JPH07131102A - Ｑスイッチレーザ発振装置 - Google Patents
Ｑスイッチレーザ発振装置Info
- Publication number
- JPH07131102A JPH07131102A JP27247793A JP27247793A JPH07131102A JP H07131102 A JPH07131102 A JP H07131102A JP 27247793 A JP27247793 A JP 27247793A JP 27247793 A JP27247793 A JP 27247793A JP H07131102 A JPH07131102 A JP H07131102A
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- JP
- Japan
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- laser
- switch
- passive
- switch element
- pulse laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、Ｑスイッチ素子を交換することなく
パルスレーザ出力を変更する。 【構成】レーザ共振器ミラー(10,11) 間に、平行でない
２平面を有する形状の受動Ｑスイッチ素子(13)を配置
し、これをレーザ共振器光路に対して交わる方向に移動
させると、受動Ｑスイッチ素子(13)を透過するレーザ光
の透過距離及びそのエネルギーの減衰量が変化してＯ．
Ｄが変化する。これにより、パルスレーザ出力レベルが
変化する。
パルスレーザ出力を変更する。 【構成】レーザ共振器ミラー(10,11) 間に、平行でない
２平面を有する形状の受動Ｑスイッチ素子(13)を配置
し、これをレーザ共振器光路に対して交わる方向に移動
させると、受動Ｑスイッチ素子(13)を透過するレーザ光
の透過距離及びそのエネルギーの減衰量が変化してＯ．
Ｄが変化する。これにより、パルスレーザ出力レベルが
変化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、尖頭値の高いパルスレ
ーザを出力するＱスイッチレーザ発振装置に関する。
ーザを出力するＱスイッチレーザ発振装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｑスイッチレーザ発振装置としては、シ
ート状の色素含浸ポリマーを用いたＮｄ：ＹＡＧレーザ
が良く知られている。又、近年、Ｃｒ4+：ＹＡＧを板状
に形成した受動Ｑスイッチを用いたＱスイッチＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザが知られている。図３はかかるＱスイッチレ
ーザ発振装置の構成図である。
ート状の色素含浸ポリマーを用いたＮｄ：ＹＡＧレーザ
が良く知られている。又、近年、Ｃｒ4+：ＹＡＧを板状
に形成した受動Ｑスイッチを用いたＱスイッチＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザが知られている。図３はかかるＱスイッチレ
ーザ発振装置の構成図である。
【０００３】レーザ共振器ミラー１、２内には、レーザ
ヘッド３が配置されている。このレーザヘッド３には、
Ｎｄ：ＹＡＧレーザロッドが収納されている。そして、
レーザ共振器ミラー１、２の光路上には、Ｃｒ4+：ＹＡ
Ｇを板状に形成した受動Ｑスイッチ素子４が配置されて
いる。
ヘッド３が配置されている。このレーザヘッド３には、
Ｎｄ：ＹＡＧレーザロッドが収納されている。そして、
レーザ共振器ミラー１、２の光路上には、Ｃｒ4+：ＹＡ
Ｇを板状に形成した受動Ｑスイッチ素子４が配置されて
いる。
【０００４】かかる構成であれば、レーザヘッド３のＮ
ｄ：ＹＡＧレーザロッドが励起されると、レーザ共振器
ミラー１、２間で光共振が起ころうとするが、このとき
受動Ｑスイッチ素子４は閉じいてるので、光共振は起こ
らずそのエネルギーは蓄積される。
ｄ：ＹＡＧレーザロッドが励起されると、レーザ共振器
ミラー１、２間で光共振が起ころうとするが、このとき
受動Ｑスイッチ素子４は閉じいてるので、光共振は起こ
らずそのエネルギーは蓄積される。
【０００５】このようにエネルギーが蓄積されてそのエ
ネルギー量が所定値に達すると、受動Ｑスイッチ素子４
は自動的にスイッチング動作し、尖頭値の高いパルスレ
ーザ（ジャイアントパルス）が出力される。
ネルギー量が所定値に達すると、受動Ｑスイッチ素子４
