JPH07101668B2 - 両面同時露光装置に於る上、下マスクのアライメント機構 - Google Patents
両面同時露光装置に於る上、下マスクのアライメント機構Info
- Publication number
- JPH07101668B2 JPH07101668B2 JP3359544A JP35954491A JPH07101668B2 JP H07101668 B2 JPH07101668 B2 JP H07101668B2 JP 3359544 A JP3359544 A JP 3359544A JP 35954491 A JP35954491 A JP 35954491A JP H07101668 B2 JPH07101668 B2 JP H07101668B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- suction
- upper mask
- reference point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子デバイスの製
造に於て、ウエハの上下両面に配置される上下一対のフ
ォトマスクにより、前記ウエハに対して所要の回路、配
線パターンを同時露光する場合に上、下フォトマスクの
厳密な位置決め（アライメント）を実行するための機構
に関するものである。
造に於て、ウエハの上下両面に配置される上下一対のフ
ォトマスクにより、前記ウエハに対して所要の回路、配
線パターンを同時露光する場合に上、下フォトマスクの
厳密な位置決め（アライメント）を実行するための機構
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】前記の半導体素子デバイスでは、表裏両
面が使用可能なシリコン単結晶板等よりなるウエハに対
して、片面ずつ、露光等のフォトリソグラフィ工程が実
施されてきた。しかし工程が重複し、効率が悪いため簡
素化が図られたが、両面同時にパターン露光等を実施す
ることは困難であり、未だ開発段階にとどまっていた。
面が使用可能なシリコン単結晶板等よりなるウエハに対
して、片面ずつ、露光等のフォトリソグラフィ工程が実
施されてきた。しかし工程が重複し、効率が悪いため簡
素化が図られたが、両面同時にパターン露光等を実施す
ることは困難であり、未だ開発段階にとどまっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の点に鑑
みなされたもので、その課題とするところは極めて厳密
なアライメントを容易に行なうことができ、両面同時露
光を可能とすることにより、所謂スループットの増大を
果たし、半導体素子の製造プロセスを著しく合理化でき
るようにすることにある。
みなされたもので、その課題とするところは極めて厳密
なアライメントを容易に行なうことができ、両面同時露
光を可能とすることにより、所謂スループットの増大を
果たし、半導体素子の製造プロセスを著しく合理化でき
るようにすることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明は、ウエハの上、下両面に接触可能な上下一対の
フォトマスクを有し、前記ウエハに対して所要の回路、
配線パターンを同時露光するため、前記上マスクと下マ
スクとをウエハを出し入れ可能な間隔に離間可能とし、
かつ上、下両マスクのパターンを同時に顕微鏡により観
察するため若干の隙間を保って接近可能なようにした両
面同時露光装置に於て、下マスク２は相互に直交する
Ｘ、Ｙ、Ｚ方向及びＺ軸からの傾斜方向へ微動可能なス
テージ３を介して露光台１３に設置し、該露光台上部の
開口の両側には、一対の受枠１１、１２を左右平行に設
置し、各受枠１１、１２の上面に、水平出しのための、
両枠で計３点以上の基準点１４と、Ｘ又はＹ方向を規定
するための各１個の方向出し突部１５とを夫々設け、上
マスク１は上マスクホルダ２２を介して上部マスク基板
１６に保持せしめ、上部マスク基板１６は前記両受枠１
１、１２の上部に載置可能な形態に形成し、かつ上、下
両マスク１、２の厳密な位置決めのため、前記基準点１
４と当接可能な３点以上の支点１７と、前記方向出し突
部１５と嵌合可能な各１個の嵌合凹部１８とを上部マス
ク基板下面に設けるとともに、その基準点１４と支点１
７のいずれか一方は上下方向へ調節可能に形成し、さら
に前記上部マスク基板１６を前記アライメント状態を保
って下方向へ平行移動させるための下むきの吸盤面１９
を上部マスク基板１６の下面の左右両側に設け、両吸盤
面１９、１９に夫々気密に接触して上部マスク基板１６
と吸着一体化し、上マスク１を下マスク２に接近させる
ための吸引部材２９を前記吸盤面１９と対向する位置の
