JPH07114897A - 光源用表示管 - Google Patents
光源用表示管Info
- Publication number
- JPH07114897A JPH07114897A JP28076193A JP28076193A JPH07114897A JP H07114897 A JPH07114897 A JP H07114897A JP 28076193 A JP28076193 A JP 28076193A JP 28076193 A JP28076193 A JP 28076193A JP H07114897 A JPH07114897 A JP H07114897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- steeple
- cold cathode
- light source
- display tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 消費電力が少なくかつ管寿命が長くしかも高
品質，高信頼性を得る。 【構成】 グリッド電極１４5 内に熱電子放出用フィラ
メント１４4 に代えて冷陰極カソード２１が配設されて
電子銃構体１４Ａを構成する。この冷陰極カソード２１
は、シリコン基板２２上に開口２３を有するシリコン絶
縁膜２４が形成され、この開口２３内には露出したシリ
コン基板２２上にコーン状の円錐体２２ａが一体的に形
成され、この円錐体２２ａの表面にはＭｏ材からなる尖
塔電極２５が被着形成されている。このシリコン絶縁膜
２４上の開口２３の周辺部にはＭｏ材からなるリング状
電極２６およびその電極端子２６ａが被着形成され、こ
のリング状電極２６のリング内径側が開口２３の口径よ
りも小さくし、尖塔電極２５の先端部に近接して形成さ
れている。また、この電極端子２６ａは支持体１４2の
先端部にボンディングワイヤ２７により電気的に接続さ
れている。
品質，高信頼性を得る。 【構成】 グリッド電極１４5 内に熱電子放出用フィラ
メント１４4 に代えて冷陰極カソード２１が配設されて
電子銃構体１４Ａを構成する。この冷陰極カソード２１
は、シリコン基板２２上に開口２３を有するシリコン絶
縁膜２４が形成され、この開口２３内には露出したシリ
コン基板２２上にコーン状の円錐体２２ａが一体的に形
成され、この円錐体２２ａの表面にはＭｏ材からなる尖
塔電極２５が被着形成されている。このシリコン絶縁膜
２４上の開口２３の周辺部にはＭｏ材からなるリング状
電極２６およびその電極端子２６ａが被着形成され、こ
のリング状電極２６のリング内径側が開口２３の口径よ
りも小さくし、尖塔電極２５の先端部に近接して形成さ
れている。また、この電極端子２６ａは支持体１４2の
先端部にボンディングワイヤ２７により電気的に接続さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームを蛍光面に
照射して発光する光源用表示管に係わり、特に電子ビー
ムを放射する電子銃部の構造に関するものである。
照射して発光する光源用表示管に係わり、特に電子ビー
ムを放射する電子銃部の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の光源用蛍光表示管の構成
を示す図であり、図２（ａ）全体の主要構成を示す要部
断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のカソード構体の主要
構成を示す断面図である。図２（ａ）において、１は例
えば鉛ガラスにより形成された円筒状のガラスバルブ、
２はこのガラスバルブ１の一方の開口端にフリットガラ
スシール３を介して封着された低アルカリガラスからな
るフロントガラスであり、これらのガラスバルブ１，フ
ロントガラス２およびフリットガラスシール３により一
端が封止された円筒状ガラスバルブ構体４が構成されて
いる。５はフロントガラス２の背面に形成された蛍光
面、６は蛍光面５上に形成されたＡｌメタルバック膜、
７はガラスバルブ１のフロントガラス２側内壁面に被着
形成されたカーボン膜、８はＡｌメタルバック膜６とカ
ーボン膜７との間に被着形成されかつ両者間が電気的に
接続されるＢａゲッター膜である。
を示す図であり、図２（ａ）全体の主要構成を示す要部
断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のカソード構体の主要
構成を示す断面図である。図２（ａ）において、１は例
えば鉛ガラスにより形成された円筒状のガラスバルブ、
