JPH07105668B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH07105668B2
JPH07105668B2 JP62284240A JP28424087A JPH07105668B2 JP H07105668 B2 JPH07105668 B2 JP H07105668B2 JP 62284240 A JP62284240 A JP 62284240A JP 28424087 A JP28424087 A JP 28424087A JP H07105668 B2 JPH07105668 B2 JP H07105668B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
collector
base
circuit
transistor
emitter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62284240A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH01126812A (en
Inventor
章 影山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by New Japan Radio Co Ltd filed Critical New Japan Radio Co Ltd
Priority to JP62284240A priority Critical patent/JPH07105668B2/en
Publication of JPH01126812A publication Critical patent/JPH01126812A/en
Publication of JPH07105668B2 publication Critical patent/JPH07105668B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は半導体集積回路で構成する演算増幅(オペレ
ーショナルアンプ)回路に関し、特にその出力段をドラ
イブするドライブ回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an operational amplifier circuit composed of a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a drive circuit for driving its output stage.

[従来の技術] 第4図は従来のこの種の回路の一例を示す接続図で、図
においてQ1,Q6,Q7,Q10,Q30はそれぞれnpnトランジス
タ、Q2,Q5はそれぞれpnpトランジスタ、R1,R2,R6,R10は
それぞれ抵抗、C1,C2はそれぞれキャパシタである。ま
たVCCは正電源端子、VEEは負電源端子である。
[Prior Art] FIG. 4 is a connection diagram showing an example of a conventional circuit of this kind. In the figure, Q1, Q6, Q7, Q10, and Q30 are npn transistors, Q2 and Q5 are pnp transistors, and R1 and R2, respectively. , R6 and R10 are resistors, and C1 and C2 are capacitors. VCC is a positive power supply terminal and VEE is a negative power supply terminal.

npnトランジスタQ1,pnpトランジスタQ2をVCCとVEEとの
間にコンプリメンタリ回路を構成するように接続した出
力段をQ30でドライブする。入力はQ10によってレベルシ
フトされてQ30のベースに加えられる。pnpトランジスタ
Q5は定電流回路を構成する。C1,C2は位相補正のために
設けらている。
An output stage in which npn transistor Q1 and pnp transistor Q2 are connected between VCC and VEE so as to form a complementary circuit is driven by Q30. The input is level shifted by Q10 and added to the base of Q30. pnp transistor
Q5 constitutes a constant current circuit. C1 and C2 are provided for phase correction.

無信号時Q1,Q2に流れる電流の設定は、Q1,Q2,Q6,Q7の逆
方向飽和電流比又はR1,R2の値及びR6の値によって決定
することが出来る。Q30のコレクタ電流が減少すると、
その減少分だけQ1のベース電流が増加し、VCCから出力
へ流れる電流が増加する。Q30のコレクタ電流が増加す
るとQ2のエミッタからそのベースを経てQ30に流れ込む
電流が増加し、出力からQ2を経てVEEに流れる電流が増
加する。
The setting of the current flowing in Q1 and Q2 when there is no signal can be determined by the reverse saturation current ratio of Q1, Q2, Q6 and Q7 or the values of R1 and R2 and the value of R6. When the collector current of Q30 decreases,
The base current of Q1 increases by the decrease, and the current flowing from VCC to the output increases. When the collector current of Q30 increases, the current flowing from the emitter of Q2 through its base to Q30 increases, and the current flowing from the output to VEE via Q2 increases.

ところで、pnpトランジスタはサブストレート(substra
te)トランジスタの場合でもその電流増幅率が低いた
め、出力からQ2を経てVEEへ電流が流れるモードの時Q30
の回路の電圧利得が増大し、大きな電圧利得、位相回
転、帰還結合のため動作が不安定になる。
By the way, the pnp transistor is
te) Even in the case of a transistor, its current amplification factor is low, so in the mode where current flows from the output to QEE through Q2
The voltage gain of the circuit increases, and the operation becomes unstable due to the large voltage gain, phase rotation, and feedback coupling.

第5図は従来の回路の他の例を示す接続図で、第4図と
同一符号は同一または相当部分を示しQ3,Q4,Q8はそれぞ
れnpnトランジスタ、R3,R4,R11,R12はそれぞれ抵抗、C1
1はキャパシタである。C11−R12の回路は位相補正のた
めの回路である。第5図の回路の第4図の回路と異なる
主な点はQ1をドライブするためのQ3と、Q2をドライブす
るためのQ4とを別々に設けた点である。npnトランジス
タQ8はQ1,Q6のベース電流補償のために設けられる。第
5図の回路では出力からQ2を経てVEEに電流が流れるモ
ードの場合も不安定になることはない。但し、第5図の
回路ではR6に相当する抵抗がないため、無信号時Q1,Q2
に流れる電流をR6によって設定することはできないとい
う問題がある。
FIG. 5 is a connection diagram showing another example of a conventional circuit, in which the same symbols as in FIG. 4 indicate the same or corresponding portions, Q3, Q4, Q8 are npn transistors respectively, and R3, R4, R11, R12 are resistors respectively. , C1
1 is a capacitor. The C11-R12 circuit is a circuit for phase correction. The main difference of the circuit of FIG. 5 from the circuit of FIG. 4 is that Q3 for driving Q1 and Q4 for driving Q2 are separately provided. The npn transistor Q8 is provided for base current compensation of Q1 and Q6. The circuit of FIG. 5 does not become unstable even in the mode in which current flows from the output to QEE via Q2. However, in the circuit of FIG. 5, there is no resistor equivalent to R6, so when there is no signal, Q1, Q2
There is a problem in that the current flowing through can not be set by R6.

また第4図、第5図のQ6,Q7は互いに対応するトランジ
スタではあるが、第5図の場合はこれらトランジスタの
エミッタの面積を第4図の場合に比し約3倍にすること
が必要であり、更に第4図、第5図の抵抗R1,R2は互い
に対応する抵抗であるが、第5図の場合は第4図の場合
に比し約2倍になる。このことはICでの小チップ化が困
難となることを意味する。
Although Q6 and Q7 in FIGS. 4 and 5 correspond to each other, in the case of FIG. 5, it is necessary to make the emitter area of these transistors approximately three times that in the case of FIG. Further, the resistors R1 and R2 in FIGS. 4 and 5 correspond to each other, but in the case of FIG. This means that it is difficult to reduce the size of the IC chip.

[発明が解決しようとする問題点] 以上のように、第4図に示す従来の回路では動作が不安
定になるおそれがあり、第5図に示す従来の回路では出
力アイドリング電流(無信号時の出力電流)の設定が困
難であるという問題があった。この発明は従来のものに
おける上述の問題点を解決するためになされたもので、
安定に動作しかつ出力アイドリング電流の設定が容易な
演算増幅回路を得ることを目的とする。
[Problems to be Solved by the Invention] As described above, in the conventional circuit shown in FIG. 4, the operation may become unstable, and in the conventional circuit shown in FIG. There is a problem in that it is difficult to set the output current). The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the conventional one,
An object is to obtain an operational amplifier circuit which operates stably and whose output idling current can be easily set.

[問題点を解決するための手段] この発明では第5図に示す従来の回路のQ6に抵抗R6を直
列に接続して、第4図のQ7に相当する位置にQ7と同様な
Q9を設け、Q6,Q7,Q9,R6によってアイドリング電流バイ
アス回路を構成しアイドリング電流の設定を容易にし
た。
[Means for Solving the Problems] In the present invention, a resistor R6 is connected in series to Q6 of the conventional circuit shown in FIG. 5, and the same as Q7 at the position corresponding to Q7 in FIG.
Q9 is provided, and the idling current bias circuit is composed of Q6, Q7, Q9, and R6 to facilitate the setting of idling current.

[実施例] 以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。第1
図はこの発明の一実施例を示す接続図で、第1図におい
て第4図、第5図と同一符号は同一または相当部分を示
し、npnトランジスタQ9は第4図のQ7と同様なトランジ
スタであり、第1図のQ7は第5図のQ7に相当するトラン
ジスタであるが、第1図のQ7はそのコレクタが直接VEE
に接続されている点が第5図の場合と異なる。Q9とQ7と
のベースを互いに接続することによってQ3,Q4のコレク
タ電圧を互いに一定にしている。
Embodiments Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First
The figure is a connection diagram showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the same reference numerals as those in FIGS. 4 and 5 denote the same or corresponding portions, and the npn transistor Q9 is a transistor similar to Q7 in FIG. Yes, Q7 in FIG. 1 is a transistor corresponding to Q7 in FIG. 5, but the collector of Q7 in FIG.
Is different from the case of FIG. The collector voltages of Q3 and Q4 are made constant by connecting the bases of Q9 and Q7 to each other.

Q6,Q9,Q7,R6で出力アンドリング電流バイアス回路を構
成するが、出力電流能力20mA程度であれば、トランジス
タQ6,Q9,Q7のエミッタ面積は400μm2程度で充分であ
り、又Q6,Q9,R6は同一ポケット化することが出来るの
で、小チップ化が容易になる。Q1の電流増幅率が大きけ
ればQ3,Q4は定電流動作となり動作は安定化する。
An output andring current bias circuit is composed of Q6, Q9, Q7, and R6, but if the output current capacity is about 20mA, the emitter area of the transistors Q6, Q9, Q7 will be about 400μm 2 and Q6, Q9 , R6 can be made into the same pocket, so it is easy to make a small chip. If the current amplification factor of Q1 is large, Q3 and Q4 become constant current operation and the operation is stabilized.

通常、標準のnpnバイポーラプロセスで半導体装置を製
造すると、pnpトランジスタの性能はnpnトランジスタの
性能に比して劣ることになる。従って、第1図に示す回
路における動作のように、Q2に電流が流れるときにQ3,Q
4の電流を一定にすることは、動作の安定化に有効であ
る。
Normally, when a semiconductor device is manufactured by a standard npn bipolar process, the performance of the pnp transistor is inferior to that of the npn transistor. Therefore, like the operation in the circuit shown in FIG. 1, when current flows through Q2, Q3, Q
Keeping the current of 4 constant is effective for stabilizing the operation.

第2図、第3図はこの発明を応用した演算増幅器の接続
図で、第2図において第1図と同一符号は同一部分を示
し、Q101,Q102,Q103はそれぞれpnpトランジスタ、Q104,
Q105はそれぞれnpnトランジスタ、R103,R104,R105はそ
れぞれ抵抗、C104はバイパスキャパシタである。
2 and 3 are connection diagrams of operational amplifiers to which the present invention is applied. In FIG. 2, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same parts, and Q101, Q102, and Q103 are pnp transistors, Q104, and Q104, respectively.
Q105 is an npn transistor, R103, R104, and R105 are resistors, and C104 is a bypass capacitor.

IN+は非反転信号入力端子、IN−は反転信号入力端子で
ある。Q101,Q102で構成される差動増幅回路で増幅され
た信号はQ103,Q104によりシングルエンデッドの信号に
なり、Q10のベースに加えられる。Q10以後の動作は第1
図について説明した通りである。第3図はQ5,Q103のバ
イアスを発生する回路の部分を示すが、この回路は従来
と変わらないので説明を省略する。
IN + is a non-inverted signal input terminal and IN- is an inverted signal input terminal. The signal amplified by the differential amplifier circuit composed of Q101 and Q102 becomes a single-ended signal by Q103 and Q104, and is added to the base of Q10. The first operation after Q10
This is as explained regarding the figure. FIG. 3 shows a portion of the circuit for generating the bias of Q5 and Q103, but since this circuit is the same as the conventional one, its explanation is omitted.

[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、出力電流流入時の動作
が安定となり、出力アイドリング電流の設定が容易であ
り、かつ出力pnpトランジスタの弱点をカバーし、小チ
ップで高速演算増幅回路を構成することができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the operation when the output current flows is stable, the output idling current can be easily set, the weak point of the output pnp transistor is covered, and the small chip performs high-speed operation. An amplifier circuit can be configured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示す接続図、第2図、第
3図はこの発明を応用した演算増幅器の接続図、第4図
は従来の回路の一例を示す接続図、第5図は従来の回路
の他の例を示す接続図。 Q1,Q3,Q4,Q6,Q7,Q9,Q10……それぞれnpnトランジスタ、
Q2,Q5……それぞれpnpトランジスタ、R1,R2,R3,R4,R6…
…それぞれ抵抗。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
FIG. 1 is a connection diagram showing an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are connection diagrams of an operational amplifier to which the present invention is applied, and FIG. 4 is a connection diagram showing an example of a conventional circuit. The figure is a connection diagram showing another example of a conventional circuit. Q1, Q3, Q4, Q6, Q7, Q9, Q10 ... npn transistors,
Q2, Q5 ... pnp transistors, R1, R2, R3, R4, R6 ...
… Each resistance. The same reference numerals in the drawings indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】正電源端子VCCと負電源端子VEEとの間にnp
nトランジスタQ1とpnpトランジスタQ2とをコンプリメン
タリに接続して構成する出力回路、 エミッタが抵抗R3を経てVEEに接続され、そのベースに
信号電圧が加えられるnpnトランジスタQ3、 エミッタが抵抗R4を経てVEEに接続され、そのベースがQ
3のベースに接続されるnpnトランジスタQ4、 ベースが定電流にバイアスされエミッタがVCCに接続さ
れ定電流回路として動作するpnpトランジスタQ5、 コレクタがQ5のコレクタに接続され、エミッタが抵抗R6
を経てQ3のコレクタに接続されるnpnトランジスタQ6、 Q5のコレクタとQ6のコレクタとの接続点をQ1のベースに
接続して構成する第1のドライブ回路、 Q5のコレクタにそのコレクタが、Q3のコレクタにそのエ
ミッタが、Q6のエミッタにそのベースがそれぞれ接続さ
れるnpnトランジスタQ9、 Q9のコレクタとQ6のベースとを接続するベース電流回
路、 コレクタがVCCに接続され、エミッタがQ4のコレクタに
接続され、ベースがQ9のベースに接続されるnpnトラン
ジスタQ7、 Q4のコレクタをQ2のベースに接続して構成する第2のド
ライブ回路、 を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
1. A np is provided between the positive power supply terminal VCC and the negative power supply terminal VEE.
An output circuit consisting of an n-transistor Q1 and a pnp-transistor Q2 connected in a complementary manner.The emitter is connected to VEE via a resistor R3, and the signal voltage is applied to the base of the npn transistor Q3. Connected and its base is Q
3 npn transistor Q4 connected to the base, pnp transistor Q5 whose base is biased to a constant current and whose emitter is connected to VCC to operate as a constant current circuit, whose collector is connected to the collector of Q5 and whose emitter is a resistor R6
Npn transistor Q6, which is connected to the collector of Q3 via Q3, connects the collector of Q5 and the collector of Q6 to the base of Q1, and configures the first drive circuit. The collector of Q5 has its collector connected to the collector of Q3. Npn transistor Q9, whose emitter is connected to the collector and its base is connected to the emitter of Q6, a base current circuit connecting the collector of Q9 and the base of Q6, the collector is connected to VCC and the emitter is connected to the collector of Q4 And a second drive circuit constituted by connecting an npn transistor Q7 whose base is connected to the base of Q9, and a collector of Q4 to the base of Q2, and a semiconductor integrated circuit.
JP62284240A 1987-11-12 1987-11-12 Semiconductor integrated circuit Expired - Lifetime JPH07105668B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62284240A JPH07105668B2 (en) 1987-11-12 1987-11-12 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62284240A JPH07105668B2 (en) 1987-11-12 1987-11-12 Semiconductor integrated circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01126812A JPH01126812A (en) 1989-05-18
JPH07105668B2 true JPH07105668B2 (en) 1995-11-13

Family

ID=17675981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62284240A Expired - Lifetime JPH07105668B2 (en) 1987-11-12 1987-11-12 Semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07105668B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2800204B2 (en) * 1988-12-02 1998-09-21 日本電気株式会社 Bias circuit
WO2021024708A1 (en) * 2019-08-05 2021-02-11 株式会社村田製作所 Oscillation control circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01126812A (en) 1989-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0110007Y2 (en)
US4059808A (en) Differential amplifier
JP3382128B2 (en) Differential amplifier
JPS6212692B2 (en)
JPS6212691B2 (en)
JPH07105668B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JPS63214009A (en) Composite transistor
JP2765257B2 (en) Amplifier circuit
US4330755A (en) Power-amplifying circuit
JPH0124972Y2 (en)
JPS5915124Y2 (en) power amplifier circuit
JPH062349Y2 (en) ECL circuit
JP2665072B2 (en) Amplifier circuit
JP3733188B2 (en) Power Amplifier
JP3441356B2 (en) Amplifier circuit
JP3470835B2 (en) Operational amplifier
JPS6214725Y2 (en)
JPH0326670Y2 (en)
JPS6075107A (en) Amplifier for hall element
JPS6113403B2 (en)
KR830001980B1 (en) Power amplification circuit
JP3784910B2 (en) Output circuit
JPS593607Y2 (en) complementary differential amplifier
JPH0964663A (en) High dynamic range gm amplifier
JPS62117403A (en) Current mirror circuit

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term