受枠側に設けという手段を講じたものである。
本発明は、ウエハの上、下両面に接触可能な上下一対の
フォトマスクを有し、前記ウエハに対して所要の回路、
配線パターンを同時露光するため、前記上マスクと下マ
スクとをウエハを出し入れ可能な間隔に離間可能とし、
かつ上、下両マスクのパターンを同時に顕微鏡により観
察するため若干の隙間を保って接近可能なようにした両
面同時露光装置に於て、下マスク２は相互に直交する
Ｘ、Ｙ、Ｚ方向及びＺ軸からの傾斜方向へ微動可能なス
テージ３を介して露光台１３に設置し、該露光台上部の
開口の両側には、一対の受枠１１、１２を左右平行に設
置し、各受枠１１、１２の上面に、水平出しのための、
両枠で計３点以上の基準点１４と、Ｘ又はＹ方向を規定
するための各１個の方向出し突部１５とを夫々設け、上
マスク１は上マスクホルダ２２を介して上部マスク基板
１６に保持せしめ、上部マスク基板１６は前記両受枠１
１、１２の上部に載置可能な形態に形成し、かつ上、下
両マスク１、２の厳密な位置決めのため、前記基準点１
４と当接可能な３点以上の支点１７と、前記方向出し突
部１５と嵌合可能な各１個の嵌合凹部１８とを上部マス
ク基板下面に設けるとともに、その基準点１４と支点１
７のいずれか一方は上下方向へ調節可能に形成し、さら
に前記上部マスク基板１６を前記アライメント状態を保
って下方向へ平行移動させるための下むきの吸盤面１９
を上部マスク基板１６の下面の左右両側に設け、両吸盤
面１９、１９に夫々気密に接触して上部マスク基板１６
と吸着一体化し、上マスク１を下マスク２に接近させる
ための吸引部材２９を前記吸盤面１９と対向する位置の
受枠側に設けという手段を講じたものである。
【０００５】前記手段は、Ｘ−Ｙ平面と直交するＺ方向
を位置決めするための手段である受枠側の基準点１４と
その上に重ねられる上部マスク基板側の支点１７、それ
にＸ−Ｙ方向を出すための前記受枠側の方向出し突部１
５と上部マスク基板側の嵌合凹部１８を具備している。
を位置決めするための手段である受枠側の基準点１４と
その上に重ねられる上部マスク基板側の支点１７、それ
にＸ−Ｙ方向を出すための前記受枠側の方向出し突部１
５と上部マスク基板側の嵌合凹部１８を具備している。
【０００６】その結果、上、下マスク１、２のアライメ
ントは、上部マスク基板１６を受枠１１、１２上へ載置
すると同時に完成し、さらに該マスク基板１６に対して
吸引手段２１が働き、これをアライメント状態に固定す
る。
ントは、上部マスク基板１６を受枠１１、１２上へ載置
すると同時に完成し、さらに該マスク基板１６に対して
吸引手段２１が働き、これをアライメント状態に固定す
る。
【０００７】
【実施例】以下図面を参照して説明する。本発明に係る
機構は図１乃至図４に、露光装置全体は図５乃至図７に
夫々示されている。
機構は図１乃至図４に、露光装置全体は図５乃至図７に
夫々示されている。
【０００８】各図、特に図３に全体的に示されているよ
うに、１は上マスク、２は下マスクで、それらの間にウ
エハが配置される。３はステージで、外周面に球面状の
座面４を有し、それと面接触する受座５を有するステー
ジ支持体６を介してクロスローラベアリング７により支
持され、かつまたその下位にてＸ軸微動台及びこれと直
交するＹ軸微動台８により、互いにＸ、Ｙ方向及びＺ軸
に対する傾斜角に関するθ方向へ夫々調節可能に設けら
れている。９はＹ軸微動台８を操作するための摘みを示
す。
うに、１は上マスク、２は下マスクで、それらの間にウ
エハが配置される。３はステージで、外周面に球面状の
座面４を有し、それと面接触する受座５を有するステー
ジ支持体６を介してクロスローラベアリング７により支
持され、かつまたその下位にてＸ軸微動台及びこれと直
交するＹ軸微動台８により、互いにＸ、Ｙ方向及びＺ軸
に対する傾斜角に関するθ方向へ夫々調節可能に設けら
れている。９はＹ軸微動台８を操作するための摘みを示
す。
【０００９】１０は一対の受枠１１、１２の上面で、Ｘ
−Ｙ平面と概ね平行である。一対の受枠１１、１２は下
マスク２を装備した露光台１３の開口の左右に互いに平
行に設置されている。
−Ｙ平面と概ね平行である。一対の受枠１１、１２は下
マスク２を装備した露光台１３の開口の左右に互いに平
行に設置されている。
【００１０】左右両受枠１１、１２の上面１０には、Ｚ
方向を位置決めするための基準点１４が各受枠１１、１
２の前後に２点ずつ計４点設けられている。この基準点
１４は後述する上部マスク基板１６の上下方向を位置決
めするもので、両受枠１１、１２の一方に２点、他方に
１点のように３点支持する構成であっても良い。
方向を位置決めするための基準点１４が各受枠１１、１
２の前後に２点ずつ計４点設けられている。この基準点
１４は後述する上部マスク基板１６の上下方向を位置決
めするもので、両受枠１１、１２の一方に２点、他方に
１点のように３点支持する構成であっても良い。
【００１１】当該上面１０の中程には、上部マスク基板
１６のＸ−Ｙ方向を規定するための方向出し突部１５が
各受枠１１、１２について少なくとも１個以上設けられ
る。該突部１５は逆に上部マスク基板１６の方に設けて
も同じである。
１６のＸ−Ｙ方向を規定するための方向出し突部１５が
各受枠１１、１２について少なくとも１個以上設けられ
る。該突部１５は逆に上部マスク基板１６の方に設けて
も同じである。
【００１２】上述の上部マスク基板１６は、前述の上マ
スク１を同ホルダ２２を介して保持するための部材で、
上マスクホルダ２２を載置する窓状の開口枠段部２３を
中央に形成した枠状に形成されている。上部マスク基板
１６それ自体は前記左右の受枠１１、１２の上面１０に
載置される。
スク１を同ホルダ２２を介して保持するための部材で、
上マスクホルダ２２を載置する窓状の開口枠段部２３を
中央に形成した枠状に形成されている。上部マスク基板
１６それ自体は前記左右の受枠１１、１２の上面１０に
載置される。
【００１３】この上部マスク基板１６の下面には、前記
４点の基準点１４と当接可能な左右２箇所計４箇所の支
点１７と、前記方向出し突部１５の嵌合が可能な左右各
１個の嵌合凹部１８とが夫々設けられている。
４点の基準点１４と当接可能な左右２箇所計４箇所の支
点１７と、前記方向出し突部１５の嵌合が可能な左右各
１個の嵌合凹部１８とが夫々設けられている。
【００１４】Ｚ方向位置決めのための基準点１４と支点
１７とは点接触する。この支点１７は上部マスク基板１
６の該当位置に形成されためねじ孔２４に螺合するおね
じからなり、水平出しの後、ロックナット２５によって
緊締される。嵌合凹部１８と方向出し突部１５とは「が
た」がないように堅く嵌合する。またこれらは摩損の少
ない材料によって形成される。水平出しができれば、方
向出しの堅い嵌合もスムーズに行なえるようになる。
１７とは点接触する。この支点１７は上部マスク基板１
６の該当位置に形成されためねじ孔２４に螺合するおね
じからなり、水平出しの後、ロックナット２５によって
緊締される。嵌合凹部１８と方向出し突部１５とは「が
た」がないように堅く嵌合する。またこれらは摩損の少
ない材料によって形成される。水平出しができれば、方
向出しの堅い嵌合もスムーズに行なえるようになる。
【００１５】さらに上部マスク基板１６の左右両側の下
面には、夫々吸盤面１９が設けられている。該吸盤面１
９は、基板下面に直接形成したものであっても良いが、
実施例では前後の中央部分に凹所２６を形成し、そこに
別途形成した吸盤体２７を下向きに取り付け、その下面
を吸盤面１９としている。
面には、夫々吸盤面１９が設けられている。該吸盤面１
９は、基板下面に直接形成したものであっても良いが、
実施例では前後の中央部分に凹所２６を形成し、そこに
別途形成した吸盤体２７を下向きに取り付け、その下面
を吸盤面１９としている。
【００１６】２０は密閉空間で、吸盤面１９と吸引手段
２１の０−リング２８を介して密着する吸引部材２９と
の間に形成される。吸引手段２１は前記吸引部材２９と
吸盤面１９との間の空間２０から空気を排出する排気管
３０、吸引部材２９を下方へ引くために該部材２９に接
続されたプランジャを有する往復動装置３１を備えてい
る。この往復動装置３１はストロークが短く高精度のも
のを使用する。
２１の０−リング２８を介して密着する吸引部材２９と
の間に形成される。吸引手段２１は前記吸引部材２９と
吸盤面１９との間の空間２０から空気を排出する排気管
３０、吸引部材２９を下方へ引くために該部材２９に接
続されたプランジャを有する往復動装置３１を備えてい
る。この往復動装置３１はストロークが短く高精度のも
のを使用する。
【００１７】なお、図１に於て、３２は上部マスク基板
奥部に形成されたー対の係合孔、３３はそれと係合する
一対のポスト、図３中３４は下部ランプハウス、３５は
上部ランプハウスを示す。
奥部に形成されたー対の係合孔、３３はそれと係合する
一対のポスト、図３中３４は下部ランプハウス、３５は
上部ランプハウスを示す。
【００１８】図５乃至７に於て、４０はマスクホルダク
ランパを示しており、前記したマスクホルダ即ち上、下
マスク１、２のアライメント機構部３６が装置される部
分を示す。３７はＸ軸微動摘みを示す。４１は装置本体
上の一側に設けられた多数のウエハの供給エレベータ、
４２は同エレベータ４１からウエハをプリアライメント
ステージ４３へ送り込む搬入プッシャで、プリアライメ
ントステージ４３は、ウエハをアライメント機構部３６
へ搬入する前に、ウエハのオリエンテーションフラット
及び中心出しの各作業を予め行なう。４４はウエハを送
るハンドラ、４５は側方退避可能な光学顕微鏡、４６は
顕微鏡クランパ、４７は露光等の諸工程を経たウエハを
取りだすアンローダテーブル、４８は同ウエハを収める
収納エレベータ、４９は操作パネルを示す。
ランパを示しており、前記したマスクホルダ即ち上、下
マスク１、２のアライメント機構部３６が装置される部
分を示す。３７はＸ軸微動摘みを示す。４１は装置本体
上の一側に設けられた多数のウエハの供給エレベータ、
４２は同エレベータ４１からウエハをプリアライメント
ステージ４３へ送り込む搬入プッシャで、プリアライメ
ントステージ４３は、ウエハをアライメント機構部３６
へ搬入する前に、ウエハのオリエンテーションフラット
及び中心出しの各作業を予め行なう。４４はウエハを送
るハンドラ、４５は側方退避可能な光学顕微鏡、４６は
顕微鏡クランパ、４７は露光等の諸工程を経たウエハを
取りだすアンローダテーブル、４８は同ウエハを収める
収納エレベータ、４９は操作パネルを示す。
【００１９】このような構成を有する本発明のアライメ
ント機構において、上、下マスク１、２がアライメント
される過程を説明する。初め上マスクホルダ２２は上昇
位置にあり（図８）、その吸盤体２７に対して吸引部材
２９が上昇し、次に上マスクホルダ２２が下降する。上
マスクホルダ２２は吸盤体２７にて吸引部材２９に支持
され、かつ真空吸引により一体化する（図９）。
ント機構において、上、下マスク１、２がアライメント
される過程を説明する。初め上マスクホルダ２２は上昇
位置にあり（図８）、その吸盤体２７に対して吸引部材
２９が上昇し、次に上マスクホルダ２２が下降する。上
マスクホルダ２２は吸盤体２７にて吸引部材２９に支持
され、かつ真空吸引により一体化する（図９）。
【００２０】
次いで吸引部材２９が吸盤体２７を吸着し
たまま下降して左右受枠上面の突部１５、１５が上マス
クホルダ２２の嵌合凹部１８と嵌合するとＸＹθ軸方向
の位置が決まり、また予め調整済みの支点１７が左右受
枠上面の基準点１４に当たると高さ方向及び下マスク２
との平行が出される（図１０）。
たまま下降して左右受枠上面の突部１５、１５が上マス
クホルダ２２の嵌合凹部１８と嵌合するとＸＹθ軸方向
の位置が決まり、また予め調整済みの支点１７が左右受
枠上面の基準点１４に当たると高さ方向及び下マスク２
との平行が出される（図１０）。
【００２１】
下マスク２はＸＹＺθ軸方向へ微動できる
ステージ３上に載っているので、顕微鏡４５でのぞきな
がら、固定側の上マスク１に対して下マスク２をアライ
メントでき（図１１）、一度アライメントされた上、下
マスク１、２はウエハＷの出し入れのため開閉（上昇下
降）させても同じ位置関係にたもたれている（図１
２）。
ステージ３上に載っているので、顕微鏡４５でのぞきな
がら、固定側の上マスク１に対して下マスク２をアライ
メントでき（図１１）、一度アライメントされた上、下
マスク１、２はウエハＷの出し入れのため開閉（上昇下
降）させても同じ位置関係にたもたれている（図１
２）。
【００２２】 プリアライメントされたウエハがハンドラ
により搬送され下マスク２上に置かれると、左右からウ
エハクランパ５１、５２によりその位置でホールドされ
るので、上、下マスク１、２間で、正確なアライメント
を狂わせることはない。
により搬送され下マスク２上に置かれると、左右からウ
エハクランパ５１、５２によりその位置でホールドされ
るので、上、下マスク１、２間で、正確なアライメント
を狂わせることはない。
【００２３】 なお、 上マスク１が所定の高さに降下する
際に上部マスク基板１６は基準点１４に支点１７が当接
することによりＺ方向の位置決めがなされ、かつ嵌合凹
部１８に方向出し突部１５が嵌合することによりＸ−Ｙ
方向の位置決めがなされ、かつその状態で吸引手段２１
により吸引固定されるので完全な位置決め状態になる。
際に上部マスク基板１６は基準点１４に支点１７が当接
することによりＺ方向の位置決めがなされ、かつ嵌合凹
部１８に方向出し突部１５が嵌合することによりＸ−Ｙ
方向の位置決めがなされ、かつその状態で吸引手段２１
により吸引固定されるので完全な位置決め状態になる。
【００２４】 それ故、一旦アライメント完了後は位置の
ずれが起こらず、その後の酸化、レジスト膜塗布、プリ
ベーク、露光、現像、ポストベーク、エッチング、気相
成長、不純物拡散からなる処理工程が進められる。な
お、以上の処理工程は１次露光、２次露光、３次露光…
と必要回数繰り返される。
ずれが起こらず、その後の酸化、レジスト膜塗布、プリ
ベーク、露光、現像、ポストベーク、エッチング、気相
成長、不純物拡散からなる処理工程が進められる。な
お、以上の処理工程は１次露光、２次露光、３次露光…
と必要回数繰り返される。
【００２５】
【発明の効果】従って本発明によれば、Ｚ方向とＸ−Ｙ
方向の二つの位置決め手段、さらに、位置決め後の状態
を吸引保持する固定手段により、極めて厳密なアライメ
ントを容易に行なうことができるので、両面同時露光が
可能になり、また両面同時露光が円滑に進められるので
所謂スループットを向上し、半導体製造プロセスを合理
化できるという効果を奏する。
方向の二つの位置決め手段、さらに、位置決め後の状態
を吸引保持する固定手段により、極めて厳密なアライメ
ントを容易に行なうことができるので、両面同時露光が
可能になり、また両面同時露光が円滑に進められるので
所謂スループットを向上し、半導体製造プロセスを合理
化できるという効果を奏する。
【図１】本発明に係る機構の分解斜視図。
【図２】同上の平面図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図。
【図４】吸引手段の斜視図。
【図５】両面同時露光装置の正面図。
【図６】同上の平面図。
【図７】同上の側面図。
【図８】
本発明に係る装置の説明図。
【図９】
同じく上マスクホルダ下降段階の説明図。
【図１０】
同じく吸引手段の下降段階を示す説明図。
【図１１】
同じく上下マスクパターンを顕微鏡観察する
段階の説明図。
段階の説明図。
【図１２】
アライメント終了後ウエハをセットする段階
の説明図。
の説明図。
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハの上、下両面に接触可能な上下一
対のフォトマスクを有し、前記ウエハに対して所要の回
路、配線パターンを同時露光するため、前記上マスクと
下マスクとをウエハを出し入れ可能な間隔に離間可能と
し、かつ上、下両マスクのパターンを同時に顕微鏡によ
り観察するため若干の隙間を保って接近可能なようにし
た両面同時露光装置に於て、下マスク２は相互に直交するＸ、Ｙ、Ｚ方向及びＺ軸か
らの傾斜方向へ微動可能なステージ３を介して 露光台１
３に設置し、該露光台上部の開口の両側には、一対の受
枠１１、１２を左右平行に設置し、各受枠１１、１２の
上面に、水平出しのための、両枠で計３点以上の基準点
１４と、Ｘ又はＹ方向を規定するための各１個の方向出
し突部１５とを夫々設け、上マスク１は上マスクホルダ２２を介して上部マスク基
板１６に保持せしめ、上部マスク基板１６は 前記両受枠
１１、１２の上部に載置可能な形態に形成し、かつ上、
下両マスク１、２の厳密な位置決めのため、前記基準点
１４と当接可能な３点以上の支点１７と、前記方向出し
突部１５と嵌合可能な各１個の嵌合凹部１８とを上部マ
スク基板下面に設けるとともに、その基準点１４と支点
１７のいずれか一方は上下方向へ調節可能に形成し、 さらに前記上部マスク基板１６を前記アライメント状態
を保って下方向へ平行移動させるための下むきの吸盤面
１９を上部マスク基板１６の下面の左右両側に設け、両
吸盤面１９、１９に夫々気密に接触して上部マスク基板
１６と吸着一体化し、上マスク１を下マスク２に接近さ
せるための吸引部材２９を前記吸盤面１９と対向する位
置の受枠側に設けたことを特徴とする上、下マスクのア
ライメント機構。 - 【請求項２】 基準点１４と当接可能な３点以上の支点
１７が、上部マスク基板１６の所定位置に形成されため
ねじ孔に螺合可能なおねじからなる請求項第１項記載の
両面同時露光装置に於る上、下マスクのアライメント機
構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359544A JPH07101668B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | 両面同時露光装置に於る上、下マスクのアライメント機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359544A JPH07101668B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | 両面同時露光装置に於る上、下マスクのアライメント機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182888A JPH05182888A (ja) | 1993-07-23 |
| JPH07101668B2 true JPH07101668B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=18465049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3359544A Expired - Fee Related JPH07101668B2 (ja) | 1991-12-28 | 1991-12-28 | 両面同時露光装置に於る上、下マスクのアライメント機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101668B2 (ja) |
-
1991
- 1991-12-28 JP JP3359544A patent/JPH07101668B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05182888A (ja) | 1993-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7065894B2 (en) | Apparatus for kinematic registration of a reticle | |
| JP6245308B2 (ja) | 基板搬送方法、デバイス製造方法、基板搬送装置および露光装置 | |
| WO1999028220A1 (fr) | Dispositif et procede de transfert de substrats | |
| US20080068580A1 (en) | Substrate-retaining unit | |
| US4869481A (en) | Plate-like article holding device | |
| US6906790B2 (en) | Reticle manipulators and related methods for conveying thin, circular reticles as used in charged-particle-beam microlithography | |
| JPH07297118A (ja) | 基板および基板保持方法ならびにその装置 | |
| JP3571243B2 (ja) | プロキシミティ露光方法及び装置 | |
| JPH11307425A (ja) | マスクの受け渡し方法、及び該方法を使用する露光装置 | |
| JPH07101668B2 (ja) | 両面同時露光装置に於る上、下マスクのアライメント機構 | |
| CN102648518B (zh) | 基板支承、搬送、曝光装置、支承构件及元件制造方法 | |
| JP2750554B2 (ja) | 真空吸着装置 | |
| JP2001168008A (ja) | 基板ステージ装置および該基板ステージ装置を用いた半導体露光装置 | |
| JPH10242033A (ja) | マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体 | |
| JP3624057B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH04129209A (ja) | 露光装置 | |
| JP3200265B2 (ja) | マスク保持方法とマスク、並びにこれを用いたデバイス製造方法 | |
| US20040140436A1 (en) | Transfer method and apparatus, exposure method and apparatus, method of manufacturing exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JPS6074527A (ja) | マスク装着方法及び装置 | |
| JPH10229116A (ja) | 基板ホルダ | |
| JP2023173758A (ja) | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 | |
| JP2002141267A (ja) | 露光装置の調節方法及び露光装置 | |
| JPH055368B2 (ja) | ||
| JPH03296210A (ja) | 両面アライナ用試料位置決め機構 | |
| JP3483403B2 (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081101 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091101 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101101 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |