JPH07126701A - メタライズ用金属粉末組成物、メタライズ基板およびその製造方法 - Google Patents
メタライズ用金属粉末組成物、メタライズ基板およびその製造方法Info
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- JPH07126701A JPH07126701A JP5294721A JP29472193A JPH07126701A JP H07126701 A JPH07126701 A JP H07126701A JP 5294721 A JP5294721 A JP 5294721A JP 29472193 A JP29472193 A JP 29472193A JP H07126701 A JPH07126701 A JP H07126701A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一定の電導度を有しながら接着強度の高く表
面が平滑で、かつ使用環境において、十分な信頼性を有
する金属化膜が得られるメタライズ用金属粉末組成物、
メタライズ基板およびその製造方法を供する。 【構成】 Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＡｇ−Ｐｄから選ば
れた少なくとも一種の金属粉末と、Ｎｂ，Ｖ，Ｈｆおよ
びＴａの水素化物から選ばれた少なくとも一種の金属化
合物粉末とからなるメタライズ用ペーストと、このペー
ストを基板に塗布し、焼成して得たメタライズ基板およ
びその焼成方法。
面が平滑で、かつ使用環境において、十分な信頼性を有
する金属化膜が得られるメタライズ用金属粉末組成物、
メタライズ基板およびその製造方法を供する。 【構成】 Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＡｇ−Ｐｄから選ば
れた少なくとも一種の金属粉末と、Ｎｂ，Ｖ，Ｈｆおよ
びＴａの水素化物から選ばれた少なくとも一種の金属化
合物粉末とからなるメタライズ用ペーストと、このペー
ストを基板に塗布し、焼成して得たメタライズ基板およ
びその焼成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜電子回路の導体層
形成およびセラミクス基板上に実装された電子機器用素
子、部品等が動作することによって発生する熱を拡散す
る機能を持つ銅、銀、金およびそれらの合金回路を形成
するためのメタライズ用金属および金属化合物粉末組成
物およびメタライズ基板に関する。
形成およびセラミクス基板上に実装された電子機器用素
子、部品等が動作することによって発生する熱を拡散す
る機能を持つ銅、銀、金およびそれらの合金回路を形成
するためのメタライズ用金属および金属化合物粉末組成
物およびメタライズ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、電子回路用基板としては、高い
絶縁性、一定の機械強度が確保されていること、他の素
子を劣化させないこと、金属導体と容易に接合体を形成
できること、熱伝導率が大きい等の性質が要求されてい
る。そして、これらの要求特性を満足する材料として、
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の酸化物セラミクスや窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）を代表とする窒化物セラミクスがあ
る。しかし、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ、その他各種の電子部品をこれらのセラミクスに直接
実装することはできない。そのため、セラミクス表面に
金属化膜を導体として使用するか、または金属化膜を介
して導体金属と接合することにより電子回路を構成して
いる。
絶縁性、一定の機械強度が確保されていること、他の素
子を劣化させないこと、金属導体と容易に接合体を形成
できること、熱伝導率が大きい等の性質が要求されてい
る。そして、これらの要求特性を満足する材料として、
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の酸化物セラミクスや窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）を代表とする窒化物セラミクスがあ
る。しかし、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ、ＬＳ
Ｉ、その他各種の電子部品をこれらのセラミクスに直接
実装することはできない。そのため、セラミクス表面に
金属化膜を導体として使用するか、または金属化膜を介
して導体金属と接合することにより電子回路を構成して
いる。
【０００３】この場合、導体層または導体金属として
は、電気抵抗が小さなものがよく、一般に銅が用いられ
ており、ものによっては銀、金およびそれらの合金が用
いられている。そして、セラミクス基板上への金属化膜
の形成は、セラミクス基板へ金属導体ペーストを１０−
３０μｍ程度の厚みにスクリーン印刷し、乾燥した後に
焼成を行って回路形成している。
は、電気抵抗が小さなものがよく、一般に銅が用いられ
ており、ものによっては銀、金およびそれらの合金が用
いられている。そして、セラミクス基板上への金属化膜
の形成は、セラミクス基板へ金属導体ペーストを１０−
３０μｍ程度の厚みにスクリーン印刷し、乾燥した後に
焼成を行って回路形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法によりセラ
ミクス基板への金属化膜として、従来、ガラスフリット
入りの銅導体ペーストが用いられているが、セラミクス
と金属化膜との接合強度が、一辺が２ｍｍの正方形パッ
ドの垂直引っ張り試験で２Ｋｇ程度に過ぎず、更に１５
０℃の高温エージング試験で１００時間前後放置する
と、初期値の半分以下に低下してしまう。特に、窒化物
セラミクス用の導体ペーストは、現在、接着強度、電導
度等の諸性能および信頼性の高いものが得られていな
い。
ミクス基板への金属化膜として、従来、ガラスフリット
入りの銅導体ペーストが用いられているが、セラミクス
と金属化膜との接合強度が、一辺が２ｍｍの正方形パッ
ドの垂直引っ張り試験で２Ｋｇ程度に過ぎず、更に１５
０℃の高温エージング試験で１００時間前後放置する
と、初期値の半分以下に低下してしまう。特に、窒化物
セラミクス用の導体ペーストは、現在、接着強度、電導
度等の諸性能および信頼性の高いものが得られていな
い。
【０００５】そこで、その改善法として、特願平３−６
９３８２号にて、Ｃｕが７０−９５重量％、Ｔｉが５−
３０重量％の組成の金属粉末ペーストを提案した。又、
特願平４−２８２８６９号にて、Ｃｕが９５−９９.５
重量％、Ｔｉが０.５−５重量％の金属粉末ペーストを
提案した。それらにおいては一定の接合強度をもたらす
が、高Ｔｉ含有のため導体抵抗が増加するという難点が
あった。又、後者においては、接合強度を若干犠牲にし
て、Ｔｉ含有量を減少させたが、導体抵抗は期待したほ
ど低下しなかった。即ち、セラミクス／金属化膜界面の
接合強度と導体抵抗のバランスした金属化膜が得難い問
題を有していた。
９３８２号にて、Ｃｕが７０−９５重量％、Ｔｉが５−
３０重量％の組成の金属粉末ペーストを提案した。又、
特願平４−２８２８６９号にて、Ｃｕが９５−９９.５
重量％、Ｔｉが０.５−５重量％の金属粉末ペーストを
提案した。それらにおいては一定の接合強度をもたらす
が、高Ｔｉ含有のため導体抵抗が増加するという難点が
あった。又、後者においては、接合強度を若干犠牲にし
て、Ｔｉ含有量を減少させたが、導体抵抗は期待したほ
ど低下しなかった。即ち、セラミクス／金属化膜界面の
接合強度と導体抵抗のバランスした金属化膜が得難い問
題を有していた。
【０００６】更に、メタライズ基板への電子部品の実装
上、平滑な金属化膜が要求されているが、従来のペース
トを用いた方法では、十分に平滑な金属化膜は得られな
かった。
上、平滑な金属化膜が要求されているが、従来のペース
トを用いた方法では、十分に平滑な金属化膜は得られな
かった。
【０００７】そこで、本発明の技術課題は、一定の電導
度を有しながら接着強度の高く、表面が平滑で、かつ使
用環境において十分な信頼性を持つ金属化膜が得られる
メタライズ用金属粉末組成物、メタライズ基板およびそ
の製造方法を提供することにある。
度を有しながら接着強度の高く、表面が平滑で、かつ使
用環境において十分な信頼性を持つ金属化膜が得られる
メタライズ用金属粉末組成物、メタライズ基板およびそ
の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、金属化膜の組織観察を行い、それに基づく若干の金
属組織学的考察を加えた結果、以下のことが分かった。
め、金属化膜の組織観察を行い、それに基づく若干の金
属組織学的考察を加えた結果、以下のことが分かった。
【０００９】即ち、Ｃｕ−Ｔｉ粉末ペーストを印刷した
後の焼成過程で、金属粉末の焼結緻密化とともに、Ｔｉ
の金属層／セラミクス界面への移動がおこり、所要の界
面強度が得られる。しかし、これらの反応過程で、原料
Ｔｉが粗粒であること、および粗粒Ｃｕ−Ｔｉ化合物相
の生成に起因して金属化層および界面層に大きな空隙を
生成せしめること、およびＴｉ酸化物が金属化層に残留
すること等の望ましくない反応が随伴され、界面結合強
度および電導度の低下がもたらされることが分かった。
更に、金属化層の平滑度は原料粉末の粒度に依存し、特
にＴｉ粉末を微細化できないのがネックであることも分
かった。
後の焼成過程で、金属粉末の焼結緻密化とともに、Ｔｉ
の金属層／セラミクス界面への移動がおこり、所要の界
面強度が得られる。しかし、これらの反応過程で、原料
Ｔｉが粗粒であること、および粗粒Ｃｕ−Ｔｉ化合物相
の生成に起因して金属化層および界面層に大きな空隙を
生成せしめること、およびＴｉ酸化物が金属化層に残留
すること等の望ましくない反応が随伴され、界面結合強
度および電導度の低下がもたらされることが分かった。
更に、金属化層の平滑度は原料粉末の粒度に依存し、特
にＴｉ粉末を微細化できないのがネックであることも分
かった。
【００１０】以上の知見に基づき、種々検討した結果、
Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＡｇ−Ｐｄから選ばれた少なく
とも１種の良電導性金属粉末に対し、０.５−３０重量
％のＮｂ，Ｖ，Ｈｆ水素化物粉末から選ばれた少なくと
も１種の金属水素化物粉末を含むメタライズ用組成物を
発明するに至った。また、前記のメタライズ用組成物を
主成分とするメタライズ用ペーストを基板に塗布し、真
空中、不活性ガスまたは窒素雰囲気で焼成することによ
り、一定の電導度を有しながら接着強度が高く、表面が
平滑な金属化膜を形成した優れたメタライズ基板が得ら
れた。
Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＡｇ−Ｐｄから選ばれた少なく
とも１種の良電導性金属粉末に対し、０.５−３０重量
％のＮｂ，Ｖ，Ｈｆ水素化物粉末から選ばれた少なくと
も１種の金属水素化物粉末を含むメタライズ用組成物を
発明するに至った。また、前記のメタライズ用組成物を
主成分とするメタライズ用ペーストを基板に塗布し、真
空中、不活性ガスまたは窒素雰囲気で焼成することによ
り、一定の電導度を有しながら接着強度が高く、表面が
平滑な金属化膜を形成した優れたメタライズ基板が得ら
れた。
【００１１】つまり、従来のペーストの技術的障害であ
ったＴｉ粉末の難粉砕性、あるいは強引に粉砕した場
合、Ｔｉの酸化が激しく、所望の特性の金属化膜が得ら
れない問題は、Ｔｉ粉末に代えて上記金属水素化物を用
いることにより、解決することができた。これは、金属
水素化物の被粉砕性が優れていること、水素化物を微粒
子に粉砕しても表面酸化は抑制できること、およびこれ
らの化合物粉末と良電導性粉末の混合ペーストを印刷
後、焼成する過程で粗粒の金属間化合物の生成が抑制で
きることによる。その結果、残留空隙径の小さい、しか
も酸化物量の少ない金属化膜が得られ、界面結合強度、
電導度、表面平滑度の特性の改善が確認された。
ったＴｉ粉末の難粉砕性、あるいは強引に粉砕した場
合、Ｔｉの酸化が激しく、所望の特性の金属化膜が得ら
れない問題は、Ｔｉ粉末に代えて上記金属水素化物を用
いることにより、解決することができた。これは、金属
水素化物の被粉砕性が優れていること、水素化物を微粒
子に粉砕しても表面酸化は抑制できること、およびこれ
らの化合物粉末と良電導性粉末の混合ペーストを印刷
後、焼成する過程で粗粒の金属間化合物の生成が抑制で
きることによる。その結果、残留空隙径の小さい、しか
も酸化物量の少ない金属化膜が得られ、界面結合強度、
電導度、表面平滑度の特性の改善が確認された。
【００１２】
【作用】本発明によれば、Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＡｇ
−Ｐｄから選ばれた良導性金属粉末に、Ｎｂ，Ｖ，Ｈ
ｆ，Ｔａ水素化物から選ばれた金属水素化物粉末を混合
粉砕することにより、微細で、しかも酸素含有量の少な
いメタライズ用粉末ペーストが得られる。さらに、本ペ
ーストを基板に塗布後、焼結過程で金属水素化物から水
素が離脱して微細な金属粉が生成するとともに、焼結が
進行し、残留空隙径が小さく、しかも酸化物含有量の少
ない、ひいては界面結合強度が高く、電導度、表面平滑
度の優れたメタライズ基板が得られる。
−Ｐｄから選ばれた良導性金属粉末に、Ｎｂ，Ｖ，Ｈ
ｆ，Ｔａ水素化物から選ばれた金属水素化物粉末を混合
粉砕することにより、微細で、しかも酸素含有量の少な
いメタライズ用粉末ペーストが得られる。さらに、本ペ
ーストを基板に塗布後、焼結過程で金属水素化物から水
素が離脱して微細な金属粉が生成するとともに、焼結が
進行し、残留空隙径が小さく、しかも酸化物含有量の少
ない、ひいては界面結合強度が高く、電導度、表面平滑
度の優れたメタライズ基板が得られる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。
【００１４】（実施例１）平均粒径１０μｍ以下の銅
（Ｃｕ）粉と粒径４４μｍ以下の水素化ニオブ（ＮｂＨ
ｘ）粉を所定の組成になるよう秤量混合後、一般に用い
られるアクリル系樹脂をバインダー成分とするビヒクル
を添加し、微粉砕機を用いて十分に混練分散を行って、
スクリーン印刷に適したペーストを得た。なお、ペース
トから樹脂成分を除去して粉末粒度を測定したところ、
平均粒系約７μｍであり、このことから、ＮｂＨｘ粉は
混練分散工程で微粉砕されたことがわかる。
（Ｃｕ）粉と粒径４４μｍ以下の水素化ニオブ（ＮｂＨ
ｘ）粉を所定の組成になるよう秤量混合後、一般に用い
られるアクリル系樹脂をバインダー成分とするビヒクル
を添加し、微粉砕機を用いて十分に混練分散を行って、
スクリーン印刷に適したペーストを得た。なお、ペース
トから樹脂成分を除去して粉末粒度を測定したところ、
平均粒系約７μｍであり、このことから、ＮｂＨｘ粉は
混練分散工程で微粉砕されたことがわかる。
【００１５】本発明のペーストを窒化アルミニウムセラ
ミクス基板に印刷し、真空焼成してメタライズ基板を得
た。図１に、一辺が２ｍｍの正方形パッドの垂直引張り
試験による接着強度の結果を示した。比較例として、従
来、窒化アルミニウムセラミクス基板に使用されている
ガラスフリット入り銅ペーストを用いた結果と、Ｃｕ−
Ｎｂ混合物を用いたペーストによる結果を示した。本実
施例によると、全体的にＣｕにＮｂを添加することによ
り、従来のペーストに比べて高接着強度が得られ、Ｃｕ
−Ｎｂ混合粉ペーストを用いたメタライズ基板の接着強
度は、高Ｎｂ含有ペーストで高強度を示すが、Ｎｂ＜３
ｗｔ％での接着強度の劣化が著しい。一方、Ｃｕ−Ｎｂ
Ｈｘ系ペーストにおいては、Ｎｂ＜０.２ｗｔ％でも実
用強度を有することが分かる。
ミクス基板に印刷し、真空焼成してメタライズ基板を得
た。図１に、一辺が２ｍｍの正方形パッドの垂直引張り
試験による接着強度の結果を示した。比較例として、従
来、窒化アルミニウムセラミクス基板に使用されている
ガラスフリット入り銅ペーストを用いた結果と、Ｃｕ−
Ｎｂ混合物を用いたペーストによる結果を示した。本実
施例によると、全体的にＣｕにＮｂを添加することによ
り、従来のペーストに比べて高接着強度が得られ、Ｃｕ
−Ｎｂ混合粉ペーストを用いたメタライズ基板の接着強
度は、高Ｎｂ含有ペーストで高強度を示すが、Ｎｂ＜３
ｗｔ％での接着強度の劣化が著しい。一方、Ｃｕ−Ｎｂ
Ｈｘ系ペーストにおいては、Ｎｂ＜０.２ｗｔ％でも実
用強度を有することが分かる。
【００１６】図２は、本実施例で得られた金属化膜の体
積抵抗率を示す。特に、Ｃｕ−ＮｂＨｘ系ペーストを用
いることにより、低抵抗化が図れることが分かる。ちな
みに、Ｃｕ−２ｗｔ％Ｎｂペーストによる金属化膜とＣ
ｕ−２ｗｔ％ＮｂＨｘペーストによる金属化膜の酸素含
有量を分析したところ、表１に示したように、後者の酸
素含有量が著しく減少していることが分かる。このこと
から、Ｎｂに代えてＮｂＨｘを用いることで体積抵抗が
低下している要因は、ＮｂＨｘが工程で酸化しにくいこ
とであると推定された。
積抵抗率を示す。特に、Ｃｕ−ＮｂＨｘ系ペーストを用
いることにより、低抵抗化が図れることが分かる。ちな
みに、Ｃｕ−２ｗｔ％Ｎｂペーストによる金属化膜とＣ
ｕ−２ｗｔ％ＮｂＨｘペーストによる金属化膜の酸素含
有量を分析したところ、表１に示したように、後者の酸
素含有量が著しく減少していることが分かる。このこと
から、Ｎｂに代えてＮｂＨｘを用いることで体積抵抗が
低下している要因は、ＮｂＨｘが工程で酸化しにくいこ
とであると推定された。
【００１７】
【表１】
【００１８】（実施例２）金属粉末原料として、Ｃｕ粉
とＮｂ，Ｖ，Ｈｆ，およびＴａ水素化物粉末を用い、水
素化物粉末混合量を０.５ｗｔ％として実施例１と同様
の方法でメタライズ基板を作製した。それらの接着強度
および体積抵抗率を表２に示した。図１および図２と比
較して、いずれのＣｕ−水素化物系ペーストにおいて
も、十分な接着強度、および低抵抗金属化膜が得られる
ことが分かった。
とＮｂ，Ｖ，Ｈｆ，およびＴａ水素化物粉末を用い、水
素化物粉末混合量を０.５ｗｔ％として実施例１と同様
の方法でメタライズ基板を作製した。それらの接着強度
および体積抵抗率を表２に示した。図１および図２と比
較して、いずれのＣｕ−水素化物系ペーストにおいて
も、十分な接着強度、および低抵抗金属化膜が得られる
ことが分かった。
【００１９】
【表２】
【００２０】（実施例３）ＮｂＨｘ粉末にそれぞれＡ
ｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ粉末を混合したペーストを用い
て、実施例１と同様の方法でメタライズ基板を得た。そ
れらの接着強度および体積抵抗率を表３に示した。比較
例として、従来用いられている各ペーストによる結果を
示した。
ｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ粉末を混合したペーストを用い
て、実施例１と同様の方法でメタライズ基板を得た。そ
れらの接着強度および体積抵抗率を表３に示した。比較
例として、従来用いられている各ペーストによる結果を
示した。
【００２１】
【表３】
【００２２】（実施例４）原料銅粉を篩分けし、粒径５
μｍ以下の銅微粉を得た。一方、粒径４４μｍ以下のＮ
ｂＨｘ粉を粉砕し、平均粒径１０，５.５および３μｍ
のＮｂＨｘ粉を得た。これらを混合分散し、実施例１と
同様の方法でメタライズ基板を得た。金属化膜の表面粗
さを触針法で測定した。比較例として、同一銅微粉に平
均粒径５.５μｍのＮｂ粉を混合したペーストによるメ
タライズ基板の表面粗さを測定し、それらの結果を表４
に示した。ＮｂＨｘを用いた場合、原料粉末粒径が同じ
でも、金属化膜の表面が平滑になることが分かった。
μｍ以下の銅微粉を得た。一方、粒径４４μｍ以下のＮ
ｂＨｘ粉を粉砕し、平均粒径１０，５.５および３μｍ
のＮｂＨｘ粉を得た。これらを混合分散し、実施例１と
同様の方法でメタライズ基板を得た。金属化膜の表面粗
さを触針法で測定した。比較例として、同一銅微粉に平
均粒径５.５μｍのＮｂ粉を混合したペーストによるメ
タライズ基板の表面粗さを測定し、それらの結果を表４
に示した。ＮｂＨｘを用いた場合、原料粉末粒径が同じ
でも、金属化膜の表面が平滑になることが分かった。
【００２３】
【表４】
【００２４】（実施例５）実施例１と同様に、Ｃｕ−Ｎ
ｂＨｘペーストを用い、酸化アルミニウムセラミクスに
印刷して焼成し、メタライズ基板を得た。比較例とし
て、従来のガラスフリット入り銅ペーストによるメタラ
イズ基板を作製した。それらの接着強度試験結果を表５
に示した。窒化アルミニウムと同様に、酸化アルミニウ
ム（Ａｌ2Ｏ3）のメタライズにも金属水素化物粉末混合
の効果が顕著であることが分かる。
ｂＨｘペーストを用い、酸化アルミニウムセラミクスに
印刷して焼成し、メタライズ基板を得た。比較例とし
て、従来のガラスフリット入り銅ペーストによるメタラ
イズ基板を作製した。それらの接着強度試験結果を表５
に示した。窒化アルミニウムと同様に、酸化アルミニウ
ム（Ａｌ2Ｏ3）のメタライズにも金属水素化物粉末混合
の効果が顕著であることが分かる。
【００２５】
【表５】
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、電導性金属粉にＮｂ，
Ｖ，Ｈｆ，Ｔａから選ばれた金属水素化物粉末を加え
て、ペーストを用いることにより、セラミクス基板に対
する接着性が優れ、しかも電導度の高い金属化膜を形成
することができた。
Ｖ，Ｈｆ，Ｔａから選ばれた金属水素化物粉末を加え
て、ペーストを用いることにより、セラミクス基板に対
する接着性が優れ、しかも電導度の高い金属化膜を形成
することができた。
【図１】本発明によって作製された金属化膜の垂直引張
り試験によるＮｂ添加量と接着強度との関係を示す特性
図。
り試験によるＮｂ添加量と接着強度との関係を示す特性
図。
【図２】本発明によって作製された金属化膜のＮｂ添加
量と体積抵抗率との関係を示す特性図。
量と体積抵抗率との関係を示す特性図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２２Ｃ 9/00
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＡｇ−Ｐｄから
選ばれた少なくとも１種の金属粉末と金属水素化合物粉
末とを主成分とするメタライズ用金属粉末組成物であっ
て、前記金属水素化合物がＮｂ，Ｖ，ＨｆおよびＴａの
水素化物から選ばれた少なくとも１種であることを特徴
とするメタライズ用金属および金属化合物粉末組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載の金属水素化物の含有量が
０.５〜３０重量％であることを特徴とするメタライズ
用金属および金属化合物粉末組成物。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の金属および金属
化合物粉末組成物を主成分とするメタライズ用ペースト
を基板に塗布し、焼成して得たことを特徴とするメタラ
イズ基板。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の金属および金属
化合物粉末組成物を主成分とするメタライズ用ペースト
を基板に塗布し焼成する工程において、真空中、不活性
ガスまたは窒素雰囲気で焼成することを特徴とするメタ
ライズ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29472193A JP3408598B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | メタライズ用金属粉末組成物、メタライズ基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29472193A JP3408598B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | メタライズ用金属粉末組成物、メタライズ基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07126701A true JPH07126701A (ja) | 1995-05-16 |
| JP3408598B2 JP3408598B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=17811456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29472193A Expired - Fee Related JP3408598B2 (ja) | 1993-10-28 | 1993-10-28 | メタライズ用金属粉末組成物、メタライズ基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3408598B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010113892A1 (ja) | 2009-03-30 | 2010-10-07 | 株式会社トクヤマ | メタライズド基板を製造する方法、メタライズド基板 |
| US9374893B2 (en) | 2010-03-02 | 2016-06-21 | Tokuyama Corporation | Production method of metallized substrate |
-
1993
- 1993-10-28 JP JP29472193A patent/JP3408598B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010113892A1 (ja) | 2009-03-30 | 2010-10-07 | 株式会社トクヤマ | メタライズド基板を製造する方法、メタライズド基板 |
| US9301390B2 (en) | 2009-03-30 | 2016-03-29 | Tokuyama Corporation | Process for producing metallized substrate, and metallized substrate |
| US9374893B2 (en) | 2010-03-02 | 2016-06-21 | Tokuyama Corporation | Production method of metallized substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3408598B2 (ja) | 2003-05-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |