JPH07130948A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH07130948A
JPH07130948A JP5151821A JP15182193A JPH07130948A JP H07130948 A JPH07130948 A JP H07130948A JP 5151821 A JP5151821 A JP 5151821A JP 15182193 A JP15182193 A JP 15182193A JP H07130948 A JPH07130948 A JP H07130948A
Authority
JP
Japan
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pellets
integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
solder
Prior art date
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Application number
JP5151821A
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Japanese (ja)
Inventor
Masachika Masuda
正親 増田
Hiroshi Yano
洋 矢野
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH07130948A publication Critical patent/JPH07130948A/en
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To readily stack in multi-stage by a connection method by a solder ball or a solder bump and to be miniatured more, thinned more, and lightened more. CONSTITUTION:In a semiconductor integrated circuit device of a stacked construction that a plurality of pellets are stacked in multi-stage, terminal parts 3, 4 of two pellets 1, 2 are connected with each other by a solder ball 5 and stacked in two stages, and further the solder ball 5 is connected with a lead 6 for an external terminal and the entire pellets 1, 2 stacked in this two-stage construction are sealed with a resin mold 7. In these pellets 1, 2, a front surface, a side surface, and a rear surface of terminal parts 3, 4 are formed with a metal material such as Al, and the terminal parts 3, 4 of these pellets 1, 2 are electrically connected with each other via the solder ball 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に小形電子機器のIC部品をメモリの大容量化
とともに高密度に実装し、かつペレットを多段に薄く積
み上げることで、より小形・薄形・軽量化の電子部品、
メモリカードなどに良好な半導体集積回路装置に適用し
て有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and in particular, it is possible to reduce the size of an IC device of a small electronic device by increasing the capacity of a memory and mounting it at a high density, and by stacking pellets in multiple stages and thinly. Thin and lightweight electronic parts,
The present invention relates to a technique effectively applied to a semiconductor integrated circuit device suitable for a memory card and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、ペレットを多段に積み上げた
半導体集積回路装置としては、従来のペレットを用い、
TAB技術により多段なる引き出し端子リード、すなわ
ちレジンモールド封止内のCu箔によるインナーリード
を、レーザー溶接などでリード溶融してペレットの多段
積みを行っている。
2. Description of the Related Art For example, a conventional pellet is used as a semiconductor integrated circuit device in which pellets are stacked in multiple stages.
TAB technology is used to perform multistage stacking of pellets by melting lead terminals leads in multiple stages, that is, inner leads made of Cu foil in resin mold sealing, by laser welding or the like.

【0003】なお、これに関する技術としては、日本経
済新聞社発行、「日経産業新聞、1991年2月21
日」第1面に、記憶容量を拡張したパッケージの組立技
術として記載されている。
As a technique related to this, "Nikkei Sangyo Shimbun, February 21, 1991, published by Nikkei Inc.
The first page of "Sun" describes the technology for assembling a package with expanded storage capacity.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、ペレットの多段積み化は可能と
されるものの、パッケージの内部構造が複雑であるため
に薄形化が困難であり、その上ピンポイント・レーザー
溶接にも接合しろの寸法制約があって、小形化が難しい
という問題がある。
However, in the prior art as described above, although it is possible to stack pellets in multiple stages, it is difficult to reduce the thickness because the internal structure of the package is complicated. In addition, there is a problem that it is difficult to reduce the size of pinpoint laser welding due to the size restriction of the joint.

【0005】さらに、従来の方法では、TAB技術によ
るインナーリードのレーザー溶接などが必要となり、ペ
レットの多段積みを行う場合の作業が面倒で、作業コス
トが高くなるという問題もある。
Further, in the conventional method, laser welding of the inner leads by the TAB technique is required, and the work for stacking pellets in multiple stages is troublesome and the work cost is increased.

【0006】そこで、本発明の目的は、TAB方式では
なく、半田ボールや半田バンプによる接続方式に着目
し、この半田ボールや半田バンプにより多段積みを容易
に可能とし、より小形・薄形・軽量化を図ることができ
る半導体集積回路装置を提供することにある。
Therefore, the object of the present invention is not a TAB method, but a connection method using solder balls or solder bumps. The solder balls and solder bumps make it possible to easily perform multi-stage stacking. It is to provide a semiconductor integrated circuit device that can be realized.