２はこのガラスバルブ１の一方の開口端にフリットガラ
スシール３を介して封着された低アルカリガラスからな
るフロントガラスであり、これらのガラスバルブ１，フ
ロントガラス２およびフリットガラスシール３により一
端が封止された円筒状ガラスバルブ構体４が構成されて
いる。５はフロントガラス２の背面に形成された蛍光
面、６は蛍光面５上に形成されたＡｌメタルバック膜、
７はガラスバルブ１のフロントガラス２側内壁面に被着
形成されたカーボン膜、８はＡｌメタルバック膜６とカ
ーボン膜７との間に被着形成されかつ両者間が電気的に
接続されるＢａゲッター膜である。
【０００３】また、１０はガラスバルブ構体４の他方の
開口端に封着されたステム構体、１１はガラスバルブ１
の他方の開口端にフリットガラスシール１２を介して封
着された例えば鉛ガラスからなるステムガラス、１３は
ステムガラス１１に一体的に形成された排気管、１４は
ステムガラス１１上にリードピン１５ａ，１５ｂ，１５
ｃ，１５ｄに結合されたそれぞれリード１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄの先端部に接続固定された電子銃構
体、１７はリードピン１５ｅに結合されたアノードリー
ド１８の先端部に固定配置された円筒状のアノードリン
グ、１９はアノードリング１７の先端部に取り付け固定
されたＢａゲッター、２０はアノードリング１７の先端
部に取り付け固定されかつカーボン膜７に接触して電気
的に接続されたバルブスペーサコンタクトである。
開口端に封着されたステム構体、１１はガラスバルブ１
の他方の開口端にフリットガラスシール１２を介して封
着された例えば鉛ガラスからなるステムガラス、１３は
ステムガラス１１に一体的に形成された排気管、１４は
ステムガラス１１上にリードピン１５ａ，１５ｂ，１５
ｃ，１５ｄに結合されたそれぞれリード１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄの先端部に接続固定された電子銃構
体、１７はリードピン１５ｅに結合されたアノードリー
ド１８の先端部に固定配置された円筒状のアノードリン
グ、１９はアノードリング１７の先端部に取り付け固定
されたＢａゲッター、２０はアノードリング１７の先端
部に取り付け固定されかつカーボン膜７に接触して電気
的に接続されたバルブスペーサコンタクトである。
【０００４】また、電子銃構体１４は、図２（ｂ）に示
すように絶縁性基板１４1 と、この絶縁性基板１４1 を
貫通して配設された一対のフィラメント支持体１４2 ，
１４3 と、このフィラメント支持体１４2 とフィラメン
ト支持体１４3 との間に張架され電子を放出するフィラ
メント１４4 と、このフィラメント１４4 から放出され
た電子を制御するグリッド電極１４5 と、フィラメント
１４4 の背面側に絶縁性基板１４1 を貫通して配設され
た背面電極１４6 とから構成されており、このグリッド
電極１４5 は、例えば金属薄板をプレス成形法により全
体形状がほぼカップ状に成形加工され電子放射方向に電
子通過用のグリッドメッシュ部１４5Aが形成され、その
開口端側が絶縁性基板１４1 にかしめ固定される構成と
なっている。
すように絶縁性基板１４1 と、この絶縁性基板１４1 を
貫通して配設された一対のフィラメント支持体１４2 ，
１４3 と、このフィラメント支持体１４2 とフィラメン
ト支持体１４3 との間に張架され電子を放出するフィラ
メント１４4 と、このフィラメント１４4 から放出され
た電子を制御するグリッド電極１４5 と、フィラメント
１４4 の背面側に絶縁性基板１４1 を貫通して配設され
た背面電極１４6 とから構成されており、このグリッド
電極１４5 は、例えば金属薄板をプレス成形法により全
体形状がほぼカップ状に成形加工され電子放射方向に電
子通過用のグリッドメッシュ部１４5Aが形成され、その
開口端側が絶縁性基板１４1 にかしめ固定される構成と
なっている。
【０００５】また、背面電極１４6 は、例えば金属薄板
をプレス成形法により断面がほぼコ字状に成形加工さ
れ、その開口端側が絶縁性基板１４1 にかしめ固定され
て−電位が印加される構造となっている。また、一対の
フィラメント支持体１４2 ，１４3 は図２（ａ）に示す
ようにリード１６ａ，１６ｂにそれぞれ溶接などにより
接続固定され、グリッド電極１４5 はリード１６ｃに溶
接などにより接続固定され、背面電極１４6 はリード１
６ｄに溶接などにより接続固定されている。
をプレス成形法により断面がほぼコ字状に成形加工さ
れ、その開口端側が絶縁性基板１４1 にかしめ固定され