は自動的にスイッチング動作し、尖頭値の高いパルスレ
ーザ（ジャイアントパルス）が出力される。
【０００６】しかしながら、受動Ｑスイッチ素子４は、
その材料として過飽和色素等を用いているので、その動
作は強力な螢光を受けて過飽和ブリーチを起してＱスイ
ッチ動作を行うものとなっている。Ｃｒ4+：ＹＡＧを用
いたものも同様である。
その材料として過飽和色素等を用いているので、その動
作は強力な螢光を受けて過飽和ブリーチを起してＱスイ
ッチ動作を行うものとなっている。Ｃｒ4+：ＹＡＧを用
いたものも同様である。
【０００７】そして、Ｑスイッチレーザ発振装置に組み
込む場合には、そのレーザ発振装置の出力レベルに応じ
たＯ．Ｄ（optical density ：光学濃度）を持った受動
Ｑスイッチ素子４を用いなければならない。すなわち、
出力レベルは、励起ランプへの入力を変更するだけでな
く適正なＯ．Ｄ．を持ったＱスイッチを用いなければな
らない。これを用いなければ、適正なＱスイッチングが
起こらない。
込む場合には、そのレーザ発振装置の出力レベルに応じ
たＯ．Ｄ（optical density ：光学濃度）を持った受動
Ｑスイッチ素子４を用いなければならない。すなわち、
出力レベルは、励起ランプへの入力を変更するだけでな
く適正なＯ．Ｄ．を持ったＱスイッチを用いなければな
らない。これを用いなければ、適正なＱスイッチングが
起こらない。
【０００８】従って、このような受動Ｑスイッチ素子４
を用いたＱスイッチレーザ発振装置では、その出力レベ
ルを変更することが困難である。このため、Ｑスイッチ
パルスレーザの出力レベルを変更するには、異なるＯ．
Ｄを持った受動Ｑスイッチ素子４に交換しなければなら
ない。
を用いたＱスイッチレーザ発振装置では、その出力レベ
ルを変更することが困難である。このため、Ｑスイッチ
パルスレーザの出力レベルを変更するには、異なるＯ．
Ｄを持った受動Ｑスイッチ素子４に交換しなければなら
ない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】以上のように受動Ｑス
イッチ素子４を用いたＱスイッチレーザ発振装置では、
その出力レベルを変更することが困難である。そこで本
発明は、Ｑスイッチ素子を交換することなくパルスレー
ザ出力を変更できるＱスイッチレーザ発振装置を提供す
ることを目的とする。
イッチ素子４を用いたＱスイッチレーザ発振装置では、
その出力レベルを変更することが困難である。そこで本
発明は、Ｑスイッチ素子を交換することなくパルスレー
ザ出力を変更できるＱスイッチレーザ発振装置を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、レー
ザ共振器内にＱスイッチ素子を配置したＱスイッチレー
ザ発振装置において、Ｑスイッチ素子は、平行でない２
平面を有する形状に形成され、かつレーザ共振器光路に
対して交わる方向に移動自在に配置されるようにして上
記目的を達成しようとするＱスイッチレーザ発振装置で
ある。
ザ共振器内にＱスイッチ素子を配置したＱスイッチレー
ザ発振装置において、Ｑスイッチ素子は、平行でない２
平面を有する形状に形成され、かつレーザ共振器光路に
対して交わる方向に移動自在に配置されるようにして上
記目的を達成しようとするＱスイッチレーザ発振装置で
ある。
【００１１】
【作用】請求項１によれば、平行でない２平面を有する
形状のＱスイッチ素子を、レーザ共振器光路に対して交
わる方向に移動させると、Ｑスイッチ素子を透過する光
路の距離が変わるとＯ．Ｄが変化する。これにより、Ｑ
スイッチパルスレーザの出力レベルが変化する。
形状のＱスイッチ素子を、レーザ共振器光路に対して交
わる方向に移動させると、Ｑスイッチ素子を透過する光
路の距離が変わるとＯ．Ｄが変化する。これにより、Ｑ
スイッチパルスレーザの出力レベルが変化する。
【００１２】
【実施例】(1) 以下、本発明の第１の実施例について図
面を参照して説明する。図１はＱスイッチレーザ発振装
置の構成図である。レーザ共振器ミラー１０、１１の間
には、レーザヘッド１２が配置されている。このレーザ
ヘッド１２には、レーザ利得媒質としてＮｄ3+ＹＡＧレ
ーザロッドが収納されている。
面を参照して説明する。図１はＱスイッチレーザ発振装
置の構成図である。レーザ共振器ミラー１０、１１の間
には、レーザヘッド１２が配置されている。このレーザ
ヘッド１２には、レーザ利得媒質としてＮｄ3+ＹＡＧレ
ーザロッドが収納されている。
【００１３】又、レーザ共振器ミラー１０、１１の間に
は、受動Ｑスイッチ素子１３が配置されている。この受