【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
Of the inventions disclosed in the present application, a representative one will be briefly described below.
It is as follows.

【0009】すなわち、本発明の半導体集積回路装置
は、複数個のペレットが多段積みされたスタック構造の
半導体集積回路装置であって、複数個のペレットの端子
部を半田ボールまたは半田バンプにより接続して多段積
みにするとともに、半田ボールまたは半田バンプを外部
端子用のリードまたは金属箔に接続するものである。
That is, the semiconductor integrated circuit device of the present invention is a semiconductor integrated circuit device having a stack structure in which a plurality of pellets are stacked in multiple stages, and the terminal portions of the plurality of pellets are connected by solder balls or solder bumps. In addition to stacking in multiple stages, solder balls or solder bumps are connected to leads or metal foils for external terminals.

【0010】また、前記半田ボールまたは半田バンプを
外部端子用のリードまたは金属箔に接続することなく、
半田ボールまたは半田バンプ自体を外部接続用の端子と
するようにしたものである。
Further, without connecting the solder balls or solder bumps to leads for external terminals or metal foils,
The solder balls or the solder bumps themselves are used as terminals for external connection.

【0011】この場合に、前記複数個のペレットの端子
部を、側面および裏面まで金属材料により形成するよう
にしたものである。
In this case, the terminal portions of the plurality of pellets are formed from the metal material up to the side surface and the back surface.

【0012】また、前記複数個のペレットの端子部を、
スルーホールエッチング加工により溝形状に形成し、こ
の溝形状部分を半田ボールまたは半田バンプが半田接続
可能な金属材料により形成するようにしたものである。
In addition, the terminal portion of the plurality of pellets,
Through-hole etching is performed to form a groove shape, and the groove-shaped portion is formed of a metal material to which solder balls or solder bumps can be connected by soldering.

【0013】さらに、前記多段積みされた複数個のペレ
ット間をポッティングレジンモールドしたり、または多
段積みされた複数個のペレット全体をレジンモールドに
より封止するようにしたものである。
Further, the plurality of stacked pellets may be potted with a resin mold, or the entire plurality of stacked pellets may be sealed with a resin mold.

【0014】[0014]

【作用】前記した半導体集積回路装置によれば、ペレッ
トの端子部が側面および裏面まで金属材料により形成さ
れるか、またはスルーホールエッチング加工により形成
した溝形状部分が金属材料によって形成されることによ
り、ペレットの多段積みをペレット端子への半田ボール
や半田バンプによる接続により容易に可能とし、スタッ
ク構造の半導体集積回路装置を小形、かつ薄形に形成す
ることができる。
According to the semiconductor integrated circuit device described above, the terminal portion of the pellet is formed of the metal material up to the side surface and the back surface, or the groove-shaped portion formed by the through hole etching process is formed of the metal material. The multi-stage stacking of pellets can be easily performed by connecting the pellet terminals with solder balls or solder bumps, and the semiconductor integrated circuit device having a stack structure can be formed in a small size and a thin shape.

【0015】すなわち、従来技術に比べてもっとコンパ
クトにペレットを多段積みするため、TAB方式ではな
く、半田ボールや半田バンプ付けによる多段積みを可能
にさせるとともに、ペレット端子の引き出しリードまた
は金属箔との接続をも可能にしなければならない。
That is, since the pellets are stacked in multiple stages more compactly than in the prior art, not only the TAB method, but also the solder balls and solder bumps can be stacked in multiple stages, and the lead terminals of the pellet terminals or the metal foil can be stacked. The connection must also be possible.

【0016】そのため、ペレットの端子部を従来はペレ
ットの表面に形成されているが、半田ボールや半田バン
プを介してペレット端子を接続により多段積みするた
め、ペレットの端子部をペレット側面、裏面まで形成さ
せるように、ペレット端子部をスルーホールエッチング
加工によりペレット端子部に溝形状に切欠を設けたり、
ペレット端子部をペレットの側面および裏面にまで形成
させる。
Therefore, the pellet terminals are conventionally formed on the surface of the pellet. However, since the pellet terminals are connected in multiple stages by connecting via solder balls or solder bumps, the terminals of the pellet are extended from the side surface to the back surface of the pellet. As it is formed, the pellet terminal part is provided with a groove-shaped notch in the pellet terminal part by through hole etching processing,
The pellet terminal portion is formed even on the side surface and the back surface of the pellet.

【0017】その後、半田ボールまたは半田バンプを上
述のペレット端子部に付け、半田を溶かすベーク・キュ
アを行い、ペレットの多段およびリードを接続させるこ
とにより、半導体集積回路装置が形成される。
After that, a solder ball or a solder bump is attached to the above-mentioned pellet terminal portion, baking and curing are performed to melt the solder, and a plurality of pellet stages and leads are connected to form a semiconductor integrated circuit device.

【0018】この場合に、半田ボールまたは半田バンプ
は、ペレットの端子部の溝形状のサイズよりも小さいも
のを使用し、また半田付け時にペレット同士がくっつく
場合が考えられるので、予め半田ベーク、キュア別にペ
レット同士を仮止め剤や両面テープなどで仮止めを行っ
ておくことにより防止することができる。
In this case, the solder balls or solder bumps used are smaller than the size of the groove shape of the terminal portion of the pellet, and the pellets may stick to each other during soldering. This can be prevented by temporarily fixing the pellets to each other with a temporary fixing agent or a double-sided tape.

【0019】これにより、特にメモリの大容量化および
高密度実装化の要求に対して、より一層小形・薄形・軽
量化が必要とされる電子部品、メモリカードなどに良好
に適用することができる。
As a result, the invention can be favorably applied to electronic parts, memory cards, etc., which are required to be further reduced in size, thickness, and weight, especially in response to the demand for large capacity and high density mounting of memories. it can.

【0020】さらに、多段積みされた複数個のペレット
間、またはペレット全体をレジンモールドにより封止し
た場合には、ペレットの耐湿性を向上させることができ
る。
Furthermore, when a plurality of pellets stacked in multiple stages or the entire pellets are sealed with a resin mold, the moisture resistance of the pellets can be improved.

【0021】[0021]

【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described in detail below.

【0022】(実施例1)図1は本発明の一実施例であ
る半導体集積回路装置の要部を示す断面図、図2は本実
施例の半導体集積回路装置におけるペレットの要部を示
す斜視図、図3は本実施例の半導体集積回路装置の製造
に用いられる樹脂シートを示す斜視図、図4は製造途中
における半導体集積回路装置の要部を示す断面図であ
る。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing an essential part of a semiconductor integrated circuit device which is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view showing an essential part of a pellet in the semiconductor integrated circuit device of this embodiment. FIG. 3 is a perspective view showing a resin sheet used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device of this embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view showing a main part of the semiconductor integrated circuit device during manufacturing.

【0023】まず、図1により本実施例の半導体集積回
路装置の構成を説明する。
First, the structure of the semiconductor integrated circuit device of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0024】本実施例の半導体集積回路装置は、たとえ
ば複数個のペレットが多段積みされたスタック構造の半
導体集積回路装置とされ、2個のペレット1,2の端子
部3,4が半田ボール5により接続されて2段積みさ
れ、さらに半田ボール5が外部端子用のリード6に接続
され、この2段構造に積層されたペレット1,2の全体
がレジンモールド7により封止された構成となってい
る。
The semiconductor integrated circuit device of this embodiment is, for example, a semiconductor integrated circuit device having a stack structure in which a plurality of pellets are stacked in multiple stages, and the terminal portions 3 and 4 of the two pellets 1 and 2 are the solder balls 5. And the solder balls 5 are connected to leads 6 for external terminals, and the pellets 1 and 2 stacked in this two-stage structure are entirely sealed by a resin mold 7. ing.

【0025】ペレット1,2は、図2に示すように、端
子部3,4が表面、側面および裏面までAlなどの金属
材料8により形成され、このペレット1,2の端子部
3,4同士が半田ボール5を介して電気的に接続され、
ペレット1,2が2段に積層された構造となっている。
As shown in FIG. 2, in the pellets 1 and 2, the terminal portions 3 and 4 are formed from a metal material 8 such as Al on the front surface, the side surface and the back surface. Are electrically connected via the solder balls 5,
The pellets 1 and 2 are laminated in two stages.

