JPH0711498A - 微小めっき部位を有するめっき物のめっき装置 - Google Patents
微小めっき部位を有するめっき物のめっき装置Info
- Publication number
- JPH0711498A JPH0711498A JP5178596A JP17859693A JPH0711498A JP H0711498 A JPH0711498 A JP H0711498A JP 5178596 A JP5178596 A JP 5178596A JP 17859693 A JP17859693 A JP 17859693A JP H0711498 A JPH0711498 A JP H0711498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- plated
- insoluble anode
- anode
- fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 添加剤の消耗の少ないめっき装置を提供す
る。 【構成】 この発明の微小めっき部位を有するめっき物
のめっき装置は、微小めっき部位の総面積に対する不溶
性アノード１０の表面積を、０．５〜５倍の範囲にし
た。不溶性アノードの表面積が微小めっき部位の総面積
に応じて、５倍以下の範囲に抑えられていることから、
不溶性アノードの表面で分解される添加剤の量が少な
い。また、不溶性アノードの表面積が微小めっき部位の
総面積の少なくも０．５倍（即ち、１／２）はあるの
で、微小めっき部位へのめっきは支障なく行える。
る。 【構成】 この発明の微小めっき部位を有するめっき物
のめっき装置は、微小めっき部位の総面積に対する不溶
性アノード１０の表面積を、０．５〜５倍の範囲にし
た。不溶性アノードの表面積が微小めっき部位の総面積
に応じて、５倍以下の範囲に抑えられていることから、
不溶性アノードの表面で分解される添加剤の量が少な
い。また、不溶性アノードの表面積が微小めっき部位の
総面積の少なくも０．５倍（即ち、１／２）はあるの
で、微小めっき部位へのめっきは支障なく行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微小めっき部位を有する
めっき物のめっき装置に関する。
めっき物のめっき装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】めっき装置の「アノード」としては、溶
解アノードと不溶性アノードとがある。溶解アノード
は、めっき液中に金属を溶かしこむためのものであり、
めっき金属で出来ている。不溶性アノードはめっき液に
溶けないように白金等により出来ている。溶解アノード
の場合は、溶解アノードの表面にスラッジが発生し、め
っき液を汚す欠点があるため、現在では不溶性アノード
が広く使用されている。
解アノードと不溶性アノードとがある。溶解アノード
は、めっき液中に金属を溶かしこむためのものであり、
めっき金属で出来ている。不溶性アノードはめっき液に
溶けないように白金等により出来ている。溶解アノード
の場合は、溶解アノードの表面にスラッジが発生し、め
っき液を汚す欠点があるため、現在では不溶性アノード
が広く使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、不溶性
アノードも欠点がないわけではない。すなわち、めっき
物のめっき部位に対して不溶性アノードの表面積が著し
く大きい場合には、不溶性アノードの表面において、め
っき液中の添加剤（光沢剤等）が分解されてしまう。例
えば、ウエハのバンプめっきのように、めっき物の全表
面積に対してめっき部位が著しく小さいような場合、こ
のめっき部位の総面積は、当然、不溶性アノードの表面
積に対しても著しく小さいものとなるため、このような
場合は、前述のように、不溶性アノードの表面でめっき
液中の添加物が分解されてしまう。これは、アノード部
での酸化反応によるもので、この酸化反応によりめっき
析出に必要とされる添加物が分解する。このように、め
っき液中の添加剤が分解により消耗されるため、従来は
めっき作業中に添加剤を頻繁に補給しなければならず、
作業性及びコストの面で大変不利であった。
アノードも欠点がないわけではない。すなわち、めっき
物のめっき部位に対して不溶性アノードの表面積が著し
く大きい場合には、不溶性アノードの表面において、め
っき液中の添加剤（光沢剤等）が分解されてしまう。例
えば、ウエハのバンプめっきのように、めっき物の全表
面積に対してめっき部位が著しく小さいような場合、こ
のめっき部位の総面積は、当然、不溶性アノードの表面
積に対しても著しく小さいものとなるため、このような
場合は、前述のように、不溶性アノードの表面でめっき
液中の添加物が分解されてしまう。これは、アノード部
での酸化反応によるもので、この酸化反応によりめっき
析出に必要とされる添加物が分解する。このように、め
っき液中の添加剤が分解により消耗されるため、従来は
めっき作業中に添加剤を頻繁に補給しなければならず、
作業性及びコストの面で大変不利であった。
【０００４】この発明はこのような従来の技術に着目し
てなされたものであり、添加剤の消耗の少ないめっき装
置を提供するものである。
てなされたものであり、添加剤の消耗の少ないめっき装
置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の微小めっき部
位を有するめっき物のめっき装置は、上記の目的を達成
するために、微小めっき部位の総面積に対する不溶性ア
ノードの表面積を、０．５〜５倍の範囲にしたものであ
る。
位を有するめっき物のめっき装置は、上記の目的を達成
するために、微小めっき部位の総面積に対する不溶性ア
ノードの表面積を、０．５〜５倍の範囲にしたものであ
る。
【０００６】不溶性アノードの表面積が微小めっき部位
の総面積に応じて、５倍以下の範囲に抑えられているこ
とから、不溶性アノードの表面で分解される添加剤の量
が少ない。また、不溶性アノードの表面積が微小めっき
部位の総面積の少なくも０．５倍（即ち、１／２）はあ
るので、微小めっき部位へのめっきは支障なく行える。
の総面積に応じて、５倍以下の範囲に抑えられているこ
とから、不溶性アノードの表面で分解される添加剤の量
が少ない。また、不溶性アノードの表面積が微小めっき
部位の総面積の少なくも０．５倍（即ち、１／２）はあ
るので、微小めっき部位へのめっきは支障なく行える。
【０００７】めっき方法は、浸漬タイプでも、噴流タイ
プでも、どちらでも良い。噴流タイプに適用する場合、
めっき液の流れを阻害しない形状で、且つ微小めっき部
位に対して均一な電流分布が得られる形状であれば、更
に好適である。
プでも、どちらでも良い。噴流タイプに適用する場合、
めっき液の流れを阻害しない形状で、且つ微小めっき部
位に対して均一な電流分布が得られる形状であれば、更
に好適である。
【０００８】また、めっきの種類も、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ
など、どのような種類のめっきであっても良い。
ｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ
など、どのような種類のめっきであっても良い。
【０００９】更に、本願発明により分解が抑制される添
加剤としては、光沢剤、レベリング剤、界面活性剤など
が挙げられる。
加剤としては、光沢剤、レベリング剤、界面活性剤など
が挙げられる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面に基づい
て説明する。図１〜図４はこの発明の第１実施例を示す
図である。この実施例は、ウエハ１のバンプめっきを行
うための噴流型のめっき装置である。図４及び図５に示
すように、ウエハ１は、このシリコン製のベース２にア
ルミの蒸着層３を形成し、その上にバリアメタル層４を
形成し、更にその表面に、１００μｍ径程度の微小めっ
き部位Ｐを残した状態で、フォトレジスト層５が形成さ
れている。めっき部位Ｐはウエハ１のめっき面１ａに多
数形成されており、このめっき部位ＰにＣｕのバンプめ
っき６が形成されている。このようにめっき部位Ｐは大
変に微小なものであり、めっき部位Ｐの面積を全て合計
した総面積Ｓ1 と、めっき面１ａの全表面積Ｓ2 の比率
は、Ｓ1 ：Ｓ2 ＝１：１００となっている。
て説明する。図１〜図４はこの発明の第１実施例を示す
図である。この実施例は、ウエハ１のバンプめっきを行
うための噴流型のめっき装置である。図４及び図５に示
すように、ウエハ１は、このシリコン製のベース２にア
ルミの蒸着層３を形成し、その上にバリアメタル層４を
形成し、更にその表面に、１００μｍ径程度の微小めっ
き部位Ｐを残した状態で、フォトレジスト層５が形成さ
れている。めっき部位Ｐはウエハ１のめっき面１ａに多
数形成されており、このめっき部位ＰにＣｕのバンプめ
っき６が形成されている。このようにめっき部位Ｐは大
変に微小なものであり、めっき部位Ｐの面積を全て合計
した総面積Ｓ1 と、めっき面１ａの全表面積Ｓ2 の比率
は、Ｓ1 ：Ｓ2 ＝１：１００となっている。
【００１１】次に、このバンプめっき６を形成するため
