JPH07122538A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH07122538A JPH07122538A JP26483893A JP26483893A JPH07122538A JP H07122538 A JPH07122538 A JP H07122538A JP 26483893 A JP26483893 A JP 26483893A JP 26483893 A JP26483893 A JP 26483893A JP H07122538 A JPH07122538 A JP H07122538A
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- Japan
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- chamber
- ring
- plasma processing
- electrode
- processing apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理装置の異常放電を防止する。
【構成】 石英チャンバー６は略ベルジャー型をなし、
上半の小径部外周に高周波電源につながる筒状の上部電
極７を設けている。また、前記排気リング４の上面には
その外周端が石英チャンバー６の内周面に当接する石英
製の絶縁リング８を取り付け、石英チャンバー６の下部
外周面にはリング状のグランド電極９を設けている。
上半の小径部外周に高周波電源につながる筒状の上部電
極７を設けている。また、前記排気リング４の上面には
その外周端が石英チャンバー６の内周面に当接する石英
製の絶縁リング８を取り付け、石英チャンバー６の下部
外周面にはリング状のグランド電極９を設けている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハ等の表面
に形成した被膜をエッチングしたりデポジションさせた
りするプラズマ処理装置に関する。
に形成した被膜をエッチングしたりデポジションさせた
りするプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ等の被処理物表面のエッ
チング等に用いるプラズマ処理装置として、特開昭６３
−２６００３０号公報に開示されるものが知られてい
る。このプラズマ処理装置は図１１に示すように、ベー
ス１００に開口１０１を形成し、この開口１０１に下方
から被処理物Ｗを載置するステージ兼下部電極１０２を
臨ませ、また前記開口１０１を覆うようにベース１００
上に石英チャンバー１０３を固設し、この石英チャンバ
ー１０３の小径となった上部に高周波電源に接続される
筒状上部電極１０４を設け、更に開口１０１の内周部に
排気リング１０５を取り付け、この排気リング１０５の
上面を石英製の絶縁リング１０６で覆っている。
チング等に用いるプラズマ処理装置として、特開昭６３
−２６００３０号公報に開示されるものが知られてい
る。このプラズマ処理装置は図１１に示すように、ベー
ス１００に開口１０１を形成し、この開口１０１に下方
から被処理物Ｗを載置するステージ兼下部電極１０２を
臨ませ、また前記開口１０１を覆うようにベース１００
上に石英チャンバー１０３を固設し、この石英チャンバ
ー１０３の小径となった上部に高周波電源に接続される
筒状上部電極１０４を設け、更に開口１０１の内周部に
排気リング１０５を取り付け、この排気リング１０５の
上面を石英製の絶縁リング１０６で覆っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したプラズマ処理
装置の排気リング１０５はアルミニウム合金等の金属か
らなり、また下部電極１０２も同様に金属製である。こ
のため、チャンバー１０３内で発生したプラズマは被処
理物Ｗを避けて下部電極１０２と排気リング１０５との
間の排気孔に向かって飛びやすく、ここに異常放電が生
じる傾向がある。
装置の排気リング１０５はアルミニウム合金等の金属か
らなり、また下部電極１０２も同様に金属製である。こ
のため、チャンバー１０３内で発生したプラズマは被処
理物Ｗを避けて下部電極１０２と排気リング１０５との
間の排気孔に向かって飛びやすく、ここに異常放電が生