【0026】次に、本実施例の作用について、実際にペ
レット1,2を2段積みする場合を説明する。
Next, the operation of this embodiment will be described for the case where the pellets 1 and 2 are actually stacked in two stages.

【0027】まず、ペレット1,2を多段積み可能にす
るため、たとえば大きなエッチングスルーホールを形成
し、このスルーホールへのAl蒸着により、図2に示す
ようにAlの金属材料8によるペレット1,2の端子部
3,4を表面、側面および裏面にまで形成させる。
First, in order to make it possible to stack the pellets 1 and 2 in multiple stages, for example, a large etching through hole is formed and Al is deposited on the through hole to form a pellet 1 made of an Al metal material 8 as shown in FIG. The second terminal portions 3 and 4 are formed on the front surface, the side surface, and the back surface.

【0028】そして、1つのペレット1上に、たとえば
図3に示すような半田ボール5が入れられる穴明きの樹
脂シート9を載せ、樹脂シート9の穴に半田ボール5を
入れて、仮止め可能な半田付けするだけの低温度による
半田ベークを行って半田ボール5をペレット1の端子部
3と接続させる。スクリーン印刷にて、半田ペーストを
ペレット端子部に乗せる場合もあるその後、半田ボール
5が接続されたペレット1の上に、たとえば図4に示す
ようにテープ10などで固定されているリード6を載
せ、さらに別のペレット2を載せて、半田ボール5をベ
ーク・キュアにより溶かしてペレット1,2の2段積み
およびリード6を接続させる。
Then, a resin sheet 9 having holes, for example, the solder balls 5 as shown in FIG. 3 is placed on one pellet 1, and the solder balls 5 are put in the holes of the resin sheet 9 and temporarily fixed. The solder ball 5 is connected to the terminal portion 3 of the pellet 1 by performing a solder bake at a temperature as low as possible for soldering. In some cases, the solder paste may be placed on the pellet terminals by screen printing. After that, the leads 6 fixed with a tape 10 or the like are placed on the pellet 1 to which the solder balls 5 are connected, as shown in FIG. Then, another pellet 2 is placed, the solder balls 5 are melted by baking and curing, and the pellets 1 and 2 are stacked in two stages and the leads 6 are connected.

【0029】この場合に、上下のペレット1,2同士が
くっつく場合が考えられるので、必要ならばペレット
1,2を重ねる前に下のペレット1の中央部表面に両面
テープ11を貼り付け、予め半田ベーク、キュア別にペ
レット1,2同士を図4のように仮止めを行っておくこ
とにより防止することができる。
In this case, the upper and lower pellets 1 and 2 may stick to each other. If necessary, a double-sided tape 11 may be attached to the central surface of the lower pellet 1 before stacking the pellets 1 and 2 in advance. This can be prevented by temporarily fixing the pellets 1 and 2 to each other by solder baking and curing as shown in FIG.

【0030】最後に、2段積みされたペレット1,2の
全体をレジンモールド7により封止することにより、半
田ボール5による接続方式を用いたスタック構造の半導
体集積回路装置が完成される。
Finally, the two stacked pellets 1 and 2 are entirely sealed with a resin mold 7 to complete a semiconductor integrated circuit device having a stack structure using the solder ball 5 connection method.

【0031】従って、本実施例の半導体集積回路装置に
よれば、ペレット1,2における端子部3,4が表面、
側面および裏面まで金属材料8によって形成されること
により、ペレット1,2の2段積みを端子部3,4への
半田ボール5による接続により容易に行うことができ、
小形かつ薄形の半導体集積回路装置を形成することがで
きる。
Therefore, according to the semiconductor integrated circuit device of this embodiment, the terminal portions 3 and 4 of the pellets 1 and 2 are on the surface,
By forming the side surface and the back surface with the metal material 8, two-stage stacking of the pellets 1 and 2 can be easily performed by connecting the solder balls 5 to the terminal portions 3 and 4.
A small and thin semiconductor integrated circuit device can be formed.

【0032】さらに、2段構造に積層されたペレット
1,2の全体が半田で溶けぬ低温でレジンモールド7に
よって封止されることにより、半導体集積回路装置の耐
湿性を向上させることができる。
Furthermore, the pellets 1 and 2 laminated in the two-stage structure are entirely sealed by the resin mold 7 at a low temperature that does not melt with solder, so that the moisture resistance of the semiconductor integrated circuit device can be improved.

【0033】(実施例2)図5(a),(b) は本発明の他の
実施例である半導体集積回路装置の要部を示す断面図、
およびモールド状態の要部側面図、図6は本実施例の半
導体集積回路装置におけるペレットの要部を示す斜視図
である。
(Embodiment 2) FIGS. 5 (a) and 5 (b) are sectional views showing a main part of a semiconductor integrated circuit device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a side view of the main part in the molded state, and FIG. 6 is a perspective view showing the main part of the pellet in the semiconductor integrated circuit device of this embodiment.

【0034】本実施例の半導体集積回路装置は、図5に
示すように、実施例1と同様に2個のペレット1a,2
aの端子部3a,4aが半田ボール5aにより接続され
て2段積みされ、さらに半田ボール5aが外部端子用の
リード6aに接続され、この2段構造に積層されたペレ
ット1a,2aの全体がレジンモールド7aにより封止
された構成となっており、実施例1との相違点は、ペレ
ット1a,2aの端子部3a,4aの構造が異なる点で
ある。
As shown in FIG. 5, the semiconductor integrated circuit device of this embodiment has two pellets 1a and 2 as in the first embodiment.
The terminal portions 3a and 4a of a are connected by solder balls 5a to be stacked in two stages, and the solder balls 5a are connected to leads 6a for external terminals, and the entire pellets 1a and 2a laminated in this two-stage structure are The structure is sealed by a resin mold 7a, and the difference from the first embodiment is that the structures of the terminal portions 3a and 4a of the pellets 1a and 2a are different.

【0035】すなわち、本実施例のペレット1a,2a
は、図6に示すように、端子部3a,4aがスルーホー
ルエッチング加工により溝形状に切欠12が形成され、
この切欠12の溝形状部分がAlなどの金属材料8aに
より形成され、2つのペレット1a,2aの端子部3
a,4a同士が半田ボール5aを介して電気的に接続さ
れ、ペレット1a,2aが2段に積層される構造となっ
ている。
That is, the pellets 1a, 2a of this embodiment
As shown in FIG. 6, the terminal portions 3a and 4a are formed with a groove-shaped notch 12 by through-hole etching.
The groove-shaped portion of the notch 12 is formed of a metal material 8a such as Al, and the terminal portion 3 of the two pellets 1a and 2a is formed.
The a and 4a are electrically connected to each other through the solder balls 5a, and the pellets 1a and 2a are laminated in two stages.

【0036】従って、本実施例の半導体集積回路装置に
よれば、実施例1と同様に一方のペレット1aに半田ボ
ール5aを半田ベークにより仮止めし、このペレット1
aに他方のペレット2aを積み重ね、リード6aを付け
て半田ボール5aをベーク・キュアにて溶かすことによ
り、積み重ねたペレット1a,2aの端子部3a,4a
およびレジンモールド後にリード6aを接続でき、実施
例1と同様に小形かつ薄形の半導体集積回路装置を容易
に形成することができる。
Therefore, according to the semiconductor integrated circuit device of this embodiment, the solder balls 5a are temporarily fixed to one of the pellets 1a by solder bake as in the case of the first embodiment, and the pellets 1
The pellets 2a on the other side are stacked, the leads 6a are attached, and the solder balls 5a are melted by baking and curing, whereby the terminals 3a and 4a of the stacked pellets 1a and 2a are melted.
Also, the leads 6a can be connected after the resin molding, and a small and thin semiconductor integrated circuit device can be easily formed as in the first embodiment.

【0037】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例1および2に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the first and second embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it is possible.

