JPH07115180A - イメージセンサー及びその製造方法及び情報処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 フィルターを有するイメージセンサーにおい
て、可視光と非可視光を分離するための良好な特性を有
するフィルターを一体的に形成することにより、フィル
ター取り付けにかかる時間と人手を削減し、コストダウ
ンを行ない、かつ後工程での膜割れ不良を防止したフィ
ルター膜を実現する。 【構成】 特定の波長の光を選択的に透過させるフィル
ターを有するイメージセンサーにおいて、光信号を電気
信号に変換する複数のセンサー部２０〜２３と、該セン
サー部上に形成された平坦化膜７，８と、該平坦化膜７
上に直接形成された前記フィルター膜１０としての誘電
体多層膜を有することを特徴とするイメージセンサーで
あり、前記フィルター膜１０が、前記センサー部近傍上
にのみ選択的に形成されていることを特徴とする。ま
た、本発明はその製造方法及びそれを用いた情報処理装
置も含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ、イメー
ジスキャナー、複写機等の画像情報処理装置に用いられ
るイメージセンサーに関し、特に可視光だけではなく非
可視光領域の光信号を電気信号に変換するための多層膜
を有するイメージセンサーに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、イメージセンサーとしての固体撮
像装置の用途は多様化しており、新しい機能が要求され
ている。例えば、複写機の高画質化、カラー化に加え
て、目に見えない画像を認識しそれを再生し記録するこ
とが要求されてきている。そのような画像すなわち非可
視光画像としては、例えば、赤外線を吸収する特性を持
つインクで形成された画像等がある。

【０００３】このようなイメージセンサーを作製するた
め、従来はイメージセンサー素子を装置に組み立てる時
に、赤外線のみを透過させるフィルターや、可視光のみ
を透過させるフィルター等を構成部品として組み込んで
いた。

【０００４】また、可視光を検出するセンサーと非可視
光を検出するセンサーを併せて用いるために、両センサ
ーをモノリシックに一つの半導体チップに収めるという
技術が見いだされている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
のようなフィルターを別部品として組み立てる方式のイ
メージセンサーでは、そのための工程や人手がかかり、
生産効率が悪く。コストもかかるという問題点があっ
た。

【０００６】また、イメージセンサー素子上に直接フィ
ルター膜を形成することにより、一体化されたイメージ
センサー素子を作製しようとすると、素子部とフィルタ
ー膜との熱膨張率の違いからフィルター膜に割れが発生
するという問題があった。

【０００７】このように、可視光と非可視光を分離する
ためのフィルター、及びその形成工程においては、更な
る技術改善の余地が残されていた。

【０００８】［発明の目的］本発明の目的は、可視光領
域から非可視光領域に亘る広い波長域での光信号検出が
良好に行え、信号処理が比較的容易に行える小型のイメ
ージセンサーを得ることにあり、特に可視光と非可視光
を分離するための良好な特性を有するフィルターを一体
的に形成することにより、フィルター取り付けにかかる
時間と人手を削減し、コストダウンを行なうことにあ
る。

【０００９】また、特に形成後の後工程での膜割れ不良
を防止するための多層膜の構成、形状、及びその製造方
法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、前
記イメージセンサーにおいて、可視光領域の光信号と非
可視光領域の光信号を分離するために、センサーアレイ
の要素として誘電体多層膜をフィルターとして形成し、
更に前記多層膜を平坦化処理を施した表面上にのみ形成
することにより達成される。

【００１１】また、前記多層膜をセンサー部上にのみ部
分的に形成することにより、より好ましく達成される。

【００１２】更に、前記多層膜を全体として圧縮応力を
有するように形成することにより、より好ましく達成さ
れる。

【００１３】

【作用】本発明によれば、平坦化膜により、平坦化処理
された表面上に多層膜をフィルターとして形成すること
により、多層膜形成時、及び形成後の後工程において熱
膨張率の相違による膜割れを防止することができる。

【００１４】また、多層膜からなるフィルターを表面全
体に形成するのでなく、センサー上にのみ部分的に形成
することにより、熱膨張又は放熱時の収縮による膜割れ
を、より効果的に防止することができる。

【００１５】また、多層膜からなるフィルターに圧縮応
力を持たせておくことにより、より効果的に熱膨張率の
相違による変形を吸収することができる。 ［好適な実施態様例の説明］図１に本発明の好適な実施
態様例のイメージセンサーを示す。

【００１６】図１（ａ）は、摸式的上面図の１例を示
し、このイメージセンサーには、可視光領域の光信号を
電気信号に変換する光電変換要素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）２０〜
２２と、非可視光領域の光信号を電気信号に変換する光
電変換要素（ＩＲ）２３とが４ライン構成で並置されて
いる。

【００１７】ここで光電変換要素としては、ホトダイオ
ードやホトトランジスターのような光起電力素子又は光
導電素子が用いられる。

【００１８】図１（ｂ）は、図１（ａ）のイメージセン
サーの断面Ａ−Ｂを摸式的に示した図である。

【００１９】図１（ｂ）に示すように、一つのＳｉ基板
２４上に形成された光電変換要素としてのフォトダイオ
ード（ＰＤ）２０〜２３の上に、機能を実現するための
フィルター２〜６が形成され、又各フォトダイオード２
０〜２３には信号を転送するためのＣＣＤが隣接配置さ
れる。

【００２０】可視光領域用に用いられるＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の各光電変換要素２０〜２２は、各々
特定の波長領域をのみ透過する固有の積層フィルター２
〜４と非可視光領域の光を遮断するための誘電体多層膜
からなる積層フィルター（ＩＲカットフィルター）１０
を有する。

【００２１】一方、非可視光領域の光信号を電気信号に
変換する光電変換要素（ＩＲ）２３としては、非可視光
領域を含む広い波長領域に感度を有する材料に、非可視
光領域の光に対して選択的な透過率を持つフィルター
５，６を組み合わせて構成する。

【００２２】上記に述べた様に、各フィルターと組み合
わせることにより、特定の各可視光領域、非可視光領域
の光信号を得ることができる。

【００２３】また、本発明の構造的特徴として、非可視
光領域遮断フィルター（ＩＲカットフィルター）１０は
平坦化膜７，８上のセンサー部２０〜２２上にのみ形成
されてある。

【００２４】上記の非可視光領域遮断フィルター１０の
誘電体多層膜は、高屈折率膜と低屈折率膜の交互層で構
成される。

【００２５】このような高屈折率膜としてはＴｉＯ₂ 、
ＺｎＳ、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ｎｂ₂ Ｏ₅ 、ＺｒＯ₂ 、ＨｆＯ
₂ 、Ｙ₂ Ｏ₃ 、ＣｅＯ₂ 等及びこれらの混合物が用いら
れ、低屈折率膜としては、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、Ｍｇ
Ｆ₂ 、Ｎａ₃ ＡｌＦ₆ 等及びこれらの混合物が用いられ
る。

【００２６】更に上記材料の中では、圧縮応力を生じる
膜としてＳｉＯ₂ 、及びＺｎＳ膜を選択する場合、Ｔｉ
Ｏ₂ とＳｉＯ₂ の交互多層膜、又はＺｎＳとＭｇＦ₂
（あるいはＮａ₃ ＡｌＦ₆ ）の交互多層膜を用いるのが
好ましい。

【００２７】また、平坦化膜７、８としては、通常アク
リル系ポリマー等の有機樹脂を用いて形成される。

【００２８】また、膜形成時の基板加熱温度は、平坦化
膜７、８が通常アクリル系ポリマー等の有機樹脂で形成
されるため耐熱性に乏しいため、好ましくは室温から２
００℃程度の温度範囲である。

【００２９】又、上記多層膜の形成方法としては、通常
真空蒸着法が用いられるが、低温での膜形成において膜
強度を得るため、イオンプレーティング法やイオンビー
ムアシスト法を用いることが可能であり、更にはゴミの
混入を防ぐためにスパッタ法で形成することも可能であ
る。

【００３０】特に、上記イオンやプラズマを利用する形
成方法においては、大きな圧縮応力を有する膜を形成す
ることができ、後工程での膜割れを防止するための製造
方法として有効である。

【００３１】図２は、上述したようなイメージセンサの
製造工程を示す模式的な工程図である。

【００３２】まず、センサー部とＡｌ電極パッド部９を
形成したＳｉ基板上に、平坦化膜８を全面的に形成する
（工程（ａ））。

【００３３】次に、平坦化膜８上に、ＩＲカットフィル
ター１０を全面的に形成する（工程（ｂ））。

【００３４】次に、センサー部上にのみ、ＩＲカットフ
ィルター１０を残してパターニングし、ＩＲカットフィ
ルター１０を除去する（工程（ｃ））。

【００３５】（ｃ）図のセンサー部１００を詳細に拡大
したものが、図１（ｂ）であり、説明の都合上、細部の
構造に関する製造工程は略してあるが、図１で説明した
イメージセンサーとすることができる。

【００３６】その後、Ａｌ電極パッド部９、スクライビ
ング部１３、の平坦化膜８をパターニング、及びエッチ
ングにより除去する（工程（ｄ））。

【００３７】その後、更にダイシングにより所望のチッ
プに分割する（工程（ｅ））。

【００３８】次に、ワイヤー３０をボンディングし（工
程（ｆ））、図示されていないが、パッケージと接続す
る。

【００３９】更に、パッケージをガラス封止して（工程
（ｇ））、図１で説明したイメージセンサを完成するこ
とができる。

【００４０】また、図３は、本発明の他の製造工程の例
を示す図であり、後工程の模式図を示す。

【００４１】まず、図２と同様にして、Ｓｉ基板上にセ
ンサー部とＡｌ電極パッド部９を形成後、平坦化膜８を
形成する（工程（ａ））。

【００４２】その後、Ａｌ電極パッド部９、スクライビ
ング部の平坦化膜９を、パターンニング、及びエッチン
グにより除去する（工程（ｂ））。

【００４３】その後、さらにダイシングにより、所望の
チップに分割する（工程（ｃ））。

【００４４】次に、ワイヤー３０をボンディングする
（工程（ｄ））。

【００４５】次に、ＩＲカットフィルター１０をセンサ
ー部上にのみ形成する（工程（ｅ））。

【００４６】更に、図２の工程（ｇ）と同様にしてパッ
ケージをガラス封止してイメージセンサーを得ることが
できる。

【００４７】従来、このような製造工程において、主と
してガラス封止の工程において、〜２００℃程度の熱が
かかり、熱膨張率の違いからＩＲカットフィルター１０
に膜割れを発生するという問題を生じる。

【００４８】本発明の特徴は、平坦化処理の後ＩＲカッ
ト膜１０を形成する際、図２（ｃ）に示すように、その
形成領域を平坦化膜８内のセンサー表面上近傍に限定す
ることにより、パターニング以降の後工程での膜割れを
防止するものである。

【００４９】又、本発明は、ワイヤーボンディング処理
（図３の工程（ｄ））後にＩＲカット膜１０を形成する
際、図３（ｅ）に示すように、その形成領域を平坦化膜
８内のセンサー表面上近傍に限定することにより、ガラ
ス封止工程での膜割れを防止するものである。

【００５０】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。なお、本
発明は以下の実施例に限定されるものではなく、他の多
層膜構成、材料等の選択も可能である。

【００５１】（実施例１）図２（ｃ）は、本実施例の誘
電体多層膜１０の形成領域を示す摸式図であり、ＩＲ光
電変換要素上面を除いて、平坦化膜８のセンサー部上面
にのみ形成してある。

【００５２】次に本実施例のイメージセンサーの製造工
程について説明する。

【００５３】まず図２に示すアクリル系ポリマーの平坦
化膜８を形成する（図２（ａ））。

【００５４】その後、真空蒸着法により誘電体多層膜１
０を平坦化膜上にのみ形成する（図２（ｂ））。更に、
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）法により、誘電体多
層膜１０の形成領域を（図２（ｃ））に示されるように
センサー部上面を残して除去する。

【００５５】誘電体多層膜１０は、非可視光領域の近赤
外光の透過率を抑え、可視光領域の光を透過する特性を
有するもので、ＳｉＯ₂ 膜とＴｉＯ₂ 膜の２１層の交互
層で構成した。

【００５６】また、膜形成時の真空度は共に〜１×１０
^-2Ｐａであり、基板加熱温度は〜１００℃である。

【００５７】ＳｉＯ₂ 膜の内部応力は０．０９ＧＮ／ｍ
² （圧縮）で、ＴｉＯ₂ 膜の内部応力は０．２ＧＮ／ｍ
² （引っ張り）であり、このフィルターの全応力は僅か
に３９．４Ｎ／ｍの引っ張り応力であった。

【００５８】図２（ｃ）の形成領域を有するウェーハ状
センサーを、パターニング以降の後工程の温度を１５０
℃以下に管理して、センサーチップとした。

【００５９】図６は、誘電体多層膜１０の特性を示す図
であり、Ｂ、Ｇ、Ｒフィルター、ＩＲ選択透過フィルタ
ー、光電変換要素の感度によって決まるものであり、そ
の半値波長、近赤外光の透過光量は約６２０ｎｍ、平均
５％（７５０ｎｍ〜８５０ｎｍ）である。

【００６０】本実施例では、フィルター膜１０を図２
（ｃ）の形成領域とすることにより、後工程処理後も膜
割れ不良を発生しなかった。 （実施例２）図３（ｅ）は、本実施例のイメージセンサ
の構造を示す断面模式図である。図に示すように、本実
施例では、ＩＲカットフィルター１０は、実施例１と同
様にセンサー部上にのみ形成されている。ただし、平坦
化膜８はパターニングされ、さらにＡｌ電極パッド９は
ワイヤー３０がボンディングされている。

【００６１】次に、本実施例のイメージセンサーの製造
工程について説明する。

【００６２】まず、図３に示すＡ１電極パッド部へのボ
ンディング工程（ｄ）処理後、エッチング等で作製され
た金属マスクにより膜形成領域を限定し、実施例１と同
様にしてＩＲカットフィルター１０を形成した（ｅ）。

【００６３】その後、ガラス封止処理を行い最終的にセ
ンサーチップを形成した。

【００６４】本実施例では、ＩＲカットフィルターの形
成領域を図３（ｅ）に示す形成領域とすることにより、
ガラス封止処理後も膜割れ不良を発生しなかった。 （実施例３）本実施例のイメージセンサーの構造は、実
施例２で示した図３（ｅ）のイメージセンサーと同じで
ある。

【００６５】ただし、実施例２において、ガラス封止時
の処理温度を２００℃で管理したところ、一部ＩＲカッ
トの形成領域の周辺部に微小な膜割れを生じるものが発
生した。

【００６６】そのため、本実施例では、ＩＲカットフィ
ルター１０を構成する多層膜の一つとしてのＳｉＯ₂ 膜
の成膜時の真空度を１×１０^-3Ｐａに変更し、その内部
応力を０．１５ＧＮ／ｍ² （圧縮）とし、実施例１と同
一構成で全応力が−５１Ｎ／ｍの圧縮応力のフィルター
を形成した。

【００６７】本実施例では、圧縮応力を有するフィルタ
ーとすることにより、２００℃の処理温度でも膜割れ不
良を発生しなくなった。

【００６８】このように、フィルターとなる誘電体多層
膜の内のＳｉＯ₂ 膜の成膜時に、その真空度を高くして
成膜することにより、ＳｉＯ₂ 膜の内部圧縮応力を高め
ることができ、多層膜全体としても圧縮応力を有するよ
うにすることができる。

【００６９】本発明では、前述したように、多層膜を構
成する膜として、ＳｉＯ₂ 膜や、ＺｎＳ膜等の圧縮応力
を生じる膜を挟んだ膜構成とし、更に、これらの圧縮応
力を生じる膜の成膜時に、真空度を高めて成膜すること
により、より大きな圧縮応力を得ることができ、多層膜
全体としても圧縮応力とすることができるものである。 （比較例１）比較例として、図５に示すイメージセンサ
ーを作製した。

【００７０】実施例２と同様にして、図３のＡ１電極パ
ッド部へのボンディング工程（ｄ）処理後、実施例３の
条件でＩＲカットフィルター１０を形成した。但し形成
領域を非可視光センサー部を除いて限定せず、図５に示
す様に非センサー部を含む全面とした。

【００７１】ＩＲカットフィルター膜１０を、Ａ１パッ
ド部、Ｓｉ面そのものに形成することは、本来、問題は
生じないが、本実施例のように、形成領域が平坦化膜８
の除去部にまたがると、除去部境界を起点とする膜割れ
が１５０℃の処理温度時に発生した。 （実施例４）図４は、本実施例のイメージセンサの構造
を示す断面模式図であり、本実施例の特徴となる構造
は、図に示すように、平坦化膜上にフィルターの光学特
性に影響を与えないＳｉＯ₂ のアンダーコート１５を約
２００ｎｍの厚さでスパッター法により形成したことで
ある。