じる傾向がある。
【０００４】また、排気リング１０５上面は絶縁リング
１０６で覆われているが、石英チャンバーの内側にある
ため、排気リング１０５と石英チャンバー１０３との間
に僅かな隙間ができ、この隙間の部分で異常放電が生じ
やすい。そして、上記の異常放電が生じると、安定した
放電が得られないばかりか、被処理物Ｗにダメージを与
え、歩留まりが低下する。
１０６で覆われているが、石英チャンバーの内側にある
ため、排気リング１０５と石英チャンバー１０３との間
に僅かな隙間ができ、この隙間の部分で異常放電が生じ
やすい。そして、上記の異常放電が生じると、安定した
放電が得られないばかりか、被処理物Ｗにダメージを与
え、歩留まりが低下する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
願の第１発明は、プラズマ処理装置のチャンバー内で且
つ下部電極の周囲には排気リングを設けるとともに、前
記チャンバーの下部外周にリング状のグランド電極を設
けた。
願の第１発明は、プラズマ処理装置のチャンバー内で且
つ下部電極の周囲には排気リングを設けるとともに、前
記チャンバーの下部外周にリング状のグランド電極を設
けた。
【０００６】また本願の第２発明は、プラズマ処理装置
の下部電極の周囲に排気リングを設けるとともに、この
排気リングを径方向外方に延長し、この延長した部分に
チャンバーを取り付けた。
の下部電極の周囲に排気リングを設けるとともに、この
排気リングを径方向外方に延長し、この延長した部分に
チャンバーを取り付けた。
【０００７】更に本願の第３発明は、プラズマ処理装置
の下部電極の上面で且つ被処理物の周縁部がかかる部分
に絶縁リングを設けた。
の下部電極の上面で且つ被処理物の周縁部がかかる部分
に絶縁リングを設けた。
【０００８】
【作用】第１発明によれば、発生したプラズマが排気孔
や排気リングとチャンバーとの隙間に飛ぶ前にリング状
のグランド電極に飛んでしまう。また、第２発明によれ
ば、排気リングとチャンバーとの隙間がなくなり、異常
放電がしにくくなり、更に第３発明によれば、被処理物
Ｗの周縁部でのスパッタリング現象がなくなり、被処理
物Ｗの周縁部における加工形状がよくなる。
や排気リングとチャンバーとの隙間に飛ぶ前にリング状
のグランド電極に飛んでしまう。また、第２発明によれ
ば、排気リングとチャンバーとの隙間がなくなり、異常
放電がしにくくなり、更に第３発明によれば、被処理物
Ｗの周縁部でのスパッタリング現象がなくなり、被処理
物Ｗの周縁部における加工形状がよくなる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明に係るプラズマ処理装
置の断面図であり、プラズマ処理装置はアルミニウム合
金製のベース１に開口２を形成し、この開口２に下方か
ら半導体ウェーハ等の被処理物Ｗを載置するステージを
兼用するアースされた下部電極３を臨ませている。
説明する。ここで、図１は本発明に係るプラズマ処理装
置の断面図であり、プラズマ処理装置はアルミニウム合
金製のベース１に開口２を形成し、この開口２に下方か
ら半導体ウェーハ等の被処理物Ｗを載置するステージを
兼用するアースされた下部電極３を臨ませている。
【００１０】また、開口２の内周部にはアルミニウム合
金製の排気リング４を取り付けている。この排気リング
４は筒部と径方向外方に延長されるフランジ部を備え、
フランジ部には排気孔５が形成され、またフランジ部に
は石英チャンバー６が設置されている。このように排気
リング４のフランジ部を延長して、この上に石英チャン
バー６を設置することで、排気リング外端面と石英チャ
ンバー内端面との間に形成されていた従来の隙間がなく
なり、異常放電が発生しにくくなる。
金製の排気リング４を取り付けている。この排気リング
４は筒部と径方向外方に延長されるフランジ部を備え、
フランジ部には排気孔５が形成され、またフランジ部に
は石英チャンバー６が設置されている。このように排気
リング４のフランジ部を延長して、この上に石英チャン
バー６を設置することで、排気リング外端面と石英チャ
ンバー内端面との間に形成されていた従来の隙間がなく
なり、異常放電が発生しにくくなる。
【００１１】石英チャンバー６は略ベルジャー型をな
し、上半部を小径部とし、この小径部外周に高周波電源
につながる筒状の上部電極７を設けている。尚、上部電
極７としては半割形状とし、一方の電極を高周波電源
に、他方の電極をアースに接続するようにしてもよい。
し、上半部を小径部とし、この小径部外周に高周波電源
につながる筒状の上部電極７を設けている。尚、上部電
極７としては半割形状とし、一方の電極を高周波電源
に、他方の電極をアースに接続するようにしてもよい。
【００１２】また、前記排気リング４の上面にはその外
周端が石英チャンバー６の内周面に当接する石英製の絶
縁リング８を取り付け、排気リング４の上面に異常放電
が発生しないようにしている。
周端が石英チャンバー６の内周面に当接する石英製の絶
縁リング８を取り付け、排気リング４の上面に異常放電
が発生しないようにしている。
【００１３】更に、石英チャンバー６の下部外周面には
リング状のグランド電極９を設けている。このような構
成とすると、プラズマが排気孔等に飛ぶ前にグランド電
極９に飛ぶので、異常放電が防止される。
リング状のグランド電極９を設けている。このような構
成とすると、プラズマが排気孔等に飛ぶ前にグランド電
極９に飛ぶので、異常放電が防止される。
【００１４】一方、前記下部電極３の上面で被処理物Ｗ
の周縁部がかかる部分にも石英製の絶縁リング１０を設
けている。これにより、スパッタリング現象が防止で
き、被処理物Ｗへのデポジションがなくなり、被処理物
Ｗの中心部と周縁部における加工形状のバラツキがなく
なり、均一な処理を行うことができる。
の周縁部がかかる部分にも石英製の絶縁リング１０を設
けている。これにより、スパッタリング現象が防止で
き、被処理物Ｗへのデポジションがなくなり、被処理物
Ｗの中心部と周縁部における加工形状のバラツキがなく
なり、均一な処理を行うことができる。
【００１５】尚、図示例においてはチャンバーの上部外
側に筒状の上部電極を設けたダウンストリーム型のプラ
ズマ処理装置を示したが、チャンバー内に下部電極と平
行な平板状電極を設けた平行平板型のプラズマ処理装置
でもよい。
側に筒状の上部電極を設けたダウンストリーム型のプラ
ズマ処理装置を示したが、チャンバー内に下部電極と平
行な平板状電極を設けた平行平板型のプラズマ処理装置
でもよい。
【００１６】以上において、チャンバー６内を減圧した
後、所定の反応ガスをチャンバー内に導入し、上部電極
７に高周波を印加すると、チャンバー６内の上部に設置
された上部電極７と下部電極３との間で安定した放電が
得られ、被処理物Ｗの表面をエッチングする。
後、所定の反応ガスをチャンバー内に導入し、上部電極
７に高周波を印加すると、チャンバー６内の上部に設置
された上部電極７と下部電極３との間で安定した放電が
得られ、被処理物Ｗの表面をエッチングする。
【００１７】次に上記したプラズマ処理装置をエッチン
グ工程に用いた多層化回路の形成について具体例を図２
乃至図１０に基づき工程順に説明する。先ず図２に示す
ように被処理物Ｗの表面に形成した絶縁膜（層間絶縁
膜）１１の上にプラズマＣＶＤ等によりＡl配線等の第
１層目の回路を構成する導体パターン１２を形成し、更
にこの導体パターン１２の上にプラズマＣＶＤによって
Ｓi3Ｎ4等の絶縁保護膜１３を形成する。
グ工程に用いた多層化回路の形成について具体例を図２
乃至図１０に基づき工程順に説明する。先ず図２に示す
ように被処理物Ｗの表面に形成した絶縁膜（層間絶縁
膜）１１の上にプラズマＣＶＤ等によりＡl配線等の第
１層目の回路を構成する導体パターン１２を形成し、更
にこの導体パターン１２の上にプラズマＣＶＤによって
Ｓi3Ｎ4等の絶縁保護膜１３を形成する。
【００１８】絶縁保護膜１３は導体パターン１２を後述
する平坦化膜に直接接触させると腐食や変質が起こるの
で、これを防止するために形成するものであり、Ｓi3Ｎ
4の他にＳiＯ2等でもよい。
する平坦化膜に直接接触させると腐食や変質が起こるの
で、これを防止するために形成するものであり、Ｓi3Ｎ
4の他にＳiＯ2等でもよい。
【００１９】次いで、前記したダウンストリームエッチ
ング装置（プラズマ処理装置）を用いて絶縁保護膜１３
を図３に示すようにエッチングする。エッチング条件
は、0.1TorrのＡr雰囲気、高周波パワーは0.8〜1.4kWと
する。そして、上記のエッチングによって絶縁保護膜１
３のエッジ部が除去され、その一方、除去されたＳi3Ｎ
4等が窪み部に付着して導体パターン１２を覆う部分の
絶縁保護膜１３の形状は略台形になる。つまり、絶縁保
護膜１３の立上がり部の角度θは９０°以上になり、こ
の部分に作用するストレスが緩和される。
ング装置（プラズマ処理装置）を用いて絶縁保護膜１３
を図３に示すようにエッチングする。エッチング条件
は、0.1TorrのＡr雰囲気、高周波パワーは0.8〜1.4kWと
する。そして、上記のエッチングによって絶縁保護膜１
３のエッジ部が除去され、その一方、除去されたＳi3Ｎ
4等が窪み部に付着して導体パターン１２を覆う部分の
絶縁保護膜１３の形状は略台形になる。つまり、絶縁保
護膜１３の立上がり部の角度θは９０°以上になり、こ
の部分に作用するストレスが緩和される。
【００２０】この後、図４に示すように絶縁保護膜１３
の上にスピンコートにて平坦化膜形成用の塗布液を塗布
し、これを乾燥固化せしめて平坦化膜１４とする。平坦
化膜１４としてはポリイミド膜或いはＳi(ＯＣＨ3)4等
のＳＯＧ膜が一般的に用いられる。
の上にスピンコートにて平坦化膜形成用の塗布液を塗布
し、これを乾燥固化せしめて平坦化膜１４とする。平坦
化膜１４としてはポリイミド膜或いはＳi(ＯＣＨ3)4等
のＳＯＧ膜が一般的に用いられる。
【００２１】以上のように、絶縁保護膜１３の側壁部に
デポジションを施して略台形状とすれば、前記したθが
９０°以上となるので、パターン間隔が狭くなってもこ
の間に確実に平坦化膜形成用の塗布液を充填することが
でき、平坦化度を高めることができる。
デポジションを施して略台形状とすれば、前記したθが
９０°以上となるので、パターン間隔が狭くなってもこ
の間に確実に平坦化膜形成用の塗布液を充填することが
でき、平坦化度を高めることができる。
【００２２】次いで、図５に示すようにエッチバックす
る。エッチバックは絶縁保護膜１３が露出するまで行
う。このように絶縁保護膜１３が露出するまで行うの
は、仮りに図４の状態のままとすると、コンタクトホー
ルを平坦化膜１４を貫通して形成することになり、この
コンタクトホール内面にはＣＶＤ等によって導体を析出
させるが、平坦化膜１４にコンタクトホールが形成され
ているとガスの発生があり、このガスの発生があるとＣ
ＶＤ等によって導体を析出させることができなくなる。
そこで、図５に示すように絶縁保護膜１３が露出するま
でエッチバックを行い、この部分にコンタクトホールを
形成する。
る。エッチバックは絶縁保護膜１３が露出するまで行
う。このように絶縁保護膜１３が露出するまで行うの
は、仮りに図４の状態のままとすると、コンタクトホー
ルを平坦化膜１４を貫通して形成することになり、この
コンタクトホール内面にはＣＶＤ等によって導体を析出
させるが、平坦化膜１４にコンタクトホールが形成され
ているとガスの発生があり、このガスの発生があるとＣ
ＶＤ等によって導体を析出させることができなくなる。
そこで、図５に示すように絶縁保護膜１３が露出するま
でエッチバックを行い、この部分にコンタクトホールを
形成する。
【００２３】そして、図６に示すようにエッチバックを
行った平坦化膜１４の上に層間絶縁膜１５をＣＶＤ等に
より形成し、更に図７に示すようにレジストマスク１６
をマスクとしてエッチングを行い、平坦化膜１４と層間
絶縁膜１５に側壁が略垂直な穴１７を形成する。
行った平坦化膜１４の上に層間絶縁膜１５をＣＶＤ等に
より形成し、更に図７に示すようにレジストマスク１６
をマスクとしてエッチングを行い、平坦化膜１４と層間
絶縁膜１５に側壁が略垂直な穴１７を形成する。
【００２４】次いで、レジストマスク１６をアッシング
にて除去した後、図８に示すように穴１７にエッチング
を施して穴１７の上端部を広げる。エッチングにて上端
部を広げると、エッチングによって削られた部分が穴１
７の底部に付着し、底部の径を小さくしコンタクトホー
ルとして不十分なものになる。そこで、希フッ酸等によ
って湿式エッチングを施し、図９に示すように狭まった
穴１７の底部を元の広さに戻しこれをコンタクトホール
とすることで、上下の回路の導通を確実になすようにし
ている。
にて除去した後、図８に示すように穴１７にエッチング
を施して穴１７の上端部を広げる。エッチングにて上端
部を広げると、エッチングによって削られた部分が穴１
７の底部に付着し、底部の径を小さくしコンタクトホー
ルとして不十分なものになる。そこで、希フッ酸等によ
って湿式エッチングを施し、図９に示すように狭まった
穴１７の底部を元の広さに戻しこれをコンタクトホール
とすることで、上下の回路の導通を確実になすようにし
ている。
【００２５】このようにして、コンタクトホールが形成
されたら図１０に示すように第２層目の回路の導体パタ
ーン１８を層間絶縁膜１５の上に形成するとともに、コ
ンタクトホール１７を介して第１層目の導体パターン１
２と第２層目の導体パターン１８との導通を行う。
されたら図１０に示すように第２層目の回路の導体パタ
ーン１８を層間絶縁膜１５の上に形成するとともに、コ
ンタクトホール１７を介して第１層目の導体パターン１
２と第２層目の導体パターン１８との導通を行う。
【００２６】
【発明の効果】以上に説明したように本願の第１発明で
は、チャンバーの下部外周にリング状のグランド電極を
設けることによって、プラズマがリング状のグランド電
極に最初に飛ぶため、従来の排気孔や排気リングとチャ
ンバーとの間で生じていた突発的な異常放電が防止でき
る。また、本願の第２発明では、排気リングを径方向外
方に延長し、この延長した部分にチャンバーを取り付け
たので、排気リングとチャンバーとの間に隙間がなくな
り、異常放電を防止できる。また、本願の第３発明で
は、下部電極の上面で且つセットした被処理物の周縁部
がかかる部分に絶縁リングを設けたので、被処理物の周
縁部でのスパッタリングを防止でき、被処理物の均一な
加工処理が図れる。更に、第１発明乃至第３発明の構成
を全て取り入れた実施例の如き構成とすれば異常放電の
防止効果は更に高まり、ダメージが低減される。
は、チャンバーの下部外周にリング状のグランド電極を
設けることによって、プラズマがリング状のグランド電
極に最初に飛ぶため、従来の排気孔や排気リングとチャ
ンバーとの間で生じていた突発的な異常放電が防止でき
る。また、本願の第２発明では、排気リングを径方向外
方に延長し、この延長した部分にチャンバーを取り付け
たので、排気リングとチャンバーとの間に隙間がなくな
り、異常放電を防止できる。また、本願の第３発明で
は、下部電極の上面で且つセットした被処理物の周縁部
がかかる部分に絶縁リングを設けたので、被処理物の周
縁部でのスパッタリングを防止でき、被処理物の均一な
加工処理が図れる。更に、第１発明乃至第３発明の構成
を全て取り入れた実施例の如き構成とすれば異常放電の
防止効果は更に高まり、ダメージが低減される。
【００２７】そして、異常放電が防止できるので、従来
では高周波の印加電力を０．８kＷ以下としなければな
らなかったのを、１．７kＷまで印加することができる
ようになり、エッチングレート等を大幅に向上すること
ができるばかりでなく被処理物の面内均一処理が図れ
る。
では高周波の印加電力を０．８kＷ以下としなければな
らなかったのを、１．７kＷまで印加することができる
ようになり、エッチングレート等を大幅に向上すること
ができるばかりでなく被処理物の面内均一処理が図れ
る。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の断面図
【図２】Ａl配線上に絶縁保護膜を形成した状態を示す
図
図
【図３】図２の絶縁保護膜をエッチングした状態を示す
図
図
【図４】図３の絶縁保護膜の上に平坦化膜を形成した状
態を示す図
態を示す図
【図５】図４の平坦化膜をエッチングした状態を示す図
【図６】図５の平坦化膜の上に層間絶縁膜を形成した状
態を示す図
態を示す図
【図７】コンタクトホールとなる垂直穴を形成した状態
を示す図
を示す図
【図８】図７の垂直穴にエッチングを施した状態を示す
図
図
【図９】図８の垂直穴に酸による湿式エッチングを施し
た状態を示す図
た状態を示す図
【図１０】層間絶縁膜上に第２層の回路を形成した状態
を示す図
を示す図
【図１１】従来のプラズマ処理装置の断面図
１…ベース、２…開口、３…下部電極、４…排気リン
グ、６…石英チャンバー、７…上部電極、８，１０…絶
縁リング、９…リング状グランド電極、１１…絶縁膜、
１２，１８…導体パターン、１３…絶縁保護膜、１４…
平坦化膜、１５…層間絶縁膜、１７…コンタクトホー
ル、Ｗ…被処理物。
グ、６…石英チャンバー、７…上部電極、８，１０…絶
縁リング、９…リング状グランド電極、１１…絶縁膜、
１２，１８…導体パターン、１３…絶縁保護膜、１４…
平坦化膜、１５…層間絶縁膜、１７…コンタクトホー
ル、Ｗ…被処理物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡野 進 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 チャンバーの下方に被処理物のステージ
を兼ねる下部電極を臨ませ、また前記チャンバーの上部
の内側または外側に上部電極を設けたプラズマ処理装置
において、前記チャンバー内で下部電極の周囲には排気
リングが設けられ、また前記チャンバーの下部外周には
リング状のグランド電極が設けられていることを特徴と
するプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 チャンバーの下方に被処理物のステージ
を兼ねる下部電極を臨ませ、また前記チャンバーの上部
の内側または外側に上部電極を設けたプラズマ処理装置
において、前記下部電極の周囲には排気リングが設けら
れ、この排気リングは径方向外方に延長され、この延長
された部分にチャンバーが取り付けられていることを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 チャンバーの下方に被処理物のステージ
を兼ねる下部電極を臨ませ、また前記チャンバーの上部
の内側または外側に上部電極を設けたプラズマ処理装置
において、前記下部電極の上面で被処理物の周縁部がか
かる部分に絶縁リングを設けたことを特徴とするプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26483893A JP3521454B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26483893A JP3521454B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122538A true JPH07122538A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3521454B2 JP3521454B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=17408917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26483893A Expired - Fee Related JP3521454B2 (ja) | 1993-10-22 | 1993-10-22 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3521454B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0831516A2 (en) * | 1996-09-18 | 1998-03-25 | Toyo Technologies, Inc. | Device and method for processing a plasma to alter the surface of a substrate using neutrals |
| KR100422446B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2004-03-12 | 삼성전자주식회사 | 건식식각장치의 이그저스트링 |
-
1993
- 1993-10-22 JP JP26483893A patent/JP3521454B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0831516A2 (en) * | 1996-09-18 | 1998-03-25 | Toyo Technologies, Inc. | Device and method for processing a plasma to alter the surface of a substrate using neutrals |
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