【0038】たとえば、前記実施例の半導体集積回路装
置については、ペレット1,2(1a,2a)の端子部
3,4(3a,4a)が半田ボール5(5a)により接
続され、さらに半田ボール5(5a)が外部端子用のリ
ード6(6a)に接続される場合について説明したが、
本発明は前記実施例に限定されるものではなく、たとえ
ば端子部を半田バンプにより接続したり、外部端子用の
リードの他にTCP(Tape Carrier Package)などの金
属箔などに接続する場合などについても広く適用可能で
ある。
For example, in the semiconductor integrated circuit device of the above-described embodiment, the terminal portions 3, 4 (3a, 4a) of the pellets 1, 2 (1a, 2a) are connected by the solder balls 5 (5a), and further the solder balls The case where 5 (5a) is connected to the lead 6 (6a) for the external terminal has been described.
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and for example, in the case of connecting terminals by solder bumps or connecting to metal foil such as TCP (Tape Carrier Package) in addition to leads for external terminals. Is also widely applicable.

【0039】また、ペレット1,2(1a,2a)にお
ける端子部3,4(3a,4a)の金属材料8(8a)
としては、Alの他に、Al合金などの他の金属材料に
ついても適用可能であり、さらにペレット同士の仮止め
方法としては、両面テープの他に、仮止め剤などの他の
材料が適用可能であることはいうまでもない。
Further, the metal material 8 (8a) of the terminal portions 3, 4 (3a, 4a) in the pellets 1, 2 (1a, 2a).
In addition to Al, other metal materials such as Al alloy can be applied. Further, as a method of temporarily fixing the pellets to each other, other than the double-sided tape, other materials such as a temporary fixing agent can be applied. Needless to say.

【0040】さらに、前記実施例におけるパッケージ構
造については、たとえば図7のようにペレット1b,2
bの側面位置で半田ボール5bにリード6bを接続する
ような種々の変形構造が考えられ、または図8に示すよ
うに半田ボール5cによりペレット1c,2c,13を
3段積みにしてリード6cを接続したり、さらに4段積
み以上のより多段の積層構造に形成することも可能であ
る。
Further, regarding the package structure in the above-mentioned embodiment, pellets 1b and 2 are formed as shown in FIG. 7, for example.
Various modified structures are conceivable in which the leads 6b are connected to the solder balls 5b at the side surface position of b, or as shown in FIG. 8, the solder balls 5c are used to stack the pellets 1c, 2c, and 13 in three stages to form the leads 6c. It is also possible to connect or form a multi-layered structure of four or more layers.

【0041】また、実施例1におけるペレット1,2の
端子部3,4の構造についても、たとえば図9に示すよ
うに、ウェハ14ペレット端子部のスクライブエリア1
5をAl・スルーホールで形成し、その後ダイシングす
ることにより、側面および一主面を金属材料により形成
する場合においても同様の効果を得ることができる。
Further, regarding the structure of the terminal portions 3 and 4 of the pellets 1 and 2 in the first embodiment, as shown in FIG. 9, for example, the scribe area 1 of the pellet terminal portion of the wafer 14 is used.
The same effect can be obtained even when the side surface and the one main surface are formed of a metal material by forming No. 5 with an Al through hole and then dicing.

【0042】さらに、本実施例においては、半田ボール
または半田バンプにリードを接続することなく、半田ボ
ールまたは半田バンプ自体を端子とすることで、図10
のようなリードなしでペレット1d,2dを多段積みに
し、半田ボール5dまたはバンプ構造の半導体集積回路
装置を形成することも可能である。
Furthermore, in the present embodiment, the solder balls or the solder bumps themselves are used as terminals without connecting the leads to the solder balls or the solder bumps.
It is also possible to form a semiconductor integrated circuit device having a solder ball 5d or a bump structure by stacking the pellets 1d and 2d in multiple stages without using such a lead.

【0043】また、多段積みされたペレットの全体をレ
ジンモールドする場合の他に、たとえば図7に示す状態
でペレット間をポッティングレジンモールドし、複数の
パッケージをプリント基板に実装した状態でレジンモー
ルドしたり、パッケージが実装されたプリント基板全体
をまたはコーティングする場合などについても適用可能
である。
In addition to the case where the whole of the pellets stacked in multiple stages is resin-molded, for example, potting between the pellets is performed in the state shown in FIG. 7, and a plurality of packages are mounted on a printed circuit board and then resin-molded. It is also applicable to the case where the entire printed circuit board on which the package is mounted is coated, or the like.