【００７２】次に、本実施例の製造工程について説明す
る。

【００７３】まず、図２の工程（ａ）に示されるよう
に、センサー部を形成したＳｉ基板上に平坦化膜８を形
成する。

【００７４】次に、図２（ｂ）に示すように、実施例３
の条件で平坦化膜８上の全面にＩＲカットフィルター１
０を形成した。

【００７５】その後、図２の工程（ｃ）以後と同様に、
可視光センサー部を残してＲＩＥ（リアクティブ・イオ
ン・エッチング）法により、ＩＲカットフィルター１０
を除去し、更にＡｌパッド部９、スクライビング部１３
を、パターニング、エッチングにより除去し、以後、通
常の後工程で処理してセンサーチップを形成した。

【００７６】但し、２００℃以下の温度条件で後工程を
を管理した。この時、実用上の影響は無いものの、ＲＩ
Ｅ除去後にＩＲカットフィルターの形成領域の周辺部に
微小な膜割れを生じるものが発生した。

【００７７】そのためＩＲカットフィルターの構成を変
更した。すなわち平坦化膜上にフィルターの光学特性に
影響を与えないＳｉＯ₂ のアンダーコートを約２００ｎ
ｍの厚さでスパッター法により形成した。

【００７８】さらに、実施例３の条件で真空蒸着法によ
り多層膜を積層しＩＲカットフィルターとした。

【００７９】全ての層をスパッター法で形成することは
もちろん可能であるが、スパッタ法の膜形成速度が遅い
ことからアンダーコート層を除いて真空蒸着法で形成す
る手法を採用した。この時、スパッタ法で形成されたＳ
ｉＯ₂ 膜の内部応力は０．２ＧＮ／ｍ² （圧縮）であ
り、ＩＲカットフィルターの全応力は−１２６Ｎ／ｍの
圧縮応力であった。

【００８０】その後、同様にセンサー部の上面をパター
ニング、ＲＩＥで除去し、更に図２（ｃ）以後と同様に
通常のエッチング以降の後工程で処理してセンサーチッ
プを形成した。

【００８１】本実施例でも、同様に２００℃以下の温度
条件で後工程を管理したが、この時、ＲＩＥ除去後にも
ＩＲカットフィルターの形成領域の周辺部に微小な膜割
れを生じるものは発生せず、後工程処理後良好なＩＲカ
ットフィルターを得ることができるようになった。

【００８２】また、本発明のイメージセンサーを用いた
情報処理装置として、デジタルカラーコピー機や、カラ
ーファクシミリ装置等があり、従来と同様の位置に本発
明のイメージセンサー取り付けることにより容易に実現
することができる。本発明のイメージセンサーを用いる
ことにより、フィルター組み立てにかかる工程を無く
し、コストを削減した装置を得ることができる。 （実施例５）以上説明した各実施例のイメージセンサを
有する画像情報処理装置について、更に詳しく説明す
る。

【００８３】図７に示すセンサ１は、原稿のほぼ同一点
をそれぞれＲ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブル
ー）、それに加え約１０００ｎｍ付近に感度を有する赤
外成分に分解して４００ｄｐｉの画素密度で読み取る。

【００８４】該センサー出力は白色板及び赤外光基準板
を用いて、いわゆるシェーディング補正を施され、各８
ｂｉｔの画像信号として識別部１００１及び画像処理部
１００３に入力される。画像処理部１００３は一般のカ
ラー複写機で行なわれる変倍、マスキング、ＯＣＲ等の
処理を行い記録信号であるＣ、Ｍ、Ｙ、Ｋの４色信号を
生成する。

【００８５】一方、判別手段としての識別部１００１で
は、本発明の特徴とする原稿中の特定パターンの検出を
行ない、その結果を記録制御部１００４に出力して必要
に応じて、特定色によるぬりつぶし等、記録信号に加工
を加えて記録部１００５で記録紙上に記録し、あるいは
記録動作を中止するなどにより、忠実な画像再生を禁止
する。

【００８６】次に本発明で検出しようとする画像パター
ンについて図８、図９を用いて概説する。

【００８７】図８は可視領域ではほぼ透過し、８００ｎ
ｍ付近の赤外光を吸収する透明色素の分光特性を示して
おり、例えば三井東圧化学（株）のＳＩＲ−１５９等が
代表的である。

【００８８】図９は上記透明赤外吸収色素で構成される
透明インクを用いて作られたパターン例である。すなわ
ち、ある特定の赤外光を反射するインクａで記録された
三角形のパターンの上に１辺が約１２０μｍの正方形の
微小パターンｂを上記透明インクを用いて印刷してあ
る。同パターンは図で示す様に可視域ではほとんど同色
であるためｂのパターンは人の目では識別不能である
が、赤外域において検出が可能となる。尚、以後の説明
の為に１例として、約１２０μｍのパターンを図示した
が４００ｄｐｉでこのｂの領域を読めば図示するごとく
約４画素の大きさとなる。尚、該パターンの形成法は、
この例に限定されるものではない。

【００８９】図１０を用いてさらに図７の識別部１００
１の詳細について説明する。図１０の１０−１〜１０−
４はＦＩＦＯで構成される画像データ遅延部であり、そ
れぞれ３２ｂｉｔ（８ｂｉｔ×４成分）の画像データを
１ライン分づつ遅延する。

【００９０】入力画像信号は、まずフリップフロップ１
１−１、１１−２で２画素分遅延保持してＡの画素デー
タを、メモリ１０−１、１０−２で２ラインさらに遅延
したＣの画素データを、さらにＦＦ１１−３、１１−４
で２画素分遅延させた注目画素データＸを、ＦＦ１１−
５、１１−６で２画素分遅延させたＢの画素データを同
様にしてＤの画素データをそれぞれ同時に判定部１２に
入力する。ここで注目画素位置Ｘに対するその近傍Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ４画素の位置関係は図１１のごとくなる。

【００９１】すなわち今注目画素Ｘが、図９のｂの部分
のインクを読んでいたとするならば、上記Ａ、Ｂ、Ｃ、
Ｄはいずれも、その周囲に位置するａパターンの画像を
読んでいる事になる。

【００９２】（判定アルゴリズム）今Ａの画素信号を構
成するＲ成分をＡ_R 、Ｇ成分をＡ_G 、Ｂ成分をＡ_B 赤外
成分をＡ_IRとし同様にＢ、Ｃ、Ｄの各画素信号を構成す
るＲ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの各成分を定義する。そして、同色
成分の平均値Ｙ_R 、Ｙ_G 、Ｙ_B 、Ｙ_IRを次式で求める。

【００９３】 Ｙ_R ＝１／４（Ａ_R ＋Ｂ_R ＋Ｇ_R ＋Ｄ_R ） Ｙ_G ＝１／４（Ａ_G ＋Ｂ_G ＋Ｇ_G ＋Ｄ_G ） Ｙ_B ＝１／４（Ａ_B ＋Ｂ_B ＋Ｇ_B ＋Ｄ_B ） Ｙ_IR＝１／４（Ａ_IR＋Ｂ_IR＋Ｇ_IR＋Ｄ_IR） 目的のパターンの判定は、それぞれ上式で求めた平均値
Ｙと注目画素Ｘの差に従う。すなわち、 ΔＲ＝｜Ｙ_R −Ｘ_R ｜、ΔＧ＝｜Ｙ_G −Ｘ_G ｜、ΔＢ＝
｜Ｙ_B −Ｘ_B ｜、ΔＩＲ−Ｙ_IR−Ｘ_IR としたとき ΔＲ＜Ｋ ΔＧ＜Ｋ（Ｋ、Ｌは定数） ΔＢ＜Ｋ ΔＩＲ＞Ｌ が成立すればパターン有りと判定する。

【００９４】すなわち、注目画素が、その周辺画素と比
べて可視域では色味に差が小であり、赤外特性において
定数Ｌ以上の差を有すると判断出来る。

【００９５】図１２は上記判定アルゴリズムを実施した
ハードウエア例である。加算器１２１はそれぞれ４画素
分の各色成分を単純加算し、その上位８ｂｉｔ分を出力
し、それぞれＹ_R 、Ｙ_G 、Ｙ_B 、Ｙ_IRを得る。減算器１
２２は、それぞれ注目画素信号の各成分との差を求め、
Ｒ、Ｇ、Ｂの３成分は、その絶対値を基準信号としての
定数Ｋと比較器１２３、１２４、１２５で比較する。一
方赤外成分は基準信号としての定数Ｌと比較器１２６に
よって比較する。上記各比較器出力がアンドゲート１２
７に入力され、その出力端子において、“１”の場合パ
ターンを判定した事になる。

【００９６】

【発明の効果】本発明によれば、イメージセンサー上に
直接、誘電体多層膜からなるフィルターを形成すること
が可能となるため、従来のように、フィルターの組み立
て工程が不要となり、時間と人手を削減することがで
き、またイメージセンサーの機能・用途の多様化に役立
つものである。

【００９７】特に、誘電体多層膜の形成領域を平坦化膜
上に限定することにより、膜割れを防止することができ
る。

【００９８】又、誘電体多層膜の応力を制御して、全体
として圧縮応力を有する膜とすることにより、後工程に
おける膜割れを防止した良好な特性のイメージセンサー
及びその製造方法を提供するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施態様例のイメージセンサーの概略
構造図

【図２】本発明の実施態様例及び実施例１のイメージセ
ンサーの製造工程図

【図３】本発明の実施態様例及び実施例２、３のイメー
ジセンサーの製造工程図

【図４】本発明の実施例４のイメージセンサを示す摸式
断面図

【図５】比較例のイメージセンサを示す摸式断面図

【図６】本発明の実施態様例のＩＲカットフィルターの
分光特性

【図７】本発明の画像情報処理装置の制御系のブロック
図。

【図８】本発明の画像情報処理装置により読み取ること
のできる原稿に用いられる赤外光吸収色素の分光特性を
示す線図。

【図９】本発明の画像情報処理装置により読み取ること
のできる原稿を示す模式図。

【図１０】本発明の画像情報処理装置における判別手段
の構成を示すブロック図。

【図１１】本発明の画像情報処理装置における判別動作
を説明するための模式図。

【図１２】図１０に示した判別手段の詳細な構成を示す
ブロック図。

【符号の説明】

２，３，４ 選択透過フィルター ５，６ 可視光領域遮断フィルター ７，８ 平坦化膜 ９ Ａｌ電極パッド １０ ＩＲカットフィルター １１ ガラス １２ パッケージ １３ スクライビング部 １５ ＳｉＯ₂ のアンダーコート ２０，２１，２２，２３ フォトダイオード ２４ Ｓｉ基板 ３０ ワイヤー

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 特定の波長の光を選択的に透過させるフ
   ィルターを有するイメージセンサーにおいて、 光信号を電気信号に変換する複数のセンサー部と、該セ
   ンサー部上に形成された平坦化膜と、該平坦化膜上に直
   接形成された前記フィルター膜としての誘電体多層膜を
   有することを特徴とするイメージセンサー。
2. 【請求項２】 前記フィルター膜が、前記センサー部近
   傍上にのみ選択的に形成されていることを特徴とする請
   求項１に記載のイメージセンサー。
3. 【請求項３】 前記多層膜が圧縮応力を有することを特
   徴とする請求項１に記載のイメージセンサー。
4. 【請求項４】 前記多層膜が、前記平坦化膜に接して圧
   縮応力を有する誘電体層を含むことを特徴とする請求項
   １に記載のイメージセンサー。
5. 【請求項５】 前記フィルター膜は、非可視光線除去フ
   ィルターであることを特徴とする請求項１に記載のイメ
   ージセンサー。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載のイ
   メージセンサーを用いたことを特徴とする情報処理装
   置。
7. 【請求項７】 非可視光像が検出された時、画像記録を
   妨げる手段を有することを特徴とする請求項６に記載の
   情報処理装置。
8. 【請求項８】 請求項１に記載のイメージセンサーの製
   造方法において、 前記多層膜の形成時に、圧縮応力を生じる膜を挟み込ん
   で成膜することにより、全体として圧縮応力を有する前
   記多層膜とすることを特徴とするイメージセンサーの製
   造方法。
9. 【請求項９】 前記圧縮応力を生じる膜の成膜時の真空
   度を制御することにより、該膜の内部圧縮応力を制御す
   ることを特徴とする請求項８に記載のイメージセンサー
   の製造方法。