JPH0710885A - ポリシランおよびその製造方法 - Google Patents
ポリシランおよびその製造方法Info
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- JPH0710885A JPH0710885A JP6024429A JP2442994A JPH0710885A JP H0710885 A JPH0710885 A JP H0710885A JP 6024429 A JP6024429 A JP 6024429A JP 2442994 A JP2442994 A JP 2442994A JP H0710885 A JPH0710885 A JP H0710885A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
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Abstract
(57)【要約】
【目的】非線形光学材料や導電性高分子などの機能性高
分子として有用なポリシランを均一な分子量分布で種々
合成できることを目的とする。 【構成】一般式（Ｉ） 【化１】 および一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ
9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12Ｒ13およびＲ14は各々独立に水素
原子、アルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、シリル基、アミノ基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3と
Ｒ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8、Ｒ13とＲ14、Ｒ10とＲ11は
結合しているケイ素と一体となって環を形成しうる。ｍ
は０または１を示す。ｎは整数を示す）で表されるポリ
シラン、および小員環ポリシランを溶媒中、有機リチウ
ム反応剤を作用させた後、脱離基をもつシラン類と反応
させることからなるこれらの製造方法。
分子として有用なポリシランを均一な分子量分布で種々
合成できることを目的とする。 【構成】一般式（Ｉ） 【化１】 および一般式（II） 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ
9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12Ｒ13およびＲ14は各々独立に水素
原子、アルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、シリル基、アミノ基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3と
Ｒ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8、Ｒ13とＲ14、Ｒ10とＲ11は
結合しているケイ素と一体となって環を形成しうる。ｍ
は０または１を示す。ｎは整数を示す）で表されるポリ
シラン、および小員環ポリシランを溶媒中、有機リチウ
ム反応剤を作用させた後、脱離基をもつシラン類と反応
させることからなるこれらの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学材料または
導電性高分子などの機能性高分子として有用なポリシラ
ン類およびその製造方法に関する。
導電性高分子などの機能性高分子として有用なポリシラ
ン類およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリシラン類は非線形光学材料または導
電性高分子などの機能性高分子として有用であることが
知られている（”有機ケイ素ポリマ−の合成と応用”シ
−エムシ−（１９８９）；化学技術研究所報告、８、５
６９（１９８９）；Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．８９、１３５９
（１９８９））。一般式（Ｉ）で表されるポリシラン類
の合成法としては、（１）ジクロロシラン類をナトリウ
ムなどアルカリ金属存在下、還元縮合する方法（”有機
ケイ素ポリマ−の合成と応用”シ−エムシ−（１９８
９）ｐ９９）、（２）遷移金属触媒存在下、ポリヒドロ
シラン類を脱水素縮合する方法（Ｃａｎ． Ｊ． Ｃｈ
ｅｍ．，６５，１８０４（１９８７）；Ｊ． Ｏｒｇａ
ｎｏｍｅｔ． Ｃｈｅｍ．，２７， Ｃ３１（１９７
１））、（３）ジシレンの等価体であるジシラビシクロ
オクタジエンのアニオン重合による方法（Ｊ． Ａｍ．
Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， １１１， ７６４１（１９
８９））、（４）ジクロロシラン類の電解還元による方
法（Ｊ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍ
ｍｕｎ．，１１６０（１９９０））、（５）シクロテト
ラシラン類と触媒量のブチルリチウムを反応させる方法
（Ｊ．Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， １１３， １
０４６（１９９１））などがある。
電性高分子などの機能性高分子として有用であることが
知られている（”有機ケイ素ポリマ−の合成と応用”シ
−エムシ−（１９８９）；化学技術研究所報告、８、５
６９（１９８９）；Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．８９、１３５９
（１９８９））。一般式（Ｉ）で表されるポリシラン類
の合成法としては、（１）ジクロロシラン類をナトリウ
ムなどアルカリ金属存在下、還元縮合する方法（”有機
ケイ素ポリマ−の合成と応用”シ−エムシ−（１９８
９）ｐ９９）、（２）遷移金属触媒存在下、ポリヒドロ
シラン類を脱水素縮合する方法（Ｃａｎ． Ｊ． Ｃｈ
ｅｍ．，６５，１８０４（１９８７）；Ｊ． Ｏｒｇａ
ｎｏｍｅｔ． Ｃｈｅｍ．，２７， Ｃ３１（１９７
１））、（３）ジシレンの等価体であるジシラビシクロ
オクタジエンのアニオン重合による方法（Ｊ． Ａｍ．
Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， １１１， ７６４１（１９
８９））、（４）ジクロロシラン類の電解還元による方
法（Ｊ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍ
ｍｕｎ．，１１６０（１９９０））、（５）シクロテト
ラシラン類と触媒量のブチルリチウムを反応させる方法
（Ｊ．Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， １１３， １
０４６（１９９１））などがある。
【０００３】これらの方法のうち（１）および（４）の
方法では側鎖に導入できる官能基が限られるうえ、分子
量分布が一様でないなどの欠点がある。（２）の方法で
は用いることができる基質がモノ置換シランに限られる
うえ、分子量分布が一様でないなどの欠点をもつ。
（３）の方法では基質として用いるジシレン等価体の合
成が困難であるという欠点を持つ。（５）の方法では用
いることができる基質が著しく限定される。
方法では側鎖に導入できる官能基が限られるうえ、分子
量分布が一様でないなどの欠点がある。（２）の方法で
は用いることができる基質がモノ置換シランに限られる
うえ、分子量分布が一様でないなどの欠点をもつ。
（３）の方法では基質として用いるジシレン等価体の合
成が困難であるという欠点を持つ。（５）の方法では用
いることができる基質が著しく限定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ポリシランの物性は分
子量分布および主鎖上の置換基の配列順序に大きく影響
される。従って、均一な電気的性質または光学的性質を
示すポリシランを得るためには鎖長のそろったポリシラ
ンを合成する必要がある。さらに、望みの機能を実現す
る上で、置換基の配列順序をコントロ−ルできることが
望ましい。
子量分布および主鎖上の置換基の配列順序に大きく影響
される。従って、均一な電気的性質または光学的性質を
示すポリシランを得るためには鎖長のそろったポリシラ
ンを合成する必要がある。さらに、望みの機能を実現す
る上で、置換基の配列順序をコントロ−ルできることが
望ましい。
【０００５】本発明者らは、分子量が均一でありかつ種
々の官能基を有するポリシランおよびその工業的に容易
な製造法につき検討を行なった結果、小員環ポリシラン
を有機リチウム反応剤と反応させた後、脱離基をもつシ
ラン類と反応させることにより完璧に均一な分子量分布
をもつポリシランが得られることを見いだし本発明を完
成したもので、本発明の目的は、均一な分子量と制御さ
れた置換基順序を有するポリシランおよびその新規にし
て高選択的な製造方法を提供することである。
々の官能基を有するポリシランおよびその工業的に容易
な製造法につき検討を行なった結果、小員環ポリシラン
を有機リチウム反応剤と反応させた後、脱離基をもつシ
ラン類と反応させることにより完璧に均一な分子量分布
をもつポリシランが得られることを見いだし本発明を完
成したもので、本発明の目的は、均一な分子量と制御さ
れた置換基順序を有するポリシランおよびその新規にし
て高選択的な製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、下記一
般式（Ｉ）
般式（Ｉ）
【０００７】
【化１１】
【０００８】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は各々独立に水
素原子、アルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アル
キニル基、シリル基、アミノ基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3
とＲ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8、Ｒ10とＲ11は結合してい
るケイ素と一体となって環を形成しうる。ｍは０または
１を示す）で表されるポリシラン、および下記一般式
（III）
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は各々独立に水
素原子、アルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アル
キニル基、シリル基、アミノ基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3
とＲ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8、Ｒ10とＲ11は結合してい
るケイ素と一体となって環を形成しうる。ｍは０または
１を示す）で表されるポリシラン、および下記一般式
（III）
【０００９】
【化１２】
【００１０】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、
Ｒ7およびＲ8は前記と同一の意味を表す。ｍは前記と同
一の意味を表す）で表される小員環ポリシランを溶媒
中、一般式（IV）
Ｒ7およびＲ8は前記と同一の意味を表す。ｍは前記と同
一の意味を表す）で表される小員環ポリシランを溶媒
中、一般式（IV）
【００１１】
【化１３】
【００１２】（式中、Ｒ9は前記と同一の意味を表
す。）で表される有機リチウム反応剤と反応させた後、
下記一般式（Ｖ）
す。）で表される有機リチウム反応剤と反応させた後、
下記一般式（Ｖ）
【００１３】
【化１４】
【００１４】（式中、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＸは前記
と同一の意味を表す。）で表されるシラン類と反応させ
ることからなる上記ポリシランの製造方法、並びに、下
記一般式（II）
と同一の意味を表す。）で表されるシラン類と反応させ
ることからなる上記ポリシランの製造方法、並びに、下
記一般式（II）
【００１５】
【化１５】
【００１６】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ13およびＲ14は各々独立に水素原
子、アルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、シリル基、アミノ基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3と
Ｒ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8、Ｒ13とＲ14は結合している
ケイ素と一体となって環を形成しうる。ｍは０または１
を示す。ｎは整数を示す）で表されるポリシラン、およ
び下記一般式（III）
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ13およびＲ14は各々独立に水素原
子、アルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、シリル基、アミノ基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3と
Ｒ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8、Ｒ13とＲ14は結合している
ケイ素と一体となって環を形成しうる。ｍは０または１
を示す。ｎは整数を示す）で表されるポリシラン、およ
び下記一般式（III）
【００１７】
【化１６】
【００１８】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、
Ｒ7およびＲ8はおよびｍは前記と同一の意味を表す。）
で表される小員環ポリシランを溶媒中、一般式（IV）
Ｒ7およびＲ8はおよびｍは前記と同一の意味を表す。）
で表される小員環ポリシランを溶媒中、一般式（IV）
【００１９】
【化１７】
【００２０】（式中、Ｒ9は前記と同一の意味を表
す。）で表される有機リチウム反応剤と反応させた後、
下記一般式（VI）
す。）で表される有機リチウム反応剤と反応させた後、
下記一般式（VI）
【００２１】
【化１８】
【００２２】（式中、Ｒ13、Ｒ14およびＸは同一の意味
を表す。）で表されるシラン類と反応させることからな
る上記ポリシランの製造方法を提供する。上記式中、ア
ルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、
イソブチル基、イソプロピル基、ベンジル基などをあげ
ることができる。また、アリ−ル基としてはフェニル
基、チエニル基、ピリジル基、ナフチル基、フリル基を
あげることができる。また、アルケニル基としてはエテ
ニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘ
キセニル基、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基
をあげることができる。アルキニル基としてはエチニル
基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシ
ニル基をあげることができる。シリル基としてはトリメ
チルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリ
ル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシリル基、ト
リヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニル
ジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基をあげる
ことができる。アミノ基としてはジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基をあげることができる。これらのアルキ
ル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキニル基、シリ
ル基は置換基を有していてもよく、置換基としてはアリ
−ル基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、シアノ基、
アルコキシ基、アシル基、ハロゲン原子等をあげること
ができる。
を表す。）で表されるシラン類と反応させることからな
る上記ポリシランの製造方法を提供する。上記式中、ア
ルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、
イソブチル基、イソプロピル基、ベンジル基などをあげ
ることができる。また、アリ−ル基としてはフェニル
基、チエニル基、ピリジル基、ナフチル基、フリル基を
あげることができる。また、アルケニル基としてはエテ
ニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘ
キセニル基、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基
をあげることができる。アルキニル基としてはエチニル
基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシ
ニル基をあげることができる。シリル基としてはトリメ
チルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリ
ル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシリル基、ト
リヘキシルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニル
ジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリル基をあげる
ことができる。アミノ基としてはジメチルアミノ基、ジ
エチルアミノ基をあげることができる。これらのアルキ
ル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキニル基、シリ
ル基は置換基を有していてもよく、置換基としてはアリ
−ル基、トリフルオロメチル基、ニトロ基、シアノ基、
アルコキシ基、アシル基、ハロゲン原子等をあげること
ができる。
【００２３】本発明に用いる前記一般式（III）で表さ
れる小員環ポリシランはリチウムまたはナトリウムによ
りジクロロシラン類を縮合させる方法（Ｊ． Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．，７８１
（１９８３）；Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，３，
１４１（１９８４）；Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，１７１１
（１９８３）；Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，
２１２，１５５（１９８１）；Ｐｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐ
ｒ．３１，４６（１９９０）；Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ
ｌｉｃｓ，２，１７７１（１９８３））により容易に得
られる。
れる小員環ポリシランはリチウムまたはナトリウムによ
りジクロロシラン類を縮合させる方法（Ｊ． Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．， Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ．，７８１
（１９８３）；Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，３，
１４１（１９８４）；Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，１７１１
（１９８３）；Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．，
２１２，１５５（１９８１）；Ｐｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐ
ｒ．３１，４６（１９９０）；Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ
ｌｉｃｓ，２，１７７１（１９８３））により容易に得
られる。
【００２４】前記一般式（III）で表される小員環ポリ
シランとしてはたとえば、ヘキサプロピルシクロトリシ
ラン、ヘキサ（２，２−ジメチルプロピル）シクロトリ
シラン、ヘキサ（１，１−ジメチルエチル）シクロトリ
シラン、ヘキサメシチルシクロトリシラン、オクタ（ト
リメチルシリル）シクロテトラシラン、オクタエチルシ
クロテトラシラン、オクタ（イソプロピル）シクロテト
ラシラン、オクタフェニルシクロテトラシラン、１，
２，３，４−テトラメチル−１，２，３，４−テトラフ
ェニルシラン、１，２，３，４−テトラブロモ−１，
２，３，４−テトラフェニルシクロテトラシラン、１，
２，３，４−テトラメトキシ−１，２，３，４−テトラ
フェニルシクロテトラシラン、１，２，３，４−テトラ
フェニルシクロテトラシラン、１，２，３，４−テトラ
ビニル−１，２，３，４−テトラエチルシクロテトラシ
ラン、１，２，３，４−テトラエチニル−１，２，３，
４−テトラフェニルシクロテトラシランなどをあげるこ
とができる。
シランとしてはたとえば、ヘキサプロピルシクロトリシ
ラン、ヘキサ（２，２−ジメチルプロピル）シクロトリ
シラン、ヘキサ（１，１−ジメチルエチル）シクロトリ
シラン、ヘキサメシチルシクロトリシラン、オクタ（ト
リメチルシリル）シクロテトラシラン、オクタエチルシ
クロテトラシラン、オクタ（イソプロピル）シクロテト
ラシラン、オクタフェニルシクロテトラシラン、１，
２，３，４−テトラメチル−１，２，３，４−テトラフ
ェニルシラン、１，２，３，４−テトラブロモ−１，
２，３，４−テトラフェニルシクロテトラシラン、１，
２，３，４−テトラメトキシ−１，２，３，４−テトラ
フェニルシクロテトラシラン、１，２，３，４−テトラ
フェニルシクロテトラシラン、１，２，３，４−テトラ
ビニル−１，２，３，４−テトラエチルシクロテトラシ
ラン、１，２，３，４−テトラエチニル−１，２，３，
４−テトラフェニルシクロテトラシランなどをあげるこ
とができる。
【００２５】前記一般式（IV）で表される有機リチウム
反応剤としてはたとえば、フェニルジメチルシリルリチ
ウム、ジフェニルメチルシリルリチウム、トリフェニル
シリルリチウム、トリメチルシリルリチウム、４−（ジ
メチルアミノ）フェニル（ジメチル）シリルリチウム、
４−（ジエチルアミノ）フェニル（ジメチル）シリルリ
チウム、ジエチルアミノ（ジメチル）シリルリチウムな
どのシリルリチウム反応剤およびブチルリチウム、フェ
ニルリチウム、メチルリチウムなどのリチウム反応剤を
用いることができる。
反応剤としてはたとえば、フェニルジメチルシリルリチ
ウム、ジフェニルメチルシリルリチウム、トリフェニル
シリルリチウム、トリメチルシリルリチウム、４−（ジ
メチルアミノ）フェニル（ジメチル）シリルリチウム、
４−（ジエチルアミノ）フェニル（ジメチル）シリルリ
チウム、ジエチルアミノ（ジメチル）シリルリチウムな
どのシリルリチウム反応剤およびブチルリチウム、フェ
ニルリチウム、メチルリチウムなどのリチウム反応剤を
用いることができる。
【００２６】本発明に用いる前記一般式（Ｖ）で表され
るシラン類のうち脱離基としてハロゲン原子をもつもの
は工業的に入手容易であるほか、脱離基としてペルフル
オロアルカンスルホニルオキシ基やフルオロスルホニル
オキシ基、アルカンスルホニルオキシ基、またはアレン
スルホニルオキシ基をもつものは対応するフェニルシラ
ン類を各種スルホン酸と処理することで容易に得ること
ができる（実施例参照）。なお脱離基としては、上記の
ほか、アセトキシ基及びトリフルオロアセトキシ、シア
ノ基などがある。
るシラン類のうち脱離基としてハロゲン原子をもつもの
は工業的に入手容易であるほか、脱離基としてペルフル
オロアルカンスルホニルオキシ基やフルオロスルホニル
オキシ基、アルカンスルホニルオキシ基、またはアレン
スルホニルオキシ基をもつものは対応するフェニルシラ
ン類を各種スルホン酸と処理することで容易に得ること
ができる（実施例参照）。なお脱離基としては、上記の
ほか、アセトキシ基及びトリフルオロアセトキシ、シア
ノ基などがある。
【００２７】前記一般式（Ｖ）で表されるシラン類のア
ルキル基としてはたとえば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘ
キシル基、イソブチル基、イソプロピル基、ベンジル基
などをあげることができる。また、アリ−ル基としては
フェニル基、チエニル基、ピリジル基、ナフチル基、フ
リル基をあげることができる。また、アルケニル基とし
てはエテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニ
ル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、シクロペン
テニル基をあげることができる。アルキニル基としては
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル
基、ヘキシニル基をあげることができる。シリル基とし
てはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプ
ロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシ
リル基、トリヘキシルシリル基、トリフェニルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリ
ル基をあげることができる。アミノ基としてはジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基をあげることができる。こ
れらのアルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、シリル基は置換基を有していてもよく、置換基
としてはアリ−ル基、トリフルオロメチル基、ニトロ
基、シアノ基、アシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子
等をあげることができる。脱離基としては塩素、臭素、
フッ素、ヨウ素などのハロゲン原子およびペルフルオロ
アルカンスルホニルオキシ基、アルカンスルホニルオキ
シ基、フルオロスルホニルオキシ基、アレンスルホニル
オキシ基をあげることができる。
ルキル基としてはたとえば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘ
キシル基、イソブチル基、イソプロピル基、ベンジル基
などをあげることができる。また、アリ−ル基としては
フェニル基、チエニル基、ピリジル基、ナフチル基、フ
リル基をあげることができる。また、アルケニル基とし
てはエテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニ
ル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、シクロペン
テニル基をあげることができる。アルキニル基としては
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル
基、ヘキシニル基をあげることができる。シリル基とし
てはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプ
ロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシ
リル基、トリヘキシルシリル基、トリフェニルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリ
ル基をあげることができる。アミノ基としてはジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基をあげることができる。こ
れらのアルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、シリル基は置換基を有していてもよく、置換基
としてはアリ−ル基、トリフルオロメチル基、ニトロ
基、シアノ基、アシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子
等をあげることができる。脱離基としては塩素、臭素、
フッ素、ヨウ素などのハロゲン原子およびペルフルオロ
アルカンスルホニルオキシ基、アルカンスルホニルオキ
シ基、フルオロスルホニルオキシ基、アレンスルホニル
オキシ基をあげることができる。
【００２８】本発明に用いる前記一般式（VI）で表され
るシラン類のうち脱離基としてハロゲン原子をもつもの
は小員環ポリシランをハロゲン化することで容易に得ら
れる（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２，１８０６
（１９８３））。また、脱離基としてペルフルオロアル
カンスルホニルオキシ基やフルオロスルホニルオキシ
基、アルカンスルホニルオキシ基、アレンスルホニルオ
キシ基をもつものは対応するジフェニルシラン類を各種
スルホン酸と処理することで容易に得ることができる
（実施例参照）。
るシラン類のうち脱離基としてハロゲン原子をもつもの
は小員環ポリシランをハロゲン化することで容易に得ら
れる（Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２，１８０６
（１９８３））。また、脱離基としてペルフルオロアル
カンスルホニルオキシ基やフルオロスルホニルオキシ
基、アルカンスルホニルオキシ基、アレンスルホニルオ
キシ基をもつものは対応するジフェニルシラン類を各種
スルホン酸と処理することで容易に得ることができる
（実施例参照）。
【００２９】前記一般式（VI）で表されるシラン類のア
ルキル基としてはたとえば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘ
キシル基、イソブチル基、イソプロピル基、ベンジル基
などをあげることができる。また、アリ−ル基としては
フェニル基、チエニル基、ピリジル基、ナフチル基、フ
リル基をあげることができる。また、アルケニル基とし
てはエテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニ
ル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、シクロペン
テニル基をあげることができる。アルキニル基としては
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル
基、ヘキシニル基をあげることができる。シリル基とし
てはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプ
ロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシ
リル基、トリヘキシルシリル基、トリフェニルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリ
ル基をあげることができる。アミノ基としてはジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基をあげることができる。こ
れらのアルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、シリル基は置換基を有していてもよく、置換基
としてはアリ−ル基、トリフルオロメチル基、ニトロ
基、シアノ基、アシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子
等をあげることができる。脱離基としては塩素、臭素、
フッ素、ヨウ素などのハロゲン原子、アセトキシ基、ト
リフルオロアセトキシ基、シアノ基、ペルフルオロアル
カンスルホニルオキシ基、アルカンスルホニルオキシ
基、フルオロスルホニルオキシ基、およびアレンスルホ
ニルオキシ基をあげることができる。
ルキル基としてはたとえば、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘ
キシル基、イソブチル基、イソプロピル基、ベンジル基
などをあげることができる。また、アリ−ル基としては
フェニル基、チエニル基、ピリジル基、ナフチル基、フ
リル基をあげることができる。また、アルケニル基とし
てはエテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニ
ル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基、シクロペン
テニル基をあげることができる。アルキニル基としては
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル
基、ヘキシニル基をあげることができる。シリル基とし
てはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプ
ロピルシリル基、トリブチルシリル基、トリペンチルシ
リル基、トリヘキシルシリル基、トリフェニルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、ジフェニルメチルシリ
ル基をあげることができる。アミノ基としてはジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基をあげることができる。こ
れらのアルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキ
ニル基、シリル基は置換基を有していてもよく、置換基
としてはアリ−ル基、トリフルオロメチル基、ニトロ
基、シアノ基、アシル基、アルコキシ基、ハロゲン原子
等をあげることができる。脱離基としては塩素、臭素、
フッ素、ヨウ素などのハロゲン原子、アセトキシ基、ト
リフルオロアセトキシ基、シアノ基、ペルフルオロアル
カンスルホニルオキシ基、アルカンスルホニルオキシ
基、フルオロスルホニルオキシ基、およびアレンスルホ
ニルオキシ基をあげることができる。
【００３０】本発明の製造方法の実施にあたっては溶媒
を用いることが望ましく、溶媒としてはテトラヒドロフ
ラン、ジエチルエ−テル、ジオキサン、ジメトキシメタ
ン等のエ−テル溶媒、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルピロリドンなどのアミド溶媒またはヘキサン、ペンタ
ン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素溶媒を単独また
は混合して用いることができる。反応は−７８℃−３０
℃の範囲で行うことができるが反応の効率の点で室温か
ら−７８℃で行うことが望ましい。
を用いることが望ましく、溶媒としてはテトラヒドロフ
ラン、ジエチルエ−テル、ジオキサン、ジメトキシメタ
ン等のエ−テル溶媒、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルピロリドンなどのアミド溶媒またはヘキサン、ペンタ
ン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素溶媒を単独また
は混合して用いることができる。反応は−７８℃−３０
℃の範囲で行うことができるが反応の効率の点で室温か
ら−７８℃で行うことが望ましい。
【００３１】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。 実施例１
明する。 実施例１
【００３２】
【化１９】
【００３３】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
６ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。フェニルジメチルクロロシラン２６ｍｇ（０．１５
ｍｍｏｌ）を加え常温で３時間反応させた。ヘキサン
（２ｍｌ）および飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、撹拌し
た後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン）
により精製し２，２，３，３，４，４，５，５−オクタ
エチル−１，１，６，６−テトラメチル−１，６−ジフ
ェニルヘキサシラン（１）を４２ｍｇ得た（収率４６
％）。
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
６ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。フェニルジメチルクロロシラン２６ｍｇ（０．１５
ｍｍｏｌ）を加え常温で３時間反応させた。ヘキサン
（２ｍｌ）および飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、撹拌し
た後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン）
により精製し２，２，３，３，４，４，５，５−オクタ
エチル−１，１，６，６−テトラメチル−１，６−ジフ
ェニルヘキサシラン（１）を４２ｍｇ得た（収率４６
％）。
【００３４】２，２，３，３，４，４，５，５−オクタ
エチル−１，１，６，６−テトラメチル−１，６−ジフ
ェニルヘキサシラン（１）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．４５（Ｓ，１２
Ｈ），０．６０−１．８０（ｍ，４０Ｈ），７．２０−
７．８０（ｍ，１０Ｈ）
エチル−１，１，６，６−テトラメチル−１，６−ジフ
ェニルヘキサシラン（１）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．４５（Ｓ，１２
Ｈ），０．６０−１．８０（ｍ，４０Ｈ），７．２０−
７．８０（ｍ，１０Ｈ）
【００３５】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５０，２９５０，１
２４０，１１００，１００５，８３０，８０４，７２
８，６９５ｃｍ-1
２４０，１１００，１００５，８３０，８０４，７２
８，６９５ｃｍ-1
【００３６】ＵＶ（シクロヘキサン）λｍａｘ２２５ｎ
ｍ（ε１１３００） 実施例２
ｍ（ε１１３００） 実施例２
【００３７】
【化２０】
【００３８】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
６ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。トリメチルクロロシラン１０８ｍｇ（１．０ｍｍｏ
ｌ）を加え常温で３時間反応させた。ヘキサン（２ｍ
ｌ）および飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、撹拌した後、
ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得
られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン）により
精製し２，２，３，３，４，４，５，５−オクタエチル
−１，１，６，６，６−ペンタメチル−１−フェニルヘ
キサシラン（２）を３９ｍｇ得た（収率４７％）。
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
６ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。トリメチルクロロシラン１０８ｍｇ（１．０ｍｍｏ
ｌ）を加え常温で３時間反応させた。ヘキサン（２ｍ
ｌ）および飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、撹拌した後、
ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得
られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン）により
精製し２，２，３，３，４，４，５，５−オクタエチル
−１，１，６，６，６−ペンタメチル−１−フェニルヘ
キサシラン（２）を３９ｍｇ得た（収率４７％）。
【００３９】２，２，３，３，４，４，５，５−オクタ
エチル−１，１，６，６，６−ペンタメチル−１−フェ
ニルヘキサシラン（２）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．１６（Ｓ，９Ｈ），
０．４７（Ｓ，６Ｈ），０．５５−１．２５（ｍ，４０
Ｈ），７．２５−７．６３（ｍ，５Ｈ）
エチル−１，１，６，６，６−ペンタメチル−１−フェ
ニルヘキサシラン（２）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．１６（Ｓ，９Ｈ），
０．４７（Ｓ，６Ｈ），０．５５−１．２５（ｍ，４０
Ｈ），７．２５−７．６３（ｍ，５Ｈ）
【００４０】ＩＲ（ＫＢｒ）：３１００，２９７０，１
２４５，８３０，８１０，７３５，７００ｃｍ-1
２４５，８３０，８１０，７３５，７００ｃｍ-1
【００４１】ＵＶ（シクロヘキサン）λｍａｘ２３７ｎ
ｍ（ε１５６００） 実施例３
ｍ（ε１５６００） 実施例３
【００４２】
【化２１】
【００４３】アルゴン雰囲気下、オクタフェニルシクロ
テトラシラン１０９ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラ
ヒドロフラン溶液（９ｍｌ）にフェニルジメチルシリル
リチウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を
０．５６ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で９０分
撹拌した。トリメチルクロロシラン１０８ｍｇ（１．０
ｍｍｏｌ）を加え常温で３時間反応させた。ヘキサン
（２ｍｌ）および飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、攪拌し
た後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン）
により精製し１，１，６，６，６−ペンタメチル−１，
２，２，３，３，４，４，５，５−ノナフェニルヘキサ
シラン（３）を４５ｍｇ得た（収率３２％）。
テトラシラン１０９ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラ
ヒドロフラン溶液（９ｍｌ）にフェニルジメチルシリル
リチウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を
０．５６ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で９０分
撹拌した。トリメチルクロロシラン１０８ｍｇ（１．０
ｍｍｏｌ）を加え常温で３時間反応させた。ヘキサン
（２ｍｌ）および飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、攪拌し
た後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン）
により精製し１，１，６，６，６−ペンタメチル−１，
２，２，３，３，４，４，５，５−ノナフェニルヘキサ
シラン（３）を４５ｍｇ得た（収率３２％）。
【００４４】１，１，６，６，６−ペンタメチル−１，
２，２，３，３，４，４，５，５−ノナフェニルヘキサ
シラン（３）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．１５（Ｓ，９Ｈ），
０．３０（Ｓ，６Ｈ），６．９０−７．８０（ｍ，４５
Ｈ）
２，２，３，３，４，４，５，５−ノナフェニルヘキサ
シラン（３）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．１５（Ｓ，９Ｈ），
０．３０（Ｓ，６Ｈ），６．９０−７．８０（ｍ，４５
Ｈ）
【００４５】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０６０，２９５０，１
４２５，１１４０，８３５，８０８，７６０，７３０，
６９５，４７０ｃｍ-1
４２５，１１４０，８３５，８０８，７６０，７３０，
６９５，４７０ｃｍ-1
【００４６】ＵＶ（シクロヘキサン）λｍａｘ２４５ｎ
ｍ（ε１４３００） 実施例４
ｍ（ε１４３００） 実施例４
【００４７】
【化２２】
【００４８】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にトリフェニルシリルリチウム
のテトラヒドロフラン溶液（０．２０Ｍ）を０．７５ｍ
ｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌した。
トリメチルクロロシラン１０８ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）
を加え常温で３時間反応させた。ヘキサン（２ｍｌ）お
よび飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、撹拌した後、ヘキサ
ン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた
粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン）により精製し
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタエチル−１，
１，１−トリメチル−６，６，６−トリフェニルヘキサ
シラン（４）を４２ｍｇ得た（収率４１％）。
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にトリフェニルシリルリチウム
のテトラヒドロフラン溶液（０．２０Ｍ）を０．７５ｍ
ｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌した。
トリメチルクロロシラン１０８ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）
を加え常温で３時間反応させた。ヘキサン（２ｍｌ）お
よび飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、撹拌した後、ヘキサ
ン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた
粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサン）により精製し
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタエチル−１，
１，１−トリメチル−６，６，６−トリフェニルヘキサ
シラン（４）を４２ｍｇ得た（収率４１％）。
【００４９】２，２，３，３，４，４，５，５−オクタ
エチル−１，１，１−トリメチル−６，６，６−トリフ
ェニルヘキサシラン（４）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．１５（Ｓ，９Ｈ），
０．７５−２．２５（ｍ，４０Ｈ），６．９５−７．７
０（ｍ，１５Ｈ）
エチル−１，１，１−トリメチル−６，６，６−トリフ
ェニルヘキサシラン（４）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．１５（Ｓ，９Ｈ），
０．７５−２．２５（ｍ，４０Ｈ），６．９５−７．７
０（ｍ，１５Ｈ）
【００５０】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５０，２９４０，１
２４０，１１００，１００５，８０４，７５０，７３
５，６９０ｃｍ-1
２４０，１１００，１００５，８０４，７５０，７３
５，６９０ｃｍ-1
【００５１】ＵＶ（シクロヘキサン）λｍａｘ２２８ｎ
ｍ（ε１４７００）
ｍ（ε１４７００）
【００５２】実施例５
【００５３】
【化２３】
【００５４】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
８ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。１，２−ジクロロ−１，１，２，２−テトラメチル
ジシラン１９ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）を加え常温で３
時間反応させた。ヘキサン（２ｍｌ）および飽和重曹水
（２ｍｌ）を加え、撹拌した後、ヘキサン層を分離し、
硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物をシリ
カゲルカラム（ヘキサン）により精製し２，２，３，
３，４，４，５，５，８，８，９，９，１０，１０，１
１，１１−ヘキサデカエチル−１，１，６，６，７，
７，１２，１２−オクタメチル−１，１２−ジフェニル
ドデカシラン（５）を無色結晶（ｍｐ．８９．５−９
３．５℃）で得た（２４ｍｇ、収率１５％）。
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
８ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。１，２−ジクロロ−１，１，２，２−テトラメチル
ジシラン１９ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）を加え常温で３
時間反応させた。ヘキサン（２ｍｌ）および飽和重曹水
（２ｍｌ）を加え、撹拌した後、ヘキサン層を分離し、
硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物をシリ
カゲルカラム（ヘキサン）により精製し２，２，３，
３，４，４，５，５，８，８，９，９，１０，１０，１
１，１１−ヘキサデカエチル−１，１，６，６，７，
７，１２，１２−オクタメチル−１，１２−ジフェニル
ドデカシラン（５）を無色結晶（ｍｐ．８９．５−９
３．５℃）で得た（２４ｍｇ、収率１５％）。
【００５５】２，２，３，３，４，４，５，５，８，
８，９，９，１０，１０，１１，１１−ヘキサデカエチ
ル−１，１，６，６，７，７，１２，１２−オクタメチ
ル−１，１２−ジフェニルドデカシラン（５）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２６（Ｓ，１２
Ｈ），０．４３（Ｓ，１２Ｈ），０．６０−２．２０
（ｍ，８０Ｈ），７．２０−７．８０（ｍ，１０Ｈ）
８，９，９，１０，１０，１１，１１−ヘキサデカエチ
ル−１，１，６，６，７，７，１２，１２−オクタメチ
ル−１，１２−ジフェニルドデカシラン（５）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２６（Ｓ，１２
Ｈ），０．４３（Ｓ，１２Ｈ），０．６０−２．２０
（ｍ，８０Ｈ），７．２０−７．８０（ｍ，１０Ｈ）
【００５６】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５０，２９５０，１
４５０，１４２０，１２４０，１０１５，８３０，８０
０，７６５，６９０，６７０ｃｍ-1
４５０，１４２０，１２４０，１０１５，８３０，８０
０，７６５，６９０，６７０ｃｍ-1
【００５７】ＵＶ（シクロヘキサン）λｍａｘ２８５ｎ
ｍ（ε４３７００）
ｍ（ε４３７００）
【００５８】実施例６
【００５９】
【化２４】
【００６０】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン６８ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２６Ｍ）を０．７
２ｍｌ（０．２０ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例１記載の方法により得た２，２，３，３，４，
４，５，５−オクタエチル−１，１，６，６−テトラメ
チル−１，６−ジフェニルヘキサシランヘキサン（１）
３１ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液
（１ｍｌ）にトリフルオロメタンスルホン酸１５ｍｇ
（０．１０ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１，
６−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ヘキ
サシランヘキサンを得た。次いでジクロロメタンを減圧
下、留去し、ヘキサン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液と
した（溶液２）。溶液２を−７８℃に冷却した後、溶液
１を加え１５分撹拌した。メタノ−ル（０．１ｍｌ）お
よびトリエチルアミン（０．１ｍｌ）を加えた後、飽和
重曹水（２ｍｌ）を加え、攪拌した後、ヘキサン層を分
離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物
をシリカゲルカラム（ヘキサン）により精製しヘキサデ
カシラン（６）を得た（４３ｍｇ、収率６１％）。
トラシラン６８ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２６Ｍ）を０．７
２ｍｌ（０．２０ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例１記載の方法により得た２，２，３，３，４，
４，５，５−オクタエチル−１，１，６，６−テトラメ
チル−１，６−ジフェニルヘキサシランヘキサン（１）
３１ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液
（１ｍｌ）にトリフルオロメタンスルホン酸１５ｍｇ
（０．１０ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１，
６−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ヘキ
サシランヘキサンを得た。次いでジクロロメタンを減圧
下、留去し、ヘキサン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液と
した（溶液２）。溶液２を−７８℃に冷却した後、溶液
１を加え１５分撹拌した。メタノ−ル（０．１ｍｌ）お
よびトリエチルアミン（０．１ｍｌ）を加えた後、飽和
重曹水（２ｍｌ）を加え、攪拌した後、ヘキサン層を分
離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物
をシリカゲルカラム（ヘキサン）により精製しヘキサデ
カシラン（６）を得た（４３ｍｇ、収率６１％）。
【００６１】ヘキサデカシラン（６）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３５（Ｓ，１２
Ｈ），０．４７（Ｓ，１２Ｈ），０．６０−１．４０
（ｍ，１２０Ｈ），７．３０−７．６３（ｍ，１０Ｈ）
Ｈ），０．４７（Ｓ，１２Ｈ），０．６０−１．４０
（ｍ，１２０Ｈ），７．３０−７．６３（ｍ，１０Ｈ）
【００６２】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５０，２９５０，１
４５５，１４２０，１３８０，１２４０，１１００，１
０２０，８３０，８００，６７０ｃｍ-1
４５５，１４２０，１３８０，１２４０，１１００，１
０２０，８３０，８００，６７０ｃｍ-1
【００６３】実施例７
【００６４】
【化２５】
【００６５】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン６８ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２６Ｍ）を０．７
２ｍｌ（０．２０ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例６記載の方法により得たヘキサデカシラン（６）
７１ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液
（１ｍｌ）にトリフルオロメタンスルホン酸１５ｍｇ
（０．１０ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１，
１６−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ヘ
キサデカシランを得た。次いでジクロロメタンを減圧
下、留去し、ヘキサン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液と
した（溶液２）。溶液２を−７８℃に冷却した後、溶液
１を加え１５分撹拌した。メタノ−ル（０．１ｍｌ）お
よびトリエチルアミン（０．１ｍｌ）を加えた後、飽和
重曹水（２ｍｌ）を加え、攪拌した後、ヘキサン層を分
離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物
をシリカゲルカラム（ヘキサン）により精製しヘキサコ
サシラン（７）を無色結晶で得た（４６ｍｇ、収率３６
％）。
トラシラン６８ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２６Ｍ）を０．７
２ｍｌ（０．２０ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例６記載の方法により得たヘキサデカシラン（６）
７１ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液
（１ｍｌ）にトリフルオロメタンスルホン酸１５ｍｇ
（０．１０ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１，
１６−ビス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ヘ
キサデカシランを得た。次いでジクロロメタンを減圧
下、留去し、ヘキサン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液と
した（溶液２）。溶液２を−７８℃に冷却した後、溶液
１を加え１５分撹拌した。メタノ−ル（０．１ｍｌ）お
よびトリエチルアミン（０．１ｍｌ）を加えた後、飽和
重曹水（２ｍｌ）を加え、攪拌した後、ヘキサン層を分
離し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた粗生成物
をシリカゲルカラム（ヘキサン）により精製しヘキサコ
サシラン（７）を無色結晶で得た（４６ｍｇ、収率３６
％）。
【００６６】ヘキサコサシラン（７）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．３５（Ｓ，２４
Ｈ），０．５０（Ｓ，１２Ｈ），０．６５−１．２０
（ｍ，２００Ｈ），７．２０−７．８０（ｍ，１０Ｈ）
Ｈ），０．５０（Ｓ，１２Ｈ），０．６５−１．２０
（ｍ，２００Ｈ），７．２０−７．８０（ｍ，１０Ｈ）
【００６７】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５０，２９５０，１
４５０，１４２０，１２４０，１０１５，８３０，８０
０，７６５，６９０，６７０ｃｍ-1
４５０，１４２０，１２４０，１０１５，８３０，８０
０，７６５，６９０，６７０ｃｍ-1
【００６８】実施例８
【００６９】
【化２６】
【００７０】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．１４Ｍ）を０．７
１ｍｌ（０．１０ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例２記載の方法により得た２，２，３，３，４，
４，５，５−オクタエチル−１，１，６，６，６−ペン
タメチル−１−フェニルヘキサシラン（２）２７ｍｇ
（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１ｍｌ）
にトリフルオロメタンスルホン酸７．５ｍｇ（０．０５
ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１−（トリフル
オロメタンスルホニルオキシ）ヘキサシランを得た。次
いでジクロロメタンを減圧下、留去し、ヘキサン（１ｍ
ｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液２）。溶液２を−
７８℃に冷却した後、溶液１を加え１５分撹拌した。メ
タノ−ル（０．１ｍｌ）およびトリエチルアミン（０．
１ｍｌ）を加えた後、飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、攪
拌した後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾
燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサ
ン）により精製しウンデカシラン（８）を無色結晶で得
た（４１ｍｇ、収率８６％）。
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．１４Ｍ）を０．７
１ｍｌ（０．１０ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例２記載の方法により得た２，２，３，３，４，
４，５，５−オクタエチル−１，１，６，６，６−ペン
タメチル−１−フェニルヘキサシラン（２）２７ｍｇ
（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１ｍｌ）
にトリフルオロメタンスルホン酸７．５ｍｇ（０．０５
ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１−（トリフル
オロメタンスルホニルオキシ）ヘキサシランを得た。次
いでジクロロメタンを減圧下、留去し、ヘキサン（１ｍ
ｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液２）。溶液２を−
７８℃に冷却した後、溶液１を加え１５分撹拌した。メ
タノ−ル（０．１ｍｌ）およびトリエチルアミン（０．
１ｍｌ）を加えた後、飽和重曹水（２ｍｌ）を加え、攪
拌した後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウムで乾
燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（ヘキサ
ン）により精製しウンデカシラン（８）を無色結晶で得
た（４１ｍｇ、収率８６％）。
【００７１】ウンデカシラン（８）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．１８（Ｓ，９Ｈ），
０．３４（Ｓ，６Ｈ），０．４７（Ｓ，６Ｈ），０．６
０−１．１５（ｍ，８０Ｈ），７．２０−７．３５
（ｍ，３Ｈ），７．４０−７．５３（ｍ，２Ｈ）
０．３４（Ｓ，６Ｈ），０．４７（Ｓ，６Ｈ），０．６
０−１．１５（ｍ，８０Ｈ），７．２０−７．３５
（ｍ，３Ｈ），７．４０−７．５３（ｍ，２Ｈ）
【００７２】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５０，２９５０，１
４６０，１４２０，１３８０，１２４０，１１０５，１
０２０，８３０，８００，６９０ｃｍ-1
４６０，１４２０，１３８０，１２４０，１１０５，１
０２０，８３０，８００，６９０ｃｍ-1
【００７３】実施例９
【００７４】
【化２７】
【００７５】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
８ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例８記載の方法で得たウンデカシラン（８）４９ｍ
ｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１ｍ
ｌ）にトリフルオロメタンスルホン酸７．５ｍｇ（０．
０５ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１−（トリ
フルオロメタンスルホニルオキシ）ウンデカシランを得
た。次いでジクロロメタンを減圧下、留去し、ヘキサン
（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液２）。溶液
２を−７８℃に冷却した後、溶液１を加え１５分撹拌し
た。メタノ−ル（０．１ｍｌ）およびトリエチルアミン
（０．１ｍｌ）を加えた後、飽和重曹水（２ｍｌ）を加
え、攪拌した後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム
（ヘキサン）により精製しヘキサデカシラン（９）を無
色結晶で得た（３６ｍｇ、収率４１％）。
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
８ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例８記載の方法で得たウンデカシラン（８）４９ｍ
ｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１ｍ
ｌ）にトリフルオロメタンスルホン酸７．５ｍｇ（０．
０５ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１−（トリ
フルオロメタンスルホニルオキシ）ウンデカシランを得
た。次いでジクロロメタンを減圧下、留去し、ヘキサン
（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液２）。溶液
２を−７８℃に冷却した後、溶液１を加え１５分撹拌し
た。メタノ−ル（０．１ｍｌ）およびトリエチルアミン
（０．１ｍｌ）を加えた後、飽和重曹水（２ｍｌ）を加
え、攪拌した後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム
（ヘキサン）により精製しヘキサデカシラン（９）を無
色結晶で得た（３６ｍｇ、収率４１％）。
【００７６】ヘキサデカシラン（９）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．１８（Ｓ，９Ｈ），
０．３４（Ｓ，１２Ｈ），０．４７（Ｓ，６Ｈ），０．
６０−１．５０（ｍ，１２０Ｈ），７．２２−７．３５
（ｍ，３Ｈ），７．４０−７．５５（ｍ，２Ｈ）
０．３４（Ｓ，１２Ｈ），０．４７（Ｓ，６Ｈ），０．
６０−１．５０（ｍ，１２０Ｈ），７．２２−７．３５
（ｍ，３Ｈ），７．４０−７．５５（ｍ，２Ｈ）
【００７７】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５０，２９５０，１
４５０，１４２０，１２４０，１０１５，８３０，８０
０，７６５，６９０，６７０ｃｍ-1
４５０，１４２０，１２４０，１０１５，８３０，８０
０，７６５，６９０，６７０ｃｍ-1
【００７８】実施例１０
【００７９】
【化２８】
【００８０】アルゴン雰囲気下、オクタエチルシクロテ
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
８ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例９記載の方法で得たヘキサデカシラン（９）６８
ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１ｍ
ｌ）にトリフルオロメタンスルホン酸７．５ｍｇ（０．
０５ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１−（トリ
フルオロメタンスルホニルオキシ）ヘキサデカシランを
得た。次いでジクロロメタンを減圧下、留去し、ヘキサ
ン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液２）。溶
液２を−７８℃に冷却した後、溶液１を加え１５分撹拌
した。メタノ−ル（０．１ｍｌ）およびトリエチルアミ
ン（０．１ｍｌ）を加えた後、飽和重曹水（２ｍｌ）を
加え、攪拌した後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム
（ヘキサン）により精製しエイコサシラン（１０）を無
色結晶で得た（１３７ｍｇ、収率３９％）。
トラシラン５２ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）のテトラヒド
ロフラン溶液（１ｍｌ）にフェニルジメチルシリルリチ
