JPH07110863A - パタ−ンの検査方法 - Google Patents

パタ−ンの検査方法

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JPH07110863A
JPH07110863A JP5279012A JP27901293A JPH07110863A JP H07110863 A JPH07110863 A JP H07110863A JP 5279012 A JP5279012 A JP 5279012A JP 27901293 A JP27901293 A JP 27901293A JP H07110863 A JPH07110863 A JP H07110863A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 不良部位における不良状態を自動的に検査す
る。 【構成】 被測定パタ−ンのエッジデ−タから,位置合
せされたマスタパタ−ンの直線へ垂線を降ろし,この垂
線までの長さΔdを誤差量とし,この誤差量Δdが大の
時,マスタパタ−ンの中心線LM に被測定パタ−ンの互
いに対向するエッジデ−タから垂線を降ろし,この互い
に対向するエッジデ−タから中心線LM までの距離を求
めることにより,不良部位におけるエッジデ−タの幅w
を求める。この不良部位におけるエッジデ−タ及びマス
タパタ−ンのエッジデ−タから被測定パタ−ンの不良部
位の長さXを求め,この不良部位の長さXが,X>kW
又はX<kWを不良部位の長さXの判定基準とするとと
もに,被測定パタ−ンの幅wが,yW>w又はw<zW
を不良部位の幅wの判定基準とすることにより,k,
y,zを初期設定して被測定パタ−ンの不良部位におけ
る不良状態を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は,フィルムキャリア等
により形成されたパタ−ンを自動的に検査する方法に関
するもので,特に,不良品の不良部位における不良状態
を判定する検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来,IC,LSIの実装に用いられる
フィルムキャリアは,厚さ75〜125μm程度のポリ
イミドフィルムの上に,銅箔を接着剤で貼り付け,両面
にフォトレジストを塗布し,マスク露光,現像,エッチ
ングを行ってリ−ドのパタ−ンを形成している。
【0003】このようにしてパタ−ンを形成後,フォト
レジストが除去され,リ−ドの表面にSn,Au,半田
メッキ処理を行ってフィルムキャリア工程が終了する。
この工程終了後,顕微鏡を用いて人間により目視でパタ
−ンの検査が行われている。このように,微細なパタ−
ンを目視で検査するには,熟練を要するとともに,目を
酷使する結果となる等の問題があった。
【0004】一方,目視検査に代わるものとして,パタ
−ンをTVカメラで撮像し,基準パタ−ンとして被測定
パタ−ンとの一致率をもとにして検査を行うパタ−ンマ
ッチング手法によることも考えられる。しかしながら,
一致率は下式で表されるように,画素単位の計測であ
り,フィルムキャリアのような微細なパタ−ンの検査に
は不向きである。 一致率={(全体の画素−一致していない画素)/(全
体の画素)}×100% 又,同一形状のリ−ドが連続するようなパタ−ンの場合
には,リ−ドが1本分ずれて位置合わせしてしまう場合
もあり,同一形状のパタ−ンの繰り返しの場合には問題
があった。
【0005】そこで,上記の問題点を解決するために,
発明者は先に,以下のような方法を出願した。即ち,良
品と判定されている被測定パタ−ンをマスタパタ−ンと
し,その濃淡画像を画像メモリに記憶するとともに,こ
の画像メモリに記憶されたマスタパタ−ンの濃淡ヒスト
グラムから,これを二値化処理して,マスタパタ−ンの
エッジデ−タを求め,このエッジデ−タから最小二乗法
により直線化して登録するとともに,互いに対向して位
置する両直線の中心線LM と幅Wとを求めてこれをマス
タパタ−ン情報として登録し,これを基準パタ−ンとす
る。一方,被測定パタ−ンのエッジデ−タは,マスタパ
タ−ンの各直線に対応付けされ,両者が比較照合され,
誤差が検査され,良品,不良品の判定がなされる方法で
ある。
【0006】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら,上記
の方法では,被測定パタ−ンに沿って求められたエッジ
デ−タとマスタパタ−ンのデ−タとを比較して良品,不
良品の判断をしていたため,パタ−ン全体が位置ずれし
ている場合には,求められたエッジデ−タはマスタパタ
−ンのデ−タと一致してしまい,位置ずれがあることを
誤認してしまうという問題があった。即ち,被測定パタ
−ンに沿った片側だけのエッジデ−タからは,不良部位
がずれているのか,又,不良部位が突起状であるのかあ
るいは細りであるか認識出来ず,不良状態を正確に判定
することができないという問題があった。
【0007】
【問題点を解決するための手段】この発明は,被測定パ
タ−ンのエッジデ−タから,対応付けされたマスタパタ
−ンの直線へ垂線を降ろし,この垂線までの長さΔdを
誤差量とし,この誤差量Δdが大の時,マスタパタ−ン
の中心線LM に被測定パタ−ンの互いに対向するエッジ
デ−タから垂線を降ろし,この互いに対向するエッジデ
−タから中心線LM までの距離を求めることにより,不
良部位におけるエッジデ−タの幅wを求め,この不良部
位におけるエッジデ−タとマスタパタ−ンのエッジデ−
タとから被測定パタ−ンの不良部位の長さXを求め,こ
の不良部位の長さXが,X>kWあるいはX<kWを不
良部位の長さXの判定基準とするとともに,被測定パタ
−ンの幅wが,yW>wあるいはw<zWを不良部位の
幅wの判定基準とすることにより,k,y,zを初期設
定して被測定パタ−ンの不良部位における不良状態を判
定するようにしたものである。
【0008】
【作用】良品と判定されている被測定パタ−ンをマスタ
パタ−ンとし,その濃淡画像を画像メモリに記憶すると
ともに,この画像メモリに記憶されたマスタパタ−ンの
濃淡ヒストグラムから,これを二値化処理して,マスタ
パタ−ンのエッジデ−タを求め,このエッジデ−タから
マスタパタ−ンを直線の集合に変換して直線化して登録
するとともに,互いに対向位置する両直線の中心線LM
と幅Wとを求めてこれをマスタパタ−ン情報として登録
し,これを基準パタ−ンとする。
【0009】被測定パタ−ンのエッジデ−タから,不良
部位におけるエッジデ−タの幅wを求め,この不良部位
におけるエッジデ−タとマスタパタ−ンのエッジデ−タ
とから被測定パタ−ンの不良部位の長さXを求め,この
不良部位の長さXが,X>kWあるいはX<kWを不良
部位の長さXの判定基準とするとともに,被測定パタ−
ンの幅wが,yW>wあるいはw<zWを不良部位の幅
wの判定基準とする。
【0010】このk,y,zの値を初期設定して,マス
タパタ−ンの幅Wと被測定パタ−ンの幅とを基準にし
て,不良部位における不良状態を判定することにより,
不良部位が位置ずれしている場合でも位置補正して,不
良状態を検査出来る。
【0011】
【発明の実施例】この発明の実施例を,図1〜図18に
基づいて詳細に説明する。図1はこの発明の実施例を示
す処理フロ−,図2〜図4は先に出願した発明の実施例
を示すマスタパタ−ンの処理フロ−,パタ−ン検査装置
の基本動作図,システム構成図,図5〜図13は先の発
明の実施例をパタ−ンの検査方法を説明するための説明
図,図14〜図18は発明の実施例を示す説明図であ
る。
【0012】まず,この発明を実施する具体的なパタ−
ン検査装置について,図3に示す基本動作図および図4
に示すシステム構成図に基づいて説明する。なお,この
実施例では,被測定パタ−ンmとしてTABテ−プのパ
タ−ンを例にとり,そのパタ−ンを検査する場合につい
て説明する。
【0013】図3において,パタ−ン検査装置は,リ−
ルに巻かれているTABテ−プ(図示せず)のフィルム
を送り出す巻出し部1,定寸送り・位置決め部2,良品
不良品を判定処理する検出部3,判定処理が終了したテ
−プを次に切断工程に送る定寸送り・位置決め部4,不
良品のテ−プを切断する打ち抜き部5,再度リ−ルにテ
−プを巻取るための巻取り部6とにより構成されてい
る。
【0014】図4は,システム構成図を示すもので,シ
ステム制御部7はこのシステム全体を制御し,メニュ−
や結果を表示するカラ−CRT8,品種の設定,登録,
操作メニュ−の選択を行うキ−ボ−ド9,シ−ケンサ部
10,プリンタ11,画像メモリ12,CPU(計測ユ
ニット)13,信号セレクタ14等が制御されている。
【0015】シ−ケンサ部10は,システム制御部7の
制御のもとに,操作スイッチ・表示ランプ15,テ−プ
ランナ部16,テ−プパンチャ部17,X−Yテ−ブル
18等を制御している。19はフロッピ−ディスクであ
る。
【0016】ドライバ20によりX方向のモ−タ21,
シ−ケンサ部10を介してテ−ブルコントロ−ラ(3
軸)22とY−S−Pドライバ23とによりY方向のモ
−タ24およびスパン軸用モ−タ25が制御されて,X
−Yテ−ブル18は,それぞれX方向,Y方向およびス
パン軸方向に駆動制御される。従って,TABテ−プ
は,X−Yテ−ブル18上のカメラ26,27で撮像さ
れ,その画像はA/D変換器28によりデジタル変換さ
れ,画像メモリ12に画素単位で記憶される。検出部3
は,カメラ26,27とこの移動機構部分,X−Yテ−
ブル18,CPU13,A/D変換器28,画像メモリ
12により構成されている。
【0017】次に,このパタ−ン検査装置の作用動作に
ついて説明する。リ−ルに巻き取られているTABテ−
プは,シ−ケンサ部10の制御のもとに,テ−プランナ
部16に1コマづつX−Yテ−ブル18上のカメラ2
6,27の所定位置に送り出され位置決めされる。X−
Yテ−ブル18はYおよびX軸方向の駆動モ−タ24,
21,スパン軸方向モ−タ25により3軸方向を制御す
ることにより,それぞれ位置決めされる。
【0018】所定位置に位置決めされた1コマのTAB
テ−プのパタ−ンは,2台のカメラ26,27により撮
像され,その濃淡画像はA/D変換器28によりデジタ
ル信号に変換され,画素単位で画像メモリ12に記憶さ
れる。一方,画像メモリ12には,検査の開始に当たっ
て,良品と判定されたTABテ−プのマスタパタ−ン情
報が作成され記憶される。このマスタパタ−ンMとTA
Bパタ−ン(被測定パタ−ンm)とが検出部3におい
て,後述するような方法で比較され,良品,不良品の判
定処理がなされる。
【0019】このようにして,各コマ毎に良品,不良品
の判定処理がなされたTABテ−プは,順次各コマ毎に
テ−プパンチャ部17に送り込まれ,不良品が打ち抜か
れた後,巻取り部6において,再度リ−ルに巻き取ら
れ,検査が終了する。
【0020】次に,検出部3においてTABパタ−ンが
良品,不良品と判定処理されるためのTABパタ−ンの
検査方法について,図1に基づいて説明する。検査に先
立って,良品と判定されているTABテ−プから,基準
となるマスタパタ−ンMを作成して,マスタパタ−ン情
報として画像メモリ12に登録しておかねばならない。
【0021】以下,マスタパタ−ンMの作成方法につい
て,図2に基づいて説明する。白黒のカメラ26,27
で撮像され,良品と判定されたTABテ−プのパタ−ン
の濃淡画像は,図5にそのパタ−ンの一部が示され,図
6,図7にその拡大図が示されているが,それは,ま
ず,一旦画像メモリ12に登録される(ステップ4
0)。次いで,そのエッジ座標(エッジデ−タ)が,図
5,図6に示されるように,濃淡画像が白→黒,黒→白
と変化している点の中点において,しきい値SL と交叉
するものと仮定して抽出される(ステップ41)。
【0022】マスタパタ−ンMのエッジデ−タの抽出
は,全体画像の濃淡ヒストグラムからこれを二値化処理
し,しきい値SL の両隣の白,黒の画素において比例配
分(即ち,中点を求めることになる)で,しきい値SL
をよぎるX又はY座標値(以下,エッジデ−タと記す)
1 (4.5,2),N2 (5,2.5),N3 (5.
5,3)・・・・が求められる(ステップ41)。
【0023】次に,図8に示すように,このようにして
求められた点の集合であるマスタパタ−ンMの各エッジ
デ−タN1 ,N2 ,N3 ・・・は最小二乗法により直線
1,A2 ,A3 ・・として直線化される(ステップ4
2)。なお,この場合,各エッジデ−タN1 ,N2 ,N
3 ・・・から直線A1 ,A2,A3 ・・・に垂線を下
し,それぞれ各エッジデ−タN1 ,N2 ,N3 ・・・か
ら直線A1 .A2 ・・までの距離ΔN1 ,ΔN2 ,ΔN
3 ・・・が,0.3画素以下の場合には,これは直線化
可能なエッジデ−タとして直線A1 ,A2 ・・・に含め
られる。このようにして,点の集合として抽出されてい
るマスタパタ−ンMのエッジデ−タN1 ,N2 ,N3
・・を直線化して,最終的にはマスタパタ−ンMは直線
1 ,A2 ,A3 ・・の集合に変換される(ステップ4
2)。
【0024】次に,マスタパタ−ンMの幅Wが求められ
る。図9に示すように,互いに対向する直線A1 と直線
n ,直線A2 と直線An-1 ・・・から中心線LM を求
め,この中心線デ−タは,マスタパタ−ン情報として登
録される(ステップ43)。なお,この情報は,被測定
パタ−ンmを検査する場合にリ−ドの方向性を調べるの
に使用される。
【0025】求められた中心線LM に垂直な直線HM
引いた時,この直線HM が直線A1とAN ,A2 とAN-1
・・・と交叉する点までの幅がマスタパタ−ンMの幅
Wと等しくなる。即ち,中心線LM は両直線A1 とA
n-1 との距離を直径とする内接円の中心の軌跡となると
ともに,直径がマスタパタ−ンMの幅Wとなる(ステッ
プ44)。このようにして順次求められたマスタパタ−
ンMの直線A1 ,A2 ,A3 ・・・,中心線LM は,マ
スタパタ−ン情報として登録されて,基準となるマスタ
パタ−ンMが作成される(ステップ45)。
【0026】このようにして,図2に示す手順でマスタ
パタ−ンMが作成されると,次には,実際にTABテ−
プの被測定パタ−ンmが,図1に示す手順で検査され
る。TABテ−プは,図3,図4に示すように,リ−ル
に巻き取られており,巻出し部1から,1コマずつ送り
出され,カメラ26,27により被測定パタ−ンmが撮
像される。この時,撮像された画像は,図5に示すよう
な濃淡画像となり,A/D変換器28でデジタル化され
て,画像メモリ12に一旦記憶される。画像メモリ12
に記憶されているマスタパタ−ンMとこの被測定パタ−
ンmとは,検出部3のCPU13で読み出され,位置合
わせした後,比較,照合されて,被測定パタ−ンmが検
査される(ステップ46)。
【0027】ここで,被測定パタ−ンmをマスタパタ−
ンMと比較,照合して検査する場合の前提条件を,図1
0に基づいて説明する。 (1)マスタパタ−ンMおよび被測定パタ−ンmのエッ
ジデ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・は,例えば,検査範囲
を設定する一つの手法として,ウインド30によってマ
スクされ,ウインド30の中のパタ−ンのみが検査の対
象となる(ステップ47)。 (2)ウインド30によって一部分切り出された被測定
パタ−ンmは,図10に示すように,必ずウインド30
の4辺のいづれかに接しており,パタ−ン31で示され
る形状のパタ−ン部分は,エッジデ−タとしては認識し
ない。 (3)検査は,必ず出発点Sからウインド30の4辺を
一定方向に回って進められ,最後に出発点Sに戻り,画
面の検査が完了する。
【0028】このような前提条件のもとに,以下の手順
で被測定パタ−ンmの検査が行われる。図11は,検査
時の状態を示すもので,マスタパタ−ンMのエッジデ−
タは最小二乗法により直線化されて,直線A1 ,A2
3 ・・・で示されており,抽出された被測定パタ−ン
mのエッジデ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・が黒丸で示さ
れている(ステップ48)。
【0029】そこで,まず,被測定パタ−ンmのエッジ
デ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・が,マスタパタ−ンMの
どの直線と対応するかの対応付けが行われなければなら
ない。この対応付けを行うために,図11,図12に示
すように,マスタパタ−ンMの互いに隣接する直線A1
と直線A2 ,直線A2 と直線A3 ・・・が持つ角度a,
b・・・をそれぞれ2等分する直線A2',A3'・・・を
算出する。
【0030】従って,マスタパタ−ンMは,この直線A
2',A3'・・・で区分され,各直線A1 ,A2 ,A3
・に対応する領域(以下,領域A1 ,A2 ,A3 ・・・
と記す)に分割されることになるので,被測定パタ−ン
mのエッジデ−タn1 ,n2,n3 ・・・は,すべて領
域A1 ,A2 ,A3 ・・・に対応付けされる(ステップ
49)。
【0031】次に,マスタパタ−ンMと被測定パタ−ン
mとの誤差量(ずれ)Δdが測定されなければならな
い。このためには,図13に示すように,被測定パタ−
ンmのエッジデ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・から直線A
1 ,A2 ・・・にそれぞれ垂線h1 ,h2 ,h3 ・・・
を降ろし,この垂線h1 ,h2 ,h3 ・・・が,それぞ
れ直線A1 ,A2 ・・・と交叉する距離Δd(Δd1
Δd2 ・・・)を求めると,この距離Δdが誤差量,即
ち,マスタパタ−ンMと被測定パタ−ンmとのずれ量と
なる(ステップ50)。
【0032】次に,実際に各種の検査をする場合につい
て説明する。実際の検査をする場合には,被測定パタ−
ンmの幅wを求め,この幅wと基準となるマスタパタ−
ンMの幅WとがCPU13において比較演算され,良
品,不良品の判定がなされる。この際,良品,不良品の
判定基準値として,不良部位の長さXの判定基準として
X=kW,および被測定パタ−ンの幅wが,yW>wあ
るいはw<zWを不良部位の幅wの判定基準としてCP
U13に初期条件として設定されている(ステップ5
1)。この実施例の場合には,k=2,y=2/3,z
=4/3として初期設定されている。
【0033】従って,一般には,判定係数をyおよびz
(但し,y<z)とした時,被測定パタ−ンmの幅wと
マスタパタ−ンMの幅Wとが, yW<w<zW となる時,良品と判定し,幅wがこの範囲外にある時を
パタ−ンの幅不適として不良品と判定される。
【0034】そこで,まず,被測定パタ−ンmの幅wを
求める場合について説明する。図14は,被測定パタ−
ンmの幅wを求める状態を示すもので,図13に示すよ
うに,被測定パタ−ンmのエッジデ−タn1 ,n2 ,n
3 ・・・から,マスタパタ−ンMの直線A1 ,A2 ・・
・に垂線を下し,この垂線までの長さΔd(誤差量)
(Δd1 ,Δd2 ・・・)を求め,この誤差量Δdが小
さい場合には,そのまま良品として判定される。
【0035】誤差量Δdが大きいエッジデ−タn(n
1 ,n2 ,・・nn )に対しては,マスタパタ−ンMの
中心線LM に対してそれぞれ垂線を下ろして,その距離
を求め,互いに対向する被測定パタ−ンmのエッジデ−
タn(n1 ,n2 ,・・nn )から幅w(w1 ,w2
・nn )が求められる。
【0036】この求められた被測定パタ−ンmの幅w
が,CPU13において,マスタパタ−ンMの幅Wと比
較,演算される。CPU13には初期条件が設定されて
おり,この実施例の場合には,マスタパタ−ンMの幅を
Wとした時,被測定パタ−ンの幅wの判定基準値が設定
されている。即ち, (2/3)W<w<(4/3)W の範囲内に入っているか否かを見て(ステップ51),
この範囲内に入っている場合には,良品と判定され,範
囲外の場合には細り,太り,突起,欠けのいずれかに対
応する不良品と判定されるように設定されている。
【0037】次に,不良品と判定された場合,不良部位
における不良状態を実際に判定する場合について説明す
る。 (1).「細り」の検査 図15は,不良品と判定された被測定パタ−ンmが,
「細り」と判定される検査時の状態を示すもので,上記
図14のようにして求められた被測定パタ−ンmのエッ
ジデ−タnの誤差量Δdが,1画素分以上ずれが発生し
ているエッジデ−タn1 からチェックを開始し,エッジ
デ−タn1 ,n2 ,n3 ・・・とチェックして最終のエ
ッジデ−タnn までチェックしてそのずれが発生してい
る長さXを求める。
【0038】次いで,上記のように,マスタパタ−ンM
の中心線LM に対してそれぞれ垂線を下ろして,その距
離を求め,互いに対向する被測定パタ−ンmのエッジデ
−タn(n1 ,n2 ,・・nn )から幅w(w1 ,w2
・・wn )が求められる。
【0039】このようにして求められた被測定パタ−ン
mのずれの長さXおよび幅w(w1,w2 ・・wn
は,CPU13においてマスタパタ−ンMのデ−タと比
較演算される。その結果,マスタパタ−ンMの幅W,被
測定パタ−ンmのずれの長さX,幅wとした時,ずれの
長さX>2W(ステップ52),且つ,幅w<2W/3
の時(ステップ53)のみ,「細り」と判定されて不良
品と判定される(ステップ54)。
【0040】(2).「太り」の検査 図16は,不良品と判定された被測定パタ−ンmが,
「太り」と判定される検査時の状態を示すもので,上記
細りを検査したと同様に,被測定パタ−ンmのエッジデ
−タnの誤差量Δdが,1画素分以上ずれが発生してい
るエッジデ−タn1 からチェックを開始し,エッジデ−
タn1 ,n2 ,n3 ・・・とチェックして最終のエッジ
デ−タnn までチェックしてそのずれが発生している長
さXを求める。
【0041】次いで,上記のように,マスタパタ−ンM
の中心線LM に対してそれぞれ垂線を下ろして,その距
離を求め,互いに対向する被測定パタ−ンmのエッジデ
−タn(n1 ,n2 ,・・nn )から幅w(w1 ,w2
・・wn )が求められる。
【0042】このようにして求められた被測定パタ−ン
mのずれの長さXおよび幅w(w1,w2 ・・wn
は,CPU13においてマスタパタ−ンMのデ−タと比
較演算される。その結果,マスタパタ−ンMの幅W,被
測定パタ−ンmのずれの長さX,幅wとした時,ずれの
長さX>2W(ステップ52),且つ,幅w>4W/3
の時(ステップ55)のみ,「太り」と判定されて不良
品と判定される(ステップ56)。
【0043】(3).「欠け」の検査 図17は,不良品と判定された被測定パタ−ンmが,
「欠け」と判定される検査時の状態を示すもので,上記
細りや太りを検査したと同様にして,被測定パタ−ンm
のずれが発生している長さXを求める。
【0044】次いで,上記と同様にして,被測定パタ−
ンmのエッジデ−タn(n1 ,n2,・・nn )から幅
w(w1 ,w2 ・・wn )が求められる。
【0045】このようにして求められた被測定パタ−ン
mのずれの長さXおよび幅w(w1,w2 ・・wn
は,CPU13においてマスタパタ−ンMのデ−タと比
較演算される。その結果,マスタパタ−ンMの幅W,被
測定パタ−ンmのずれの長さX,幅wとした時,ずれの
長さX<2W(ステップ57),且つ,幅w<2W/3
の時(ステップ58)のみ,「欠け」と判定されて不良
品と判定される(ステップ59)。
【0046】(4).「突起」の検査 図18は,不良品と判定された被測定パタ−ンmが,
「突起」と判定される検査時の状態を示すもので,上記
(1)〜(3)において検査したと同様に,被測定パタ
−ンmのずれが発生している長さXが求められる。
【0047】次いで,上記と同様にして,被測定パタ−
ンmのエッジデ−タn(n1 ,n2,・・nn )から幅
w(w1 ,w2 ・・wn )が求められる。
【0048】このようにして求められた被測定パタ−ン
mのずれの長さXおよび幅w(w1,w2 ・・wn
は,同様にCPU13においてマスタパタ−ンMのデ−
タと比較演算される。その結果,マスタパタ−ンMの幅
W,被測定パタ−ンmのずれの長さX,幅wとした時,
ずれの長さX<2W(ステップ57),且つ,幅w>4
W/3の時(ステップ60)のみ,「突起」と判定され
て不良品と判定される(ステップ61)。
【0049】
【発明の効果】この発明は,被測定パタ−ンのエッジデ
−タから,対応付けされたマスタパタ−ンの直線へ垂線
を降ろし,この垂線までの長さΔdを誤差量とし,この
誤差量Δdが大の時,マスタパタ−ンの中心線LM に被
測定パタ−ンの互いに対向するエッジデ−タから垂線を
降ろし,この互いに対向するエッジデ−タから中心線L
M までの距離を求めることにより,不良部位におけるエ
ッジデ−タの幅wを求め,この不良部位におけるエッジ
デ−タとマスタパタ−ンのエッジデ−タとから被測定パ
タ−ンの不良部位の長さXを求め,この不良部位の長さ
Xが,X>kWあるいはX<kWを不良部位の長さXの
判定基準とするとともに,被測定パタ−ンの幅wが,y
W>wあるいはw<zWを不良部位の幅wの判定基準と
することにより,k,y,zを初期設定して被測定パタ
−ンの不良部位における不良状態を判定するようにし
て,マスタパタ−ンの幅を検査の基準としているので,
被測定パタ−ンが全体的に位置ずれしている場合でも位
置補正した状態で検査することができ,いかなる形状の
ものでも正確にその不良品の不良部位における不良状態
を検査することが出来る。
【0050】特に,従来のように,パタ−ンに沿って求
めた片側だけのエッジデ−タだけから判断していた場合
には,突起,細り,太り,欠け等は,一義的に定義する
ことが不可能であったが,これらの状態を正確に定義付
けすることが出来る。
【0051】検査条件は,初期条件として任意に設定す
ることが出来るから,必要に応じて検査条件を変更する
ことが出来るとともに,すべての不良品の不良部位にお
ける不良状態を同一の検査条件で判断することが出来る
から,正確な検査結果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示す処理フロ−である。
【図2】マスタパタ−ンの処理フロ−である。
【図3】パタ−ン検査装置の基本動作図である。
【図4】システム構成図である。
【図5】被測定パタ−ンの一部である。
【図6】マスタパタ−ンのエッジデ−タを求めるための
説明図で,図5の拡大図である。
【図7】図6の拡大図である。
【図8】マスタパタ−ンを直線化するための説明図であ
る。
【図9】マスタパタ−ンの幅Wを求めるための説明図で
ある。
【図10】ウインドに表示された被測定パタ−ンであ
る。
【図11】マスタパタ−ンの直線と被測定パタ−ンのエ
ッジデ−タとの関係を示す図である。
【図12】マスタパタ−ンの領域を区分するための説明
図である。
【図13】ずれ(誤差量)を求めるための説明図であ
る。
【図14】この発明の実施例を示すもので,パタ−ン幅
の検査の説明図である。
【図15】この発明の実施例を示すもので,細りの検査
の説明図である。
【図16】この発明の実施例を示すもので,太りの検査
の説明図である。
【図17】この発明の実施例を示すもので,欠けの検査
の説明図である。
【図18】この発明の実施例を示すもので,突起の検査
の説明図である。
【符号の説明】
M マスタパタ−ン A1 ,A2 ・・・マスタパタ−ンMの直線 N1 ,N2 ・・・マスタパタ−ンのエッジデ−タ HM マスタパタ−ンの直線 LM マスタパタ−ンの中心線 W マスタパタ−ンの幅 Δd 誤差量(ずれ) m 被測定パタ−ン w 被測定パタ−ンの幅 n1 ,n2 ・・・被測定パタ−ンのエッジデ−タ X ずれの長さ 12 画像メモリ 13 CPU

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定パタ−ンの良品をマスタパタ−ン
    の濃淡画像として画像メモリに記憶し,この画像メモリ
    に記憶された前記マスタパタ−ンの濃淡ヒストグラムか
    らこれを二値化処理して前記マスタパタ−ンのエッジデ
    −タを求め,このエッジデ−タから最小二乗法により前
    記マスタパタ−ンを直線の集合に変換し,これらの直線
    から互いに対向して位置する両直線の中心線LM を求め
    て前記マスタパタ−ン情報として登録し,この中心線L
    M に直角に交わる線と前記両直線とが交わる点までの長
    さから前記互いに対向する直線の幅Wを求めて前記マス
    タパタ−ン情報として登録することにより,被測定パタ
    −ンと比較するための基準となる前記マスタパタ−ンを
    作成し,前記被測定パタ−ンを画像メモリに記憶し,前
    記マスタパタ−ンと前記被測定パタ−ンとを位置合わせ
    するとともに,検査範囲を設定し,この検査範囲の周辺
    に,前記被測定パタ−ンのエッジデ−タが存在し,前記
    検査範囲の周辺を一定方向に検査して前記被測定パタ−
    ンのエッジデ−タを抽出し,前記マスタパタ−ンの互い
    に隣接する直線が持つ角度を2等分する直線を算出し,
    この直線により前記マスタパタ−ンを前記各直線にそれ
    ぞれ対応する領域に分割し,この各領域内に存在する被
    測定パタ−ンのエッジデ−タを前記マスタパタ−ンの直
    線にそれぞれ対応付けし,それぞれ対応付けされた前記
    被測定パタ−ンのエッジデ−タと前記マスタパタ−ンの
    エッジデ−タとの誤差を検出して良品,不良品の判定を
    するパタ−ンの検査方法において,前記被測定パタ−ン
    のエッジデ−タから前記対応付けされた前記マスタパタ
    −ンの直線へ垂線を降ろし,この垂線までの長さΔdを
    誤差量とし,この誤差量Δdが大の時,前記マスタパタ
    −ンの中心線LM に前記被測定パタ−ンの互いに対向す
    るエッジデ−タから垂線を降ろし,この互いに対向する
    エッジデ−タから前記中心線LM までの距離を求めるこ
    とにより,不良部位における前記エッジデ−タの幅wを
    求め,この不良部位におけるエッジデ−タと前記マスタ
    パタ−ンのエッジデ−タとから前記被測定パタ−ンの不
    良部位の長さXを求め,この不良部位の長さXが,X>
    kWあるいはX<kWを前記不良部位の長さXの判定基
    準とするとともに,前記被測定パタ−ンの幅wが,yW
    >wあるいはw<zWを前記不良部位の幅wの判定基準
    とすることにより,前記k,y,zを初期設定して前記
    被測定パタ−ンの不良部位における不良状態を判定する
    ことを特徴とするパタ−ンの検査方法。
  2. 【請求項2】 前記k=2,y=2/3と初期設定し
    て,前記不良部位の長さX>2Wであるとともに,w<
    2W/3となる時,前記被測定パタ−ンの前記不良部位
    における不良状態を細りと判定することを特徴とする請
    求項1に記載のパタ−ンの検査方法。
  3. 【請求項3】 前記k=2,y=2/3と初期設定し
    て,前記不良部位の長さX<2Wであるとともに,w<
    2W/3となる時,前記被測定パタ−ンの前記不良部位
    における不良状態を欠けと判定することを特徴とする請
    求項1に記載のパタ−ンの検査方法。
  4. 【請求項4】 前記k=2,z=4/3と初期設定し
    て,前記不良部位の長さX>2Wであるとともに,w>
    4W/3となる時,前記被測定パタ−ンの前記不良部位
    における不良状態を太りと判定することを特徴とする請
    求項1に記載のパタ−ンの検査方法。
  5. 【請求項5】 前記k=2,z=4/3と初期設定し
    て,前記不良部位の長さX<2Wであるとともに,w>
    4W/3となる時,前記被測定パタ−ンの前記不良部位
    における不良状態を突起と判定することを特徴とする請
    求項1に記載のパタ−ンの検査方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6953989B2 (en) 2003-01-28 2005-10-11 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Film carrier tape for mounting electronic devices thereon and final defect marking method using the same
US7349575B2 (en) 2003-06-27 2008-03-25 Nippon Avionics Co., Ltd. Pattern inspection method and apparatus, and pattern alignment method
US7382754B2 (en) 2003-03-14 2008-06-03 Motorola, Inc. Method and apparatus sharing a slot descriptor block between multiple users
JP2010268009A (ja) * 2004-02-23 2010-11-25 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法
JP2016038311A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス パターン検査装置およびパターン検査方法
JP2018072115A (ja) * 2016-10-27 2018-05-10 株式会社リコー 線幅測定方法、線幅測定プログラム、記憶媒体及び情報処理装置
JP2020047916A (ja) * 2018-09-12 2020-03-26 日立金属株式会社 ろう材パターンの検査方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6953989B2 (en) 2003-01-28 2005-10-11 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Film carrier tape for mounting electronic devices thereon and final defect marking method using the same
US7382754B2 (en) 2003-03-14 2008-06-03 Motorola, Inc. Method and apparatus sharing a slot descriptor block between multiple users
US7349575B2 (en) 2003-06-27 2008-03-25 Nippon Avionics Co., Ltd. Pattern inspection method and apparatus, and pattern alignment method
JP2010268009A (ja) * 2004-02-23 2010-11-25 Nano Geometry Kenkyusho:Kk パターン検査装置および方法
JP2016038311A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス パターン検査装置およびパターン検査方法
JP2018072115A (ja) * 2016-10-27 2018-05-10 株式会社リコー 線幅測定方法、線幅測定プログラム、記憶媒体及び情報処理装置
JP2020047916A (ja) * 2018-09-12 2020-03-26 日立金属株式会社 ろう材パターンの検査方法

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