【0044】[0044]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0045】(1).複数個のペレットの端子部を、たとえ
ば側面および裏面まで金属材料により形成したり、また
はスルーホールエッチング加工によって形成した溝形状
部分を金属材料により形成し、半田ボールまたは半田バ
ンプにより接続して多段積みにするとともに、半田ボー
ルまたは半田バンプを外部端子用のリードまたは金属箔
に接続することにより、ペレットの多段積みをペレット
端子への半田ボールや半田バンプによる接続により容易
に可能とし、スタック構造の半導体集積回路装置を小
形、かつ薄形に形成することができる。
(1) The terminals of a plurality of pellets are formed of, for example, a metal material up to the side surface and the back surface, or the groove-shaped portions formed by through-hole etching are formed of a metal material. By connecting with solder bumps or solder bumps to leads or metal foil for external terminals while connecting with bumps, multi-stage stacking of pellets can be easily performed by connecting solder balls or solder bumps to pellet terminals. This enables the semiconductor integrated circuit device having a stack structure to be formed in a small size and a thin shape.

【0046】(2).半田ボールまたは半田バンプを外部端
子用のリードまたは金属箔に接続することなく、半田ボ
ールまたは半田バンプ自体を外部接続用の端子とするこ
とにより、前記(1) と同様にペレットの多段積みを容易
に可能とし、より一層小形、かつ薄形に形成することが
できる。
(2). Similar to the above (1), by using the solder balls or solder bumps themselves as terminals for external connection without connecting the solder balls or solder bumps to leads or metal foils for external terminals. Further, it is possible to easily stack the pellets in multiple stages, and it is possible to form the pellet into a smaller and thinner shape.

【0047】(3).多段積みされた複数個のペレット間を
ポッティングレジンモールドしたり、または多段積みさ
れた複数個のペレット全体をレジンモールドによって封
止することにより、ペレットの高い耐湿性を得ることが
できるので、半導体集積回路装置の信頼性を向上させる
ことができる。
(3) High potency of pellets is obtained by potting resin molding between a plurality of stacked pellets or sealing the entire plurality of stacked pellets with a resin mold. Therefore, the reliability of the semiconductor integrated circuit device can be improved.

【0048】(4).前記(1) 〜(3) により、特にメモリの
大容量化および高密度実装化の要求に対して、小形・薄
形・軽量化が必要とされる電子部品、メモリカードなど
に良好に適用可能とされる信頼性の高い半導体集積回路
装置を得ることができる。
(4) Due to the above (1) to (3), especially in response to the demand for large capacity and high density mounting of the memory, electronic parts and memory which are required to be small, thin and lightweight. It is possible to obtain a highly reliable semiconductor integrated circuit device that can be favorably applied to cards and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1である半導体集積回路装置の
要部を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part of a semiconductor integrated circuit device that is Embodiment 1 of the present invention.

【図2】実施例1の半導体集積回路装置におけるペレッ
トの要部を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a main part of a pellet in the semiconductor integrated circuit device of Example 1.

【図3】実施例1の半導体集積回路装置の製造に用いら
れる樹脂シートを示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a resin sheet used for manufacturing the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment.

【図4】実施例1の半導体集積回路装置の製造途中にお
ける半導体集積回路装置の要部を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a main part of the semiconductor integrated circuit device in the process of manufacturing the semiconductor integrated circuit device according to the first embodiment.

【図5】(a),(b) 本発明の実施例2である半導体集積回
路装置の要部を示す断面図、およびモールド状態の要部
側面図である。
5A and 5B are a sectional view showing a main part of a semiconductor integrated circuit device according to a second embodiment of the present invention and a side view of the main part in a molded state.

【図6】実施例2の半導体集積回路装置におけるペレッ
トの要部を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a main part of a pellet in a semiconductor integrated circuit device of Example 2.

【図7】本発明における半導体集積回路装置の変形例を
示す要部断面図である。
FIG. 7 is a main-portion cross-sectional view showing a modification of the semiconductor integrated circuit device of the present invention.

【図8】本発明における半導体集積回路装置の変形例を
示す要部断面図である。
FIG. 8 is a main-portion cross-sectional view showing a modification of the semiconductor integrated circuit device of the present invention.

【図9】本発明における半導体集積回路装置の変形例に
おけるペレットの形成方法を説明する断面図である。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a pellet forming method in a modification of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

【図10】本発明における半導体集積回路装置の変形例
を示す要部断面図である。
FIG. 10 is a main-portion cross-sectional view showing a modification of the semiconductor integrated circuit device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1a〜1d ペレット 2,2a〜2d ペレット 3,3a 端子部 4,4a 端子部 5,5a〜5d 半田ボール 6,6a〜6c リード 7,7a レジンモールド 8,8a 金属材料 9 樹脂シート 10 テープ 11 両面テープ 12 切欠 13 ペレット 14 ウェハ 15 スクライブエリア 1,1a to 1d Pellet 2,2a to 2d Pellet 3,3a Terminal part 4,4a Terminal part 5,5a to 5d Solder ball 6,6a to 6c Lead 7,7a Resin mold 8,8a Metal material 9 Resin sheet 10 Tape 11 Double-sided tape 12 Notch 13 Pellet 14 Wafer 15 Scribing area

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数個のペレットが多段積みされたスタ
ック構造の半導体集積回路装置であって、前記複数個の
ペレットの端子部を半田ボールまたは半田バンプにより
接続して多段積みにするとともに、該半田ボールまたは
半田バンプを外部端子用のリードまたは金属箔に接続す
ることを特徴とする半導体集積回路装置。
1. A semiconductor integrated circuit device having a stack structure in which a plurality of pellets are stacked in multiple stages, wherein terminal portions of the plurality of pellets are connected by solder balls or solder bumps to form multiple stacks. A semiconductor integrated circuit device characterized in that a solder ball or a solder bump is connected to a lead or a metal foil for an external terminal.
【請求項2】 前記半田ボールまたは半田バンプを外部
端子用のリードまたは金属箔に接続することなく、該半
田ボールまたは半田バンプ自体を外部接続用の端子とす
ることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装
置。
2. The solder ball or solder bump itself is used as an external connection terminal without connecting the solder ball or solder bump to a lead or a metal foil for an external terminal. Semiconductor integrated circuit device.
【請求項3】 前記複数個のペレットの端子部を、側面
および裏面まで前記半田ボールまたは半田バンプが半田
接続可能な金属材料により形成することを特徴とする請
求項1または2記載の半導体集積回路装置。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the terminal portions of the plurality of pellets are formed from a metal material to which the solder balls or solder bumps can be soldered up to the side surface and the back surface. apparatus.
【請求項4】 前記複数個のペレットの端子部を、スル
ーホールエッチング加工により溝形状に形成し、該溝形
状部分を前記半田ボールまたは半田バンプが半田接続可
能な金属材料により形成することを特徴とする請求項1
または2記載の半導体集積回路装置。
4. The terminal portion of the plurality of pellets is formed into a groove shape by through-hole etching processing, and the groove shape portion is formed of a metal material to which the solder ball or solder bump can be soldered. Claim 1
Alternatively, the semiconductor integrated circuit device according to item 2.
【請求項5】 前記多段積みされた複数個のペレット間
をポッティングレジンモールドしたり、または前記多段
積みされた複数個のペレット全体をレジンモールドによ
り封止することを特徴とする請求項1、2、3または4
記載の半導体集積回路装置。
5. The potting resin mold between the plurality of stacked pellets, or the entire plurality of stacked pellets is sealed by a resin mold. 3 or 4
The semiconductor integrated circuit device described.
JP5151821A 1993-06-23 1993-06-23 Semiconductor integrated circuit device Pending JPH07130948A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100277185B1 (en) * 1998-02-09 2001-02-01 김영환 Stack Chip Package
KR100319608B1 (en) * 1999-03-09 2002-01-05 김영환 A stacked semiconductor package and the fabricating method thereof
CN100370611C (en) * 2004-02-03 2008-02-20 旺宏电子股份有限公司 Electronic assembly stacking structure

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