ウムのテトラヒドロフラン溶液（０．２７Ｍ）を０．５
８ｍｌ（０．１５ｍｍｏｌ）加え、０℃で１５分撹拌し
た。次いでテトラヒドロフランを減圧下、留去し、ヘキ
サン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液１）。
実施例９記載の方法で得たヘキサデカシラン（９）６８
ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１ｍ
ｌ）にトリフルオロメタンスルホン酸７．５ｍｇ（０．
０５ｍｍｏｌ）を加え常温で３０分攪拌し、１−（トリ
フルオロメタンスルホニルオキシ）ヘキサデカシランを
得た。次いでジクロロメタンを減圧下、留去し、ヘキサ
ン（１ｍｌ）を加えヘキサン溶液とした（溶液２）。溶
液２を−７８℃に冷却した後、溶液１を加え１５分撹拌
した。メタノ−ル（０．１ｍｌ）およびトリエチルアミ
ン（０．１ｍｌ）を加えた後、飽和重曹水（２ｍｌ）を
加え、攪拌した後、ヘキサン層を分離し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥した。得られた粗生成物をシリカゲルカラム
（ヘキサン）により精製しエイコサシラン（１０）を無
色結晶で得た（１３７ｍｇ、収率３９％）。
【００８１】エイコサシラン（１０）1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．２０（Ｓ，９Ｈ），
０．３７（Ｓ，１８Ｈ），０．５１（Ｓ，６Ｈ），０．
６０−１．８０（ｍ，１６０Ｈ），７．２０−７．８０
（ｍ，１０Ｈ）
０．３７（Ｓ，１８Ｈ），０．５１（Ｓ，６Ｈ），０．
６０−１．８０（ｍ，１６０Ｈ），７．２０−７．８０
（ｍ，１０Ｈ）
【００８２】ＩＲ（ＫＢｒ）：３０５０，２９５０，１
４５０，１４２０，１２４０，１０１５，８３０，８０
０，７６５，６９０，６７０ｃｍ-1
４５０，１４２０，１２４０，１０１５，８３０，８０
０，７６５，６９０，６７０ｃｍ-1
【００８３】
【発明の効果】非線形材料や導電性高分子などの機能性
高分子として有用な、均一な分子量分布と制御された置
換基順序を有するポリシランを簡便に合成できる。
高分子として有用な、均一な分子量分布と制御された置
換基順序を有するポリシランを簡便に合成できる。
Claims (4)
- 【請求項１】 下記一般式 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ
9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は各々独立に水素原子、アル
キル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキニル基、シ
リル基、アミノ基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ5と
Ｒ6、Ｒ7とＲ8、Ｒ10とＲ11は結合しているケイ素と一
体となって環を形成しうる。ｍは０または１を示す）で
表されるポリシラン。 - 【請求項２】 下記一般式 【化２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8
は各々独立に水素原子、アルキル基、アリ−ル基、アル
ケニル基、アルキニル基、シリル基、アミノ基を表す。
Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8は結合してい
るケイ素と一体となって環を形成しうる。ｍは０または
１を示す）で表される小員環ポリシランを溶媒中、下記
一般式 【化３】 （式中、Ｒ9は水素原子、アルキル基、アリ−ル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、シリル基を表す）で表され
る有機リチウム反応剤と反応させた後、下記一般式 【化４】 （式中、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は各々独立に水素原子、
アルキル基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキニル
基、シリル基、アミノ基を表す。Ｒ10とＲ11は結合して
いるケイ素と一体となって環を形成しうる。Ｘは脱離基
を表す）で表されるシラン類と反応させることからな
る、下記一般式 【化５】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ
9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびｍは前記と同一の意味を表
す。）で表されるシランの製造方法。 - 【請求項３】 下記一般式 【化６】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ
9、Ｒ13およびＲ14は各々独立に水素原子、アルキル
基、アリ−ル基、アルケニル基、アルキニル基、シリル
基、アミノ基を表す。Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6、
Ｒ7とＲ8、Ｒ13とＲ 14は結合しているケイ素と一体とな
って環を形成しうる。ｍは０または１を示す。ｎは整数
を示す）で表されるポリシラン。 - 【請求項４】 下記一般式 【化７】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8
は各々独立に水素原子、アルキル基、アリ−ル基、アル
ケニル基、アルキニル基、シリル基、アミノ基を表す。
Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6、Ｒ7とＲ8は結合してい
るケイ素と一体となって環を形成しうる。ｍは０または
１を示す）で表される小員環ポリシランを溶媒中、下記
一般式 【化８】 （式中、Ｒ9は水素原子、アルキル基、アリ−ル基、ア
ルケニル基、アルキニル基、シリル基、アミノ基を表
す）で表される有機リチウム反応剤と反応させた後、下
記一般式 【化９】 （式中、Ｒ13とＲ14は水素原子、アルキル基、アリ−ル
基、アルケニル基、アルキニル基、シリル基、アミノ基
を表す。Ｒ13とＲ14は結合しているケイ素と一体となっ
て環を形成しうる。ｎは整数を示す。Ｘは脱離基をあら
わす。）で表されるシラン類と反応させることからなる
下記一般式 【化１０】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ
9、Ｒ13およびＲ14は前記と同一の意味を表す。ｍおよ
びｎは前記と同一の意味を表す）で表されるポリシラン
の製造方法。
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|---|---|---|---|
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| EP94103676A EP0622396B1 (en) | 1993-03-12 | 1994-03-10 | Polysilanes and method for producing the same |
| US08/552,458 US5663271A (en) | 1993-03-12 | 1995-11-09 | Polysilanes and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5249793 | 1993-03-12 | ||
| JP5-52497 | 1993-03-12 | ||
| JP6024429A JP2932143B2 (ja) | 1993-03-12 | 1994-02-22 | ポリシランの製造方法 |
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| JP2932143B2 JP2932143B2 (ja) | 1999-08-09 |
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|---|---|---|---|
| JP6024429A Expired - Lifetime JP2932143B2 (ja) | 1993-03-12 | 1994-02-22 | ポリシランの製造方法 |
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|---|---|
| US (1) | US5663271A (ja) |
| EP (1) | EP0622396B1 (ja) |
| JP (1) | JP2932143B2 (ja) |
| DE (1) | DE69407085T2 (ja) |
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-
1994
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1995
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011208057A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシランの精製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0622396B1 (en) | 1997-12-03 |
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| DE69407085D1 (de) | 1998-01-15 |
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| DE69407085T2 (de) | 1998-03-26 |
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