て−電位が印加される構造となっている。また、一対の
フィラメント支持体１４2 ，１４3 は図２（ａ）に示す
ようにリード１６ａ，１６ｂにそれぞれ溶接などにより
接続固定され、グリッド電極１４5 はリード１６ｃに溶
接などにより接続固定され、背面電極１４6 はリード１
６ｄに溶接などにより接続固定されている。
【０００６】このような構成において、フィラメント１
４4 から放出された電子は、グリッド電極１４5 により
電子の拡散が制御され、グリッドメッシュ部１４5Aを通
過して蛍光面方向に向かって電子ビームとして拡散さ
れ、蛍光面５を励起し、その蛍光体に応じた発光色がフ
ロントガラス２を透過して前面側に発光表示される。
４4 から放出された電子は、グリッド電極１４5 により
電子の拡散が制御され、グリッドメッシュ部１４5Aを通
過して蛍光面方向に向かって電子ビームとして拡散さ
れ、蛍光面５を励起し、その蛍光体に応じた発光色がフ
ロントガラス２を透過して前面側に発光表示される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された従来の光源用表示管に用いられる電子銃
構体１４は、以下に説明するような問題があった。 高密度の電子ビームを得るために大電流を供給する必
要性から、消費電力が極めて多くなる。 長時間の使用に対するフィラメント１４4 の劣化によ
り、管寿命が制約される。 フィラメント１４4 の線径が細いことから、振動に対
して共振が発生し易くなり、動作が不安定となる。
うに構成された従来の光源用表示管に用いられる電子銃
構体１４は、以下に説明するような問題があった。 高密度の電子ビームを得るために大電流を供給する必
要性から、消費電力が極めて多くなる。 長時間の使用に対するフィラメント１４4 の劣化によ
り、管寿命が制約される。 フィラメント１４4 の線径が細いことから、振動に対
して共振が発生し易くなり、動作が不安定となる。
【０００８】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、消
費電力が少なく、かつ管寿命が長くしかも高品質，高信
頼性が得られる光源用表示管を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、消
費電力が少なく、かつ管寿命が長くしかも高品質，高信
頼性が得られる光源用表示管を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、電子銃を、電子を放出する冷陰極カ
ソードと、一端にメッシュ状の電子放出用開孔を有しか
つ冷陰極カソードを覆うグリッド電極とから構成するも
のである。
るために本発明は、電子銃を、電子を放出する冷陰極カ
ソードと、一端にメッシュ状の電子放出用開孔を有しか
つ冷陰極カソードを覆うグリッド電極とから構成するも
のである。
【００１０】
【作用】本発明における電子銃は、冷陰極カソードから
放出された電子がグリッド電極の電子放出用開孔を通過
し、蛍光面方向に向かって拡散される。
放出された電子がグリッド電極の電子放出用開孔を通過
し、蛍光面方向に向かって拡散される。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は、本発明による光源用表示管の一実施
例による構成を示す図で図１（ａ）は電子銃構体の拡大
断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ′線の平面図
であり、前述の図と同一部分には同一符号を付してあ
る。同図において、図２と異なる点は、グリッド電極１
４5 内に配設される熱電子放出用フィラメント１４4に
代えて冷陰極カソード２１が配設されて電子銃構体１４
Ａが構成されている。
説明する。図１は、本発明による光源用表示管の一実施
例による構成を示す図で図１（ａ）は電子銃構体の拡大
断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ′線の平面図
であり、前述の図と同一部分には同一符号を付してあ
る。同図において、図２と異なる点は、グリッド電極１
４5 内に配設される熱電子放出用フィラメント１４4に
代えて冷陰極カソード２１が配設されて電子銃構体１４
Ａが構成されている。
【００１２】この冷陰極カソード２１は、寸法が約２ｍ
ｍ角のシリコン基板２２上のほぼ中央部分に円形状の開
口２３を有するシリコン絶縁膜２４が形成され、この開
口２３内には露出したシリコン基板２２上に同一のシリ
コン部材からなるコーン状の円錐体２２ａが突出して一
体的に形成され、この円錐体２２ａの表面には例えばＭ
ｏからなる尖塔電極２５が被着形成されている。また、
このシリコン絶縁膜２４上の開口２３の周辺部には、例
えばＭｏ材からなるリング状電極２６およびその電極端
子２６ａが被着形成されている。この場合、このリング
状電極２６はそのリング内径側が開口２３の口径よりも
小さくし、尖塔電極２５の先端部に近接して形成されて
いる。また、このリング状電極２６の電極端子２６ａは
支持体１４2 の先端部にボンディングワイヤ２７により
電気的に接続されている。
ｍ角のシリコン基板２２上のほぼ中央部分に円形状の開
口２３を有するシリコン絶縁膜２４が形成され、この開
口２３内には露出したシリコン基板２２上に同一のシリ
コン部材からなるコーン状の円錐体２２ａが突出して一
体的に形成され、この円錐体２２ａの表面には例えばＭ
ｏからなる尖塔電極２５が被着形成されている。また、
このシリコン絶縁膜２４上の開口２３の周辺部には、例
えばＭｏ材からなるリング状電極２６およびその電極端
子２６ａが被着形成されている。この場合、このリング
状電極２６はそのリング内径側が開口２３の口径よりも
小さくし、尖塔電極２５の先端部に近接して形成されて
いる。また、このリング状電極２６の電極端子２６ａは
支持体１４2 の先端部にボンディングワイヤ２７により
電気的に接続されている。
【００１３】このように構成された電子銃構体１４Ａ
は、図１（ａ）に示すように支持体１４2 が接続される
リード１６ａと、背面電極１４6 が接続されるリード１
６ｄとの間にリード１６ａ側が正となるように直流電源
Ｅを接続し、約１００Ｖ以上の直流電圧を印加すること
によってリング状電極２６には正の電圧が、尖塔電極２
５には負の電圧がそれぞれ印加されて尖塔電極２５の先
端部に電界が集中し、この尖塔電極２５の先端部から電
子（ｅ+ ）が扇状に放出される。この電子（ｅ+）はグ
リッド電極１４5 の電子放出用のグリッドメッシュ部１
４5Aから蛍光面５に向かって放射され、電子ビームの拡
散角度が拡大されて蛍光面５のほぼ全面に対して電子ビ
ームが照射される。
は、図１（ａ）に示すように支持体１４2 が接続される
リード１６ａと、背面電極１４6 が接続されるリード１
６ｄとの間にリード１６ａ側が正となるように直流電源
Ｅを接続し、約１００Ｖ以上の直流電圧を印加すること
によってリング状電極２６には正の電圧が、尖塔電極２
５には負の電圧がそれぞれ印加されて尖塔電極２５の先
端部に電界が集中し、この尖塔電極２５の先端部から電
子（ｅ+ ）が扇状に放出される。この電子（ｅ+）はグ
リッド電極１４5 の電子放出用のグリッドメッシュ部１
４5Aから蛍光面５に向かって放射され、電子ビームの拡
散角度が拡大されて蛍光面５のほぼ全面に対して電子ビ
ームが照射される。
【００１４】このような構成において、冷陰極カソード
２１は、シリコン基板２４上に一体体に形成する円錐体
２２ａを通常用いられるシリコンの酸化エッチングまた
は堆積法などにより形成することができる。また、シリ
コン基板２４上に形成するシリコン絶縁膜２４は開口２
３となる部分に例えばマスクなどを施して通常用いられ
るＣＶＤ法またはスパッタリング法などにより容易に形
成することができる。
２１は、シリコン基板２４上に一体体に形成する円錐体
２２ａを通常用いられるシリコンの酸化エッチングまた
は堆積法などにより形成することができる。また、シリ
コン基板２４上に形成するシリコン絶縁膜２４は開口２
３となる部分に例えばマスクなどを施して通常用いられ
るＣＶＤ法またはスパッタリング法などにより容易に形
成することができる。
【００１５】また、リング状電極２６は、Ｍｏ材を用い
て通常の蒸着法により形成し、引き続き尖塔電極２５は
シリコン基板２２を回転させながら、斜方蒸着法により
形成する一連の工程により形成することができるので
（また、その逆の工程でも可能）、その製作が極めて容
易となる。また、シリコン基板２２上に円錐体２２ａを
形成し、この円錐体２２ａ上に尖塔電極２５を被着形成
したが、尖塔電極２５を形成することなく、この円錐体
２２ａのみを電極として用いても前述と同様の効果が得
られる。
て通常の蒸着法により形成し、引き続き尖塔電極２５は
シリコン基板２２を回転させながら、斜方蒸着法により
形成する一連の工程により形成することができるので
（また、その逆の工程でも可能）、その製作が極めて容
易となる。また、シリコン基板２２上に円錐体２２ａを
形成し、この円錐体２２ａ上に尖塔電極２５を被着形成
したが、尖塔電極２５を形成することなく、この円錐体
２２ａのみを電極として用いても前述と同様の効果が得
られる。
【００１６】このような構成によれば、電子銃構体１４
Ａは冷陰極カソード２１を用いて構成することによって
次のような効果が得られる。 冷陰極カソード２１は半導体装置とほぼ同様な製造工
程で大量生産することができるとともにその取り付け作
業が簡単となるので、生産コスト大幅に安価となる。 冷陰極カソード２１は高電圧を印加することにより、
多量の電子放出が得られるので、小さな電力で高い発光
輝度が得られる。 冷陰極カソード２１は発熱などによる電力の損失が殆
どないので、小電力で多量の電子放出量が得られるの
で、大きな出力効率が得られる。 冷陰極カソード２１は直流電源Ｅの電圧を可変させて
供給することにより、必要に応じて電子放出量を調整す
ることができるので、蛍光面５の発光輝度を可変するこ
とが可能となる。
Ａは冷陰極カソード２１を用いて構成することによって
次のような効果が得られる。 冷陰極カソード２１は半導体装置とほぼ同様な製造工
程で大量生産することができるとともにその取り付け作
業が簡単となるので、生産コスト大幅に安価となる。 冷陰極カソード２１は高電圧を印加することにより、
多量の電子放出が得られるので、小さな電力で高い発光
輝度が得られる。 冷陰極カソード２１は発熱などによる電力の損失が殆
どないので、小電力で多量の電子放出量が得られるの
で、大きな出力効率が得られる。 冷陰極カソード２１は直流電源Ｅの電圧を可変させて
供給することにより、必要に応じて電子放出量を調整す
ることができるので、蛍光面５の発光輝度を可変するこ
とが可能となる。
【００１７】なお、前述した実施例において、尖塔電極
２５およびリング状電極２６は、Ｍｏ材により形成した
場合について説明したが、ＡｌまたはＴａなどの金属材
を用いて形成しても良い。
２５およびリング状電極２６は、Ｍｏ材により形成した
場合について説明したが、ＡｌまたはＴａなどの金属材
を用いて形成しても良い。
【００１８】また、前述した実施例において、尖塔電極
２５は、シリコン円錐体２２ａの表面にＭｏを被着して
形成したが、シリコン円錐体２２ａの表面にイオンイン
プラテーションなどにより、導電性を高める不純物、例
えば燐などのV 族の元素を注入して形成しても良い。
２５は、シリコン円錐体２２ａの表面にＭｏを被着して
形成したが、シリコン円錐体２２ａの表面にイオンイン
プラテーションなどにより、導電性を高める不純物、例
えば燐などのV 族の元素を注入して形成しても良い。
【００１９】また、前述した実施例において、尖塔電極
２５は、シリコン基板２２上に一体形成したシリコン円
錐体２２ａの表面にＭｏの斜方蒸着法により形成した
が、シリコン基板２２上にＭｏを斜方蒸着法により円錐
状に堆積して形成しても良い。
２５は、シリコン基板２２上に一体形成したシリコン円
錐体２２ａの表面にＭｏの斜方蒸着法により形成した
が、シリコン基板２２上にＭｏを斜方蒸着法により円錐
状に堆積して形成しても良い。
【００２０】また、前述した実施例においては、グリッ
ド電極１４5 内に冷陰極カソード２１を１個配設した場
合について説明したが、複数個配設しても良く、さらに
尖塔電極２５を１つのシリコン基板２２上にマトリクス
状アレイ構造で複数個形成して配置して良い。この場
合、さらに多量の電子放射能が得られ、蛍光面５の高輝
度発光が実現可能となる。
ド電極１４5 内に冷陰極カソード２１を１個配設した場
合について説明したが、複数個配設しても良く、さらに
尖塔電極２５を１つのシリコン基板２２上にマトリクス
状アレイ構造で複数個形成して配置して良い。この場
合、さらに多量の電子放射能が得られ、蛍光面５の高輝
度発光が実現可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
電子銃構体を、電子を放出する冷陰極カソードと、一端
にメッシュ状の電子放出用開孔有しかつ冷陰極カソード
を覆うグリッド電極とで構成したことにより、小電力で
高密度の電子ビーム量が得られるので、消費電力を大幅
に減らすことができる。また、冷陰極カソードを用いた
ことにより、動作長期間にわたって安定した動作が得ら
れるので、管寿命が大幅に長くなるとともに、品質およ
び信頼性の高い光源用表示管が低コストで得られるなど
の極めて優れた効果を有する。
電子銃構体を、電子を放出する冷陰極カソードと、一端
にメッシュ状の電子放出用開孔有しかつ冷陰極カソード
を覆うグリッド電極とで構成したことにより、小電力で
高密度の電子ビーム量が得られるので、消費電力を大幅
に減らすことができる。また、冷陰極カソードを用いた
