JPH07107662B2 - タッチパネルの電極構造 - Google Patents

タッチパネルの電極構造

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JPH07107662B2
JPH07107662B2 JP2544789A JP2544789A JPH07107662B2 JP H07107662 B2 JPH07107662 B2 JP H07107662B2 JP 2544789 A JP2544789 A JP 2544789A JP 2544789 A JP2544789 A JP 2544789A JP H07107662 B2 JPH07107662 B2 JP H07107662B2
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政義 臼田
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ディスプレイ装置の画面上に装着して用いる透視型タッ
チパネルの電極構造の改良に関し、 基板表面に形成された銀膜の剥離を低減し、タッチパネ
ルの製造歩留りの向上ができるタッチパネルの電極構造
を提供することを目的とし、 絶縁基板の表面に形成された透明導電膜上に銀膜を設
け、該銀膜上に半田を形成するものであって、前記半田
が前記銀膜の外周まで到らないように形成されてなるタ
ッチパネルの電極構造である。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ディスプレイ装置の画面上に装着して用いる
透視型静電容量式タッチパネルの電極構造の改良に関す
るものである。
一般に、この主のタッチパネルでは、画面を透視するた
めに透明導電膜が用いられ、この透明導電膜をパネルの
周縁部で外部回路に接続すべく取り出し電極を設けるの
が普通である。この取り出し電極としては、外部端子と
の接続に耐えて信頼性の高いものが望ましい。
〔従来の技術〕
第3図は従来のタッチパネルの取り出し電極の断面図で
ある。
図に示す如く、従来の静電容量式タッチパネルの取り出
し電極は、透明ガラス製の絶縁基板1上に透明導電膜2
としてのインジウムと錫の複合酸化物よりなるITO膜2
を形成し、更に電極となる部分に銀膜3、及びその銀膜
の表面全体を覆う半田4を順次形成した構造となってい
る。
ここで、低融点ガラスを含んだ銀ペーストを塗布焼成し
て形成していた銀膜3は、膨張係数が約100×10-7であ
り、濡性の悪いITO膜2と半田との接合を良好にするた
めの中間接合材として用いているが、ITO膜2とはあま
り密着性が良くない。次に、その銀膜3の表面全体に形
成した半田4は、銀膜3との接合性の点で容易に合金化
するものが良く、一般には銀入り半田が使用されてい
る。この銀入り半田は、一例として、銀2.5%を含み、
銀と鉛が60対37.54の重量比をなすものであり、膨張係
数が約250×10-7、凝固収縮率が約3〜4%である。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の電極では、銀膜3と半田4とは容易に合金化して
接合性が良いが、一方銀膜3とITO膜2とはあまり密着
性が良くない。従来のように前記半田4を銀膜3表面全
体、つまり、銀膜3の外周7にまで形成すると、製造工
程時に伴う高温加熱等の温度の変化によって、半田が熱
膨張や凝固収縮をする。銀膜3よりも半田の方が2.5倍
も膨張係数が大きいことと、半田凝固時の収縮応力のた
めに、ITO膜と銀膜の周縁部端5に応力がかかり、銀膜
3が周縁部端5から剥離することがある。
従って、本発明では、絶縁基板1表面に形成された銀膜
3の剥離を低減し、タッチパネルの歩留りの向上ができ
るタッチパネルの電極構造を提供することを目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
第1図に本発明の原理図を示す。(a)は断面図、
(b)は平面図を示している。図中、1は絶縁基板、2
は透明導電膜、3は銀膜、4は半田、5は透明導電膜と
銀膜の周縁部端、6は銀膜と半田の周縁部、7は銀膜の
外周である。
本発明は、上記の目的を達成する為、絶縁基板1の表面
に形成された透明導電膜2上に銀膜3を設け、該銀膜3
上に半田4を形成するものであって、前記半田4が前記
銀膜の外周7まで到らないように形成されてなるタッチ
パネルの電極構造とする。
〔作用〕
本発明では、銀膜3上に形成する半田4を銀膜の外周7
まで到らないように形成することによって、半田4が熱
膨張や凝固収縮した際に銀膜3の周縁部端5にかかって
いた応力ピークを、銀膜3との内部である銀膜3と半田
4との周縁部6へ移動させて、応力ピークの分散をして
いる。そのため、銀膜3の周縁部端5では応力が減り、
銀膜3の剥離を低減することができる。
〔実施例〕
第2図は本発明の一実施例を示すタッチパネル電極の構
造図である。図中、(a)は断面図、(b)は平面図を
示している。又、21は半田レジスト膜であり、それ以外
第1図と同一のものは、同一の記号で示している。
第2図に示すように、本実施例のタッチパネル電極で
は、ガラス又はセラミック等からなる絶縁基板1の表面
に、透明導電膜であるITO膜2、銀膜3が順次形成され
ている。そして、銀膜3上の外周7を含む周縁部6の領
域には、半田が銀膜3に付着するのを防ぐための半田レ
ジスト膜21、例えばMgF2膜が形成され、外周7を含まな
い銀膜3上の領域には半田が形成されている。
この半田4の形成領域は、銀膜3の周縁部端5にかかる
応力のピークを、銀膜3上に移動させて応力の分散がで
きれば良いため、外周7を含まないように形成する。但
し、半田4を形成する領域が銀膜3よりも僅かに小さい
だけである場合は、充分な応力の分散は得られない。一
方、半田4の領域が銀膜3に比べ極めて小さい場合、半
田4と銀膜3の接合力が周縁部6にかかる応力に負けた
り、半田4の接合面積が狭くなったりしてしまう。従っ
て、半田4の形成領域は、半田の材料、製造時の条件等
によって変わるため、適時その状態に合わせて決定す
る。又、半田4の形成領域の形状はどのような形状でも
良いが、円形や楕円形の場合はMgF2の半田レジスト膜を
硬質ブラシ等で研磨する際に容易である。さらに、ここ
では半田レジスタ膜21としてMgF2を使用しているが、こ
れは半田付けが不可能で耐熱性のある物質、例えばSi
O2、MgO等の無機物や、エポキシ樹脂等の有機物であっ
ても良い。
上述のタッチパネル電極は、次のようにして作成され
る。
まず、ガラス又はセラミック等からなる絶縁基板1の表
面に、蒸着、又はスパッタリング等で数十nm、ITO膜2
を形成する。そのITO膜2の電極となる部分に、銀ペー
ストを塗布し、絶縁基板1を500℃程度の温度で約30分
加熱して、前記銀ペースト中の低融点ガラスをITO膜4
に付着して、銀膜3数百μmを形成する。その後、銀膜
3表面全体にMgF2よりなる半田レジスト膜21を1μm程
度通常の吹き付け等の方法で形成する。次に、半田を形
成する領域、例えば銀膜3の中央部分のみを、銀膜3が
表出するまで硬質ブラシ等で研磨する。この研磨におい
て、銀膜3の表面はある程度粗面である方が半田のつき
が良い。そして、MgF221上に融解した半田をつけると、
半田はMgF221と接合せずに、表出した銀膜3とのみ合金
化する。以上のようにしてタッチパネル電極が作成され
る。
以上のように本実施例では、タッチパネル電極の半田を
形成する領域を、銀膜3の周縁部6を含まないような構
成としている。そのため、銀膜3の周縁部端5にかかる
応力のピークを、銀膜3上に移動させて応力を分散する
ことができ、銀膜3が周縁部端5から剥離することを低
減できる。
〔効果〕
本発明では、タッチパネルの電極に形成する半田を、銀
膜の周縁部に到らないような構造としたため、半田の熱
膨張や凝固収縮による銀膜の剥離が低減する効果を奏
し、タッチパネルの歩留りを向上することができ、タッ
チパネル装置の性能向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のタッチパネル電極の構造図、 第2図は本発明の一実施例を示すタッチパネル電極の構
造図、 第3図は従来のタッチパネル電極の断面構造図である。 図中、1は絶縁基板、2は透明導電膜、3は銀膜、4は
半田、5は透明導電膜と銀膜の周縁部端、6は銀膜と半
田の周縁部、7は銀膜の外周、21は半田レジストであ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁基板(1)の表面に形成された透明導
    電膜(2)上に銀膜(3)を設け、該銀膜(3)上に半
    田(4)を形成するものであって、前記半田(4)が前
    記銀膜(3)の外周(7)まで到らないように形成され
    てなることを特徴とするタッチパネルの電極構造。
JP2544789A 1989-02-02 1989-02-02 タッチパネルの電極構造 Expired - Lifetime JPH07107662B2 (ja)

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JPH02204820A JPH02204820A (ja) 1990-08-14
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