JPH07111279A - フィルムチップキャリア及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 アウターリードが厚膜構造となる金属配線層
表面に、金属層の厚さの違いから生じる段差をなくし、
容易且つ均一なレジスト塗布ができ、露光、現像工程の
ばらつきのない安定した回路形成が可能となるようなフ
ィルムチップキャリアの製造方法を得る。 【構成】 アウターリード孔７が穿設されたプラスチッ
ク材料からなる絶縁層１の少なくとも一方の面上に形成
された金属配線層２の、前記絶縁層との境界面の前記ア
ウターリード孔領域に露出したアウターリード部分に金
属メッキ層９を披着した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高密度半導体用実装基
板において、特に基板に実装されるアウターリードの強
度を高めた構造のフィルムチップキャリアの製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フィルムチップキャリアにおいては、近
年の高密度実装の要望により回路がより微細化されつつ
ある。微細回路を形成するためには、サイドエッチング
の影響を極力おさえるため、薄い銅箔を用いることが望
ましい。このため、従来一般的に用いられてきた３５μ
ｍ銅箔に替わり、現在では、１８〜１０μｍ程度の薄い
銅箔を用いる傾向にある。

【０００３】しかし、このような薄い銅箔は、微細回路
形成用としては優れているものの、基板と接続されるリ
ード、特にアウターリードの機械的強度の点で問題があ
る。即ち、リードが変形し易くなり、製造工程、実装工
程での歩留低下の原因となっている。

【０００４】これを解決する手段として、インナーリー
ドよりもアウターリードの導体層の厚みを大きくしたフ
ィルムチップキャリアの構造が提案されている。このよ
うな構造からなるフィルムチップキャリアの製造方法と
しては、大きく分けて２つの方法が開示されている。

【０００５】１つは、絶縁層上の導体層全体を厚く形成
し、インナーリード部の導体層をケミカルエッチングま
たは、機械的な研磨により薄肉化し、目的を達成しよう
とするものである。またもう１つの方法は、導体層の絶
縁層に対して反対側の面（以下表面という）のアウター
リード部となる部分を選択的に厚膜メッキし、目的を達
成しようとするものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、インナ
ーリード部の導体層を薄肉化する方法においては、イン
ナーリード部の厚さを精度良く均一にエッチングして所
定の厚さにすることが困難であり、このためこの部分を
パターニングすると配線幅のばらつきが生じ易いという
問題があった。

【０００７】また、アウターリード部に相当する部分に
選択的に厚膜メッキを行う方法においては、導体層にメ
ッキにより厚膜化された部分では表面が盛り上がって段
差が生じた状態になるため、エッチングレジスト塗布工
程において均一なレジスト塗布が難しい。このため現像
およびエッチング不良となって配線間の短絡や配線幅の
ばらつきを招いてしまうという問題があった。

【０００８】さらに両方法ともに、回路形成のためのエ
ッチング工程において、エッチング条件を厚肉部に合わ
せなければならないので、薄肉部ではオーバーエッチン
グ条件となって配線が細ってしまい、微細回路の形成が
難しくなるという問題があった。

【０００９】本発明は、上記問題を解消し、アウターリ
ードが厚膜構造となる金属配線層表面に、金属層の厚さ
の違いから生じる段差をなくし、容易且つ均一なレジス
ト塗布ができ、露光、現像工程のばらつきのない安定し
た回路形成が可能となるようなフィルムチップキャリア
の製造方法を得ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明に係るフィルムチップキャリ
アでは、プラスチック材料からなる絶縁層と、該絶縁層
に穿設されたアウターリード孔と、前記絶縁層の少なく
とも一方の面上に形成された金属配線層とを備えたフィ
ルムチップキャリアにおいて、前記金属配線層の前記絶
縁層との境界面の前記アウターリード孔領域に露出した
アウターリード部分に金属メッキ層が披着されているも
のである。