ことにより、動作長期間にわたって安定した動作が得ら
れるので、管寿命が大幅に長くなるとともに、品質およ
び信頼性の高い光源用表示管が低コストで得られるなど
の極めて優れた効果を有する。
【図１】（ａ）は本発明による光源用表示管の一実施例
による構成を示す電子銃構体の要部断面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ′線の平面図である。
による構成を示す電子銃構体の要部断面図、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ′線の平面図である。
【図２】（ａ）は従来の光源用表示管の構成を示す要部
断面図、（ｂ）は（ａ）のカソード構体の拡大断面図で
ある。
断面図、（ｂ）は（ａ）のカソード構体の拡大断面図で
ある。
１ 円筒状ガラスバルブ ２ フロントガラス ３ フリットガラスシール ４ ガラスバルブ構体 ５ 蛍光面 ６ Ａｌメタルバック膜 ７ カーボン膜 ８ Ｂａゲッター膜 ９ アノード電極 １０ ステム構体 １１ ステムガラス １２ フリットガラスシール １３ 排気管 １４Ａ 電子銃構体 １４1 絶縁性基板 １４2 支持体 １４3 支持体 １４5 グリッド電極 １４5A グリッドメッシュ部 １４6 背面電極 １５ａ リードピン １５ｂ リードピン １６ａ リード １６ｃ リード １６ｄ リード ２１ 冷陰極カソード ２２ シリコン基板 ２２ａ 円錐体 ２３ 開口 ２４ シリコン絶縁膜 ２５ 尖塔電極 ２６ リング状電極 ２７ ボンディングワイヤ
Claims (4)
- 【請求項１】 真空容器の一部をなす前面パネルに蛍光
面を有し、前記蛍光面に電子銃より放射される電子ビー
ムを照射して発光表示を行う光源用表示管において、前
記電子銃は、電子を放出する冷陰極カソードと、メッシ
ュ状の電子放出用開孔を有しかつ前記冷陰極カソードを
覆うグリッド電極とを備えたことを特徴とする光源用表
示管。 - 【請求項２】 請求項１において、前記冷陰極カソード
は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に突出して形
成されたシリコン円錐体と、前記シリコン円錐体の表面
に導電性金属膜が被覆して形成された尖塔電極と、前記
尖塔電極の周辺部を覆いかつ前記尖塔電極の先端部に近
接して配設されたリング状電極とから構成されたことを
特徴とする光源用表示管。 - 【請求項３】 請求項２において、前記尖塔電極は、シ
リコン円錐体の表面に導電性を高める不純物を注入して
構成したことを特徴とする光源用表示管。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３において、前記
尖塔電極を前記シリコン基板上に複数個配設したことを
特徴とする光源用表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28076193A JPH07114897A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 光源用表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28076193A JPH07114897A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 光源用表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114897A true JPH07114897A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17629591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28076193A Pending JPH07114897A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 光源用表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114897A (ja) |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP28076193A patent/JPH07114897A/ja active Pending
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