のめっき装置を、図１及び図２に基づいて説明する。７
がめっき槽で、全体ボックス形状をしており、このめっ
き槽７の上部には開口部７ａが形成されている。この開
口部７ａの周囲にはエアバッグ８が設けられている。こ
のエアバック８は非使用時は収縮状態となっており、開
口部７ａ上にウエハ１を載せた後に空気を圧送して膨張
させ、該膨張したエアバッグ８にてウエハ１の周縁を押
さえ付けることができる。ウエハ１はめっき面１ａを下
向きにした状態で載置されており、めっき面１ａがカソ
ード（陰極）に接続されている。めっき槽７の内部に
は、Ｃｕのめっき液Ｍをウエハ１めがけて吹き出すため
の孔９ａが多数形成された塩化ビニール（ＰＶＣ）製の
整流板９が設けられている。そして、この整流板９の上
に設けられているのが不溶性アノード１０である。この
不溶性アノード１０は、ぜんまい状（或いは蚊取り線香
状）に巻かれたワイヤ形状を呈している。前記めっき部
位Ｐの総面積Ｓ1 と、この不溶性アノード１０の表面積
Ｓ3 との関係は、Ｓ1 ：Ｓ3 ＝１：３という関係になっ
ている。そして、めっき槽７の下部に形成された図示せ
ぬ噴射パイプからめっき液Ｍが供給され、このめっき液
Ｍは整流板９の孔９ａから、不溶性アノード１０を介し
て、上向きに吹き出され、ウエハ１のめっき面１ａに当
たる。めっき面１ａに当たった後のめっき液Ｍはめっき
槽７の下部で回収され、図示せぬ噴射パイプより繰り返
し上に向けて噴射される。このように、めっき液Ｍが連
続的にウエハ１のめっき面１ａに接触するため、めっき
液Ｍ中のＣｕイオンが微小めっき部位Ｐに析出し、図４
で示したようなバンプめっき６が形成される。
のめっき装置を、図１及び図２に基づいて説明する。７
がめっき槽で、全体ボックス形状をしており、このめっ
き槽７の上部には開口部７ａが形成されている。この開
口部７ａの周囲にはエアバッグ８が設けられている。こ
のエアバック８は非使用時は収縮状態となっており、開
口部７ａ上にウエハ１を載せた後に空気を圧送して膨張
させ、該膨張したエアバッグ８にてウエハ１の周縁を押
さえ付けることができる。ウエハ１はめっき面１ａを下
向きにした状態で載置されており、めっき面１ａがカソ
ード（陰極）に接続されている。めっき槽７の内部に
は、Ｃｕのめっき液Ｍをウエハ１めがけて吹き出すため
の孔９ａが多数形成された塩化ビニール（ＰＶＣ）製の
整流板９が設けられている。そして、この整流板９の上
に設けられているのが不溶性アノード１０である。この
不溶性アノード１０は、ぜんまい状（或いは蚊取り線香
状）に巻かれたワイヤ形状を呈している。前記めっき部
位Ｐの総面積Ｓ1 と、この不溶性アノード１０の表面積
Ｓ3 との関係は、Ｓ1 ：Ｓ3 ＝１：３という関係になっ
ている。そして、めっき槽７の下部に形成された図示せ
ぬ噴射パイプからめっき液Ｍが供給され、このめっき液
Ｍは整流板９の孔９ａから、不溶性アノード１０を介し
て、上向きに吹き出され、ウエハ１のめっき面１ａに当
たる。めっき面１ａに当たった後のめっき液Ｍはめっき
槽７の下部で回収され、図示せぬ噴射パイプより繰り返
し上に向けて噴射される。このように、めっき液Ｍが連
続的にウエハ１のめっき面１ａに接触するため、めっき
液Ｍ中のＣｕイオンが微小めっき部位Ｐに析出し、図４
で示したようなバンプめっき６が形成される。
【００１２】このめっき槽７で使用されるめっき液Ｍ
は、以下のような組成である。 めっき浴組成（硫酸銅めっき液） ・金属銅 ２８ｇ／ｌ （２５〜３５ｇ／ｌが好
適範囲） ・硫酸 ２００ｇ／ｌ （１８０〜２５０ｇ／ｌ
が好適範囲） ・塩素イオン ７０ｍｇ／ｌ（５０〜９０ｍｇ／ｌが
好適範囲） ・有機光沢剤 ２５ｍｌ／ｌ（２０〜３０ｍｌ／ｌが
好適範囲） ・温度 ２８℃
は、以下のような組成である。 めっき浴組成（硫酸銅めっき液） ・金属銅 ２８ｇ／ｌ （２５〜３５ｇ／ｌが好
適範囲） ・硫酸 ２００ｇ／ｌ （１８０〜２５０ｇ／ｌ
が好適範囲） ・塩素イオン ７０ｍｇ／ｌ（５０〜９０ｍｇ／ｌが
好適範囲） ・有機光沢剤 ２５ｍｌ／ｌ（２０〜３０ｍｌ／ｌが
好適範囲） ・温度 ２８℃
【００１３】上記めっき液Ｍの組成中において、有機光
沢剤は不溶性アノード１０に接触して分解され易い成分
であるが、この実施例のめっき装置では、めっき中にお
いて分解される量は大変に小さい。以下、本実施例にお
ける有機光沢剤の分解・消費量と、比較例としてのめっ
き装置における有機光沢剤の分解消費量との対比を下記
表１に示す。この比較例としためっき装置は、図示しな
いが、整流板自体が白金で製作されており、この整流板
自体を不溶性アノードとして利用したものである。従っ
て、めっき部位Ｐの総面積Ｓ1 と、比較例の整流板（不
溶性アノード）の表面積Ｓ4 との関係は、Ｓ1 ：Ｓ4 ＝
１：２００という関係になっている。それ以外の構造は
この実施例と同様である。
沢剤は不溶性アノード１０に接触して分解され易い成分
であるが、この実施例のめっき装置では、めっき中にお
いて分解される量は大変に小さい。以下、本実施例にお
ける有機光沢剤の分解・消費量と、比較例としてのめっ
き装置における有機光沢剤の分解消費量との対比を下記
表１に示す。この比較例としためっき装置は、図示しな
いが、整流板自体が白金で製作されており、この整流板
自体を不溶性アノードとして利用したものである。従っ
て、めっき部位Ｐの総面積Ｓ1 と、比較例の整流板（不
溶性アノード）の表面積Ｓ4 との関係は、Ｓ1 ：Ｓ4 ＝
１：２００という関係になっている。それ以外の構造は
この実施例と同様である。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１の通り、実施例の場合は、比較例に比
べて、有機光沢剤の分解・消耗が少ない。これは、実施
例の不溶性アノード１０の表面積Ｓ3 が、めっき部位Ｐ
の総面積Ｓ1 の３倍程度の小さい面積に抑えられている
ことに起因する。これに対し、比較例の場合は、不溶性
アノード（整流板）の表面積Ｓ4 がめっき部位Ｐの総面
積Ｓ1 に比べて、著しく大きいため、有機光沢剤の分解
・消費される量が多い。
べて、有機光沢剤の分解・消耗が少ない。これは、実施
例の不溶性アノード１０の表面積Ｓ3 が、めっき部位Ｐ
の総面積Ｓ1 の３倍程度の小さい面積に抑えられている
ことに起因する。これに対し、比較例の場合は、不溶性
アノード（整流板）の表面積Ｓ4 がめっき部位Ｐの総面
積Ｓ1 に比べて、著しく大きいため、有機光沢剤の分解
・消費される量が多い。
【００１６】また、この実施例の不溶性アノード１０
は、ぜんまい状に巻かれたワイヤ形状を呈しているた
め、めっき液Ｍの流れを阻害せず、しかもウエハ１のめ
っき面１ａに対して均一な電流分布を示す。従って、実
施例で得られたバンプめっき６は、比較例で得られため
っきと略同じ程度のめっき厚となり、めっき厚の均一性
も良好であった。以上のように、この実施例のめっき液
によれば、めっき装置の本来の性能を低下させることな
く、有機光沢剤の分解・消費を少なくすることができ
る。
は、ぜんまい状に巻かれたワイヤ形状を呈しているた
め、めっき液Ｍの流れを阻害せず、しかもウエハ１のめ
っき面１ａに対して均一な電流分布を示す。従って、実
施例で得られたバンプめっき６は、比較例で得られため
っきと略同じ程度のめっき厚となり、めっき厚の均一性
も良好であった。以上のように、この実施例のめっき液
によれば、めっき装置の本来の性能を低下させることな
く、有機光沢剤の分解・消費を少なくすることができ
る。
【００１７】図５及び図６は、それぞれこの発明の他の
実施例に係る不溶性アノードを示す図である。図５のよ
うに網状の不溶性アノード１２にしても良く、図６のよ
うに、ジグザク形状の不溶性アノード１３にしても良
い。要は、不溶性アノード１２、１３の表面積が、めっ
き部位の総面積に対して、０．５〜５倍となれば良い。
実施例に係る不溶性アノードを示す図である。図５のよ
うに網状の不溶性アノード１２にしても良く、図６のよ
うに、ジグザク形状の不溶性アノード１３にしても良
い。要は、不溶性アノード１２、１３の表面積が、めっ
き部位の総面積に対して、０．５〜５倍となれば良い。
【００１８】尚、以上の各実施例では、噴流型のめっき
装置について説明したが、本願発明は浸漬型のめっき装
置にも適用できる。
装置について説明したが、本願発明は浸漬型のめっき装
置にも適用できる。
【００１９】
【発明の効果】この発明に係る微小めっき部位を有する
めっき物のめっき装置は、以上説明してきた如き内容の
ものであって、添加剤の分解・消耗量を少なくすること
ができる。従って、めっき作業中に添加剤を補給する度
合いが少なくなり、作業性及びコストの面で有利とな
る。また、不溶性アノードを製作するために使用される
白金等の量も少なくて済むため、この面においても、コ
スト的に有利となる。
めっき物のめっき装置は、以上説明してきた如き内容の
ものであって、添加剤の分解・消耗量を少なくすること
ができる。従って、めっき作業中に添加剤を補給する度
合いが少なくなり、作業性及びコストの面で有利とな
る。また、不溶性アノードを製作するために使用される
白金等の量も少なくて済むため、この面においても、コ
スト的に有利となる。
【図１】この発明の一実施例に係るめっき装置の断面図
である。
である。
【図２】整流板上に載せられた不溶性アノードを示す斜
視図である。
視図である。
【図３】ウエハを示す斜視図である。
【図４】めっき部位の拡大断面図である。
【図５】別の実施例に係る不溶性アノードを示す斜視図
である。
である。
【図６】別の実施例に係る不溶性アノードを示す斜視図
である。
である。
１ めっき物 １０ 不溶性アノード Ｐ 微小めっき部位 Ｍ めっき液 Ｓ1 微小めっき部位の総面積 Ｓ3 不溶性アノードの表面積
Claims (2)
- 【請求項１】 微小めっき部位を有するカソード化され
ためっき物と、不溶性アノードとを、それぞれめっき液
に接触させ、該めっき液中の金属をめっき物の微小めっ
き部位に析出させるめっき装置において、 前記微小めっき部位の総面積に対する不溶性アノードの
表面積を、０．５〜５倍の範囲にしたことを特徴とする
微小めっき部位を有するめっき物のめっき装置。 - 【請求項２】 不溶性アノードが、ぜんまい状に巻かれ
たワイヤ形状を呈している請求項１記載の微小めっき部
位を有するめっき物のめっき装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17859693A JP3278245B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 微小めっき部位を有するめっき物のめっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17859693A JP3278245B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 微小めっき部位を有するめっき物のめっき装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0711498A true JPH0711498A (ja) | 1995-01-13 |
| JP3278245B2 JP3278245B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16051227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17859693A Expired - Lifetime JP3278245B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 微小めっき部位を有するめっき物のめっき装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278245B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009242940A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-10-22 | C Uyemura & Co Ltd | 連続電気銅めっき方法 |
| KR20220009394A (ko) | 2019-05-17 | 2022-01-24 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 방법, 도금용의 불용성 애노드, 및 도금 장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0598489A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームの両面部分めつき装置 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP17859693A patent/JP3278245B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0598489A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-20 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | リードフレームの両面部分めつき装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009242940A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-10-22 | C Uyemura & Co Ltd | 連続電気銅めっき方法 |
| KR20220009394A (ko) | 2019-05-17 | 2022-01-24 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 방법, 도금용의 불용성 애노드, 및 도금 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3278245B2 (ja) | 2002-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4642229B2 (ja) | 半導体作業部材の上に銅を電解により沈着させる装置および方法 | |
| US7135404B2 (en) | Method for applying metal features onto barrier layers using electrochemical deposition | |
| US6436816B1 (en) | Method of electroless plating copper on nitride barrier | |
| JP5207968B2 (ja) | 電子工学の製造分野での錫−銀ハンダ・バンプ | |
| TWI548781B (zh) | 鍍覆浴及方法 | |
| US6486055B1 (en) | Method for forming copper interconnections in semiconductor component using electroless plating system | |
| PH12015500543B1 (en) | Method for metallization of solar cell substrates | |
| US11527504B2 (en) | Conductive external connector structure and method of forming | |
| US6669833B2 (en) | Process and apparatus for electroplating microscopic features uniformly across a large substrate | |
| JPH10298795A (ja) | メッシュ電極並びに該メッシュ電極を用いたメッキ処理装置およびメッキ処理方法 | |
| CN101812711A (zh) | 镀覆装置 | |
| TW201533278A (zh) | 鍍覆浴及方法 | |
| JP2000106362A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| DE60100233T2 (de) | Keimschicht | |
| TWI582870B (zh) | 製造經塗佈的銅柱 | |
| JPH0711498A (ja) | 微小めっき部位を有するめっき物のめっき装置 | |
| JP3632499B2 (ja) | 錫−銀系合金電気めっき浴 | |
| CN100436643C (zh) | 镀覆装置 | |
| JP2010180425A (ja) | 電気接点及びその製造方法 | |
| US6600230B2 (en) | Seedlayer for plating metal in deep submicron structures | |
| US7314543B2 (en) | Tin deposition | |
| US6843929B1 (en) | Accelerated etching of chromium | |
| Turner | Electroplating metal contacts on germanium and silicon | |
| US20050077181A1 (en) | Modified electroplating solution components in a low-acid electrolyte solution | |
| KR100535977B1 (ko) | 전기 도금용 첨가제를 이용한 무전해 도금 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080215 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110215 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130215 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140215 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |