JPH07107254A - 記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッジ部も良好に解像される高コントラスト
の画像が得られる記録装置を提供する。 【構成】 一軸配向した高分子液晶からなる記録媒体に
半導体レーザを光源とした走査光学系により画像を記録
する手段、該半導体レーザより短波長の光を直線偏光に
変換した後に前記記録媒体をマスクとして被記録媒体へ
検光子をとうして露光する手段、露光された被記録媒体
を現像する手段を有する記録装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スキャナーから読み込
んだ画像信号、光ディスク，パソコン等において保持さ
れている画像信号、情報信号などを出力する像形成装置
に関し、特に画像信号、情報信号を一旦、中間像保持体
に出力し、次段の感光性樹脂，銀塩等の高解像度な像保
持体に光学的に像を記録する像記録装置に係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来、デジタル型電子写真方式において
は、情報信号を感光体に記録するために、半導体レーザ
光をポリゴンミラーにて感光体上を走査させながら情報
信号に応じてｏｎ−ｏｆｆしていた。しかし、この方式
では高精細な画像或いは高速に画像を記録、特に同一画
像を多数枚記録する場合にレーザの出力を高くしたり長
時間出力したりする必要があるため、レーザ自体の耐久
性に問題が生じやすかった。また、連続して画像の読み
込み記録を行なう場合には、同一画像を繰り返し読み込
むため、光学スキャナーに大きな負荷がかかっていた。

【０００３】カラー画像に対応するＲ，Ｇ，Ｂレーザ光
源は半導体レーザでは困難であり、装置の大型化・複雑
化を招いている。アナログ記録方式では、例えば電子写
真方式においてスクリーンプロセスと呼ばれる中間転写
体にイオン記録の形で中間像を得る方式がある。しか
し、この方式においてはイオンの帯電に起因する不安定
性があり、長期のメモリー性を得ることができなかっ
た。

【０００４】また、ランニングコトスが低いため、需要
の大きいジアゾ記録方式においては、従来立体物のコピ
ーができないという欠点があり、カラー画像への対応も
できない欠点があった。

【０００５】一方、従来、中間像保持体として利用しう
る可能性のある可逆的に消去可能で繰返し使用できる像
形成物質としてフォトクロミック物質，サーモクロミッ
ク物質、或いは磁気記録物質，又はガラス等にサンドイ
ッチされた液晶等が考えられる。

【０００６】だが、フォトクロミック物質を中間像保持
体として用いようとすると、フォトクロミック物質への
記録或いは消去手段が光であり、感光層へ光学的に記録
するためにフォトクロミック層に光照射をする必要があ
ることから、フォトクロミック層に変化が生じやすかっ
たり、耐久的に問題があったりする。

【０００７】またサーモクロミック物質として熱可逆な
Ａｇ₂ ＨｇＩ₄ が報告されているが、この種の材料はメ
モリー性がないので像を保持するためにヒーターを常時
作動させておかなければならず、装置が大型、複雑化す
るばかりでなく、電力の消費も大きい。

【０００８】更に、液晶ライトバルブを用いたものは、
通常、低分子のスメクチック液晶をガラス基体に挟持し
た構成でセル内にレーザ吸収層等を設け、外部からのレ
ーザ照射によりホメオトロピック配向を散乱状態に熱的
に散乱させることでコントラストを得ているが、構成上
大面積にすることが難しいことや消去に電界配向を用い
ているために中間像保持体としては複雑な構成となって
いる。また、発熱体ヘッド等で直接熱書き込みすること
は素子の構成上、困難である。大面積化できないことか
ら、高輝度光源を照射し、拡大投影することが行なわれ
るが、熱安定性が低いため照射光により中間像が劣化す
る欠点等がある。

【０００９】それら前記のものの欠点を改良するものと
して、高分子液晶を中間像保持体として用いる方法が特
開平２−０００５５０号公報に開示されている。該高分
子液晶を用いる方法は記録の安定性、メモリー性が良
く、コントラストの高いかつ簡便な装置構成でより優れ
たものである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、３０μｍ以下の高解像度の画像を記録し、被
記録媒体へ該画像を露光して転写しようとした場合に、
白濁部による光の散乱のためにエッジ部分がボヤケてし
まう欠点があった。

【００１１】本発明は、この様な従来技術の欠点を改善
するためになされたものであり、中間像保持体として高
分子液晶を用いて、記録の安定性、メモリー性が良く、
コンラストの高いかつ簡便な装置で、３０μｍ以下の高
解像度の画像を記録し、種々の被記録媒体に対してエッ
ジ部も良好に解像される高コントラストの画像を得るこ
とを可能とした記録装置を提供することを目的とするも
のである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、一軸配
向した高分子液晶からなる記録媒体に半導体レーザを光
源とした走査光学系により画像を記録する手段、該半導
体レーザより短波長の光を直線偏光に変換した後に前記
記録媒体をマスクとして被記録媒体へ検光子をとうして
露光する手段、露光された被記録媒体を現像する手段を
有することを特徴とする記録装置である。

【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
記録装置は、一軸配向した高分子液晶からなる記録媒体
に半導体レーザを光源とした走査光学系により画像を記
録する手段、該半導体レーザより短波長の光源を有し、
該光源からの光を直線偏光に変換した後に前記記録媒体
をマスクとして被記録媒体へ露光する手段、露光された
被記録媒体を現像する手段を有することにより、高分子
液晶を記録媒体に用いる場合の優れた特性、すなわち安
定性，メモリー性が良く、コントラストの高い記録が可
能となり、再利用も容易であり、かつ簡便な装置構成で
よい点を満足しつつ、３０μｍ以下の高解像度の画像を
記録することを可能とし、被記録媒体へ該画像を露光し
て高解像度で高コントラストなまま転写・現像すること
を可能としたものである。

【００１４】本発明における記録層に用いることのでき
る高分子液晶としては、サーモトロピック液晶性を示す
材料が好適である。この例としては、メタクリル酸ポリ
マーやシロキサンポリマー等を主鎖とした低分子液晶を
ペンダント状に付加したいわゆる側鎖型高分子液晶、ま
た高強度高弾性耐熱性繊維や樹脂の分野で用いられてい
るポリエステル系またはポリアミド系等の主鎖型高分子
液晶等である。

【００１５】さらに、高分子液晶中に不斉炭素を導入し
たＳｍＣ^* を示す相を有し、強誘電性を示す高分子液晶
も好ましく用いられる。

【００１６】以下、高分子液晶の具体例を例示するが、
本発明はこれらに限定されるものではない。

【００１７】

【化１】

【００１８】

【化２】

【００１９】また、これらを塗布成膜するための溶媒と
しては、ジクロロエタン，ＤＭＦ，シクロヘキサン等の
他、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ），アセトン，エタノ
ールその他の極性または非極性溶媒又はこれらの混合溶
媒が使用され、これらは使用する高分子液晶との溶解性
並びにこれを溶工する基体の材質または基体の表面に設
けた表面層との濡れ性、成膜性等の要因によって選択し
うることは言うまでもない。これらの物質は大面積化が
容易でメモリー性を有する等の特徴を有している。

【００２０】本発明において、高分子液晶における配向
方法としては、配向制御膜を用いる方法、液晶相でシェ
アを加える方法、延伸を行う方法、磁場・電場を加える
方法等がある。

【００２１】配向処理は以下の例があげられる。 （１）水平配向（液晶性化合物又は液晶組成物の分子軸
方向を基板面に対して水平に配向させる）

【００２２】ラビング法 基板上に溶液塗工法又は蒸着あるいはスパッタリング等
により、例えば、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セ
リウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭
化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリパラキシレリン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質の
被膜を形成し、その後、その表面をビロード、布や紙で
一方向に摺擦（ラビング）して配向制御膜を形成する。

【００２３】斜方蒸着法 ＳｉＯ等の酸化物あるいはフッ化物又はＡｕ，Ａｌなど
の金属およびその酸化物を基板の斜めの角度から蒸着し
て配向制御膜を形成する。

【００２４】斜方エッチング法 で示した有機あるいは無機絶縁膜を斜方からイオンビ
ームや酸素プラズマを照射することによりエッチングし
て配向制御膜を形成する。

【００２５】延伸高分子膜の使用 ポリエステルあるいはポリビニルアルコール等の高分子
膜を延伸する。

【００２６】グレーティング法 フォトリソグラフィーやスタンパーやインジェクション
を使用して基板表面上に溝を形成する。この場合、液晶
性化合物又は液晶組成物はその溝方向に配向する。

【００２７】シェアリング 液晶性化合物又は液晶組成物を液晶状態以上の温度でず
り応力を加えて配向する。

【００２８】延伸 一軸延伸または二軸延伸により配向する。ポリエステ
ル、ポリビニルアルコール等の基板とともに共延伸して
もよい。

【００２９】（２）垂直配向（液晶性化合物又は液晶組
成物の分子軸方向を基板面に対して垂直に配向させる） 垂直配向膜を形成する。

【００３０】基板表面上に有機シランやレシチンやポリ
テトラフルオロエチレン等の垂直配向性の層を形成す
る。

【００３１】斜方蒸着 （１）−で述べた斜方蒸着法で基板を回転させながら
蒸着角度を適当に選択することにより垂直配向性を与え
ることができる。また、斜方蒸着後、で示した垂直配
向剤を塗布してもよい。

【００３２】このように配向処理したあと、たとえば電
極を有する上部基板をもうけてスイッチング素子を得る
ことができる。その他の配向法としては、一軸延伸、二
軸延伸、インフレーション延伸等の延伸法やシエアリン
グによる再配列が行われる。単独ではフィルム性がなく
延伸が困難なものはフィルムにサンドイッチすることで
共延伸することができる。

【００３３】また、磁場・電場による配向も行なわれ、
前記の他の配向方法と組み合わせることも可能である。

【００３４】以上のような配向方法を高分子液晶に対し
て用いる場合において、高分子液晶は低分子液晶に比較
して液晶相における粘度が高く、配向に時間がかかる上
に、十分な配向を得ることも困難であった。

【００３５】このような問題を避けるためには、出来る
だけ高温で配向処理することが望ましいが、非液晶相に
おいては、前記配向法の効果が少なくなる欠点があっ
た。したがって、最も粘度の低い配向性のよい液晶相と
してはネマチック相が好ましい。

【００３６】以上のようにして得られた本発明における
記録媒体を用いて転写することに適した被記録媒体とし
ては、湿式銀塩（リスフィルム等）、乾式銀塩、
感光性樹脂、ＰＳ版などが挙げられる。

【００３７】以下、上述の記録層を有する記録媒体を用
いた本発明に係る記録装置を詳しく説明する。

【００３８】図１は本発明の記録装置の一例を示す概略
図である。同図において、本発明の記録装置は、まず一
軸配向した記録媒体１０６に対して半導体レーザ１０１
をミラースキャナー１０２とｆθレンズ１１１を用いて
集光し走査することで記録を行なう。次に、記録された
記録媒体１０６と被記録媒体である感光体シート１０７
の間に偏光板１１２を保持して重ね合わされたものへ、
短波長光源１０４からの光を偏光ビームスプリッタ１０
５にて直線偏光とし、更にレンズ１１３等を含む光学系
にて平行光としたものを、前記記録媒体と偏光板、感光
体シートを重ね合わせたものへ照射する。これによっ
て、本発明における記録媒体１０６に記録された画像が
被記録媒体である感光体シート１０７へ転写される。

【００３９】前記記録媒体へ半導体レーザにより記録す
る工程と、該半導体レーザよりも短波長の光を照射して
感光体シートへの記録された画像を転写する工程は、同
時に行なわれることが好ましく、全工程に必要な所要時
間を短縮することが可能となる。

【００４０】短波長光により露光され、画像を転写され
た感光体シート１０７は、偏光板１１２及び記録媒体１
０６と分離され、現像される。１１０ははく離によって
現像を行なうところの現像ローラであり、必要な部分１
０９と不要部１０８は分離される。

【００４１】以上のようにして作成された転写を終了し
た被記録媒体は、用いられる感光体の種類に応じて使用
される。以下にその例を示す。

【００４２】 湿式銀塩写真（リスフィルム等） 得られた被記録媒体は、印刷版用マスク、プリント基板
用マスク等の目的で用いられる。また、ＣＴ画像等の医
療用画像を直接記録し用いることも可能である。 乾式銀塩写真 と同様な用途に用いることが可能である。

【００４３】 感光性樹脂 エッチング等によってパターンを形成するためにマイク
ロリソグラフィーに用いることが可能である。更に、フ
レキソ印刷等の印刷版として使用することも可能であ
る。 ＰＳ版 平版印刷の版として実績のあるＰＳ版等を被記録媒体と
して印刷用版を作成し、印刷に使用することも可能であ
る。

【００４４】以上のようにして得られた被記録媒体上の
画像は高コントラスト、かつ高解像であり非常に良好な
ものである。

【００４５】次に、本発明の記録装置における各手段に
ついて説明する。図２は本発明の記録媒体に半導体レー
ザを用いて記録するための走査光学系の一例を示す概略
図である。

【００４６】半導体レーザは高速で変調することが可能
であり、コンパクトであるために優れたものである。本
発明で用いられる半導体レーザ２０１は、高出力の連続
出力タイプのものが用いられ、５０ｍＷ以上が好まし
い。発光エリアは小さいものが好ましいが、より好まし
くはシングルモード発振しているものが用いられる。

【００４７】発光したレーザ光はコリメータレンズ・シ
リンドリカルレンズ等のレンズ２０２により平行光とさ
れ、回転ミラー２０３により走査される。該走査光は、
ｆθレンズ２０４により、光路長補正および集光され、
記録媒体２０６へ照射することにより記録が行なわれ
る。

【００４８】半導体レーザ２０１のオン・オフおよびパ
ワー調整は駆動装置２０７により行なわれるが、記録を
行なうための画像データはワークステーション等の画像
メモリー２０８より、該駆動装置へ転送され使用され
る。オン・オフ等のトリガー信号を得るためにビームデ
ィテクタ２０５を設け、前記走査光が入射したときに信
号を送ることにより駆動装置２０７が制御される。

【００４９】本発明における記録媒体２０６は、透明基
板２０９へ一軸配向した高分子液晶からなる記録層２１
０を設けることにより提供される。透明基板としては、
ガラス，プラスチック等が用いられるが、記録に用いる
レーザ光および次工程で用いる光源に対して透明なもの
が用いられる。

【００５０】一軸配向した高分子液晶からなる記録層２
０１は、記録を行なうためのレーザ光を吸収するための
色素もしくは顔料等の光吸収剤を含有している。該光吸
収剤はレーザ光に対して高い吸収を有するとともに被記
録媒体に対して露光するための光に対して吸収の少ない
ものが選択される。

【００５１】図３は本発明における画像が記録された記
録媒体をマスクとしてレーザ光よりも短波長の直線偏光
を被記録媒体へ照射する手段を示す概略図である。光源
３０１は被記録媒体３０８の分光感度に応じて選択され
るが、一般的には、高圧水銀灯，メタルハイライドラン
プ，キセノンランプ，低圧水銀灯等が用いられる。光源
は連続点灯していても、フラッシュ点灯するものでも良
いが光量は安定している必要がある。用いられる波長は
３００〜６００ｎｍであり、３００ｎｍ未満では一般の
基板等も光を吸収するために特殊な基板が必要となり望
ましくなく、６００ｎｍを越えると被記録媒体の特性が
十分でなく、保存安定性の点からも望ましくない。より
好ましくは、３５０〜５００ｎｍの光源が用いられる。

【００５２】光源３０１からの光はリフレクター等でレ
ンズに照射され、絞り３０２，レンズ等で平行光とされ
る。この平行光を偏光ビームスプリッタ３０２を用いて
直線偏光へ変換する。光源の光量は所定の値になるよう
に制御装置３１１でコントロールされるが、光量を実測
するためにフォトディテクター３０４を設けて制御装置
３１１へフィードバックすることも可能である。

【００５３】前記直線偏光は、ビーム整形系３０５によ
り被記録媒体３０８に応じた型に整形される。整形され
た直線偏光は、画像の記録された記録媒体３０６へ照射
される。このとき直線偏光の偏光面は、記録層３０９の
高分子液晶の配向軸と約４５°の角度を有するように選
択される。

【００５４】記録層３０９を通過した光は、偏光子３０
７によって光量の大小に変換され、感光体である被記録
媒体３０８へ照射される。このとき記録媒体３０６へ入
射する直線偏光と偏光子３０７は、クロスニコルもしく
はパラニコルの位置に設定される。クロスニコルの位置
のときは、レーザ光で記録された部分は光が透過せず、
その他は光が透過することで、ポジ型の感光性樹脂等へ
露光することに適している。

【００５５】パラニコルの位置のときは、レーザ光で記
録された部分は光が透過し、その他は光が透過しないで
ネガ型の感光性樹脂等へ露光することに適している。適
性露光量となるように光源３０１を制御装置３１１によ
って制御する。

【００５６】図７は偏光子７０２を回転することによ
り、直線偏光を検光子７０４の光軸７０８に対してパラ
レルの位置もしくは垂直の位置を選択する方法を示す。
偏光子７０２の光軸が７０７のときパラニコルの位置で
あり、７０６のときクロスニコルの位置である。両者で
画像の濃度は反転する。

【００５７】このような効果は、検光子７０４を回転す
ることによって可能である。また、偏光子７０２と記録
媒体７０３の間に液晶等の可変位相板を設置しても同種
の効果を得ることが出来る。次に、露光された被記録媒
体３０８は次に現像手段により現像され、不要部分が除
去される。

【００５８】図４〜６に現像手段の例を示す。図４は現
像液を用いた現像手段の一例を示す概略図である。露光
された被記録媒体４０４は、現像液４０１を貯蔵した容
器へ浸漬され、所定時間現像される。現像液は所定温度
に制御されるか、もしくは現像時間を制御することによ
り、適性に現像される。

【００５９】現像が終了した被記録媒体４０４は洗浄シ
ャワー４０２により洗浄され、乾燥手段４０３によって
乾燥される。乾燥手段としては、温風，ヒーター，赤外
線照射ランプ等が用いられる。

【００６０】図５は現像液を用いた他の現像手段を示す
概略図である。露光された被記録媒体５０４へ現像液を
現像シャワー５０１により塗布して現像する。次に洗浄
液を洗浄シャワー５０２によりかけて洗浄し、乾燥手段
５０３によって乾燥するものである。現像部と洗浄部と
別部分に分離することで各液を長期間有効に使用するこ
とが可能である。

【００６１】図６は、乾式の現像手段を示す概略図であ
る。露光された被記録媒体６０１は、剥離手段６０２に
より露光部分が付着した基材６０４と未露光部分が付着
した基材６０３に分離することが可能である。

【００６２】このような感光体の現像方法は、ピールア
パートと呼ばれており、例えば特開昭４８−９４５０３
号公報，特開平４−１２６２９５号公報等に示されてい
る。このような乾式の現像が可能な被記録媒体を用いる
ことは、記録装置の簡便化にとって重要であり、かつオ
フィス等で用いるための環境対策としても重要である。

【００６３】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
する。

【００６４】実施例１ 下記の構造式（１）に示す高分子液晶に、構造式（Ｉ
Ｉ）に示すＩＲ吸収剤（λ_max ＝８３０ｎｍ）を１．５
ｗｔ％加えたものをシクロヘキサンｓｏｌとして、ＰＩ
（ポリイミド）ラビング配向膜付きのガラス基板にスピ
ンコートし、１．５μｍ厚とした後、熱処理により一軸
配向させて記録媒体を作製した。

【００６５】図１に示す装置を用いて、半導体レーザ１
０１として８３０ｎｍ，１００ｍＷ（米国ＳＤＬ社製）
の半導体レーザを用いて、１０ｎｍφのスポットに集光
し、前記記録媒体へ２０μｍピッチの１０μｍ巾のライ
ンおよびスペースを記録した。

【００６６】

【化３】

【００６７】前記高分子液晶からなる記録媒体をマスク
として、１５０Ｗメタルハライドランプを光源とし、ポ
ラロイド社製偏光板（ＨＮ２２）を偏光子および検光子
としてＰＳ版（東京応化社製、ＴＡＰ−ＥＳ）へ露光
し、現像したことろ、２０μｍピッチのラインおよびス
ペースがエッジ部も含めて再現性よく転写された。

【００６８】比較例１ 前記実施例１において、ＰＩラビング配向膜を用いない
ガラス基板に実施例１と同様の高分子液晶溶液をスピン
コートして３μｍ厚とした後、熱処理し白濁状態の記録
媒体を得た。この記録媒体へ２０μｍピッチの１０μｍ
巾のラインおよびスペースを実施例１と同様に記録した
ところ、半導体レーザ照射部は透明状態となった。

【００６９】該記録媒体をマスクとして前記実施例１と
同様にしてＰＳ版へ露光し、現像したところ、ライン部
７μｍ、スペース部が１３μｍとなり、かつエッジ部が
乱れて不十分なものしか得られなかった。

【００７０】比較例２ 前記実施例１の半導体レーザをＨｅ−Ｎｅレーザ（６３
３ｎｍ，５ｍＷ）に変換し、１０μｍφのスポットに集
光したもので湿式銀塩乾板（コニカハイレゾリューショ
ンプレート、ＨＲＰＩＩ−Ｎタイプ）へ２０μｍピッチ
のラインおよびスペースを記録し、現像してマスクを得
た。

【００７１】このマスクへ実施例１のメタルハライドラ
ンプからなる露光手段を用いて同様のＰＳ版へ露光し、
現像したことろ、エッジ部が正確に再現されず、巾もラ
イン部１２μｍ、スペース部が８μｍと正確に転写され
なかった。

【００７２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
中間像保持体として高分子液晶を用いることで、記録の
安定性、メモリー性が良く、コンラストの高いかつ簡便
な装置でよい特徴を生かした上で、３０μｍ以下の高解
像度の画像を記録し、種々の被記録媒体に対して露光転
写することでエッジ部も良好に解像された高コントラス
トの画像を得ることを可能とした効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の記録装置の一例を示す概略図である。

【図２】本発明の記録媒体に半導体レーザを用いて記録
するための走査光学系の一例を示す概略図である。

【図３】本発明における画像が記録された記録媒体をマ
スクとしてレーザ光よりも短波長の直線偏光を被記録媒
体へ照射する手段を示す概略図である。

【図４】本発明における現像手段の一例を示す概略図で
ある。

【図５】本発明における現像手段の他の例を示す概略図
である。

【図６】本発明における現像手段の他の例を示す概略図
である。

【図７】偏光子を回転することにより、直線偏光を検光
子の光軸に対してパラレルの位置もしくは垂直の位置を
選択する方法を示す説明図である。

【符号の説明】

１０１，２０１ 半導体レーザ １０２ ミラースキャナー １０４ 短波長光源 １０５ 偏光ビームスプリッタ １０６，２０６，３０６ 記録媒体 １０７ 感光体シート１０７ １１０ 現像ローラ １１１，２０４ ｆθレンズ １１２ 偏光板 １１３，２０３ レンズ ２０３ 回転ミラー ２０７ 駆動装置 ２０８ 画像メモリー ２０９ 透明基板 ２１０ 記録層 ３０１ 光源 ３０２ 絞り ３０４ フォトディテクター ３０５ ビーム整形系 ３０７，７０２ 偏光子 ３０８，４０４，５０４，６０１ 被記録媒体 ３０９ 記録層 ４０１ 現像液 ４０２，５０２ 洗浄シャワー ４０３，５０３ 乾燥手段 ５０１ 現像シャワー ６０２ 剥離手段 ７０４ 検光子 ７０６，７０７，７０８ 光軸

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一軸配向した高分子液晶からなる記録媒
   体に半導体レーザを光源とした走査光学系により画像を
   記録する手段、該半導体レーザより短波長の光を直線偏
   光に変換した後に前記記録媒体をマスクとして被記録媒
   体へ検光子をとうして露光する手段、露光された被記録
   媒体を現像する手段を有することを特徴とする記録装
   置。
2. 【請求項２】 前記被記録媒体が支持体上に形成された
   感光性樹脂である請求項１記載の記録装置。
3. 【請求項３】 前記半導体レーザがシングルモードレー
   ザである請求項１記載の記録装置。
4. 【請求項４】 前記被記録媒体へ露光する光が平行光束
   である請求項１記載の記録装置。
5. 【請求項５】 前記直線偏光が検光子に対してパラレル
   もしくは垂直な位置になるように選択することが可能で
   ある請求項１記載の記録装置。