JPH07120633A - 光導波路素子の作製方法 - Google Patents
光導波路素子の作製方法Info
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- JPH07120633A JPH07120633A JP5266196A JP26619693A JPH07120633A JP H07120633 A JPH07120633 A JP H07120633A JP 5266196 A JP5266196 A JP 5266196A JP 26619693 A JP26619693 A JP 26619693A JP H07120633 A JPH07120633 A JP H07120633A
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- optical waveguide
- crystal
- proton exchange
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 所定形状の結晶基板と、その表面に形成され
たプロトン交換光導波路とを有する光導波路素子を作製
する方法において、工程を簡略化し、加工コストを低減
させる。 【構成】 結晶のインゴット９を切断、研磨して所定形
状の結晶基板10を形成し、次いでこの所定形状の結晶基
板10を酸５に浸漬してプロトン交換処理を施し、光導波
路11を形成する。
たプロトン交換光導波路とを有する光導波路素子を作製
する方法において、工程を簡略化し、加工コストを低減
させる。 【構成】 結晶のインゴット９を切断、研磨して所定形
状の結晶基板10を形成し、次いでこの所定形状の結晶基
板10を酸５に浸漬してプロトン交換処理を施し、光導波
路11を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶基板の表面にプロ
トン交換光導波路を備えてなる光導波路素子を作製する
方法に関するものである。
トン交換光導波路を備えてなる光導波路素子を作製する
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、結晶基板上に光導波路を形成
し、この光導波路において光を導波モードで伝搬させる
ようにした光導波路素子が種々提供されている。そして
このような光導波路を形成する方法の一つとして、従来
よりプロトン交換法が広く知られている。このプロトン
交換法は、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の結晶を安息
香酸、ピロリン酸等の酸の中に浸して、結晶表面部分の
Ｌｉ+ を酸中のＨ+ と交換させ、結晶表面部分にＨx Ｌ
ｉ1-x ＮｂＯ3 なる高屈折率層を形成するものである。
し、この光導波路において光を導波モードで伝搬させる
ようにした光導波路素子が種々提供されている。そして
このような光導波路を形成する方法の一つとして、従来
よりプロトン交換法が広く知られている。このプロトン
交換法は、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の結晶を安息
香酸、ピロリン酸等の酸の中に浸して、結晶表面部分の
Ｌｉ+ を酸中のＨ+ と交換させ、結晶表面部分にＨx Ｌ
ｉ1-x ＮｂＯ3 なる高屈折率層を形成するものである。
【０００３】一方、この種の光導波路素子においては、
導波光を光導波路外へ出射させるため、あるいは外部光
を光導波路内に入射させるために、光導波路の表面に形
成した回折格子（グレーティングカプラ）を利用するこ
とが多い。その際、斜めカットされた基板端面を通して
外部光を入力させ、あるいは導波光を光導波路外へ出力
させることが多いが、そのようにする場合は、光損失を
低く抑えるために基板端面を正確に所定の角度に切断
し、研磨しておく必要がある。またそれ以外の事情から
も、通常この結晶基板は所定形状に切断、研磨されるこ
とが多い。
導波光を光導波路外へ出射させるため、あるいは外部光
を光導波路内に入射させるために、光導波路の表面に形
成した回折格子（グレーティングカプラ）を利用するこ
とが多い。その際、斜めカットされた基板端面を通して
外部光を入力させ、あるいは導波光を光導波路外へ出力
させることが多いが、そのようにする場合は、光損失を
低く抑えるために基板端面を正確に所定の角度に切断
し、研磨しておく必要がある。またそれ以外の事情から
も、通常この結晶基板は所定形状に切断、研磨されるこ
とが多い。
【０００４】このように所定形状とされた結晶基板と、
