JPH07105007B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH07105007B2 JPH07105007B2 JP25140985A JP25140985A JPH07105007B2 JP H07105007 B2 JPH07105007 B2 JP H07105007B2 JP 25140985 A JP25140985 A JP 25140985A JP 25140985 A JP25140985 A JP 25140985A JP H07105007 B2 JPH07105007 B2 JP H07105007B2
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はテープレコーダ等磁気記録媒体に記録された信
号を読み出すための磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッド（以下MRヘッドという）に関する。
号を読み出すための磁気ヘッド、特に磁気抵抗効果型の
薄膜磁気ヘッド（以下MRヘッドという）に関する。
従来の技術 近年、コンピュータの外部記憶装置としての磁気ディス
クや、磁気テープ装置、或は、固定ヘッド方式、ディジ
タルテープレコーダ等、磁気媒体を用いたディジタル記
録装置の進歩は著しいものがあるが、その主たる要因
は、その記録面密度の急速な向上にあることは周知のこ
とである。記録面密度は、媒体送り方向密度、すなわち
線密度と、トラック幅方向密度、いわゆるトラック密度
によって支配されており、面密度の向上はこれらの両方
の密度向上によってもたらされている。これらのうち、
後者のトラック密度は、主としてトラック幅の狭小化に
よって向上され、磁気ディスク装置では20〜30μｍ以
下、磁気テープ装置では100μｍ以下が実現されてい
る。さらには転送速度向上のため、10トラック以上の多
トラック化も行なわれている。これらのトラック密度の
向上は、精密機械加工の限界を越えているとされてお
り、最近ではこの密度領域と多トラック化にはICと類似
の製造プロセスによる薄膜ヘッドの導入が必須とされて
いる。
クや、磁気テープ装置、或は、固定ヘッド方式、ディジ
タルテープレコーダ等、磁気媒体を用いたディジタル記
録装置の進歩は著しいものがあるが、その主たる要因
は、その記録面密度の急速な向上にあることは周知のこ
とである。記録面密度は、媒体送り方向密度、すなわち
線密度と、トラック幅方向密度、いわゆるトラック密度
によって支配されており、面密度の向上はこれらの両方
の密度向上によってもたらされている。これらのうち、
後者のトラック密度は、主としてトラック幅の狭小化に
よって向上され、磁気ディスク装置では20〜30μｍ以
下、磁気テープ装置では100μｍ以下が実現されてい
る。さらには転送速度向上のため、10トラック以上の多
トラック化も行なわれている。これらのトラック密度の
向上は、精密機械加工の限界を越えているとされてお
り、最近ではこの密度領域と多トラック化にはICと類似
の製造プロセスによる薄膜ヘッドの導入が必須とされて
いる。
以下、薄膜再生ヘッドについて従来の技術を説明する。
薄膜磁気再生ヘッドにはその磁気→電気変換の方法によ
って２種類のものが実用化されている。１つは、第３図
の電磁誘導（コイル）型薄膜再生ヘッド、他の１つは第
４図に示すMRヘッドである。このうち前者は、コイルを
スパイラル状に薄膜形成し、コイルの中心をつらぬく様
に磁気媒体上の磁化からの磁束を誘導することによって
その変化分をコイルに電圧として誘起させるもので、基
本動作は広く用いられているコイル型リングバルクヘッ
ドと同様のものである。又、後者は、磁束を抵抗値の変
化に変換する。磁気抵抗薄膜素子（以降MR素子という）
を磁気検出に用いたもので、MR素子上に磁気媒体の磁化
から磁束を誘導し、MRの抵抗値を変化させ、この抵抗値
の変化を、センシング電流を定電流源より流すことによ
りMR素子両端に電圧の変化として検出するものである。
本発明は主として、後者のMRヘッドに関するもので、MR
素子の引き出し線に改良を加えることにより、MRヘッド