【００１１】また、請求項２に記載の発明に係るフィル
ムチップキャリアの製造方法では、プラスチック材料か
らなる絶縁層と該絶縁層の少なくとも一方の面上に所定
の回路パターンが形成された金属配線層とを備えたフィ
ルムチップキャリアの製造方法であって、前記絶縁層に
前記アウターリード孔を形成する穿設工程と、前記絶縁
層面上に形成された金属層の前記絶縁層との境界面の前
記アウターリード孔領域に露出した部分に金属メッキを
披着させるメッキ工程と、前記金属メッキ層および前記
金属層に同時にあるいは片方づつエッチングを施して前
記所定の回路パターンを形成するエッチング工程とを備
えた。

【００１２】また、請求項３に記載の発明に係るフィル
ムチップキャリアの製造方法では、請求項２に記載のフ
ィルムチップキャリアの製造方法において、前記アウタ
ーリード孔領域に露出した部分に披着された金属メッキ
層からのエッチングを、前記金属メッキ層の厚さ分を行
うものとした。

【００１３】さらに、請求項４に記載のフィルムチップ
キャリアの製造方法では、請求項２または請求項３に記
載のフィルムチップキャリアの製造方法において、前記
メッキ工程が、前記アウターリード孔領域に露出した部
分および前記金属層上に金属メッキ層を披着させるもの
である。

【００１４】また、請求項５に記載のフィルムチップキ
ャリアの製造方法では、請求項２〜４の何れかに記載の
フィルムチップキャリアの製造方法において、前記エッ
チング工程が、前記金属層または該金属層上に披着され
た金属メッキ層からの第１のエッチング工程と、該第１
のエッチング工程後の前記アウターリード孔領域に露出
した部分に披着された金属メッキ層からの第２のエッチ
ング工程とを有するものとした。

【００１５】

【作用】本発明は、アウターリード孔が穿設されたプラ
スチック材料からなる絶縁層の少なくとも一方の面上に
形成された金属配線層の絶縁層との境界面のアウターリ
ード孔領域に露出したアウターリード部分を、金属メッ
キ層の披着によって他の部分より厚膜化したものである
ため、金属配線層の（境界面と反対側の）表面に段差を
生じることなくアウターリードが肉厚の構造となったフ
ィルムチップキャリアを得ることができる。従って、本
発明によれば、従来のアウターリードが厚膜構造となっ
ているフィルムチップキャリアと比較して、回路形成の
ためのエッチング工程において段差のない金属層表面に
容易で均一なレジスト塗布がなされるので、露光および
現像工程でのばらつきもなく、安定した回路形成が可能
となる。

【００１６】また、穿設工程にてプラスチック材料から
なる絶縁層にアウターリード孔を形成し、メッキ工程に
て絶縁層面上に形成された金属層の絶縁層との境界面の
アウターリード孔領域に露出した部分に金属メッキを披
着させ、エッチング工程にて金属メッキ層および金属層
に同時にあるいは片方づつエッチングを施して所定の回
路パターンを形成する請求項２に記載のフィルムチップ
キャリアの製造方法によれば、金属層の絶縁層との境界
面のアウターリード孔領域に露出した部分が金属メッキ
の披着によって他の部分より厚膜化されるため、金属表
面には段差が生じないので、エッチング工程において所
定の回路パターンを形成する際に、金属層表面に容易で
均一なレジスト塗布がなされるので、露光および現像工
程でのばらつきもなく、安定した回路形成が可能とな
る。この時、アウターリード孔領域に露出した部分には
良好な肉厚構造のアウターリードが形成される。

【００１７】また、アウターリード孔領域に露出した部
分に披着された金属メッキ層からのエッチングを、その
金属メッキ層の厚さ分を行うものとした請求項３に記載
のフィルムチップキャリアの製造方法によれば、金属メ
ッキ層の披着により厚膜化されたアウターリード部を裏
面側からもエッチングすることになるので金属配線層表
面側からはインナーリード部もアウターリード部も同じ
エッチング条件によりエッチングすることが可能なの
で、従来技術において問題となっていたインナーリード
のオーバーエッチングが回避できる。

【００１８】なお、回路パターンのエッチングにおいて
は、同一の厚みの材料であっても、配線パターンの線
幅、間隔が狭くなるほどエッチング速度が遅くなること
が知られており、従って、インナーリード部のエッチン
グ速度とアウターリード部のエッチング速度の差が大き
い場合には、厚膜化された金属メッキ層側からのエッチ
ングする膜厚を加減することが望ましい。

【００１９】また、メッキ工程を、アウターリード孔領
域に露出した部分だけでなく絶縁層上の金属層上にも金
属メッキ層を披着させるものとした請求項４に記載のフ
ィルムチップキャリアの製造方法によれば、金属表面層
とアウターリード孔領域の両面を厚膜メッキすることが
でき、要求されるリード強度、原反厚み、メッキ層の剛
性などに応じて金属配線層全体を所望の厚膜構造とする
ことができる。

【００２０】但し、使用される原反の構成、材料、装置
によっては、アウターリード孔領域のみに厚膜メッキを
行う方が好ましい場合がある。例えば、所謂３層フィル
ムチップキャリアのように接着剤を介して銅箔を絶縁層
に貼り付ける構造のものでは、薄い銅箔の製造、また張
り合せも困難であるため、予めある程度厚みのある銅箔
が用いられている。これに両面厚膜メッキを行うとその
ファインパターン性が損なわれてしまうので、このよう
な原反の場合にはアウターリード孔領域のみをメッキす
ることが望ましい。

【００２１】さらに、エッチング工程が、金属層または
該金属層上に披着された金属メッキ層からの第１のエッ
チング工程と、該第１のエッチング工程後のアウターリ
ード孔領域に露出した部分に披着された金属メッキ層か
らの第２のエッチング工程とを有する請求項５に記載の
フィルムチップキャリアの製造方法によれば、第１のエ
ッチング工程においてインナーリードの回路が形成され
た時点でエッチングを終了させ、つぎに第２のエッチン
グ工程においてアウターリード部の回路を形成すること
ができるので、従来のようにインナーリードのオーバー
エッチング等の問題がなく良好に回路パターンを形成す
ることができる。

【００２２】

【実施例】以下に、本発明を実施例をもって説明する。 （実施例１）図１に、本発明の第１の実施例として、金
属導体層の裏面（絶縁層との境界面）のアウターリード
孔領域に露出している部分のみを厚膜メッキしてなる厚
膜構造のアウターリードを備えた２層フィルムチップキ
ャリアの製造方法を示す。

【００２３】まず、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム
からなる絶縁層１の表面Ａにマグネトロンスパッタリン
グにより厚さ０．２μｍの銅箔層を形成し、これに電解
銅メッキにより厚さ１０μｍの銅層２を付着形成せしめ
た（ａ）。

【００２４】次に、打ち抜き加工により搬送機構となる
スプロケットホール３を形成（ｂ）し、２層フィルムチ
ップキャリア原反４を得た。この原反４の絶縁層１の裏
面にタールピッチからなるポリイミドエッチングレジス
ト５をスクリーン印刷機により所望の領域に塗布し、こ
れを乾燥硬化させた（ｃ）。

【００２５】次いで、この原反４を水酸化カリウム水溶
液からなる強アルカリのポリイミドエッチング液に浸漬
し、ポリイミドエッチングレジスト５により被覆されて
いない部分を溶解除去し、デバイスホール６とアウター
リードホール７を形成し、不要になったポリイミドエッ
チングレジスト５をＮ−メチル２ピロリドン（ＮＭＰ）
からなる剥離液に浸漬して剥離し、ホール加工済みフィ
ルムチップキャリア原反を得た（ｄ）。

【００２６】この原反のインナーリード形成領域である
デバイスホール６に絶縁層１側よりメッキレジスト８を
スクリーン印刷法により形成し乾燥せしめた（ｅ）。こ
の原反の裏側から、電解銅メッキ処理し、銅層２の裏面
Ｂのうちアウターリードホール７領域に露出している部
分に２０μｍの厚さの銅層９を付着形成した（ｆ）。以
上の工程によってアウターリードホール７領域を除く銅
層２の膜厚は１０μｍであり、アウターリードホール７
領域においては３０μｍの厚さの銅層がメッキにより形
成された。

【００２７】メッキ処理後不要になったレジスト８は、
水酸化ナトリウム水溶液からなる剥離液に浸漬して剥離
した（ｇ）。この原反にディップコーティングにより感
光性エッチングレジスト１０（ＰＭＥＲ−ＰＲＦ３０
Ｓ：商品名、東京応化工業社製）を両面とも厚さ５μｍ
になるように塗布し、これを乾燥硬化させる（ｈ）。

【００２８】続いて、銅層３の表面Ａ側をフォトマスク
を用いて露光し、アウターリードホール７領域に露出す
る裏面の銅層９にも所定のフォトマスクを用いて露光を
行い、両面とも同時にアルカリ水溶液からなる専用現像
液に浸漬現像し、所定のレジストパターンを形成した
（ｉ）。

【００２９】さらに塩化第２銅水溶液からなるエッチン
グ液を用いて両面からスプレーエッチングし（ｊ）、さ
らにエッチング後不要になったレジスト１０をアルカリ
系剥離液（ＡＺ−リムーバー１００：商品名、ヘキスト
ジャパン社製）に浸漬剥離した（ｋ）。以上の工程によ
って、形状の良好なインナーリード１２とアウターリー
ドホール７領域に露出した部分が膜厚となったアウター
リード１１とを有する２層フィルムチップキャリアを得
た。

【００３０】（実施例２）次に、第２の実施例として、
図２に金属層表面とアウターリードホール領域に露出し
た部分の両面を厚膜メッキしてなる厚膜構造のアウター
リードを備えた２層フィルムチップキャリアの製造方法
を示す。

【００３１】まず、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム
からなる絶縁層２１の表面Ａにマグネトロンスパッタリ
ングにより厚さ０．２μｍの銅箔層を形成し、これに電
解銅メッキにより厚さ１０μｍの銅層２２を付着形成せ
しめた（ａ）。

【００３２】次に、打ち抜き加工により搬送機構となる
スプロケットホール２３を形成（ｂ）し、２層フィルム
チップキャリア原反２４を得た。この原反２４の絶縁層
２１の裏面にタールピッチからなるポリイミドエッチン
グレジスト２５をスクリーン印刷機により所望の領域に
塗布し、これを乾燥硬化させた（ｃ）。

【００３３】次いで、この原反２４を水酸化カリウム水
溶液からなる強アルカリのポリイミドエッチング液に浸
漬し、ポリイミドエッチングレジスト２５により被覆さ
れていない部分を溶解除去し、デバイスホール２６とア
ウターリードホール２７を形成した。不要になったポリ
イミドエッチングレジスト２５をＮ−メチル２ピロリド
ン（ＮＭＰ）からなる剥離液に浸漬して剥離し、ホール
加工済みフィルムチップキャリア原反を得た（ｄ）。

【００３４】次に、この原反のインナーリード形成領域
であるデバイスホール２７部にポリイミドフィルム２１
側よりメッキレジスト２８をスクリーン印刷法により形
成し乾燥せしめた（ｅ）。この原反の両面側から電解銅
メッキを行い、表面Ａ及び銅層２２の裏面Ｂのうちアウ
ターリードホール２７領域に露出している部分に厚さ１
０μｍの銅層２９を披着させた（ｆ）。以上の工程によ
り、アウターリード領域を除く銅層においては膜厚２０
μｍとなり、アウターリードホール領域においては両面
からメッキされたため３０μｍの銅層となる。

【００３５】メッキ処理後不要となったレジスト２８は
水酸化ナトリウム水溶液からなる剥離液に浸漬して剥離
した（ｇ）。この原反にディップコーティングにより感
光性エッチングレジスト（ＰＭＥＲ−ＰＲＦ３０Ｓ：商
品名、東京応化工業社製）３０を両面とも厚さ５μｍと
なるように塗布し、これを乾燥硬化させた（ｈ）。

【００３６】続いて、表面銅側をフォトマスクを用いて
露光し、アウターリードホール２７領域に露出する裏面
の銅層２９にも所定のフォトマスクを用いて露光を行
い、これを同時にアルカリ水溶液からなる専用現像液に
浸漬現像し、所定形状のレジストパターンを形成した
（ｉ）。

【００３７】さらに、塩化第２銅水溶液からなるエッチ
ング液を用いて両面からスプレーエッチングし（ｊ）、
エッチング後不要になったレジスト３０をアルカリ系剥
離液（ＡＺ−リムーバー１００：ヘキストジャパン社
製）に浸漬剥離した。以上の工程によって、形状の良好
なインナーリード３２とアウターリードホール２７領域
に露出した部分が膜厚となったアウターリード３１とを
有する２層フィルムチップキャリアを得た（ｋ）。

【００３８】（実施例３）次に、本発明の第３の実施例
として、図３に、アウターリードホール領域に露出した
部分を厚膜メッキしてなる厚膜構造のアウターリードを
備えた３層フィルムチップキャリアの製造方法を示す。

【００３９】まず、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム
からなる絶縁層４１に打ち抜き加工によってインナーリ
ード形成領域であるデバイスホール４２、アウターリー
ドホール４３、搬送機構となるスプロケットホール４４
を形成した（ａ）。これら各貫通孔が形成された絶縁層
４１の表面にアクリル樹脂系の接着剤４５を２５μｍの
厚さで塗布し、これに厚さ１８μｍの電解銅箔層４６を
重ね、加熱プレスして貼り合わせ３層フィルムチップキ
ャリア原反４７を得た（ｂ）。

【００４０】この原反４７のデバイスホール４２部に銅
箔層４６の裏面Ｂ側よりメッキレジスト４８をスクリー
ン印刷法により形成し乾燥せしめた（ｃ）。この原反４
７の裏側から電解銅メッキ処理し、銅層４６の裏面Ｂの
うちアウターリードホール４３領域に露出している部分
に２０μｍの厚さの銅層４９を披着させた（ｄ）。以上
の工程によってアウターリードホール４３領域を除く銅
層４６の膜厚は１８μｍであり、アウターリードホール
４３領域においては３８μｍの厚さの銅層がメッキによ
り形成された。

【００４１】メッキ処理後不要になったレジスト４８
は、水酸化ナトリウム水溶液からなる剥離液に浸漬して
剥離した（ｅ）。この原反にディップコーティングによ
り感光性エッチングレジスト５０（ＰＭＥＲ−ＰＲＦ３
０Ｓ：商品名、東京応化工業社製）を両面とも厚さ５μ
ｍになるように塗布し、これを乾燥硬化させる（ｆ）。

【００４２】続いて、銅層の表面Ａ側をフォトマスクを
用いて露光し、アウターリードホール４２に露出する裏
面の銅層４９にも所定のフォトマスクを用いて露光を行
い、両面とも同時にアルカリ水溶液からなる専用現像液
に浸漬現像し、所定のレジストパターンを形成した
（ｇ）。

【００４３】さらに塩化第２銅水溶液からなるエッチン
グ液を用いて両面からスプレーエッチングし（ｈ）、さ
らにエッチング後不要になったレジスト５０をアルカリ
系剥離液（ＡＺ−リムーバー１００：商品名、ヘキスト
ジャパン社製）に浸漬剥離した（ｉ）。以上の工程によ
って、形状の良好なインナーリード５２とアウターリー
ドホール７領域に露出した部分が膜厚となったアウター
リード５１とを有する３層フィルムチップキャリアを得
た。

【００４４】（比較例）ここで、比較例として、従来技
術による厚膜構造のアウターリードを備えた２層フィル
ムチップキャリアの製造方法を以下に示す。

【００４５】図４に示すように、まず、厚さ５０μｍの
ポリイミドフィルムからなる絶縁層６１の表面Ａにマグ
ネトロンスパッタリングにより厚さ０．２μｍの銅箔層
を形成し、これに電解銅メッキにより厚さ１０μｍの銅
層６２を付着形成せしめた（ａ）。

【００４６】次に、打ち抜き加工により搬送機構となる
スプロケットホール６３を形成（ｂ）した。さらに絶縁
層６１の表面Ａ上に所定形状でスクリーン印刷によりメ
ッキレジスト６４を塗布し、乾燥硬化させた後（ｃ）、
電解銅メッキにより厚さ１５μｍの銅層６５をアウター
リード形成領域に披着させた（ｄ）。電解メッキ後の不
要になったレジスト６４をアルカリ系剥離液に浸漬し剥
離して２層フィルムチップキャリア原反６６を得た
（ｅ）。

【００４７】この原反６６の裏面にタールピッチからな
るポリイミドエッチングレジスト６７をスクリーン印刷
機により所望の形状に塗布し、これを乾燥硬化させた
（ｆ）。

【００４８】次いで、この原反６６を水酸化カリウム水
溶液からなる強アルカリのポリイミドエッチング液に浸
漬し、ポリイミドエッチングレジスト６７により被覆さ
れていない部分を溶解除去し、デバイスホール６８とア
ウターリードホール６９を形成し、不要になったポリイ
ミドエッチングレジスト６７をＮ−メチル２ピロリドン
（ＮＭＰ）からなる剥離液に浸漬して剥離し、ホール加
工済みフィルムチップキャリア原反を得た（ｆ）。この
結果アウターリード領域を除く銅箔層においては膜厚は
１０μｍであり、アウターリード領域においては３１μ
ｍの厚さの銅層がメッキにより形成された。

【００４９】次に、この原反にディップコーティングに
より感光性エッチングレジスト７０（ＰＭＥＲ−ＰＲＦ
３０Ｓ：商品名、東京応化工業社製）を両面とも厚さ５
μｍになるように塗布し、これを乾燥硬化させる
（ｇ）。

【００５０】続いて、銅層の表面Ａ側をフォトマスクを
用いて露光を行い、アルカリ水溶液からなる専用現像液
に浸漬現像し、所定のレジストパターンを形成した
（ｈ）。

【００５１】さらに塩化第２銅水溶液からなるエッチン
グ液を用いて片面からスプレーエッチングし（ｉ）、さ
らにエッチング後不要になったレジスト７０をアルカリ
系剥離液（ＡＺ−リムーバー１００：商品名、ヘキスト
ジャパン社製）に浸漬剥離した（ｊ）。以上の工程によ
って、膜厚となったアウターリード７１を有する２層フ
ィルムチップキャリアを得た。

【００５２】しかしながら、この２層フィルムチップキ
ャリアは、回路エッチングのためのレジスト７０塗布工
程において、アウターリード領域が膜厚構造とされてい
る部分で銅層表面に段差が生じているため、この段差凸
部のエッジでレジスト７０が薄くなり銅箔面が露出して
しまっていた。さらに、薄肉部との段差部にレジスト７
０がたまってしまい現像残りが生じていた。

【００５３】以下の表１に示すように、従来技術を用い
た比較例によるフィルムチップキャリアでは、インナー
リード７２部を含む微細回路においてオーバーエッチン
グとなり回路の寸法が設計値より非常に細くなっている
のに対して、上記の実施例によるフィルムチップキャリ
アでは、良好な膜厚構造のアウターリードが形成されて
いると共に、インナーリードもオーバーエッチングによ
る回路の細りもなく良好に形成されていた。

【００５４】

【表１】

【００５５】なお、以上の実施例においては、絶縁層に
各種貫通孔を穿設する方法として、打ち抜き加工、ある
いはアルカリ反応液によるウエットエッチング法を用い
る場合を示したが、本発明はこれらの方法に限らず、例
えば、プラズマエッチング、エキシマレーザー照射エッ
チング等のドライエッチング法を用いても良い。

【００５６】また、絶縁層のエッチングレジストやメッ
キレジストについては、使用する絶縁層材料や金属の種
類に応じて適宜選択すればよい。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
アウターリードが厚膜構造となるフィルムチップキャリ
アの製造工程において、金属配線層表面に金属層の厚さ
の違いによる段差が生じず、容易且つ均一なレジスト塗
布ができ、露光、現像工程のばらつきのない安定した回
路形成が可能となる。

【００５８】従って、アウターリードが厚膜構造であり
ながら薄肉部においても微細回路が良好に形成でき、基
板との接合性が良いと共に実装歩留りのより良いフィル
ムチップキャリアを比較的容易に歩留り良く製造するこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による２層フィルムチッ
プキャリアの製造工程を示す模式図である。

【図２】本発明の第２の実施例による２層フィルムチッ
プキャリアの製造工程を示す模式図である。

【図３】本発明の第３の実施例による３層フィルムチッ
プキャリアの製造工程を示す模式図である。

【図４】従来技術（比較例）による２層フィルムチップ
キャリアの製造工程を示す模式図である。

【符号の説明】

１，２１，４１，６１：絶縁層（ポリイミドフィルム） ２，２２，４６，６２：銅銅 ４５：接着剤層 ３，２３，４４，６３：スプロケットホール ５，２５，６７：レジスト ６，２６，４２，６８：デバイスホール ７，２７，４３，６９：アウターリードホール ８，２８，４８，６４：メッキレジスト ９，２９，４９，６５：銅メッキ層 １０，３０，５０，７０：レジスト １１，３１，５１，７２：アウターリード １２，３２，５２，７３：インナーリード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 健一 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラスチック材料からなる絶縁層と、該
   絶縁層に穿設されたアウターリード孔と、前記絶縁層の
   少なくとも一方の面上に形成された金属配線層とを備え
   たフィルムチップキャリアにおいて、 前記金属配線層の前記絶縁層との境界面の前記アウター
   リード孔領域に露出したアウターリード部分に金属メッ
   キ層が披着されていることを特徴とするフィルムチップ
   キャリア。
2. 【請求項２】 プラスチック材料からなる絶縁層と該絶
   縁層の少なくとも一方の面上に所定の回路パターンが形
   成された金属配線層とを備えたフィルムチップキャリア
   の製造方法であって、 前記絶縁層に前記アウターリード孔を形成する穿設工程
   と、前記絶縁層面上に形成された金属層の前記絶縁層と
   の境界面の前記アウターリード孔領域に露出した部分に
   金属メッキを披着させるメッキ工程と、前記金属メッキ
   層および前記金属層に同時にあるいは片方づつエッチン
   グを施して前記所定の回路パターンを形成するエッチン
   グ工程とを備えたことを特徴とするフィルムチップキャ
   リアの製造方法。
3. 【請求項３】 前記アウターリード孔領域に露出した部
   分に披着された金属メッキ層からのエッチングは、前記
   金属メッキ層の厚さ分を行うことを特徴とする請求項２
   に記載のフィルムチップキャリアの製造方法。
4. 【請求項４】 前記メッキ工程が、前記アウターリード
   孔領域に露出した部分および前記金属層上に金属メッキ
   層を披着させるものであることを特徴とする請求項２ま
   たは請求項３に記載のフィルムチップキャリアの製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記エッチング工程が、前記金属層また
   は該金属層上に披着された金属メッキ層からの第１のエ
   ッチング工程と、該第１のエッチング工程後の前記アウ
   ターリード孔領域に露出した部分に披着された金属メッ
   キ層からの第２のエッチング工程とを有することを特徴
   とする請求項２〜４の何れかに記載のフィルムチップキ
   ャリアの製造方法。