その表面に形成されたプロトン交換光導波路とを有する
光導波路素子を作製するために従来は、図２に示すよう
な方法が用いられていた。すなわち、まず結晶のインゴ
ット１を切断、研磨してウェハ２を形成し、次いでこの
ウェハ２をルツボ４中の酸５に浸漬してプロトン交換に
より光導波路を形成し、その後該ウェハ２を一般にはア
ニール処理してから所定形状に切断、研磨し、次いでこ
の所定形状となった結晶基板２’の光導波路６の部分に
例えばグレーティングカプラや各種電極等の要素７を形
成してデバイス化するようにしていた。なお、上記のウ
ェハ２を形成する代わりに角チップ３を形成し、それ以
降この角チップ３に上記と同様の処理を施す場合もあ
る。
その表面に形成されたプロトン交換光導波路とを有する
光導波路素子を作製するために従来は、図２に示すよう
な方法が用いられていた。すなわち、まず結晶のインゴ
ット１を切断、研磨してウェハ２を形成し、次いでこの
ウェハ２をルツボ４中の酸５に浸漬してプロトン交換に
より光導波路を形成し、その後該ウェハ２を一般にはア
ニール処理してから所定形状に切断、研磨し、次いでこ
の所定形状となった結晶基板２’の光導波路６の部分に
例えばグレーティングカプラや各種電極等の要素７を形
成してデバイス化するようにしていた。なお、上記のウ
ェハ２を形成する代わりに角チップ３を形成し、それ以
降この角チップ３に上記と同様の処理を施す場合もあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの従来方法
は、結晶を切断、研磨する工程が間にプロトン交換処理
を挟んで２回必要で、煩雑になっているので、加工コス
トが高くつくものとなっていた。
は、結晶を切断、研磨する工程が間にプロトン交換処理
を挟んで２回必要で、煩雑になっているので、加工コス
トが高くつくものとなっていた。
【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、従来方法よりも工程が簡略化され、それにより
加工コストを低減することができる、プロトン交換光導
波路を備えた光導波路素子の作製方法を提供することを
目的とするものである。
であり、従来方法よりも工程が簡略化され、それにより
加工コストを低減することができる、プロトン交換光導
波路を備えた光導波路素子の作製方法を提供することを
目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による光導波路素
子の作製方法は、従来はウェハや角チップの状態の結晶
にプロトン交換処理を施していたのに対し、結晶をまず
光導波路素子において求められる所定形状、あるいは簡
単に切り分けるだけでこの所定形状となる形状に切断、
研磨しておき、それからこの結晶にプロトン交換処理を
施すようにしたものである。
子の作製方法は、従来はウェハや角チップの状態の結晶
にプロトン交換処理を施していたのに対し、結晶をまず
光導波路素子において求められる所定形状、あるいは簡
単に切り分けるだけでこの所定形状となる形状に切断、
研磨しておき、それからこの結晶にプロトン交換処理を
施すようにしたものである。
【０００８】すなわち、より具体的に、本発明による第
１の光導波路素子の作製方法は、前述したように所定形
状の結晶基板と、その表面に形成されたプロトン交換光
導波路とを有する光導波路素子を作製する方法におい
て、結晶のインゴットを切断、研磨して上記所定形状の
結晶基板を形成し、次いでこの所定形状の結晶基板にプ
ロトン交換処理を施して光導波路を形成することを特徴
とするものである。
１の光導波路素子の作製方法は、前述したように所定形
状の結晶基板と、その表面に形成されたプロトン交換光
導波路とを有する光導波路素子を作製する方法におい
て、結晶のインゴットを切断、研磨して上記所定形状の
結晶基板を形成し、次いでこの所定形状の結晶基板にプ
ロトン交換処理を施して光導波路を形成することを特徴
とするものである。
【０００９】また、本発明による第２の光導波路素子の
作製方法は、所定形状の結晶基板と、その表面に形成さ
れたプロトン交換光導波路とを有する光導波路素子を作
製する方法において、結晶のインゴットを切断、研磨し
て、上記所定形状が複数集合した形状の結晶基板を形成
し、次いでこの結晶基板にプロトン交換処理を施して光
導波路を形成し、その後該結晶基板を複数に切断して上
記所定形状とすることを特徴とするものである。
作製方法は、所定形状の結晶基板と、その表面に形成さ
れたプロトン交換光導波路とを有する光導波路素子を作
製する方法において、結晶のインゴットを切断、研磨し
て、上記所定形状が複数集合した形状の結晶基板を形成