の後に続く、センス回路の簡略化を可能にするものであ
る。
って２種類のものが実用化されている。１つは、第３図
の電磁誘導（コイル）型薄膜再生ヘッド、他の１つは第
４図に示すMRヘッドである。このうち前者は、コイルを
スパイラル状に薄膜形成し、コイルの中心をつらぬく様
に磁気媒体上の磁化からの磁束を誘導することによって
その変化分をコイルに電圧として誘起させるもので、基
本動作は広く用いられているコイル型リングバルクヘッ
ドと同様のものである。又、後者は、磁束を抵抗値の変
化に変換する。磁気抵抗薄膜素子（以降MR素子という）
を磁気検出に用いたもので、MR素子上に磁気媒体の磁化
から磁束を誘導し、MRの抵抗値を変化させ、この抵抗値
の変化を、センシング電流を定電流源より流すことによ
りMR素子両端に電圧の変化として検出するものである。
本発明は主として、後者のMRヘッドに関するもので、MR
素子の引き出し線に改良を加えることにより、MRヘッド
の後に続く、センス回路の簡略化を可能にするものであ
る。
以下、図を用いて従来のMRヘッドについて説明する。
第４図は従来のMRヘッドの動作を示す構造図である
（尚、ハッチングは省略している。）。図で10は磁気記
録媒体、11はMRヘッドのフェライト基板、12は媒体磁化
から発生した磁束をMR素子に導くための前ヨークで、強
磁性体を用いる。この例ではパーマロイを用いている。
13は磁束をフェライト基板11へ逃すための後ヨークでパ
ーマロイを用いる。14は磁束→抵抗変換のためのMR素
子、15,16は抵抗変化をヘッドの外へ取り出すための第
１端子及び第２端子である。又、17の破線矢印は、媒体
上の磁化、18の実線矢印は、媒体磁化17より導かれた磁
束流を示している。又、19,20はそれぞれ、MR素子と第
１端子15,第２端子16とを結ぶ導体薄膜で形成された第
1,第２リード線である。
（尚、ハッチングは省略している。）。図で10は磁気記
録媒体、11はMRヘッドのフェライト基板、12は媒体磁化
から発生した磁束をMR素子に導くための前ヨークで、強
磁性体を用いる。この例ではパーマロイを用いている。
13は磁束をフェライト基板11へ逃すための後ヨークでパ
ーマロイを用いる。14は磁束→抵抗変換のためのMR素
子、15,16は抵抗変化をヘッドの外へ取り出すための第
１端子及び第２端子である。又、17の破線矢印は、媒体
上の磁化、18の実線矢印は、媒体磁化17より導かれた磁
束流を示している。又、19,20はそれぞれ、MR素子と第
１端子15,第２端子16とを結ぶ導体薄膜で形成された第
1,第２リード線である。
第４図で媒体磁化17より発生した磁束は、前ヨーク12に
よってMR素子14に導かれる。MR素子14は強磁性体によっ
て構成されており、従って磁束はMR素子を通って流れ、
後ヨーク13からフェライト基板11に導かれて、フェライ
ト基板11から媒体磁化に戻るという閉回路を形成する。
よってMR素子14に導かれる。MR素子14は強磁性体によっ
て構成されており、従って磁束はMR素子を通って流れ、
後ヨーク13からフェライト基板11に導かれて、フェライ
ト基板11から媒体磁化に戻るという閉回路を形成する。
この様にして形成された磁気閉回路によってMR素子14に
は効率良く媒体磁化からの磁束が導びかれる。一般に、
MR素子の通過磁束に対する抵抗変化は第５図に示す様に
なる。今、第１端子15と第２端子16に定電流源を接続す
ることによってMR素子14に電流I0を流す。この電流I0に
よって発生した磁界によって、上記の閉回路には定磁束
が誘起され、MR素子14に磁束密度B0の磁束が流れる。従
って第５図におけるMR素子の動作点は破線Ａ上となり、
その抵抗値はR0となる。この時、媒体磁化17からの磁束
が上記閉回路に流れると、MR素子14中には磁束密度ΔＢ
の磁束がさらに流れて、合計B0＋ΔＢの磁束密度とな
り、抵抗値はR0＋ΔＲとなる。従って、この媒体磁化に
よる磁束密度の変化B0はΔＶ＝ΔRI0として第１端子15
及び第２端子16の間に取り出すことができる。
は効率良く媒体磁化からの磁束が導びかれる。一般に、
MR素子の通過磁束に対する抵抗変化は第５図に示す様に
なる。今、第１端子15と第２端子16に定電流源を接続す
