JPH07120712A - 精製された液晶の製造法、液晶セル及び液晶表示装置 - Google Patents

精製された液晶の製造法、液晶セル及び液晶表示装置

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JPH07120712A
JPH07120712A JP5263513A JP26351393A JPH07120712A JP H07120712 A JPH07120712 A JP H07120712A JP 5263513 A JP5263513 A JP 5263513A JP 26351393 A JP26351393 A JP 26351393A JP H07120712 A JPH07120712 A JP H07120712A
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JP
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liquid crystal
powder
compd
compound
display device
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JP5263513A
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English (en)
Inventor
Osamu Watanabe
治 渡邊
Osamu Hirai
修 平井
Akitsugu Tashiro
了嗣 田代
Yoshihiro Miya
好宏 宮
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶セルの電圧保持率を向上できる精製され
た液晶の製造法を提供する。 【構成】 液晶をアミド基及びイミド基を有する化合物
の粉末で処理することを特徴とする精製された液晶の製
造法、液晶セル及び液晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、精製された液晶の製造
法、液晶セル及び液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置(液晶ディスプレイ)の表
示特性向上のためには、液晶の比抵抗の向上、液晶セル
の電圧保持率の向上が重要であり、これらを達成するた
めに、液晶の精製は、アルミナ、シリカ等の無機系化合
物の粉末を用いて液晶の精製が行われていた。
【0003】しかし、アルミナ、シリカ等の無機系化合
物の粉末で処理しても、比抵抗で5倍の向上、電圧保持
率で3%の向上が限界であった。
【発明が解決しようとする課題】
【0004】本発明は、前記の従来技術の問題点を解決
し、液晶の比抵抗の向上率及び液晶セルの電圧保持率の
向上率を飛躍的に増大させることのできる、精製された
液晶の製造法、液晶セル及び液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】本発明は、液晶をアミド基及びイミド基を
有する化合物の粉末で処理することを特徴とする精製さ
れた液晶の製造法、この製造法によって得られた液晶を
用いた液晶セル及び液晶表示装置に関する。
【0006】本発明に用いられる液晶は、液晶表示装置
に一般的に使用される液晶であれば特に制限はなく、ま
た単一化合物でも、混合物でも特に制限はない。
【0007】本発明に用いられるアミド基及びイミド基
を有する化合物の粉末としては、例えば、トリメリット
酸の反応性酸誘導体とジアミン又はジイソシアナ−トと
をN−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルスルフォキシド等の溶媒の存在下で、通常
等モルとして反応させて得られる既に公知のポリアミド
イミド等が挙げられるが、用いる液晶に溶解しないもの
であれば特に制限はない。トリメリット酸の反応性酸誘
導体としては、例えば、トリメリット酸無水物、トリメ
リット酸無水物モノクロライド等が挙げられる。ジアミ
ンとしては、例えば、4,4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,
4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−メチレン
−ビス−(2,6−ジメチルアニリン)、4,4′−メ
チレン−ビス−(2,6−ジエチルアニリン)、4,
4′−メチレン−ビス−(2−メチル−6−エチルアニ
リン)、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,
3′−ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−ベンゾ
フェノンジアミン、3,3′−ベンゾフェノンジアミ
ン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミ
ン、4,4′−ジ(4−アミノフェノキシ)フェニルス
ルホン、4,4′−ジ(3−アミノフェノキシ)フェニ
ルスルホン、4,4′−ジ(4−アミノフェノキシ)ベ
ンゼン、3,3′−ジ(4−アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、4,4′−ジ(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、
2,4−ジアミノトルエン、2,6−ジアミノトルエ
ン、4,4′−ジアミノジフェニルプロパン等の芳香族
ジアミン、これらの芳香族ジアミンの水素還元体である
脂環式ジアミンなどが用いられる。溶媒溶解性を考慮す
ると、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,
4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ベンゾフ
ェノンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、4,4′−メチレン−ビス−(2,6−ジメチルア
ニリン)、4,4′−メチレン−ビス−(2,6−ジエ
チルアニリン)、4,4′−メチレン−ビス−(2−メ
チル−6−エチルアニリン)等の芳香族ジアミンが好ま
しい。ジイソシアネートとしては、例えば、上記したジ
アミンをホスゲン又は塩化チオニルと反応させて得られ
るジイソシアネートが用いられる。コスト面を考慮する
と、4,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、
4,4′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、3,
3′−ジメチルジフェニル−4,4′−ジイソシアネー
ト等が好ましい。
【0008】本発明に用いられるアミド基及びイミド基
を有する化合物の粉末の平均粒子径は、特に制限されな
い。しかし、平均粒子径が小さすぎると濾過時やデカン
テ−ション時の作業性が悪く、また、粉末を充填しカラ
ムとして用いた場合透過性が悪くなる傾向があり、一
方、大きすぎると比表面積が低下し液晶の精製及び電圧
保持率の向上効果が小さくなる傾向があるため、粉末の
平均粒子径は0.1μm〜5000μmの範囲とされる
ことが好ましい。
【0009】本発明における処理の方法としては、特に
制限はなく、液晶とアミド基及びイミド基を有する化合
物の粉末とを接触させることができるものであればよ
い。このような処理の方法としては、例えば、バッチ
法、カラム法等がある。
【0010】バッチ法とは、適当な容器中に、液晶とア
ミド基及びイミド基を有する化合物の粉末とを投入して
必要に応じ撹拌し、そのアミド基及びイミド基を有する
化合物の粉末を分離除去して、精製された液晶を得る方
法である。バッチ法で行う場合の、液晶とアミド基及び
イミド基を有する化合物の粉末の比率は、アミド基及び
イミド基を有する化合物の粉末が少なすぎると、液晶の
精製及び液晶セルの電圧保持率の向上効果が小さくなる
傾向があり、一方、アミド基及びイミド基を有する化合
物の粉末が多すぎると、アミド基及びイミド基を有する
化合物の粉末に吸収される液晶の量が増大し、液晶のロ
スが多くなる傾向があるので、アミド基及びイミド基を
有する化合物の粉末は、液晶に対して0.01〜30重
量%の範囲で使用することが好ましい。
【0011】バッチ法で行う場合の処理時間は、短すぎ
ると液晶の精製効果及び液晶セルの電圧保持率の向上効
果が小さくなる傾向があるので10秒以上行なうことが
好ましい。
【0012】バッチ法で行う場合の処理温度は、液晶の
融点以上であれば特に問題はないが、高すぎると液晶及
びアミド基及びイミド基を有する化合物の粉末が分解す
る可能性があるので、200℃以下とすることが好まし
い。
【0013】バッチ法で行う場合の液晶とアミド基及び
イミド基を有する化合物の粉末との分離方法としては、
例えば、濾過法、デカンテーション法等を用いることが
できるが、特に制限はない。
【0014】カラム法とは、適当な容器中に、アミド基
及びイミド基を有する化合物の粉末を充填してカラムと
し、このカラムに液晶を通液させ、精製された液晶を得
る方法である。カラム法で行なう場合の液晶の通液方法
は、重力による自然流下であっても、ポンプを用いても
よく、特に制限はない。
【0015】カラム法で行なう場合の流速は、早すぎる
と液晶の精製効果及び液晶セルの電圧保持率の向上効果
が小さくなる傾向があり、遅すぎると処理効率が悪くな
る傾向があるので、線速度で0.0001cm/min〜10
0cm/minの範囲とすることが好ましい。
【0016】
【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、本発明はこれによって制限されるものではな
い。
【0017】実施例1 (1)アミド基及びイミド基を有する化合物の粉末の調
整 温度計、かきまぜ機及び窒素導入管を付けた球管冷却管
を取り付けた3リットルの四つ口フラスコ内に、N−メ
チル−2−ピロリドン2210g及び4、4′−ジフェ
ニルメタンジイソシアネ−ト250gを加え、撹拌しな
がら100℃に昇温、溶解した。ここに微粉末化したト
リメリット酸無水物192gを加え110℃で1時間、
さらに140℃で4時間反応させた。得られた樹脂溶液
を水5リットル中に投入し、平均粒径100μmの無定
形状粉末を得た。この粉末状重合体をメタノ−ルで2度
煮沸洗浄し、瀘別後80℃で3時間乾燥させ平均粒径1
00μmのアミド基及びイミド基を有する化合物の粉体
を得た。この粉体の赤外吸収スペクトルには1780cm
-1にイミド結合、1670cm-1と1540cm-1にアミド
結合の特性吸収が顕著に認められた。
【0018】(2)アミド基及びイミド基を有する化合
物の粉末による液晶の処理 前記(1)で得たアミド基及びイミド基を有する化合物
の粉末0.5gを10ミリリットルのガラスビーカーに
入れた液晶(メルク社製、商品名ZLI−4792)5
g中に投入し、マグネットスターラーにより室温で1時
間撹拌した。次いで濾過して粉末を除去し、精製された
液晶を得た。
【0019】(3)液晶の精製度(比抵抗)の測定 液晶の精製度を、液晶の比抵抗を尺度として調べること
とし、この比抵抗を液体電極用電極(安藤電気製、商品
名LE−21)を用いて室温で測定した結果を表1に示
した。
【0020】(4)液晶セルの電圧保持率の測定 二枚のガラス基板(30mm×30mm×1.0mm)上に、
各々スパッタリング法によって所定のITO透明電極を
形成した。このパタ−ンを図1及び図2に示した。この
両基板をシールパタンとしてのエポキシ系熱硬化性接着
剤(樹脂:HAVEN Chemical Co.製商品名 SE−450
0 Clear、硬化剤:HAVEN Chemical Co.製商品名 SE
−4500 CATALYST)で貼り合わせた。この際、両基
板のギャップを一定に保つため、直径5.0μmのプラ
スチック粒子をスペ−サとして介在させた。この基板間
に液晶(メルク社製、商品名ZLI−4792)を真空
含浸法によって注入し、注入口を封止剤としてのUV硬
化性樹脂(スリーボンド社製商品名 Three bond 305
2)で封止することにより、図3及び図4に示す液晶セ
ルを得た。この液晶セルを用いて、電圧保持率の測定を
行なった。電圧保持率の測定は、上記両基板のITO電
極間の電圧をデジタルメモリ−スコ−プによりモニタ−
する状態で、図5のモデル回路によりパルス電圧を印加
し、ITO電極間の電圧の変化を測定して行なった。測
定条件は、モデル回路におけるゲ−トC−ソ−スS間
に、パルス幅30μ秒、電圧10Vのゲ−ト信号を入力
し、ドレイン電圧VDの変化を測定してそのスコ−プ上
の波形の実効値を求め、下記計算式により算出した。な
お、図1〜図5において、1はガラス基板、2はITO
透明電極、3はシールパタン、4は液晶及び5は封止剤
を表わす。
【0021】
【数1】
【0022】(5)液晶表示装置の表示性能 前記(2)で得た精製された液晶を用いて、液晶配向膜
としてポリイミド(日立化成工業社製商品名アクティブ
マトリクス用配向膜LQ−T210)を使用したアクテ
ィブ駆動型液晶表示装置を作成したところ、その表示特
性(特に表示ムラ)は極めて優れていた。
【0023】比較例1 アミド基及びイミド基を有する化合物の粉末に代えて、
活性アルミナ(和光純薬製カラムクロマト用、200me
sh)を用いた以外は実施例1と同様の操作を行ない、結
果を表1に示した。
【0024】比較例2 アミド基及びイミド基を有する化合物の粉末による処理
を行なわず、他は実施例1と同様の測定を行ない、結果
を表1に示した。
【0025】
【表1】
【0026】
【発明の効果】本発明の製造法により得られるアミド基
及びイミド基を有する化合物の粉末によって精製された
液晶は比抵抗が向上する。また、精製された液晶を用い
て作成された液晶セルは、高い電圧保持率を示す。そし
て、精製された液晶を用いた液晶表示装置は、高い表示
特性を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1、比較例1及び比較例2で用いた、一
方のITO透明電極のパタ−ンを示す平面図。
【図2】実施例1、比較例1及び比較例2で用いた、他
方のITO透明電極のパタ−ンを示す平面図。
【図3】実施例1、比較例1及び比較例2で作成した、
液晶セルの側面からの構成図。
【図4】実施例1、比較例1及び比較例2で作成した、
液晶セルの平面からの構成図。
【図5】実施例1、比較例1及び比較例2で行なった、
電圧保持率測定時の等価回路図。
【符号の説明】
1 ガラス基板 2 ITO透明電極 3 シールパタン 4 液晶 5 封止剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮 好宏 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液晶をアミド基及びイミド基を有する化
    合物の粉末で処理することを特徴とする精製された液晶
    の製造法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の製造法により得られた液
    晶を用いた液晶セル。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の製造法により得られた液
    晶を用いた液晶表示装置。
JP5263513A 1993-10-21 1993-10-21 精製された液晶の製造法、液晶セル及び液晶表示装置 Pending JPH07120712A (ja)

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