱装置の
制御装置３より起動停止や電波出力の大きさ等に関する
指令を受けて動作する構成である。また、４、５はノイ
ズフィルターである。

【０００４】共振型インバータ６は、ダイオードブリッ
ジ７、インダクタ８、平滑コンデンサ９、共振コンデン
サ１０、半導体スイッチング素子である半導体スイッチ
ング素子１１、ダイオード１２、昇圧トランス１３、高
圧コンデンサ１４、高圧ダイオード１５、１６などより
なり、制御部１９により半導体スイッチング素子１１の
スイッチング周波数を制御して加熱手段としてのマグネ
トロン１７に所望の電力を供給する構成である。

【０００５】制御部１９は制御手段２０を有し、制御手
段２０は、抵抗器２１、２２により検出される半導体ス
イッチング素子１１のコレクタ電圧Ｖｃｅに同期して半
導体スイッチング素子１１の導通時間Ｔｏｎを調節す
る。また、その導通時間Ｔｏｎは、制御装置３からの設
定信号に基づき、入力電流検知手段２３あるいはアノー
ド電流検知手段２４からの信号が設定値になるよう負帰
還制御するものである。

【０００６】図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それ
ぞれ半導体スイッチング素子１１のコレクタ電圧Ｖｃ
ｅ、半導体スイッチング素子１１のコレクタ電流とダイ
オード１２の電流Ｉｃｄ、半導体スイッチング素子１１
のゲート駆動電圧Ｖｇである。図３のインバータ電源６
は、いわゆる電圧共振型インバータと呼ばれるものであ
り、平滑コンデンサ９の端子電圧Ｖｃｃに対して３〜５
倍程度のコレクタ電圧Ｖｃｅとなる。たとえば商用電源
２の電圧が１００Ｖである時、図４のコレクタ電圧Ｖｃ
ｅの値は、Ｖｃｃ＝１４０Ｖに対してＶ１＝６００Ｖに
も達する。また、半導体スイッチング素子１１のコレク
タ電流Ｉｃは、Ｉ１＝６０Ａ程度となる。制御手段２０
は、図４（ａ）における点Ｐのタイミングを検出し、Ｔ
ｄ時間後に所望の電波出力が得られるよう調節された導
通時間Ｔｏｎの駆動電圧Ｖｇを出力するよう制御するも
のである。

【０００７】このように共振型インバータは、半導体ス
イッチング素子１１のターンオン時は、コレクタ電圧Ｖ
ｃｅが零で、かつ、コレクタ電流Ｉｃが零から立ち上が
り、一方、ターンオフ時は、コレクタ電圧Ｖｃｅが共振
電圧波形となっている。このため半導体スイッチング素
子１１のスイッチング損失の著しい低減が可能となり、
１〜２ＫＷという大電力でありながら１個の半導体スイ
ッチング素子１１のみで変換することが可能であった。

【０００８】しかしながら、図４における時刻ｔ１で、
たとえばマグネトロン１７のアノードカソード間放電が
何等かの原因で生じた場合や雷サージ等による過電圧が
共振コンデンサ９の両端に生じるとＩｃの傾きが増大
し、かつＴｏｎは一定であるので、Ｉｃは同図（ｂ）の
Ｉ２のようにきわめて大きな値となる。そしてこの結
果、Ｖｃｅもきわめて高い値Ｖ２に達し、上記の具体例
の場合には１０００Ｖを越えてしまう場合も発生する。
このため、図３に示すように、バリスタ１８が共振コン
デンサ１０に並列に設けられ、Ｖ２が９００Ｖ程度に制
限されるよう構成されて実用に供されていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このような電源装置を
用いた高周波加熱装置に対して、高周波加熱装置全体を
よりコンパクト化し一層使い勝手が良く、かつ、安価で
高信頼性を得るために、電源装置のさらなる小型高密度
化、低コスト化の実現が強く望まれるようになってき
た。また、２００Ｖ商用電源用の電源装置も家庭におけ
る電力機器利用の増大と共に強く望まれるようになって
きた。

【００１０】しかしながら、このような電源装置の小型
高密度化や高耐圧化を進めていくためには、スイッチン
グ周波数の高周波化とスイッチング素子の高耐圧化が必
要不可欠であったが、とりわけ高耐圧性能を維持しつつ
高周波化を進めて行くことは半導体技術上困難度が高い
ものであり、しかも、高価格化せざるを得ないという欠
点があった。また、スイッチング周波数を高周波化する
とバリスタなどの過電圧保護手段の高周波損失が過大と
なり、実用上使用することが困難となり、電源装置の信
頼性の低下を引き起こすというものであった。

【００１１】本発明は、かかる従来の問題点を解消する
もので、電源装置を小型高密度化しても、耐圧性能に優
れた信頼性の高い高周波加熱装置を提供することを目的
とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために以下の構成より成るものである。すなわち、
商用電源または蓄電池よりの電力を高周波電力に変換す
る半導体スイッチング素子を有するインバータ電源と、
前記インバータ電源の出力を受けて被加熱物を加熱する
加熱手段と、前記半導体スイッチング素子の動作を制御
する制御手段とを有すると共に、前記半導体スイッチン
グ素子の端子間に過電圧が発生した場合に、強制転流さ
せ、前記半導体スイッチング素子を保護する回路構成を
前記インバータ電源に設けた構成のものである。また、
強制転流させる機能を有する前記半導体スイッチング素
子を前記インバータ電源に設けた構成のものである。

【００１３】また、半導体スイッチング素子の駆動電圧
を検知する駆動電圧検知手段と、前記駆動電圧検知手段
の検知信号と、前記半導体スイッチング素子の動作を制
御する制御手段の前記半導体スイッチング素子制御信号
とを比較し論理異常の有無を判定する論理異常制御部と
を設け、論理異常が発生した場合に、前記論理異常制御
部がインバータ電源の動作を完全停止、または一時停止
するよう構成したものである。

【００１４】さらに、前記半導体スイッチング素子の端
子間にかかる電圧を検知する端子電圧検知手段と、基準
電圧を発生させる基準電圧発生手段と、前記端子電圧検
知手段の出力信号と、前記基準電圧発生手段による基準
電圧信号とを比較し論理異常を判定する論理異常制御部
とを設け、論理異常が発生した場合、前記論理異常制御
部が前記インバータ電源の動作を完全停止、または一時
停止するよう構成したものである。

【００１５】そして、論理異常によるインバータ電源の
動作停止を計数する計数手段を設け、論理異常時による
前記インバータ電源の動作停止が所定の回数以下ならば
自動的に前記インバータ電源を再起動させると共に、所
定の回数以上再起動した場合は前記インバータ電源の再
起動を禁止する構成としたものである。

【００１６】さらに、論理異常表示部を設け、論理異常
によるインバータ電源の動作停止の情報を出力する論理
異常出力部の出力信号に基づきその情報を表示、あるい
は記憶する構成としたものである。

【００１７】

【作用】半導体スイッチング素子の駆動電圧検知手段の
検知信号と制御手段の前記半導体スイッチング素子制御
信号とを比較し論理異常を判定する論理異常制御部を設
け、前記半導体スイッチング素子の非導通信号発生時
に、前記半導体スイッチング素子の端子間に過電圧が発
生し、強制転流回路構成によって転流されることによっ
て前記駆動電圧検知信号が入力された場合、前記論理異
常制御部がインバータ電源の動作を完全停止、または一
時停止する構成により、半導体スイッチング素子の耐圧
破壊や信頼性低下が生じる前にインバータ電源の動作を
停止せしめるものである。そしてこれにより、必要最小
限度の電圧耐量の半導体スイッチ素子の利用を可能と
し、しかも電圧破壊等の不都合を確実に防止するもので
あり、半導体スイッチング素子の大幅な損失低減を可能
とするものである。

【００１８】また、半導体スイッチング素子の端子電圧
検知手段の検知信号と基準電圧発生手段による基準電圧
信号とを比較し論理異常を判定する論理異常制御部とを
設け、前記基準電圧発生手段による基準電圧信号より高
い前記端子電圧検知信号が入力された場合、前記論理異
常制御部がインバータ電源の動作を完全停止、及び一時
停止する構成により、半導体スイッチング素子の耐圧破
壊や、信頼性低下が生じる前にインバータ電源の動作を
停止するものである。そしてこれにより、必要最小限度
の電圧耐量の半導体スイッチング素子の利用を可能と
し、しかも電圧破壊等の不都合を確実に防止するもので
あり、半導体スイッチング素子の大幅な損失低減を可能
とするものである。

【００１９】さらに、計数手段を設け、インバータ電源
の動作停止回数を計数する構成とし、論理異常時による
前記インバータ電源の動作停止が所定の回数以下ならば
自動的に前記インバータ電源を再起動させると共に、所
定の回数以上再起動した場合は前記インバータ電源の再
起動を禁止する構成により、ノイズなどによる単発的な
半導体スイッチング素子の誤動作の場合などは、半導体
スイッチング素子を保護し、かつ、高周波加熱機器が停
止状態のままになって加熱作用を果たせなくなるという
不都合を回避すると共に、異常状態の発生頻度が高いと
きは再起動を停止して、半導体スイッチング素子等の破
壊が生じるのを防止するものである。

【００２０】そして、論理異常表示部を設け、論理異常
による動作停止時にその情報を出力する構成の論理異常
出力部の出力信号に基づく情報を表示、あるいは記憶す
る構成とすることにより、高周波加熱装置の故障状態の
原因判別がきわめて容易になり、故障サービス等におけ
る点検により、異常による停止状態の判別を可能とし、
より迅速で簡便化せしめるものである。

【００２１】

【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。

【００２２】図１は本発明の一実施例を示す高周波加熱
装置の回路図であり、図３と同符号のものは相当する構
成要素であり詳しい説明は省略する。

【００２３】図１において、制御部１９は、制御手段２
０と駆動電圧検知手段２７と基準電圧発生手段２８、端
子電圧検知手段２９、及び論理異常制御部３０等より構
成されている。この論理異常制御部３０は、制御手段２
０が半導体スイッチング素子１１を駆動する駆動信号
（Ｖｇ）と、駆動電圧検知手段２７により検知される半
導体スイッチング素子１１の駆動信号（Ｖｇ’）との論
理判定、もしくは基準電圧発生手段２８のある基準電圧
（Ｖｃ）と端子電圧検知手段２９により検知される電圧
信号（Ｖｃｃ）との論理判定を行なう論理異常判定部３
１と、この論理異常判定部３１の出力を受け、制御手段
２０を制御して半導体スイッチング素子１１への駆動信
号を停止させる異常停止部３２と、異常停止部３２によ
る制御手段２０への停止制御信号の発生回数を計数し所
定の計数後再起動禁止信号を異常停止部３２に与える計
数手段３３と、所定の回数計数した後の再起動禁止信号
等を受けて再起動禁止の状態であることを出力する論理
異常出力部３４とにより構成されている。

【００２４】この論理異常出力部３４の出力信号は、ノ
イズフィルタ３５を介して制御装置３に送られ、制御装
置３は、論理異常表示部３６により、論理異常のために
インバータ電源６の動作が停止していることを表示、あ
るいは記憶し使用者やサービスマンにその内容を容易に
伝達することができる構成となっている。

【００２５】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、
（ｅ）はそれぞれ、Ｖｃｅ、Ｉｃｄ、Ｖｇ、駆動電圧検
知回路２７により検知される検知信号Ｖｇ’、基準電圧
発生手段２８の基準電圧Ｖｃ、及び端子電圧検知手段２
９により検知される検知信号Ｖｃｃである。同図２にお
ける時刻ｔ１において、図１の商用電源２に雷等の印加
電圧が加わった場合や、加熱手段としてのマグネトロン
１７の高圧端子間放電などの事故が発生したとすると、
Ｉｃの増加速度は図２（ｂ）のようにそれまでより急激
に大きくなり、時刻ｔ２で通常の電流値Ｉ１より大きい
Ｉ２に達する。そして、図２（ａ）のＶｃｅも時刻ｔ３
で通常の電圧値Ｖ１より大きいＶ２に達する。しかし、
時刻ｔ４において半導体スイッチング素子１１の電圧耐
量より低く設定した電圧耐量Ｖ２の強制転流回路２５が
導通し、導通している時刻ｔ４〜ｔ５の間、半導体スイ
ッチング素子１１の電圧がクリップされ、抵抗２６に電
流が流れ端子間に電圧が発生し駆動電圧検知手段が働
き、図２（ｄ）に示す検知信号Ｖｇ’が出力され、論理
異常が起こる。もしくは、図２（ｅ）の端子電圧検知手
段２９の検知信号Ｖｃｃも時刻ｔ１から増加し始め、あ
らかじめ半導体スイッチング素子１１の電圧、電流耐量
を考慮して設定した基準電圧発生手段２８の基準電圧Ｖ
ｃを時刻ｔ６で超えてしまい論理異常が起こる。

【００２６】したがって、前述したように論理異常判定
部３１がこの論理異常を受け論理判定を行い、異常停止
部３２に信号を出力し、制御手段２０がこの異常停止部
３２よりの信号を受けて半導体スイッチング素子１１の
動作を停止し、次のサイクルの駆動電圧Ｖｇは発生させ
ない。このため、半導体スイッチング素子１１が過大な
電流および電圧下で動作しなければならない条件の発生
が防止される。Ｉ２の値は、定常動作では発生しない程
度の大きさで、かつ、十分小さい値となっている。

【００２７】したがって、Ｖｃｅの値Ｖ２も、定常値Ｖ
１に比べてさほど大きな値とはならない。このため半導
体スイッチング素子１１の電圧および電流耐量を従来に
比べて著しく小さいものにすることが可能となり、半導
体スイッチング素子１１の大幅な低損失化が可能となる
ので、従来、困難であった高周波動作化や２００Ｖ商用
電源適用化が半導体性能の飛躍的改善を必要とせずに実
現することができる。

【００２８】たとえば、従来１００Ｖ商用電源用に２０
ＫHz程度の周波数で動作していたインバータ電源に用い
ていた半導体スイッチング素子を、若干の半導体性能の
改善により、２００ＫHz程度まで高周波動作化すること
が可能となる。また、２００Ｖ商用電源用２０ＫHz動作
のインバータ電源についても同様に実現することが可能
である。これは、先に述べたように、本発明の適用によ
って高周波加熱装置用電力変換器として、安全で高信頼
性な動作を保証したので、半導体スイッチング素子１１
の電圧電流耐量を必要最小限度の値とすることができ、
このため半導体スイッチング素子１１のスイッチングス
ピードと飽和電圧の低減を比較的容易に実現し大幅なス
イッチング性能の向上を実現することが可能となったか
らである。

【００２９】なお、以上説明は半導体スイッチング素子
の端子間に過電圧が発生した場合、強制転流させる機能
を有する半導体スイッチング素子について述べたが、こ
れに限定されるものではなく、過電圧が発生した場合に
強制転流させ、前記半導体素子を保護する回路構成を前
記インバータ電源に設けた構成としてもよい。

【００３０】

【発明の効果】以上のように本発明の高周波加熱装置に
よれば、以下に挙げる効果を有するものである。すなわ
ち、強制転流させ、前記半導体スイッチング素子を保護
する回路構成または強制転流機能を有するデバイスを半
導体スイッチング素子に設けることによりスイッチング
周波数の高周波化による高周波損失が過小となり、また
強制転流デバイスと半導体スイッチング素子との１チッ
プ化が可能となり２０ＫＨｚあるいはそれ以上の高周波
動作に対しても配線の浮遊インピーダンスの影響などを
受けることなく転流性能を高精度に実現できる。

【００３１】また、半導体スイッチング素子の駆動電圧
検知手段と論理異常制御部とを設け、論理異常発生時に
論理異常制御部がインバータ電源の動作を完全停止、及
び一時停止する構成とすることにより、半導体スイッチ
ング素子の駆動電圧異常状態が容易に検知でき、半導体
スイッチング素子の破壊や信頼性低下が生じる前にイン
バータ電源の動作を停止せしめる事が可能となりきわめ
て高い信頼性と安全性を有する高周波加熱装置を実現す
ることができる。

【００３２】特に、上記の構成により、必要最小限度の
電圧耐量の半導体スイッチング素子の利用を可能とし、
しかも電圧破壊等の不都合を確実に防止するものであ
り、半導体スイッチング素子の大幅な損失低減を可能と
した高周波加熱装置を実現し、従来困難であった高周波
動作化による小型高密度化および低価格化を高い信頼性
と安全性を保証しつつ容易に実現することができる。ま
た、耐圧面の余裕度が拡大するので、高入力電圧（商用
電源など）用の高周波加熱装置をきわめて容易に実現
し、大電力高周波加熱機器の実現要望を満たすことがで
きる。

【００３３】また、半導体スイッチング素子の端子電圧
検知手段と論理異常制御部とを設け、論理異常発生時に
論理異常制御部がインバータ電源の動作を完全停止、及
び一時停止する構成とすることより、半導体スイッチン
グ素子にかかる端子電圧異常状態を容易に検知し、半導
体スイッチング素子にかかる過電圧による破壊が生じる
前にインバータ電源の動作を停止するものであり、きわ
めて高い信頼性と安全性とを有する高周波加熱装置を実
現することができる。特に、この構成により、必要最小
限度の電圧および電流耐量の半導体スイッチング素子の
利用を可能とし、しかも電圧破壊等の不都合を確実に防
止するものであり、半導体スイッチング素子の大幅な損
失低減を可能とした高周波加熱装置を実現し、従来困難
であった高周波動作化による小型高密度化および低価格
化を高い信頼性と安全性を保証しつつ容易に実現するこ
とができる。また、耐圧面の余裕度が拡大するので、高
入力電圧（商用電源など）用の高周波加熱装置をきわめ
て容易に実現し、大電力高周波加熱機器の実現要望を満
たすことができる。

【００３４】さらに、計数手段により、所定回数再起動
した後はインバータ電源の再起動を禁止する構成とした
ので、ノイズなどによる誤動作や完全に停止して修理を
することが必要でない事故などの場合は、半導体スイッ
チング素子の破壊は防止し、かつ、高周波加熱機器が停
止状態のままになって加熱作用を果たせなくなるという
不都合を回避すると共に、異常状態の発生頻度が高いと
きは再起動を停止して、半導体スイッチング素子等の破
壊などの重大故障に至るのを防止することができる、き
わめて使い勝手のよい高周波加熱装置を提供することが
できる。

【００３５】そして、論理異常表示部を設け、論理異常
によるインバータ電源の動作停止の情報を表示あるいは
記憶させることにより制御装置を介して検出したり、故
障サービス時における点検装置により点検したりするこ
とができるができる高周波加熱装置を実現し、使用者の
故障状態の原因判別がきわめて容易であり、故障サービ
ス等をより迅速で簡便化せしめた高周波加熱装置を提供
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の高周波加熱装置の回路図

【図２】図１に示される回路の動作を示す波形図

【図３】従来の高周波加熱装置の回路図

【図４】図３に示される回路の動作を示す波形図

【符号の説明】

２電源６インバータ電源１１半導体スイッチング素子１７加熱手段（マグネトロン）１９制御部２０制御手段２７駆動電圧検知手段２８基準電圧発生手段２９端子電圧検知手段３０論理異常制御部３３計数手段３４論理異常出力部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者別荘大介大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者末永治雄大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者松倉豊継大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者中林裕治大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者渋谷誠大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電源電力を高周波電力に変換する半導体ス
ッチング素子を有するインバータ電源と、前記インバー
タ電源の出力を受けて被加熱物を加熱する加熱手段と、
前記半導体スイッチング素子の動作を制御する制御手段
とを有すると共に、前記半導体スイッチング素子の端子
間に過電圧が発生した場合に、強制転流させ、前記半導
体スイッチング素子を保護する回路構成を前記インバー
タ電源に設けた構成の高周波加熱装置。
【請求項２】電源電力を高周波電力に変換する半導体ス
イッチング素子を有するインバータ電源と、前記インバ
ータ電源の出力を受けて被加熱物を加熱する加熱手段
と、前記半導体スイッチング素子の動作を制御する制御
手段とを有すると共に、前記半導体スイッチング素子の
端子間に過電圧が発生した場合に、強制転流させる機能
を有する前記半導体スイッチング素子を前記インバータ
電源に設けた構成の高周波加熱装置。
【請求項３】半導体スイッチング素子の駆動電圧を検知
する駆動電圧検知手段と、前記駆動電圧検知手段の検知
信号と、前記半導体スイッチング素子の動作を制御する
制御手段の前記半導体スイッチング素子制御信号とを比
較し論理異常の有無を判定する論理異常制御部とを設
け、論理異常発生時に、前記論理異常制御部がインバー
タ電源の動作を完全停止、及び一時停止するよう構成し
た請求項１または請求項２記載の高周波加熱装置。
【請求項４】半導体スイッチング素子の端子電圧を検知
する端子電圧検知手段と、基準電圧を発生させる基準電
圧発生手段と、前記端子電圧検知手段の出力信号と、前
記基準電圧発生手段による基準電圧信号とを比較し論理
異常を判定する論理異常制御部とを設け、論理異常が発
生した場合、前記論理異常制御部がインバータ電源の動
作を完全停止、または一時停止するよう構成した請求項
１または請求項２記載の高周波加熱装置。
【請求項５】論理異常によるインバータ電源の動作停止
を計数する計数手段を設け、論理異常時による前記イン
バータ電源の動作停止が所定の回数以下ならば自動的に
前記インバータ電源を再起動させると共に、所定の回数
以上再起動した場合は前記インバータ電源の再起動を禁
止する構成とした請求項３または請求項４記載の高周波
加熱装置。
【請求項６】論理異常表示部を設け、論理異常によるイ
ンバータ電源の動作停止の情報を出力する論理異常出力
部の出力信号に基づきその情報を表示、あるいは記憶す
る構成とした請求項３または請求項４記載の高周波加熱
装置。