ることによってMR素子14に電流I0を流す。この電流I0に
よって発生した磁界によって、上記の閉回路には定磁束
が誘起され、MR素子14に磁束密度B0の磁束が流れる。従
って第５図におけるMR素子の動作点は破線Ａ上となり、
その抵抗値はR0となる。この時、媒体磁化17からの磁束
が上記閉回路に流れると、MR素子14中には磁束密度ΔＢ
の磁束がさらに流れて、合計B0＋ΔＢの磁束密度とな
り、抵抗値はR0＋ΔＲとなる。従って、この媒体磁化に
よる磁束密度の変化B0はΔＶ＝ΔRI0として第１端子15
及び第２端子16の間に取り出すことができる。
一般にMRヘッドの駆動回路として第６図の様な回路が用
いられる。
いられる。
第６図で、50はMR素子で第４図のMR素子14をブロック図
的に書いたもので、その抵抗値はR0＋ΔＲである。51は
第４図の第１リード線19の導体薄膜の抵抗、52は第４図
の第２リード線20の導体薄膜の抵抗に等価で、いづれも
抵抗値はRLである。53はMR素子50に定電流を与えるため
の抵抗でRCの抵抗値を持つ。54は定電圧源で、Ｅ（Ｖ）
の電圧を発生する。55は直流を遮断するための容量、56
は交流増幅器、57,58は薄膜ヘッドの出力端子である。
的に書いたもので、その抵抗値はR0＋ΔＲである。51は
第４図の第１リード線19の導体薄膜の抵抗、52は第４図
の第２リード線20の導体薄膜の抵抗に等価で、いづれも
抵抗値はRLである。53はMR素子50に定電流を与えるため
の抵抗でRCの抵抗値を持つ。54は定電圧源で、Ｅ（Ｖ）
の電圧を発生する。55は直流を遮断するための容量、56
は交流増幅器、57,58は薄膜ヘッドの出力端子である。
この回路は、前述の様に媒体からの磁束の変化によって
生じたMR素子の抵抗値の変化を、電圧の変化として取り
出す回路である。MR素子50には定電圧源54からの抵抗53
及び抵抗51,52を通じて電流が供給される。従ってMR素
子50に流れる電流は Ｉ＝E/（RC＋2RL＋R0＋ΔＲ） 出力端子57,58間には V0＝Ｉ（2RL＋R0＋ΔＲ） ＝Ｅ（2RL＋R0＋ΔＲ）／（RC＋2RL＋R0＋ΔＲ） ＝Ｅ｛１−RC/（RC＋2RL＋R0＋ΔＲ）｝ の電圧が現れる。ここでMR素子は一般にR0＞＞ΔＲ例え
ばR0＝10Ω＞＞ΔＲ＝0.1Ωであるから V0Ｅ〔１−｛RC/（RC＋2RL＋R0）｝ ×｛１−ΔR/（RC＋2RL＋R0）｝ と近似できる。従ってΔＲが交流的に変化すれば容量55
の出力、すなわち増幅器56の入力は となる。この式からわかる様に、抵抗の変化を効率良く
電圧の変化に変換するためには、 RC＞＞2RL＋R0なる定数に設定しなければならない。例
えば、抵抗51,52の導体薄膜を0.5μｍ厚，幅50μm,長さ
5mm程度のAuで構成すれば、その抵抗値は20〜50Ωとな
る。MR素子50の直流抵抗値も同程度であり、RL＝20Ω,R
0＝20Ωとして2RL＋R0＝60Ω。従ってη＞0.9にするた
めにはRC＝600Ωに設定する必要がある。しかし電流Ｉ
によって消費される電力を考えてみるとR0＞＞ΔＲとし
て Ｗ＝IE＝I2（RC＋2RL＋R0） であるからRC＞＞2RL＋R0であればRCに比例することに
なる。前記の例で言えばRC＝600Ω,I＝1mAの場合Ｗ＝66
mWとなる。
生じたMR素子の抵抗値の変化を、電圧の変化として取り
出す回路である。MR素子50には定電圧源54からの抵抗53
及び抵抗51,52を通じて電流が供給される。従ってMR素
子50に流れる電流は Ｉ＝E/（RC＋2RL＋R0＋ΔＲ） 出力端子57,58間には V0＝Ｉ（2RL＋R0＋ΔＲ） ＝Ｅ（2RL＋R0＋ΔＲ）／（RC＋2RL＋R0＋ΔＲ） ＝Ｅ｛１−RC/（RC＋2RL＋R0＋ΔＲ）｝ の電圧が現れる。ここでMR素子は一般にR0＞＞ΔＲ例え
ばR0＝10Ω＞＞ΔＲ＝0.1Ωであるから V0Ｅ〔１−｛RC/（RC＋2RL＋R0）｝ ×｛１−ΔR/（RC＋2RL＋R0）｝ と近似できる。従ってΔＲが交流的に変化すれば容量55
の出力、すなわち増幅器56の入力は となる。この式からわかる様に、抵抗の変化を効率良く
電圧の変化に変換するためには、 RC＞＞2RL＋R0なる定数に設定しなければならない。例
えば、抵抗51,52の導体薄膜を0.5μｍ厚，幅50μm,長さ
5mm程度のAuで構成すれば、その抵抗値は20〜50Ωとな
る。MR素子50の直流抵抗値も同程度であり、RL＝20Ω,R
0＝20Ωとして2RL＋R0＝60Ω。従ってη＞0.9にするた
めにはRC＝600Ωに設定する必要がある。しかし電流Ｉ
によって消費される電力を考えてみるとR0＞＞ΔＲとし
て Ｗ＝IE＝I2（RC＋2RL＋R0） であるからRC＞＞2RL＋R0であればRCに比例することに
なる。前記の例で言えばRC＝600Ω,I＝1mAの場合Ｗ＝66
mWとなる。
薄膜ヘッドを固定ヘッド方式テープレコーダに用いる場
合、ほとんどが10Tr以上のマルチトラック形式を採る。
従って、例えば20Trの場合には1320mWの消費電力とな
り、回路の電源や、放熱に大きな負担をかけていた。
又、マルチトラック構成では第６図抵抗53がトラック数
だけ必要となり回路規模の増大の原因の１つであった。
低消費電力化に対しては従来導体薄膜の厚みを増すこと
や幅を広くする等でRLの抵抗値を下げ、それに応じてRC
の抵抗値を小さくする等の対策がなされていた。
合、ほとんどが10Tr以上のマルチトラック形式を採る。
従って、例えば20Trの場合には1320mWの消費電力とな
り、回路の電源や、放熱に大きな負担をかけていた。
又、マルチトラック構成では第６図抵抗53がトラック数
だけ必要となり回路規模の増大の原因の１つであった。
低消費電力化に対しては従来導体薄膜の厚みを増すこと
や幅を広くする等でRLの抵抗値を下げ、それに応じてRC
の抵抗値を小さくする等の対策がなされていた。
発明が解決しようとする問題点 しかし、導体薄膜の厚みを増すことは製造プロセス上限
界があり、又、幅を広く取ることについても、ヘッドチ
ップの寸法的制約から限界があり、実際には、効率ηを
落として消費電力を下げていた。η＝0.5とすれば前記
の例ではRC＝2RL＋R0＝60Ωまで下げることができ、従
って消費電力は12mW/トラックとなり、20Trでは240mWと
なる。しかしながら、抵抗変化電圧変化変換効率の低下
に伴う信号対雑音比の劣化やセンスアンプの増幅度の増
大を来たし、またバッテリー駆動等の場合にはさらなる
低消費電力が望まれていた。
界があり、又、幅を広く取ることについても、ヘッドチ
ップの寸法的制約から限界があり、実際には、効率ηを
落として消費電力を下げていた。η＝0.5とすれば前記
の例ではRC＝2RL＋R0＝60Ωまで下げることができ、従
って消費電力は12mW/トラックとなり、20Trでは240mWと
なる。しかしながら、抵抗変化電圧変化変換効率の低下
に伴う信号対雑音比の劣化やセンスアンプの増幅度の増
大を来たし、またバッテリー駆動等の場合にはさらなる
低消費電力が望まれていた。
本発明は従来のかかる問題点に鑑みてなされたもので、
従来と同等の抵抗変化→電圧変化変換効率をより低消費
電力で可能にする薄膜ヘッドを提供するものである。
従来と同等の抵抗変化→電圧変化変換効率をより低消費
電力で可能にする薄膜ヘッドを提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明によるMR型の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体に
接する磁性基板と、磁性基板の磁気記録媒体に接する面
に垂直の面上に磁気記録媒体の記録磁化からの磁束を誘
導する第１の磁性体薄膜と、第１の磁性体薄膜の誘導し
た磁束を受けるよう第１の磁性体薄膜の磁気記録媒体と
反対の辺に接して形成された磁気抵抗効果薄膜素子と、
磁気抵抗効果薄膜素子に流れた磁束を磁性基板を経由し
て磁気記録媒体上の記録磁化に戻すよう磁気抵抗効果薄
膜素子の第１の磁性体薄膜に接した辺と反対の辺に接し
て形成された第２の磁性体薄膜とで構成され、記事抵抗
効果薄膜素子の電気抵抗変化を生ずる２つの対向する辺
のうち一方の辺から、第１の引き出し電極としての導体
薄膜と、他の一辺から第２及び第３の引き出し電極とし
ての導体薄膜とを具備し、第１及び第２の引き出し電極
に、直流電圧を印加する手段を有する回路を接続し、第
１及び第３の引き出し電極に、磁気抵抗効果薄膜素子の
抵抗値の変化を電圧変化に変換する手段を有する回路を
接続したことを特徴とする。
接する磁性基板と、磁性基板の磁気記録媒体に接する面
に垂直の面上に磁気記録媒体の記録磁化からの磁束を誘
導する第１の磁性体薄膜と、第１の磁性体薄膜の誘導し
た磁束を受けるよう第１の磁性体薄膜の磁気記録媒体と
反対の辺に接して形成された磁気抵抗効果薄膜素子と、
磁気抵抗効果薄膜素子に流れた磁束を磁性基板を経由し
て磁気記録媒体上の記録磁化に戻すよう磁気抵抗効果薄
膜素子の第１の磁性体薄膜に接した辺と反対の辺に接し
て形成された第２の磁性体薄膜とで構成され、記事抵抗
効果薄膜素子の電気抵抗変化を生ずる２つの対向する辺
のうち一方の辺から、第１の引き出し電極としての導体
薄膜と、他の一辺から第２及び第３の引き出し電極とし
ての導体薄膜とを具備し、第１及び第２の引き出し電極
に、直流電圧を印加する手段を有する回路を接続し、第
１及び第３の引き出し電極に、磁気抵抗効果薄膜素子の
抵抗値の変化を電圧変化に変換する手段を有する回路を
接続したことを特徴とする。
作用 本構成によればMR素子からの信号引き出し用の導体薄膜
を２系統に分離し、１系統をMR素子への電流供給専用に
用いると同様に、その薄膜の抵抗を定電流抵抗と兼用
し、又、他の１系統を信号電圧変化の出力専用に用いる
ことにより、外部を定電流供給用抵抗を不要にし、検出
回路を簡略すると共に低消費電力化を達成するものであ
る。
を２系統に分離し、１系統をMR素子への電流供給専用に
用いると同様に、その薄膜の抵抗を定電流抵抗と兼用
し、又、他の１系統を信号電圧変化の出力専用に用いる
ことにより、外部を定電流供給用抵抗を不要にし、検出
回路を簡略すると共に低消費電力化を達成するものであ
る。
実施例 以下、本発明の一実施例を図面を用いてさらに詳細に説
明する。第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを
示すものである。第１図（ａ）は薄膜ヘッドを基板上
部、すなわち薄膜形成面より見た図、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、第１図（ｃ）は第１図
（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。尚、ハッチングは省略
している。
明する。第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドを
示すものである。第１図（ａ）は薄膜ヘッドを基板上
部、すなわち薄膜形成面より見た図、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、第１図（ｃ）は第１図
（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。尚、ハッチングは省略
している。
第１図（ａ）において、101はフェライト基板、102はパ
ーマロイ薄膜による前ヨーク、103はMR素子、104はパー
マロイ薄膜による後ヨーク、105は第１の導体薄膜、106
は第２の導体薄膜、107は第３の導体薄膜で、各導体薄
膜105〜107はいづれもMR素子103への電流供給や、出力
信号の引き出しに用いられる。108は第１の導体薄膜105
の出力端子、109は第２の導体薄膜106の出力端子、110
は第３の導体薄膜107の出力端子である。又、111は媒体
磁化、112は媒体磁化からの磁束流である。
ーマロイ薄膜による前ヨーク、103はMR素子、104はパー
マロイ薄膜による後ヨーク、105は第１の導体薄膜、106
は第２の導体薄膜、107は第３の導体薄膜で、各導体薄
膜105〜107はいづれもMR素子103への電流供給や、出力
信号の引き出しに用いられる。108は第１の導体薄膜105
の出力端子、109は第２の導体薄膜106の出力端子、110
は第３の導体薄膜107の出力端子である。又、111は媒体
磁化、112は媒体磁化からの磁束流である。
本実施例における媒体磁化からの磁束の流れについて
は、第４図の従来例と全く同様なので説明は省略し、本
発明の本質的な点である電気的動作を主に説明する。
は、第４図の従来例と全く同様なので説明は省略し、本
発明の本質的な点である電気的動作を主に説明する。
今、MR素子103にΔＢなる媒体磁化からの磁束変化が導
かれたとする。実施例のヘッドを電気的等価回路で記述
し、MR素子103をドライブし、電気信号を取り出す回路
を含めて書くと第２図の様な等価回路図となる。
かれたとする。実施例のヘッドを電気的等価回路で記述
し、MR素子103をドライブし、電気信号を取り出す回路
を含めて書くと第２図の様な等価回路図となる。
以下第２図を用いて本実施例を説明する。図で150は抵
抗値RMRのMR素子、151は抵抗値R1の第１の導体薄膜、15
2は抵抗値R2で第２の導体薄膜、153は抵抗値R3で第３の
導体薄膜、157は第１の導体薄膜151の出力端子、158は
第２の導体薄膜152の出力端子、159は第３の導体薄膜15
3の出力端子である。又、154はMR素子150に電流を供給
する直流電圧源、155は容量、156は交流増幅器、160は
増幅信号の出力端子である。第２図でMR素子150には直
流電源154からＥ（Ｖ）の電圧が第１の導体薄膜151及び
第３の導体薄膜153を通じて供給される。今、MR素子150
のΔＢによる抵抗変化をΔＲとすればMR素子に流れる電
流は、 I0＝E/（R1＋R3＋RMR＋ΔＲ） 従って出力端子158と出力端子159の間には開放電圧 V0＝I0（R3＋RMR＋ΔＲ） ＝Ｅ（R3＋RMR＋ΔＲ）／（R1＋R3＋RMR＋ΔＲ） ＝Ｅ｛１−R1/（R1＋R3＋RMR＋ΔＲ）｝ が出力される。RMR,ΔＲの関係は従来例で述べた様に、
RMR＞＞△Ｒであるから、同様の近似によって V0Ｅ〔１−｛R1/（R1＋R3＋RMR）｝ ×｛１−ΔR/（R1＋R3＋RMR）｝ ここで、交流増幅器156の入力インピーダンスは第２の
導体薄膜152の抵抗値R2より十分に大きく設定されてお
り、従って、容量155には開放電圧と等しいV0が入力さ
れ、交流増幅器156の入力にはその変化分 が入力される。変化分は数mVで、信号としての交流増幅
器156で増幅され出力端子160に出力される。R1,R3,RMR
で消費される電力は R1＝40Ω,R2＝R3＝20Ω,RMR＝20Ωの様に各薄膜を構成
すれば動作電流I0＝10mAとして η＝0.5,W＝8mW/トラックとなり、20トラックでは160mW
となる。従って、前記従来例に比してη＝0.5の場合、
消費電力が30％節約できることになる。又、第６図の従
来例において、抵抗53,容量54,交流増幅器56で構成され
るセンス回路のうち、抵抗53が不要となり、特に、マル
チトラック構成の場合、トラックの数だけ抵抗の数が減
少し回路規模の縮少が可能となる。なお、第１図による
実施例は薄膜形成プロセスにおけるマスクパターンの変
更のみで可能であるため、製造上困難な変更は何ら必要
とせず、工業的に極て有益なものである。又、マルチト
ラック構成を考えると、第１図の出力端子108及び出力
端子110はそれぞれ全トラックで共用化できるため、こ
れをヘッド上で並列接続することができ、引き出し端子
数の増大を最少限に押えることができることは言うまで
もない。
抗値RMRのMR素子、151は抵抗値R1の第１の導体薄膜、15
2は抵抗値R2で第２の導体薄膜、153は抵抗値R3で第３の
導体薄膜、157は第１の導体薄膜151の出力端子、158は
第２の導体薄膜152の出力端子、159は第３の導体薄膜15
3の出力端子である。又、154はMR素子150に電流を供給
する直流電圧源、155は容量、156は交流増幅器、160は
増幅信号の出力端子である。第２図でMR素子150には直
流電源154からＥ（Ｖ）の電圧が第１の導体薄膜151及び
第３の導体薄膜153を通じて供給される。今、MR素子150
のΔＢによる抵抗変化をΔＲとすればMR素子に流れる電
流は、 I0＝E/（R1＋R3＋RMR＋ΔＲ） 従って出力端子158と出力端子159の間には開放電圧 V0＝I0（R3＋RMR＋ΔＲ） ＝Ｅ（R3＋RMR＋ΔＲ）／（R1＋R3＋RMR＋ΔＲ） ＝Ｅ｛１−R1/（R1＋R3＋RMR＋ΔＲ）｝ が出力される。RMR,ΔＲの関係は従来例で述べた様に、
RMR＞＞△Ｒであるから、同様の近似によって V0Ｅ〔１−｛R1/（R1＋R3＋RMR）｝ ×｛１−ΔR/（R1＋R3＋RMR）｝ ここで、交流増幅器156の入力インピーダンスは第２の
導体薄膜152の抵抗値R2より十分に大きく設定されてお
り、従って、容量155には開放電圧と等しいV0が入力さ
れ、交流増幅器156の入力にはその変化分 が入力される。変化分は数mVで、信号としての交流増幅
器156で増幅され出力端子160に出力される。R1,R3,RMR
で消費される電力は R1＝40Ω,R2＝R3＝20Ω,RMR＝20Ωの様に各薄膜を構成
すれば動作電流I0＝10mAとして η＝0.5,W＝8mW/トラックとなり、20トラックでは160mW
となる。従って、前記従来例に比してη＝0.5の場合、
消費電力が30％節約できることになる。又、第６図の従
来例において、抵抗53,容量54,交流増幅器56で構成され
るセンス回路のうち、抵抗53が不要となり、特に、マル
チトラック構成の場合、トラックの数だけ抵抗の数が減
少し回路規模の縮少が可能となる。なお、第１図による
実施例は薄膜形成プロセスにおけるマスクパターンの変
更のみで可能であるため、製造上困難な変更は何ら必要
とせず、工業的に極て有益なものである。又、マルチト
ラック構成を考えると、第１図の出力端子108及び出力
端子110はそれぞれ全トラックで共用化できるため、こ
れをヘッド上で並列接続することができ、引き出し端子
数の増大を最少限に押えることができることは言うまで
もない。
発明の効果 以上のように本発明によれば、MR素子からの信号線の一
方を２分割し、且つその分割した引出し線の抵抗を利用
することによって、外付けセンス回路の抵抗を不要に
し、ヘッド後付け回路（センス回路）を含めた消費電力
を減少できる。加えて、出力端子を全トラックで共用化
できるので、回路規模の縮小化を可能にすることもでき
る。このため、低消費電力バッテリー駆動や、装置の小
型化に極めて有効である。
方を２分割し、且つその分割した引出し線の抵抗を利用
することによって、外付けセンス回路の抵抗を不要に
し、ヘッド後付け回路（センス回路）を含めた消費電力
を減少できる。加えて、出力端子を全トラックで共用化
できるので、回路規模の縮小化を可能にすることもでき
る。このため、低消費電力バッテリー駆動や、装置の小
型化に極めて有効である。
第１図（ａ）は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッ
ドの基板の薄膜形成面を示す平面図、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、第１図（ｃ）は第１図
（ａ）のＣ−Ｃ線断面図、第２図は第１図の実施例の電
気的等価回路及びこれに抵抗電圧変換回路を付加した状
態を示す回路図、第３図（ａ）は従来の電磁誘導型薄膜
磁気ヘッドの平面図、第３図（ｂ）は同断面図、第４図
（ａ）は従来の磁気抵抗効果型薄膜再生ヘッドの基板の
薄膜形成面の平面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のＡ
−Ａ線断面図、第５図は磁気抵抗効果素子の磁束密度−
抵抗変化曲の関係を示す特性図、第６図は第４図の従来
例の電気的等価回路及びこれに抵抗電圧変換回路を付加
した状態を示す回路図である。 101……フェライト基板、102……前ヨーク、103……MR
素子、104……後ヨーク、105……第１の導体薄膜、106
……第２の導体薄膜、107……第３の導体薄膜、108〜11
0……出力端子。
ドの基板の薄膜形成面を示す平面図、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、第１図（ｃ）は第１図
（ａ）のＣ−Ｃ線断面図、第２図は第１図の実施例の電
気的等価回路及びこれに抵抗電圧変換回路を付加した状
態を示す回路図、第３図（ａ）は従来の電磁誘導型薄膜
磁気ヘッドの平面図、第３図（ｂ）は同断面図、第４図
（ａ）は従来の磁気抵抗効果型薄膜再生ヘッドの基板の
薄膜形成面の平面図、第４図（ｂ）は第４図（ａ）のＡ
−Ａ線断面図、第５図は磁気抵抗効果素子の磁束密度−
抵抗変化曲の関係を示す特性図、第６図は第４図の従来
例の電気的等価回路及びこれに抵抗電圧変換回路を付加
した状態を示す回路図である。 101……フェライト基板、102……前ヨーク、103……MR
素子、104……後ヨーク、105……第１の導体薄膜、106
……第２の導体薄膜、107……第３の導体薄膜、108〜11
0……出力端子。
Claims (1)
- 【請求項１】磁気記録媒体上の記録磁化からの磁界に応
じて抵抗値が変化するように構成された磁気抵抗効果薄
膜素子を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗
効果薄膜素子に直流電圧を印加する手段と、前記磁気抵
抗効果薄膜素子の抵抗値の変化を電圧変化に変換する手
段を有する回路を接続することにより、磁気記録媒体上
の記録内容を読み出す事を主眼とした薄膜磁気ヘッドに
於いて、磁気記録媒体に接する磁性基板と、前記磁性基
板の磁気記録媒体に接する面に垂直の面上に前記磁気記
録媒体の記録磁化からの磁束を誘導する第１の磁性体薄
膜と、前記第１の磁性体薄膜の誘導した磁束を受けるよ
う前記第１の磁性体薄膜の前記磁気記録媒体と反対の辺
に接して形成された磁気抵抗効果薄膜素子と、前記磁気
抵抗効果薄膜素子に流れた磁束を前記磁性基板を経由し
て前記磁気記録媒体上の記録磁化に戻すよう前記磁気抵
抗効果薄膜素子の前記第１の磁性体薄膜に接した辺と反
対の辺に接して形成された第２の磁性体薄膜とで構成さ
れ、前記磁気抵抗効果薄膜素子の電気抵抗変化を生ずる
２つの対向する辺のうち一方の辺から、第１の引き出し
電極としての導体薄膜と、他の一辺から第２及び第３の
引き出し電極としての導体薄膜とを具備し、前記第１及
び第２の引き出し電極に、前記磁気抵抗効果薄膜素子に
直流電圧を印加する手段を有する回路を接続し、前記第
１及び第３の引き出し電極に、前記磁気抵抗効果薄膜素
子の抵抗値の変化を電圧変化に変換する手段を有する回
路を接続したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25140985A JPH07105007B2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25140985A JPH07105007B2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62110616A JPS62110616A (ja) | 1987-05-21 |
| JPH07105007B2 true JPH07105007B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17222411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25140985A Expired - Fee Related JPH07105007B2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105007B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3933163A1 (de) * | 1988-10-27 | 1990-05-03 | Toyoda Gosei Kk | Zylindrische daempfungsbuchse |
| US5033872A (en) * | 1989-09-06 | 1991-07-23 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Bushing |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP25140985A patent/JPH07105007B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62110616A (ja) | 1987-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |