JPH07131135A - プリント配線基板のイニシェータパターンの形成に水性インクを用いた製造方法 - Google Patents
プリント配線基板のイニシェータパターンの形成に水性インクを用いた製造方法Info
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- JPH07131135A JPH07131135A JP30102893A JP30102893A JPH07131135A JP H07131135 A JPH07131135 A JP H07131135A JP 30102893 A JP30102893 A JP 30102893A JP 30102893 A JP30102893 A JP 30102893A JP H07131135 A JPH07131135 A JP H07131135A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント配線板の導体パターンの高信頼性と
微細化を可能とすることを目的とする。 【構成】 プリント配線板のイニシェータパターンを、
水性インクを用いたインクジェットプリンタで描画す
る。プリンタから吐出させた、ドットがドット径25μ
m〜200μmで該ドット間隔がドット径の1/2〜1
/1にあることで構成される。
微細化を可能とすることを目的とする。 【構成】 プリント配線板のイニシェータパターンを、
水性インクを用いたインクジェットプリンタで描画す
る。プリンタから吐出させた、ドットがドット径25μ
m〜200μmで該ドット間隔がドット径の1/2〜1
/1にあることで構成される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線基板の製
造方法に係わり、特にアディテブ法における無電解めっ
き用イニシェータパターンの形成方法に関するものであ
る。
造方法に係わり、特にアディテブ法における無電解めっ
き用イニシェータパターンの形成方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来プリント配線基板の製造方法は、フ
ォトエッチング法とアディティブ法によってパターン形
成を行うことが一般的であつた。前者はホトレジストを
塗布した銅張り絶縁基板を、所定のパターンを形成した
フィルムでマスキングして露光することによって該銅張
り絶縁基板の上に該パターンと同じ形状のエッチングレ
ジストパターンを形成し、当該基板レジスト除去部の銅
箔をエッチング除去することによって所定の導体パター
ンを形成したものであり、後者はめっき処理によって所
定の導体パターンを形成するための核となるべきイニシ
ェータパターンをシルクスクリーン印刷法などによって
絶縁基板に印刷し、当該基板をめっき処理して所定の導
体パターンを堆積形成する方法であって、前者後者とも
処理工程が複雑で、特に高密度化する微細パターンにお
いてはマスクフィルムおよびシルクスクリーンが高価と
なり、該プリント配線基板の低コスト化を阻害するとい
う欠点があった。
ォトエッチング法とアディティブ法によってパターン形
成を行うことが一般的であつた。前者はホトレジストを
塗布した銅張り絶縁基板を、所定のパターンを形成した
フィルムでマスキングして露光することによって該銅張
り絶縁基板の上に該パターンと同じ形状のエッチングレ
ジストパターンを形成し、当該基板レジスト除去部の銅
箔をエッチング除去することによって所定の導体パター
ンを形成したものであり、後者はめっき処理によって所
定の導体パターンを形成するための核となるべきイニシ
ェータパターンをシルクスクリーン印刷法などによって
絶縁基板に印刷し、当該基板をめっき処理して所定の導
体パターンを堆積形成する方法であって、前者後者とも
処理工程が複雑で、特に高密度化する微細パターンにお
いてはマスクフィルムおよびシルクスクリーンが高価と
なり、該プリント配線基板の低コスト化を阻害するとい
う欠点があった。
【0003】前記問題に対しては、これまでに例えば特
開昭56−157091号公報、特開昭62−1814
90号公報に示されているように、インクジェット印刷
方式によりイニシェータパターンを絶縁基板上に作成
し、安価なプリント配線基板を製造する方法が提案され
ている。
開昭56−157091号公報、特開昭62−1814
90号公報に示されているように、インクジェット印刷
方式によりイニシェータパターンを絶縁基板上に作成
し、安価なプリント配線基板を製造する方法が提案され
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、前記従来の
インクジェット印刷方式によりイニシェータパターンを
形成するプリント配線基板の製造方法においては、当該
印刷法に用いられるインクが油性で、かつ、塩化パラジ
ウムなどの触媒の微粒子をインク中に分散させたもので
あった。したがい、前記インクジェツト印刷機に油性イ
ンクを用い、絶縁基板上に前記イニシェータパターンを
形成しようとすると、前記印刷機のインク吐出ノズルに
触媒の微粒子が堆積して目詰まりを起こし、安定した描
画に支障が生じたり、該絶縁基板上にインクが吐出され
たとしても、当該基板上で前記インクに凝集が生じ、粘
稠物あるいは固体として残る。つまり、絶縁基板上に無
電解めっきの定着に阻害となる粘稠物あるいは固体が残
留することで、均一な濃度のイニシェータパターンを形
成することが極めて困難となる。
インクジェット印刷方式によりイニシェータパターンを
形成するプリント配線基板の製造方法においては、当該
印刷法に用いられるインクが油性で、かつ、塩化パラジ
ウムなどの触媒の微粒子をインク中に分散させたもので
あった。したがい、前記インクジェツト印刷機に油性イ
ンクを用い、絶縁基板上に前記イニシェータパターンを
形成しようとすると、前記印刷機のインク吐出ノズルに
触媒の微粒子が堆積して目詰まりを起こし、安定した描
画に支障が生じたり、該絶縁基板上にインクが吐出され
たとしても、当該基板上で前記インクに凝集が生じ、粘
稠物あるいは固体として残る。つまり、絶縁基板上に無
電解めっきの定着に阻害となる粘稠物あるいは固体が残
留することで、均一な濃度のイニシェータパターンを形
成することが極めて困難となる。
【0005】この結果、不均一な濃度に形成されたイニ
シェータパターンへの無電解めっき処理によって形成さ
れる導体パターンは、絶縁基板との密着強度が低く、か
つ前記導体パターンの線幅にばらつきが生じやすく、該
プリント配線基板の信頼性と、導体パターンの微細化に
著しい障害となっている。
シェータパターンへの無電解めっき処理によって形成さ
れる導体パターンは、絶縁基板との密着強度が低く、か
つ前記導体パターンの線幅にばらつきが生じやすく、該
プリント配線基板の信頼性と、導体パターンの微細化に
著しい障害となっている。
【0006】そこで、本発明は上記課題に対処するため
になされたもので、その目的は、無電解めっき用のイニ
シェターパターンを均一な濃度に精度よく形成すること
で、導体パターンの信頼性と微細化を可能にするプリン
ト配線基板の製造方法を提供することにある。
になされたもので、その目的は、無電解めっき用のイニ
シェターパターンを均一な濃度に精度よく形成すること
で、導体パターンの信頼性と微細化を可能にするプリン
ト配線基板の製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に鋭意研究した結果、以下に述べるような、プリント配
線基板の製造方法に想達した。すなわち,本発明の要旨
は、 (1)ドットオンデマンド方式のインクジェット印刷に
よる無電解めっき用のイニシェータパターンの形成に、
可溶性のパラジウム塩と乾燥してのち粘稠物あるいは固
体が残らない水溶性のアルコール系の溶剤と水とからな
る水性インクを用いたことを特徴とするプリント配線基
板の製造方法。 (2)前記インクジェット印刷により形成される前記イ
ニシェータパターンが、ドット径が50μm〜200μ
mで、ドット間隔が該ドット径の1/2〜1/1である
ドットの集合で描画構成されることを特徴とするプリン
ト配線基板の製造方法。
に鋭意研究した結果、以下に述べるような、プリント配
線基板の製造方法に想達した。すなわち,本発明の要旨
は、 (1)ドットオンデマンド方式のインクジェット印刷に
よる無電解めっき用のイニシェータパターンの形成に、
可溶性のパラジウム塩と乾燥してのち粘稠物あるいは固
体が残らない水溶性のアルコール系の溶剤と水とからな
る水性インクを用いたことを特徴とするプリント配線基
板の製造方法。 (2)前記インクジェット印刷により形成される前記イ
ニシェータパターンが、ドット径が50μm〜200μ
mで、ドット間隔が該ドット径の1/2〜1/1である
ドットの集合で描画構成されることを特徴とするプリン
ト配線基板の製造方法。
【0008】また、本発明のプリント配線基板に用いる
絶縁基板としては、ガラスエポキシ、ガラストリアジ
ン、ガラスポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネートABS、ポリカーボネートポリアミ
ド、ポリフュニレンエーテルABS、ポリフュニレンエ
ーテルポリアミド等のポリマーアロイのうちから選ばれ
るいずれか一つからなることが好ましい。さらに、前記
(1)の水性インクを構成する触媒としては、アルカリ
イオンタイプのパラジウム溶液あるいは、塩化パラジウ
ム水溶液があり、また、該インクの溶剤としては、液状
かつ水溶性であるメタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、n−ブタノール、1−3ブタンジオー
ル、2−メチル2.4ペンタジオール、ジエチレングリ
コールのいずれか、及び、グリセリンからなるものであ
る。
絶縁基板としては、ガラスエポキシ、ガラストリアジ
ン、ガラスポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネートABS、ポリカーボネートポリアミ
ド、ポリフュニレンエーテルABS、ポリフュニレンエ
ーテルポリアミド等のポリマーアロイのうちから選ばれ
るいずれか一つからなることが好ましい。さらに、前記
(1)の水性インクを構成する触媒としては、アルカリ
イオンタイプのパラジウム溶液あるいは、塩化パラジウ
ム水溶液があり、また、該インクの溶剤としては、液状
かつ水溶性であるメタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール、n−ブタノール、1−3ブタンジオー
ル、2−メチル2.4ペンタジオール、ジエチレングリ
コールのいずれか、及び、グリセリンからなるものであ
る。
【0009】
【発明の作用・効果】上記のように構成した本発明にお
いては、インクジェット方式によるイニシェータパター
ンの形成に水性インクを用いることで、前記インクの乾
燥による粘稠物あるいは固体を残さなくすることがで
き、このため該インクの吐出ノズルに目詰りがなく、絶
縁基板上に安定したドットの吐出を可能とすことができ
る。加えて、該パターン上に無電解めっきの定着を阻害
する粘稠物あるいは固体といったものが残らないことか
ら当該基板上に形成されるイニシェータパターンの基板
との密着を良くすることができる。
いては、インクジェット方式によるイニシェータパター
ンの形成に水性インクを用いることで、前記インクの乾
燥による粘稠物あるいは固体を残さなくすることがで
き、このため該インクの吐出ノズルに目詰りがなく、絶
縁基板上に安定したドットの吐出を可能とすことができ
る。加えて、該パターン上に無電解めっきの定着を阻害
する粘稠物あるいは固体といったものが残らないことか
ら当該基板上に形成されるイニシェータパターンの基板
との密着を良くすることができる。
【0010】また、前記水性インクのドット径とドット
間隔を適切に制御することで、均一な濃度のイニシェー
タパターンを絶縁基板上に形成することができる。した
がい、前記イニシェータパターン上への無電解めっき処
理によって形成される導体パターンは、絶縁基板との密
着強度が高く、前記パターンの線幅精度をも向上させる
ことができるのである。以下に,本発明の実施例を図1
〜図4に基づき説明する。
間隔を適切に制御することで、均一な濃度のイニシェー
タパターンを絶縁基板上に形成することができる。した
がい、前記イニシェータパターン上への無電解めっき処
理によって形成される導体パターンは、絶縁基板との密
着強度が高く、前記パターンの線幅精度をも向上させる
ことができるのである。以下に,本発明の実施例を図1
〜図4に基づき説明する。
【0011】
【実施例】(実施例1) (1)表面をマット処理することで凹凸を設けたガラス
エポキシ樹脂からなる絶縁基板10を、水酸化ナトリウ
ム溶液に侵漬し、次いで硫酸溶液に侵漬することで、当
該基板10上への無電解銅めっきによる導体パターン1
1の定着性を阻害する油脂成分あるいは付着異物を除去
した。 (2)次に、前記絶縁基板10の表面に残留している溶
剤を、イオン交換水からなる水洗槽に侵漬・洗浄したの
ち、80℃の温度で15分間乾燥させイニシェータパタ
ーンの印刷に供する絶縁基板とした。 (3)前記(2)による絶縁基板10に、導体パターン
を形成するための核となるイニシェータパターンを描画
するため、水性インクを吐出させるドットオンデマンド
方式のインクジェットプリンタの固定ノズルと、互いに
直交するX軸方向とY軸方向に相対移動可能なテーブル
を具備してなる装置により、表1に示す組成の水性イン
クを用いドット径が100μm・ドット間隔が70μm
のドットの集合を印刷して、所望の線幅のイニシェータ
パターンを描画した。このとき、該パターンを描画した
ドットの集合は、図2に示す碁盤目状や図3に示す千鳥
状といった規則的な配列をしてなる。また、ドット径と
ドット間隔を線幅に応じて変化させ、前記パターンの微
細部に対応させた。 (4)次いで、前記(3)でイニシェータパターンを印
刷した基板を、80℃で10分間乾燥させ、図4(a)
に示す様に2価のパラジウムイオン2が完全な溶解状態
にあるインクジェットプリンタから吐出したドット径1
00μmのインク滴4を、本工程の乾燥により該インク
滴4中の溶剤3を完全に気散させ、図4(b)に示す様
に、当該絶縁基板上に2価のパラジウムイオン2が配列
してなるイニシェータパターンを形成した。 (5)前記(4)で乾燥させた当該基板をイオン交換水
により洗浄し、常法に従い前記2価のパラジウムイオン
を活性化処理する。 (6)次いで当該基板を無電解銅めっき浴(シップレイ
社製:キューポジット)に10時間浸漬し、前記イニシ
ェータパタン上に20μm厚さの銅めっきを堆積させ導
体パターンを形成(図4(c))した。
エポキシ樹脂からなる絶縁基板10を、水酸化ナトリウ
ム溶液に侵漬し、次いで硫酸溶液に侵漬することで、当
該基板10上への無電解銅めっきによる導体パターン1
1の定着性を阻害する油脂成分あるいは付着異物を除去
した。 (2)次に、前記絶縁基板10の表面に残留している溶
剤を、イオン交換水からなる水洗槽に侵漬・洗浄したの
ち、80℃の温度で15分間乾燥させイニシェータパタ
ーンの印刷に供する絶縁基板とした。 (3)前記(2)による絶縁基板10に、導体パターン
を形成するための核となるイニシェータパターンを描画
するため、水性インクを吐出させるドットオンデマンド
方式のインクジェットプリンタの固定ノズルと、互いに
直交するX軸方向とY軸方向に相対移動可能なテーブル
を具備してなる装置により、表1に示す組成の水性イン
クを用いドット径が100μm・ドット間隔が70μm
のドットの集合を印刷して、所望の線幅のイニシェータ
パターンを描画した。このとき、該パターンを描画した
ドットの集合は、図2に示す碁盤目状や図3に示す千鳥
状といった規則的な配列をしてなる。また、ドット径と
ドット間隔を線幅に応じて変化させ、前記パターンの微
細部に対応させた。 (4)次いで、前記(3)でイニシェータパターンを印
刷した基板を、80℃で10分間乾燥させ、図4(a)
に示す様に2価のパラジウムイオン2が完全な溶解状態
にあるインクジェットプリンタから吐出したドット径1
00μmのインク滴4を、本工程の乾燥により該インク
滴4中の溶剤3を完全に気散させ、図4(b)に示す様
に、当該絶縁基板上に2価のパラジウムイオン2が配列
してなるイニシェータパターンを形成した。 (5)前記(4)で乾燥させた当該基板をイオン交換水
により洗浄し、常法に従い前記2価のパラジウムイオン
を活性化処理する。 (6)次いで当該基板を無電解銅めっき浴(シップレイ
社製:キューポジット)に10時間浸漬し、前記イニシ
ェータパタン上に20μm厚さの銅めっきを堆積させ導
体パターンを形成(図4(c))した。
【0012】
【表1】
【0013】このようにして製造したプリント配線基板
の絶縁基板と無電解銅めっき膜との密着強度をJIS−
C−6481の方法で測定した。この結果、従来法によ
るピール強度が1.0kg/cmに対して本実施例によ
るピール強度は1.8kg/cmであった。
の絶縁基板と無電解銅めっき膜との密着強度をJIS−
C−6481の方法で測定した。この結果、従来法によ
るピール強度が1.0kg/cmに対して本実施例によ
るピール強度は1.8kg/cmであった。
【0014】(実施例2)ポリカーボネート−ポリアミ
ドからなるポリマーアロイ基板の表面のポリアミド微粒
子を溶剤(例えば、10wt%の塩酸)によりエッチン
グ除去した絶縁基板を、前述の実施例1による工程で製
造することで、同様の効果を得ることができた。
ドからなるポリマーアロイ基板の表面のポリアミド微粒
子を溶剤(例えば、10wt%の塩酸)によりエッチン
グ除去した絶縁基板を、前述の実施例1による工程で製
造することで、同様の効果を得ることができた。
【図1】本発明によるプリント配線基板に形成される導
体パターンの断面を説明するための概略図である。
体パターンの断面を説明するための概略図である。
【図2】本発明によるイニシェータパターンを形成する
水性インクによるドットの形成状態を説明するための図
である。
水性インクによるドットの形成状態を説明するための図
である。
【図3】図2と同様、水性インクによるドットの形成状
態を説明するための図である。
態を説明するための図である。
【図4】絶縁基板上に形成されたインク滴の断面を
(a)に示し、前記インク滴を乾燥させたときの状態を
(b)に、さらに、(b)上に無電解めっきを形成した
状態の図を示す。
(a)に示し、前記インク滴を乾燥させたときの状態を
(b)に、さらに、(b)上に無電解めっきを形成した
状態の図を示す。
10 絶縁基板 11 導体パターン 13 イニシェータパターン 4 水性インクによるドット 2 2価のパラジウムイオン 3 水性インクの溶剤 4 水性インク滴 5 活性パラジウム触媒 6 無電解銅めっき膜
Claims (3)
- 【請求項1】 プリント配線基板の製造工程において水
性インクを用いたドットオンデマンド方式のインクジェ
ット印刷機により、無電解めっき用のイニシェータパタ
ーンを絶縁基板上に作成することにおいて、前記イニシ
ェターパターンが、前記インクジェット印刷機により吐
出される水性インクのドットの集合から形成され、しか
るのち、前記イニシェータパターンへの無電解めっき処
理によって導体パターンが形成されることを特徴とする
プリント配線基板の製造方法。 - 【請求項2】 前記イニシェータパターンを構成する前
記水性インクのドット径が25μm〜200μmで、か
つ該ドット間隔がドット径の1/2〜1/1にあること
を特徴とする請求項1に記載する無電解めっき用イニシ
ェータパターンの形成方法。 - 【請求項3】 前記水性インクが、可溶性パラジウム塩
と水溶性の溶剤と水とからなり、前記水性インク中の2
価のパラジウムイオンの濃度が、0.1g/l〜3.0
g/lであり、前記水溶性の溶剤が自然乾燥あるいは加
熱乾燥してのち、粘稠物あるいは個体として残らないア
ルコール系の溶剤であることを特徴とする請求項1およ
び請求項2に記載するプリント配線基板の無電解めっき
用イニシェータパターンの形成に用いる水性インク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30102893A JPH07131135A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | プリント配線基板のイニシェータパターンの形成に水性インクを用いた製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30102893A JPH07131135A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | プリント配線基板のイニシェータパターンの形成に水性インクを用いた製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07131135A true JPH07131135A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17891983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30102893A Pending JPH07131135A (ja) | 1993-11-05 | 1993-11-05 | プリント配線基板のイニシェータパターンの形成に水性インクを用いた製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07131135A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004353027A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Taiyo Ink Mfg Ltd | 無電解めっきパターン形成用組成物、無電解めっきパターン及びその形成方法 |
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WO2010067696A1 (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | コニカミノルタIj株式会社 | 金属パターン形成用インク及び金属パターン |
JP2010171045A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | インクジェットインク及び金属パターン形成方法 |
EP2227075A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-08 | Konica Minolta IJ Technologies, Inc. | Forming method of metallic pattern and metallic pattern |
JP2011198890A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | 金属パターン形成方法及びそれを用いて形成された金属パターン |
JP2011222797A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | 触媒パターン製造方法および金属パターン製造方法 |
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-
1993
- 1993-11-05 JP JP30102893A patent/JPH07131135A/ja active Pending
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