し、次いでこの結晶基板にプロトン交換処理を施して光
導波路を形成し、その後該結晶基板を複数に切断して上
記所定形状とすることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用および発明の効果】上記構成の第１の光導波路素
子の作製方法においては、結晶を所定形状に切断、研磨
する工程をプロトン交換処理の前に１回設けるだけで済
むから、このような結晶の切断、研磨工程を２回設ける
従来方法と比べれば、工程が簡略化され、それにより加
工コストを低減できる。
子の作製方法においては、結晶を所定形状に切断、研磨
する工程をプロトン交換処理の前に１回設けるだけで済
むから、このような結晶の切断、研磨工程を２回設ける
従来方法と比べれば、工程が簡略化され、それにより加
工コストを低減できる。
【００１１】一方第２の光導波路素子の作製方法におい
ては、第１の方法と同じ結晶切断、研磨工程に加えて、
プロトン交換処理の後に結晶基板を複数に切断する工程
が入るが、これはただ単に結晶基板を切り分けるだけの
ものであって、研磨作業は必要としないから、この第２
の方法も結晶の切断、研磨工程を２回設ける従来方法と
比べれば、工程が簡略化され、それにより加工コストを
低減できる。
ては、第１の方法と同じ結晶切断、研磨工程に加えて、
プロトン交換処理の後に結晶基板を複数に切断する工程
が入るが、これはただ単に結晶基板を切り分けるだけの
ものであって、研磨作業は必要としないから、この第２
の方法も結晶の切断、研磨工程を２回設ける従来方法と
比べれば、工程が簡略化され、それにより加工コストを
低減できる。
【００１２】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例により光導
波路素子を作製する手順を示すものであり、図３と図４
はそれぞれ、完成した光導波路素子の平面形状、側断面
形状を示すものである。
詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例により光導
波路素子を作製する手順を示すものであり、図３と図４
はそれぞれ、完成した光導波路素子の平面形状、側断面
形状を示すものである。
【００１３】説明を容易にするため、まず図３および図
４を参照して、完成した光導波路素子について説明す
る。この光導波路素子は一例として、電気光学光変調器
を構成するものであり、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 の結
晶からなる所定形状の基板10上にプロトン交換による薄
膜光導波路11が形成され、この光導波路11の上に光入射
用の線状回折格子（Linear Grating Coupler ：以下Ｌ
ＧＣと称する）14と光出射用ＬＧＣ15とが形成され、そ
してＬＧＣ14とＬＧＣ15との間において光導波路11の上
には、導波光の光路を切り換えてＬＧＣ15からの出射を
制御するＥＯＧ電極13が配設されてなるものである。な
お、このＥＯＧ電極13は、光導波路11に電気光学的回折
格子（Electro-Optic Grating ）を形成する格子状電極
であり、光導波路11の上にバッファ層12を介して設けら
れている。
４を参照して、完成した光導波路素子について説明す
る。この光導波路素子は一例として、電気光学光変調器
を構成するものであり、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 の結
晶からなる所定形状の基板10上にプロトン交換による薄
膜光導波路11が形成され、この光導波路11の上に光入射
用の線状回折格子（Linear Grating Coupler ：以下Ｌ
ＧＣと称する）14と光出射用ＬＧＣ15とが形成され、そ
してＬＧＣ14とＬＧＣ15との間において光導波路11の上
には、導波光の光路を切り換えてＬＧＣ15からの出射を
制御するＥＯＧ電極13が配設されてなるものである。な
お、このＥＯＧ電極13は、光導波路11に電気光学的回折
格子（Electro-Optic Grating ）を形成する格子状電極
であり、光導波路11の上にバッファ層12を介して設けら
れている。
【００１４】また、Ｘ−cut の基板10の一端面10ａは、
Ｈｅ−Ｎｅレーザ等のレーザ21から発せられた光ビーム
20を入射させるため、そして基板10の他端面10ｂは光出
射用ＬＧＣ15で回折した光を基板10外に出射させるた
め、それぞれ所定の角度で斜めに研磨されている。
Ｈｅ−Ｎｅレーザ等のレーザ21から発せられた光ビーム
20を入射させるため、そして基板10の他端面10ｂは光出
射用ＬＧＣ15で回折した光を基板10外に出射させるた
め、それぞれ所定の角度で斜めに研磨されている。
【００１５】端面10ａを通して基板10内に入射し、光導
波路11越しにＬＧＣ14の部分に入射した光ビーム20は、
このＬＧＣ14において回折し、光導波路11内に入射して
導波光20’となる。この導波光20’は、ＥＯＧ電極13に
対応する部分を通って図３の矢印Ａ方向に導波するが、
ＥＯＧ電極13に電圧が印加されていない状態ではそこを
直進する。一方、ＥＯＧ電極13に駆動回路16から所定の
電圧が印加されると、電気光学効果を有する光導波路11
の屈折率が変化して回折格子が形成され、導波光20’は
その回折格子により回折する。以上のようにして回折し
た光ビーム20Ａおよび回折しない光ビーム20Ｂは、ＬＧ
Ｃ15において基板10側に回折し、この基板10の斜めにカ
ットされた端面10ｂから素子外に出射する。
波路11越しにＬＧＣ14の部分に入射した光ビーム20は、
このＬＧＣ14において回折し、光導波路11内に入射して
導波光20’となる。この導波光20’は、ＥＯＧ電極13に
対応する部分を通って図３の矢印Ａ方向に導波するが、
ＥＯＧ電極13に電圧が印加されていない状態ではそこを
直進する。一方、ＥＯＧ電極13に駆動回路16から所定の
電圧が印加されると、電気光学効果を有する光導波路11
の屈折率が変化して回折格子が形成され、導波光20’は
その回折格子により回折する。以上のようにして回折し
た光ビーム20Ａおよび回折しない光ビーム20Ｂは、ＬＧ
Ｃ15において基板10側に回折し、この基板10の斜めにカ
ットされた端面10ｂから素子外に出射する。
【００１６】そこでこの素子外に出射した例えば光ビー
ム20Ａを使用光とすれば、ＥＯＧ電極13への電圧印加の
有無に応じてこの光ビーム20Ａを変調することができ
る。例えば所定の画像信号に基づいてこの光ビーム20Ａ
を変調する場合は、その画像信号に基づいて電圧印加を
制御すればよい。
ム20Ａを使用光とすれば、ＥＯＧ電極13への電圧印加の
有無に応じてこの光ビーム20Ａを変調することができ
る。例えば所定の画像信号に基づいてこの光ビーム20Ａ
を変調する場合は、その画像信号に基づいて電圧印加を
制御すればよい。
【００１７】次に図１を参照して、上記光導波路素子の
作製方法を説明する。まずＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 結
晶のインゴット９を切断、研磨して、Ｘ−cut の基板10
を形成する。この段階で該基板10は、両端面10ａおよび
10ｂを含むすべての面を加工して、上記光変調器におい
て最終的に求められる所定形状とされる。
作製方法を説明する。まずＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 結
晶のインゴット９を切断、研磨して、Ｘ−cut の基板10
を形成する。この段階で該基板10は、両端面10ａおよび
10ｂを含むすべての面を加工して、上記光変調器におい
て最終的に求められる所定形状とされる。
【００１８】次いでこの基板10をルツボ４に貯えた酸５
中に浸漬して、プロトン交換処理する。このプロトン交
換処理は、より詳しくは、一例として以下のようになさ
れる。白金ツルボ４内にピロリン酸５を５０ｃｃ程度入
れ、数時間、１４０〜１６０℃で予熱しておく。その
後、基板10を上記ピロリン酸５中に数１０分間浸し、す
ばやく取り出す。この基板10は空冷後、純水にて洗浄
し、不活性のＮ2 ガスを吹き付けて乾燥させる。以上の
処理により、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 結晶基板10の表
面のＬｉ+ がピロリン酸中のＨ+ と交換され、前述した
通りの光導波路11が形成される。
中に浸漬して、プロトン交換処理する。このプロトン交
換処理は、より詳しくは、一例として以下のようになさ
れる。白金ツルボ４内にピロリン酸５を５０ｃｃ程度入
れ、数時間、１４０〜１６０℃で予熱しておく。その
後、基板10を上記ピロリン酸５中に数１０分間浸し、す
ばやく取り出す。この基板10は空冷後、純水にて洗浄
し、不活性のＮ2 ガスを吹き付けて乾燥させる。以上の
処理により、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 結晶基板10の表
面のＬｉ+ がピロリン酸中のＨ+ と交換され、前述した
通りの光導波路11が形成される。
【００１９】次にこの基板10を、空気中にて３００〜４
５０℃で約１時間アニールし、最後にＥＯＧ電極13、Ｌ
ＧＣ14およびＬＧＣ15を形成して、デバイス化する。
５０℃で約１時間アニールし、最後にＥＯＧ電極13、Ｌ
ＧＣ14およびＬＧＣ15を形成して、デバイス化する。
【００２０】ＥＯＧ電極13は、例えば、光導波路11の表
面にレジストを塗布し、電子ビーム描画により電極パタ
ーンを形成し、現像後ＳｉＯ2 を厚さ５０〜１００ｎｍ
にスパッタリングし、その上にＡｌを厚さ１００〜５０
０ｎｍに蒸着し、次いでリフトオフを行なう、という方
法により形成される。それにより、ＳｉＯ2 からなるバ
ッファ層12上にＡｌからなるＥＯＧ電極13が形成され
る。一方ＬＧＣ14とＬＧＣ15は、電子ビーム描画により
形成したレジストパターン上にＲＦスパッター法により
ＺｎＳを製膜し、次いでリフトオフして形成される。
面にレジストを塗布し、電子ビーム描画により電極パタ
ーンを形成し、現像後ＳｉＯ2 を厚さ５０〜１００ｎｍ
にスパッタリングし、その上にＡｌを厚さ１００〜５０
０ｎｍに蒸着し、次いでリフトオフを行なう、という方
法により形成される。それにより、ＳｉＯ2 からなるバ
ッファ層12上にＡｌからなるＥＯＧ電極13が形成され
る。一方ＬＧＣ14とＬＧＣ15は、電子ビーム描画により
形成したレジストパターン上にＲＦスパッター法により
ＺｎＳを製膜し、次いでリフトオフして形成される。
【００２１】以上説明した光導波路素子の作製方法にお
いては、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3結晶を所定形状に切
断、研磨する工程をプロトン交換処理の前に１回設ける
だけで済むから、このような結晶の切断、研磨工程を２
回設ける従来方法と比べれば、工程が簡略化され、それ
により加工コストを低減できる。
いては、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3結晶を所定形状に切
断、研磨する工程をプロトン交換処理の前に１回設ける
だけで済むから、このような結晶の切断、研磨工程を２
回設ける従来方法と比べれば、工程が簡略化され、それ
により加工コストを低減できる。
【００２２】なお、この方法により作製された光導波路
素子においては、図４に示す通り、基板10の光入射端面
10ａおよび光出射端面10ｂを含むすべての表面部分に光
導波路11（プロトン交換層）が形成されることになる。
このようなプロトン交換層を介して光入射および光出射
を行なっても、光ビーム品質に悪影響が及ばないこと
は、実験的に確認できた。
素子においては、図４に示す通り、基板10の光入射端面
10ａおよび光出射端面10ｂを含むすべての表面部分に光
導波路11（プロトン交換層）が形成されることになる。
このようなプロトン交換層を介して光入射および光出射
を行なっても、光ビーム品質に悪影響が及ばないこと
は、実験的に確認できた。
【００２３】ここで、前述のようなリソグラフィーによ
りＥＯＧ電極13、ＬＧＣ14、15等を形成する場合、線幅
を均一にするためには、レジストを基板10上に厚さが均
一になるようにスピンコートする必要がある。そのため
には、断面台形状とされる基板10は、図５に示すよう
に、１０×１０ｍｍ程度の平面正方形のチップ形状とす
るのが望ましい。それに対して光ビーム20の径は一般に
１ｍｍ前後であるので、基板10には、光ビームが通過し
ないムダな部分（図５中で斜線を付した部分）が多くで
きてしまうことになる。
りＥＯＧ電極13、ＬＧＣ14、15等を形成する場合、線幅
を均一にするためには、レジストを基板10上に厚さが均
一になるようにスピンコートする必要がある。そのため
には、断面台形状とされる基板10は、図５に示すよう
に、１０×１０ｍｍ程度の平面正方形のチップ形状とす
るのが望ましい。それに対して光ビーム20の径は一般に
１ｍｍ前後であるので、基板10には、光ビームが通過し
ないムダな部分（図５中で斜線を付した部分）が多くで
きてしまうことになる。
【００２４】次に説明する本発明の第２実施例は、上述
のムダな部分をできるだけ少なくするようにしたもので
ある。以下、図６を参照してこの第２実施例の方法につ
いて説明する。なおこの図６において、図１中の要素と
同等のものには同番号を付し、それらについての重複し
た説明は省略する。
のムダな部分をできるだけ少なくするようにしたもので
ある。以下、図６を参照してこの第２実施例の方法につ
いて説明する。なおこの図６において、図１中の要素と
同等のものには同番号を付し、それらについての重複し
た説明は省略する。
【００２５】この実施例においても、まずＭｇＯドープ
ＬｉＮｂＯ3 結晶のインゴット９を切断、研磨して、Ｘ
−cut の基板10を形成する。この基板10の形状は、上記
光変調器において最終的に求められる所定形状が２つ横
に並んだ形状とされる。以下、第１実施例と同様のプロ
トン交換、アニール処理がなされ、次いでＥＯＧ電極13
およびＬＧＣ14、15が形成されてデバイス化されるが、
これらＥＯＧ電極13およびＬＧＣ14、15はそれぞれ２組
並べて形成される。そして最後に、上記基板10を中央部
分から２つに切断することにより、２つの光変調器が作
製される。
ＬｉＮｂＯ3 結晶のインゴット９を切断、研磨して、Ｘ
−cut の基板10を形成する。この基板10の形状は、上記
光変調器において最終的に求められる所定形状が２つ横
に並んだ形状とされる。以下、第１実施例と同様のプロ
トン交換、アニール処理がなされ、次いでＥＯＧ電極13
およびＬＧＣ14、15が形成されてデバイス化されるが、
これらＥＯＧ電極13およびＬＧＣ14、15はそれぞれ２組
並べて形成される。そして最後に、上記基板10を中央部
分から２つに切断することにより、２つの光変調器が作
製される。
【００２６】以上の方法によれば、前記レジストのスピ
ンコートは比較的大きな基板10に対してなされるので、
レジストの厚さを十分均一にすることができる。そし
て、このように比較的大きな基板10を最後に２分して２
つの光導波路素子を形成しているので、上に説明したよ
うなムダを少なく抑えることができる。
ンコートは比較的大きな基板10に対してなされるので、
レジストの厚さを十分均一にすることができる。そし
て、このように比較的大きな基板10を最後に２分して２
つの光導波路素子を形成しているので、上に説明したよ
うなムダを少なく抑えることができる。
【００２７】なおこの第２実施例においては、第１実施
例と同じ結晶切断、研磨工程に加えて、プロトン交換処
理の後に基板10を２つに切断する工程が入るが、これは
ただ単に基板10を切り分けるだけのものであって、研磨
作業は必要としないから、この第２実施例の方法も結晶
の切断、研磨工程を２回設ける従来方法と比べれば、工
程が簡略化され、それにより加工コストを低減できる。
例と同じ結晶切断、研磨工程に加えて、プロトン交換処
理の後に基板10を２つに切断する工程が入るが、これは
ただ単に基板10を切り分けるだけのものであって、研磨
作業は必要としないから、この第２実施例の方法も結晶
の切断、研磨工程を２回設ける従来方法と比べれば、工
程が簡略化され、それにより加工コストを低減できる。
【００２８】以上、電気光学光変調器を構成する光導波
路素子を作製する場合に適用された実施例について説明
したが、本発明はこれに限らず、前記ＥＯＧ電極13、Ｌ
ＧＣ14、15の代わりに例えばＡＯ（音響光学）素子やビ
ームスプリッタ等のその他の要素が設けられたり、ある
いはそれらが組み合わせて設けられた別のタイプの光導
波路素子を作製する場合にも同様に適用可能である。
路素子を作製する場合に適用された実施例について説明
したが、本発明はこれに限らず、前記ＥＯＧ電極13、Ｌ
ＧＣ14、15の代わりに例えばＡＯ（音響光学）素子やビ
ームスプリッタ等のその他の要素が設けられたり、ある
いはそれらが組み合わせて設けられた別のタイプの光導
波路素子を作製する場合にも同様に適用可能である。
【００２９】さらに本発明は、ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ
3 結晶から基板を構成する場合に限らず、その他例えば
ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＭｇＯドープＬｉＴａＯ
3 結晶等から基板を構成する場合にも同様に適用可能で
ある。
3 結晶から基板を構成する場合に限らず、その他例えば
ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＭｇＯドープＬｉＴａＯ
3 結晶等から基板を構成する場合にも同様に適用可能で
ある。
【００３０】また本発明において、プロトン交換処理の
後に基板をアニールすることは必ずしも必要ではない
が、一般にこのプロトン交換処理を施せば、光導波路素
子のデバイス特性が改善されることが多い。
後に基板をアニールすることは必ずしも必要ではない
が、一般にこのプロトン交換処理を施せば、光導波路素
子のデバイス特性が改善されることが多い。
【００３１】また以上は、２次元（薄膜）光導波路を形
成する実施例について述べたが、本発明は３次元光導波
路を形成する際にも適用可能であり、その場合にも同様
の効果が得られる。
成する実施例について述べたが、本発明は３次元光導波
路を形成する際にも適用可能であり、その場合にも同様
の効果が得られる。
【図１】本発明の第１実施例による光導波路素子の作製
方法を示す概略図
方法を示す概略図
【図２】従来の光導波路素子の作製方法を示す概略図
【図３】本発明方法により作製された光導波路素子の一
例を示す平面図
例を示す平面図
【図４】図３の光導波路素子の側断面図
【図５】結晶基板のサイズと光ビーム径との関係を説明
するため概略平面図
するため概略平面図
【図６】本発明の第２実施例による光導波路素子の作製
方法を示す概略図
方法を示す概略図
４ ルツボ ５ 酸 ９ ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 結晶のインゴット 10 ＭｇＯドープＬｉＮｂＯ3 結晶基板 11 光導波路 12 バッファ層 13 ＥＯＧ電極 14 光入射用ＬＧＣ 15 光出射用ＬＧＣ
Claims (2)
- 【請求項１】 所定形状の結晶基板と、その表面に形成
されたプロトン交換光導波路とを有する光導波路素子を
作製する方法であって、 結晶のインゴットを切断、研磨して前記所定形状の結晶
基板を形成し、 次いでこの所定形状の結晶基板にプロトン交換処理を施
して光導波路を形成することを特徴とする光導波路素子
の作製方法。 - 【請求項２】 所定形状の結晶基板と、その表面に形成
されたプロトン交換光導波路とを有する光導波路素子を
作製する方法であって、 結晶のインゴットを切断、研磨して、前記所定形状が複
数集合した形状の結晶基板を形成し、 次いでこの結晶基板にプロトン交換処理を施して光導波
路を形成し、 その後該結晶基板を複数に切断して前記所定形状とする
ことを特徴とする光導波路素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5266196A JPH07120633A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 光導波路素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5266196A JPH07120633A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 光導波路素子の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120633A true JPH07120633A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17427600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5266196A Withdrawn JPH07120633A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | 光導波路素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120633A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837345A1 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-22 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP5266196A patent/JPH07120633A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0837345A1 (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-22 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
| US5983672A (en) * | 1996-09-30 | 1999-11-16 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
| US6269661B1 (en) | 1996-09-30 | 2001-08-07 | Nikon Corporation | Method for manufacturing optical components for use in the ultraviolet region |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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