動Ｑスイッチ素子１３は、Ｃｒ4+：ＹＡＧを用いたもの
で、互いに平行でない２平面を有するテーパ状の形状、
光学的にはブリュースタプリズム形状に形成されてい
る。具体的にその断面形状は、二等辺三角形である。
は、受動Ｑスイッチ素子１３が配置されている。この受
動Ｑスイッチ素子１３は、Ｃｒ4+：ＹＡＧを用いたもの
で、互いに平行でない２平面を有するテーパ状の形状、
光学的にはブリュースタプリズム形状に形成されてい
る。具体的にその断面形状は、二等辺三角形である。
【００１４】この受動Ｑスイッチ素子１３は、頂角１３
ａを先頭とする方向（イ）、及びその逆方向（ロ）に対
して移動自在に配置されている。なお、これら移動方向
（イ）（ロ）は受動Ｑスイッチ素子１３の底面に対して
垂直方向であり、この受動Ｑスイッチ素子１３の移動に
対し、レーザ共振器ミラー１０、１１間での光路が変更
することはない。すなわち、受動Ｑスイッチ素子１３の
移動に対して光路のアライメントの必要はない。
ａを先頭とする方向（イ）、及びその逆方向（ロ）に対
して移動自在に配置されている。なお、これら移動方向
（イ）（ロ）は受動Ｑスイッチ素子１３の底面に対して
垂直方向であり、この受動Ｑスイッチ素子１３の移動に
対し、レーザ共振器ミラー１０、１１間での光路が変更
することはない。すなわち、受動Ｑスイッチ素子１３の
移動に対して光路のアライメントの必要はない。
【００１５】このような受動Ｑスイッチ素子１３の移動
は、受動Ｑスイッチ素子１３を透過する距離及びエネル
ギーの減衰量を変化、つまりＯ．Ｄを変化させるものと
なる。
は、受動Ｑスイッチ素子１３を透過する距離及びエネル
ギーの減衰量を変化、つまりＯ．Ｄを変化させるものと
なる。
【００１６】この場合、受動Ｑスイッチ素子１３の方向
（イ）への移動は、透過距離を長くしてＯ．Ｄを大きく
する、これにより、レーザ発振開始に必要なＱスイッチ
への光子量が大きくなり、蓄積量が大きくなり、出力レ
ベルは大きくなる。
（イ）への移動は、透過距離を長くしてＯ．Ｄを大きく
する、これにより、レーザ発振開始に必要なＱスイッチ
への光子量が大きくなり、蓄積量が大きくなり、出力レ
ベルは大きくなる。
【００１７】又、受動Ｑスイッチ素子１３の方向（ロ）
への移動は、透過距離を短くしてＯ．Ｄを小さくする、
つまりＱスイッチパルスレーザの出力レベルを低くする
方向である。同時に、これらのＯ．Ｄ．に対して、適正
な励起量（励起ランプへの電気入力）が制御される。
への移動は、透過距離を短くしてＯ．Ｄを小さくする、
つまりＱスイッチパルスレーザの出力レベルを低くする
方向である。同時に、これらのＯ．Ｄ．に対して、適正
な励起量（励起ランプへの電気入力）が制御される。
【００１８】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。１００ｍＪのＱスイッチパルスレーザを
得る場合、受動Ｑスイッチ素子１３は、方向（イ）又は
（ロ）に移動調整し、Ｏ．Ｄ（＝０．４）となる透過距
離になるように配置する。
いて説明する。１００ｍＪのＱスイッチパルスレーザを
得る場合、受動Ｑスイッチ素子１３は、方向（イ）又は
（ロ）に移動調整し、Ｏ．Ｄ（＝０．４）となる透過距
離になるように配置する。
【００１９】この状態に、レーザヘッド１２のＮｄ3+：
ＹＡＧレーザロッドが励起されると、レーザロッドから
光子が発生し、このとき閉じている受動Ｑスイッチ素子
１３の作用により、光共振は阻止され、エネルギーは蓄
積される。
ＹＡＧレーザロッドが励起されると、レーザロッドから
光子が発生し、このとき閉じている受動Ｑスイッチ素子
１３の作用により、光共振は阻止され、エネルギーは蓄
積される。
【００２０】レーザロッドからの光子のエネルギー量が
所定値に達すると、受動Ｑスイッチ素子１３は自動的に
スイッチング動作し、すなわちリブリーチングされ、尖
頭値の高いエネルギー１００ｍＪのパルスレーザが出力
される。
所定値に達すると、受動Ｑスイッチ素子１３は自動的に
スイッチング動作し、すなわちリブリーチングされ、尖
頭値の高いエネルギー１００ｍＪのパルスレーザが出力
される。
【００２１】次にＱスイッチパルスレーザの出力レベル
を変更する場合は、受動Ｑスイッチ素子１３をその出力
レベルに応じて方向（イ）又は（ロ）に移動調整する。
この場合、Ｑスイッチパルスレーザの出力レベルを高く
するには、受動Ｑスイッチ素子１３を方向（イ）に移動
して透過距離を長くしＯ．Ｄを大きくする。又、励起量
を大きくする。
を変更する場合は、受動Ｑスイッチ素子１３をその出力
レベルに応じて方向（イ）又は（ロ）に移動調整する。
この場合、Ｑスイッチパルスレーザの出力レベルを高く
するには、受動Ｑスイッチ素子１３を方向（イ）に移動
して透過距離を長くしＯ．Ｄを大きくする。又、励起量
を大きくする。
【００２２】又、Ｑスイッチパルスレーザの出力レベル
を低くするには、受動Ｑスイッチ素子１３を方向（ロ）
に移動して透過距離を短くしＯ．Ｄを小さくする。それ
に合わせて励起量を小さくする。
を低くするには、受動Ｑスイッチ素子１３を方向（ロ）
に移動して透過距離を短くしＯ．Ｄを小さくする。それ
に合わせて励起量を小さくする。
【００２３】このように上記第１の実施例においては、
受動Ｑスイッチ素子１３を、平行でない２平面を有する
形状に形成し、これをレーザ共振器光路に対して交わる
方向に移動自在に配置したので、受動Ｑスイッチ素子１
３の移動でＯ．Ｄを変えることができ、受動Ｑスイッチ
素子１３を交換することなくＱスイッチパルスレーザの
出力レベルを変更できる。そのうえ、入力レベルを変更
してこの出力レベルを変更しても、適正なＯ．Ｄ．を維
持できるので安定したＱスイッチパルスレーザとして得
ることができる。 (2) 次に本発明の第２の実施例について説明する。な
お、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい説
明は省略する。
受動Ｑスイッチ素子１３を、平行でない２平面を有する
形状に形成し、これをレーザ共振器光路に対して交わる
方向に移動自在に配置したので、受動Ｑスイッチ素子１
３の移動でＯ．Ｄを変えることができ、受動Ｑスイッチ
素子１３を交換することなくＱスイッチパルスレーザの
出力レベルを変更できる。そのうえ、入力レベルを変更
してこの出力レベルを変更しても、適正なＯ．Ｄ．を維
持できるので安定したＱスイッチパルスレーザとして得
ることができる。 (2) 次に本発明の第２の実施例について説明する。な
お、図１と同一部分には同一符号を付してその詳しい説
明は省略する。
【００２４】図２はＱスイッチレーザ発振装置の構成図
である。レーザ共振器ミラー１０、１１の間には、２つ
の受動Ｑスイッチ素子１４、１５が配置されている。こ
れら受動Ｑスイッチ素子１４、１５は、上記同様にＣｒ
4+：ＹＡＧを用いたもので、互いに平行でない２平面を
有するテーパ状の形状、光学的にはブリュースタプリズ
ム形状に形成されている。具体的にその断面形状は、二
等辺三角形である。
である。レーザ共振器ミラー１０、１１の間には、２つ
の受動Ｑスイッチ素子１４、１５が配置されている。こ
れら受動Ｑスイッチ素子１４、１５は、上記同様にＣｒ
4+：ＹＡＧを用いたもので、互いに平行でない２平面を
有するテーパ状の形状、光学的にはブリュースタプリズ
ム形状に形成されている。具体的にその断面形状は、二
等辺三角形である。
【００２５】このうち受動Ｑスイッチ素子１５は、頂角
１５ａを先頭とする方向（ハ）、及びその逆方向（ニ）
に対して移動自在に配置されている。なお、これら移動
方向（ハ）（ニ）は受動Ｑスイッチ素子１５の底面に対
して垂直方向であり、この受動Ｑスイッチ素子１５の移
動に対し、レーザ共振器ミラー１０、１１間での光路が
変更することはない。
１５ａを先頭とする方向（ハ）、及びその逆方向（ニ）
に対して移動自在に配置されている。なお、これら移動
方向（ハ）（ニ）は受動Ｑスイッチ素子１５の底面に対
して垂直方向であり、この受動Ｑスイッチ素子１５の移
動に対し、レーザ共振器ミラー１０、１１間での光路が
変更することはない。
【００２６】このような受動Ｑスイッチ素子１５の移動
は、Ｏ．Ｄを変化させるもので、方向（ハ）への移動
は、透過距離を長くしてＯ．Ｄを大きくする、つまりＱ
スイッチパルスレーザの出力レベルを高くする方向であ
る。
は、Ｏ．Ｄを変化させるもので、方向（ハ）への移動
は、透過距離を長くしてＯ．Ｄを大きくする、つまりＱ
スイッチパルスレーザの出力レベルを高くする方向であ
る。
【００２７】又、受動Ｑスイッチ素子１５の方向（ニ）
への移動は、透過距離を短くしてＯ．Ｄを小さくする、
つまりＱスイッチパルスレーザの出力レベルを低くする
方向である。
への移動は、透過距離を短くしてＯ．Ｄを小さくする、
つまりＱスイッチパルスレーザの出力レベルを低くする
方向である。
【００２８】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。所望エネルギーのＱスイッチパルスレー
ザを得る場合、受動Ｑスイッチ素子１５は、方向（イ）
又は（ロ）に移動調整される。
いて説明する。所望エネルギーのＱスイッチパルスレー
ザを得る場合、受動Ｑスイッチ素子１５は、方向（イ）
又は（ロ）に移動調整される。
【００２９】この状態に、レーザヘッド１２のＮｄ3+Ｙ
ＡＧレーザロッドが励起されると、Ｑスイッチによりエ
ネルギーが蓄積され、そのエネルギー量が所定値に達す
ると、受動Ｑスイッチ素子１４、１５は自動的にスイッ
チング動作し、尖頭値の高いエネルギーのＱスイッチパ
ルスレーザが出力される。
ＡＧレーザロッドが励起されると、Ｑスイッチによりエ
ネルギーが蓄積され、そのエネルギー量が所定値に達す
ると、受動Ｑスイッチ素子１４、１５は自動的にスイッ
チング動作し、尖頭値の高いエネルギーのＱスイッチパ
ルスレーザが出力される。
【００３０】次にＱスイッチパルスレーザの出力レベル
を変更する場合は、受動Ｑスイッチ素子１５をその出力
レベルに応じて方向（ハ）又は（ニ）に移動調整する。
この場合、Ｑスイッチパルスレーザ出力を高レベルにす
るには、受動Ｑスイッチ素子１５を方向（ハ）に移動
し、逆にＱスイッチパルスレーザ出力を低レベルにする
には、受動Ｑスイッチ素子１５を方向（ニ）に移動す
る。
を変更する場合は、受動Ｑスイッチ素子１５をその出力
レベルに応じて方向（ハ）又は（ニ）に移動調整する。
この場合、Ｑスイッチパルスレーザ出力を高レベルにす
るには、受動Ｑスイッチ素子１５を方向（ハ）に移動
し、逆にＱスイッチパルスレーザ出力を低レベルにする
には、受動Ｑスイッチ素子１５を方向（ニ）に移動す
る。
【００３１】このように上記第２の実施例においては、
レーザ共振器ミラー１０、１１間に２つの受動Ｑスイッ
チ素子１４、１５を配置し、このうち受動Ｑスイッチ素
子１５を移動自在に構成したので、上記第１の実施例と
同様の効果を奏することができると共にレーザ共振器ミ
ラー１４、１５を一直線上に配置できる。
レーザ共振器ミラー１０、１１間に２つの受動Ｑスイッ
チ素子１４、１５を配置し、このうち受動Ｑスイッチ素
子１５を移動自在に構成したので、上記第１の実施例と
同様の効果を奏することができると共にレーザ共振器ミ
ラー１４、１５を一直線上に配置できる。
【００３２】なお、本発明は、上記各実施例に限定され
るものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してよ
い。例えば、受動Ｑスイッチ素子は、レーザ光が互いに
平行でない２平面を透過するように配置すればよく、断
面形状が二等辺三角形に限ることはない。又、受動Ｑス
イッチ素子をレーザ共振器ミラー間に複数配置し、少な
くとも１つの受動Ｑスイッチ素子を移動するように構成
してもよい。
るものでなくその要旨を変更しない範囲で変形してよ
い。例えば、受動Ｑスイッチ素子は、レーザ光が互いに
平行でない２平面を透過するように配置すればよく、断
面形状が二等辺三角形に限ることはない。又、受動Ｑス
イッチ素子をレーザ共振器ミラー間に複数配置し、少な
くとも１つの受動Ｑスイッチ素子を移動するように構成
してもよい。
【００３３】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、Ｑ
スイッチ素子を交換することなくパルスレーザ出力を変
更できるＱスイッチレーザ発振装置を提供できる。
スイッチ素子を交換することなくパルスレーザ出力を変
更できるＱスイッチレーザ発振装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わるＱスイッチレーザ発振装置の第
１の実施例を示す構成図。
１の実施例を示す構成図。
【図２】本発明に係わるＱスイッチレーザ発振装置の第
２の実施例を示す構成図。
２の実施例を示す構成図。
【図３】従来装置の構成図。
１０，１１…レーザ共振器ミラー、１２…レーザヘッ
ド、１３，１４，１５…受動Ｑスイッチ素子。
ド、１３，１４，１５…受動Ｑスイッチ素子。
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ共振器内にＱスイッチ素子を配置
したＱスイッチレーザ発振装置において、 前記Ｑスイッチ素子は、平行でない２平面を有する形状
に形成され、かつ前記レーザ共振器光路に対して交わる
方向に移動自在に配置されることを特徴とするＱスイッ
チレーザ発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27247793A JPH07131102A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Ｑスイッチレーザ発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27247793A JPH07131102A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Ｑスイッチレーザ発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131102A true JPH07131102A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17514476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27247793A Pending JPH07131102A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Ｑスイッチレーザ発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131102A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082421A2 (en) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Raytheon Company | Variable path length passive q switch |
| JP2003332657A (ja) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | Megaopto Co Ltd | レーザーシステム |
| WO2004032293A1 (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-15 | Sony Corporation | レーザ光発生装置及びその製造方法 |
| JP2006179724A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Institute Of Physical & Chemical Research | パルス幅可変レーザー発振方法およびパルス幅可変レーザー装置 |
| EP1764886A1 (en) | 2005-09-20 | 2007-03-21 | JDS Uniphase Corporation | Passively Q-switched microlaser with controllable peak power density |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27247793A patent/JPH07131102A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082421A2 (en) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Raytheon Company | Variable path length passive q switch |
| WO2001082421A3 (en) * | 2000-04-24 | 2002-08-01 | Raytheon Co | Variable path length passive q switch |
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| JP4573644B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2010-11-04 | 独立行政法人理化学研究所 | Ｑスイッチ素子、レーザー発振素子およびパルス幅可変レーザー装置 |
| EP1764886A1 (en) | 2005-09-20 | 2007-03-21 | JDS Uniphase Corporation | Passively Q-switched microlaser with controllable peak power density |
| US8031749B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-10-04 | Jds Uniphase Corporation | Passively Q-switched microlaser with controllable peak power density |
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