JPH07101667B2 - Proximity exposure system - Google Patents

Proximity exposure system

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JPH07101667B2
JPH07101667B2 JP2185373A JP18537390A JPH07101667B2 JP H07101667 B2 JPH07101667 B2 JP H07101667B2 JP 2185373 A JP2185373 A JP 2185373A JP 18537390 A JP18537390 A JP 18537390A JP H07101667 B2 JPH07101667 B2 JP H07101667B2
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deformation
transfer
exposure
mask
scanning
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Japanese (ja)
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聖志 神谷
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Toshiba Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はマスクと被転写体とを触れない程度の間隔をお
いて配置したプロキシミティ露光装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial field of application) The present invention relates to a proximity exposure apparatus in which a mask and an image-receiving member are arranged at a distance such that they do not touch each other.

(従来の技術) 露光技術には、例えば薄型液晶ディスプレイ(TFT-LC
D)やTFD、サーマルプリンタヘッドのような広い面積を
有する固体デバイスの製造プロセスに適用されるものが
ある。かかる露光技術にはレンズ投影方式、プロキシミ
ティ方式及び反射ミラープロジェクション方式がある。
(Conventional technology) Examples of exposure technology include thin liquid crystal display (TFT-LC
Some of them are applied to the manufacturing process of solid-state devices having a large area such as D), TFD, and thermal printer head. Such exposure technology includes a lens projection method, a proximity method, and a reflection mirror projection method.

第9図はレンズ投影方式を適用した露光装置の構成図で
ある。楕円鏡1の内側には超高圧水銀ランプ2が配置さ
れ、このランプ2から放射された光がミラー3で反射
し、レンズ4、フィルタ5、フライアイレンズ6を通っ
てミラー7に送られる。このミラー7はXYステージ8の
上方に配置され、このミラー7で反射して光はコンデン
サレンズ9からマスク10を通り、さらに投影レンズ11を
通ってXYステージ8上のプレート12に照射される。かく
して、マスク10に形成されたパターンがプレート12に転
写される。
FIG. 9 is a block diagram of an exposure apparatus to which the lens projection method is applied. An ultra-high pressure mercury lamp 2 is arranged inside the elliptic mirror 1, and light emitted from the lamp 2 is reflected by a mirror 3, passes through a lens 4, a filter 5, and a fly-eye lens 6 and is sent to a mirror 7. The mirror 7 is arranged above the XY stage 8, and the light reflected by the mirror 7 passes through the condenser lens 9, the mask 10 and the projection lens 11, and is applied to the plate 12 on the XY stage 8. Thus, the pattern formed on the mask 10 is transferred to the plate 12.

次に第10図はプロキシミティ方式を適用した露光装置の
構成図である。この方式はマスク20とプレート21とを触
れない程度の間隔をおいて配置したものである。楕円鏡
22の内側には超高圧水銀ランプ23が配置され、このラン
プ23から放射された光がミラー24で反射し、さらにレン
ズ25、フィルタ26、フライアイレンズ27を通って凹面鏡
28に送られる。この凹面鏡28はマスク20、プレート21の
上方に配置されているので、凹面鏡28で反射した光はマ
スク20を通ってプレート21に照射される。かくして、マ
スク20に形成されたパターンがプレート21に転写され
る。
Next, FIG. 10 is a configuration diagram of an exposure apparatus to which the proximity method is applied. In this method, the mask 20 and the plate 21 are arranged with a space such that they do not touch each other. Elliptical mirror
An ultra-high pressure mercury lamp 23 is arranged inside 22. Light emitted from this lamp 23 is reflected by a mirror 24, and further passes through a lens 25, a filter 26 and a fly-eye lens 27 to form a concave mirror.
Sent to 28. Since the concave mirror 28 is arranged above the mask 20 and the plate 21, the light reflected by the concave mirror 28 passes through the mask 20 and is applied to the plate 21. Thus, the pattern formed on the mask 20 is transferred to the plate 21.

第11図は反射ミラープロジェクション方式を適用した露
光装置の構成図である。この方式は露光用光をマスク3
0、次に光学系31、レンズ32を通して凹面鏡33に送り、
さらにこの凹面鏡33からの反射光を光学系31によりプレ
ート34に導くようにしている。これにより、マスク30に
形成されたパターンがプレート34に転写される。
FIG. 11 is a configuration diagram of an exposure apparatus to which the reflection mirror projection system is applied. This method masks the exposure light 3
0, then send to concave mirror 33 through optical system 31, lens 32,
Further, the reflected light from the concave mirror 33 is guided to the plate 34 by the optical system 31. As a result, the pattern formed on the mask 30 is transferred to the plate 34.

以上3方式について説明したが、これら方式では各プレ
ート12,21,34に各種プロセス、例えば半導体プロセスの
影響を受けて伸び、縮み、歪、曲りが生じる。このた
め、各プレート12,21,34にそれぞれ各マスク10,20,30の
パターンは何らかの補正をしなければ正確に転写されな
くなる。例えば、プレートを液晶ディスプレイに使用す
るガラスとすれば、このガラスへの転写では3〜8回の
重ね焼きが行われる。従って、プレートに上記伸び、縮
みなどが生じると、正確に重ね焼きができない。特に液
晶ディスプレイは大型なので、伸び、縮みなどの影響を
受けないことが要求される。
Although the three methods have been described above, in these methods, the plates 12, 21, 34 are subject to the influence of various processes, for example, semiconductor processes, and thus expansion, contraction, distortion, and bending occur. Therefore, the patterns of the masks 10, 20, and 30 on the plates 12, 21, and 34 cannot be accurately transferred unless some correction is performed. For example, if the plate is a glass used in a liquid crystal display, the transfer to this glass is repeated 3 to 8 times. Therefore, if the plate is stretched or contracted, it is not possible to perform accurate overbaking. In particular, the liquid crystal display is large, so it is required that it is not affected by stretching or shrinking.

(発明が解決しようとする課題) 以上のようにプレートに伸び、縮み、歪、曲りが生じる
と、マスクのパターンが正確に転写されなくなる。
(Problems to be Solved by the Invention) When the plate is stretched, contracted, distorted, or bent as described above, the mask pattern cannot be accurately transferred.

そこで本発明は、プレートに伸び、縮み、歪、曲りなど
の変形が生じてもマスクのパターンを正確に転写できる
プロキシミティ露光装置を提供することを目的とする。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a proximity exposure apparatus capable of accurately transferring a mask pattern even when a plate is deformed such as expansion, contraction, distortion, and bending.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、被転写体を保持するXYテーブルと、 このXYテーブルに保持された被転写体に近接して配置さ
れかつ露光パターンが形成されたマスクを経由して露光
用光を被転写体に対してY方向に1走査幅だけ移動する
ごとにX方向に1走査することを繰り返して被転写体に
走査し、露光パターンを被転写体に転写する露光用光走
査手段と、 被転写体の露光用光走査方向の変形量を検出する変形量
検出手段と、 この変形量検出手段により検出された被転写体の変形量
に基づいてXYテーブルを露光用光走査手段によるX方向
の1走査に同期して駆動し被転写体の変形量を補正する
被転写体変形補正手段と、 を備えて上記目的を達成しようとするプロキシミティ露
光装置である。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problem) The present invention provides an XY table for holding a transfer target, and an exposure pattern formed in proximity to the transfer target held by the XY table. Each time the exposure light is moved by one scanning width in the Y direction with respect to the transfer target via the mask, the transfer target is repeatedly scanned to scan the transfer target, and the exposure pattern is transferred to the transfer target. The exposure light scanning means for transferring to the transfer target, the deformation amount detection means for detecting the deformation amount of the transfer object in the exposure light scanning direction, and the XY value based on the deformation amount of the transfer object detected by the deformation amount detection means. A proximity exposure apparatus for achieving the above object, comprising: a transfer-body-deformation correction unit that drives a table in synchronization with one scan in the X direction by the exposure light scanning unit to correct the amount of deformation of the transfer-source member. Is.

又、本発明は、被転写体に近接して配置されかつ露光パ
ターンが形成されたマスクを経由して露光用光を被転写
体に対してY方向に1走査幅だけ移動するごとにX方向
に1走査することを繰り返して被転写体に走査し、露光
パターンを被転写体に転写する露光用光走査手段と、 マスクを伸縮自在に支持するマスク支持手段と、 被転写体の露光用光走査方向の変形量を検出する変形量
検出手段と、 この変形量検出手段により検出された被転写体の変形量
に基づいてマスク支持手段を露光用光走査手段によるX
方向の1走査に同期して伸縮させ被転写体の変形量を補
正する被転写体変形補正手段と、 を備えて上記目的を達成しようとするプロキシミティ露
光装置である。
Further, according to the present invention, the exposure light is moved in the X direction each time the scanning light is moved in the Y direction with respect to the transfer target through the mask which is arranged close to the transfer target and on which the exposure pattern is formed. The optical scanning means for exposure, which scans the transferred material by repeating one scanning step to transfer the exposure pattern to the transferred material, the mask support means for supporting the mask in a stretchable manner, and the exposure light for the transferred material. Deformation amount detection means for detecting the deformation amount in the scanning direction, and the mask support means for the X-ray scanning means for exposing the mask support means based on the deformation amount of the transferred body detected by the deformation amount detection means.
And a transfer-body-deformation correcting unit that expands and contracts in synchronization with one scan in a direction to correct the amount of deformation of the transfer-receiving body, and is a proximity exposure apparatus that achieves the above object.

又、本発明は、マスク支持手段は、電歪素子又は磁歪素
子であるプロキシミティ露光装置である。
Further, the present invention is the proximity exposure apparatus in which the mask support means is an electrostrictive element or a magnetostrictive element.

又、本発明は、被転写体に近接して配置されかつ露光パ
ターンが形成されたマスクを経由して露光用光を被転写
体に対してY方向に1走査幅だけ移動するごとにX方向
に1走査することを繰り返して被転写体に走査し、露光
パターンを被転写体に転写する露光用光走査手段と、 マスクと露光用光走査手段との間に設けられ露光用光を
開度調節自在に遮光するシャッタ手段と、 被転写体の露光用光走査方向の変形量を検出する変形量
検出手段と、 この変形量検出手段により検出された被転写体の変形量
に基づいてシャッタ手段の開度を露光用光走査手段によ
るX方向の1走査に同期して調節し被転写体の変形量を
補正する被転写体変形補正手段と、 を備えて上記目的を達成しようとするプロキシミティ露
光装置である。
Further, according to the present invention, the exposure light is moved in the X direction each time the scanning light is moved in the Y direction with respect to the transfer target through the mask which is arranged close to the transfer target and on which the exposure pattern is formed. The exposure light is provided between the mask and the exposure light scanning unit, and the exposure light scanning unit that scans the transfer target by repeating one scanning step to transfer the exposure pattern to the transfer target and opens the exposure light. A shutter unit that adjustably shields light, a deformation amount detection unit that detects a deformation amount of a transfer target in the exposure light scanning direction, and a shutter unit that is based on the deformation amount of the transfer target detected by the deformation amount detection unit. And a transfer-body-deformation-correcting unit that adjusts the opening degree of the transfer light in synchronization with one scan in the X direction to correct the amount of deformation of the transfer-receiving body. It is an exposure device.

又、本発明は、被転写体を保持するXYテーブルと、 このXYテーブルに保持された被転写体に近接して配置さ
れかつ露光パターンが形成されたマスクを経由して露光
用光を被転写体に対してY方向に1走査幅だけ移動する
ごとにX方向に1走査することを繰り返して被転写体に
走査し、露光パターンを被転写体に転写する露光用光走
査手段と、 マスクを伸縮自在に支持するマスク支持手段と、 マスクと露光用光走査手段との間に設けられ露光用光を
開度調節自在に遮光するシャッタ手段と、 被転写体の露光用光走査方向の変形量を検出する変形量
検出手段と、 この変形量検出手段により検出された被転写体の変形量
に基づいてXYテーブルを露光用光走査手段によるX方向
の1走査に同期して駆動し被転写体の変形量を補正する
第1の被転写体変形補正手段と、 変形量検出手段により検出された被転写体の変形量に基
づいてマスク支持手段を露光用光走査手段によるX方向
の1走査に同期して伸縮させ被転写体の変形量を補正す
る第2の被転写体変形補正手段と、 変形量検出手段により検出された被転写体の変形量に基
づいてシャッタ手段の開度を露光用光走査手段によるX
方向の1走査に同期して調節し被転写体の変形量を補正
する第3の被転写体変形補正手段と、 を備えて上記目的を達成しようとするプロキシミティ露
光装置である。
In addition, the present invention transfers the exposure light through an XY table that holds the transferred material and a mask that is arranged close to the transferred material that is held by the XY table and that has an exposure pattern formed. An exposure light scanning unit that scans the transferred object by repeating one scanning in the X direction each time the object moves by one scanning width in the Y direction and transfers the exposure pattern to the transferred object, and a mask. A mask support unit that supports the contraction and expansion, a shutter unit that is provided between the mask and the exposure light scanning unit and that shields the exposure light with adjustable opening, and a deformation amount of the transfer target in the exposure light scanning direction. Based on the deformation amount of the transferred object detected by the deformation amount detecting means, the XY table is driven in synchronization with one scanning in the X direction by the exposure light scanning means. First transferred body for correcting the amount of deformation of Based on the deformation amount of the transferred object detected by the shape correction means and the deformation amount detecting means, the mask supporting means is expanded and contracted in synchronization with one scanning in the X direction by the exposure light scanning means to change the transferred amount of the transferred object. A second transfer-body-deformation correcting unit that corrects the opening amount of the shutter unit based on the deformation amount of the transfer-subject detected by the deformation amount detecting unit, and the X-axis of the exposure light scanning unit.
A proximity exposure apparatus for achieving the above-mentioned object, comprising: a third transfer-body-deformation correcting unit that adjusts in synchronization with one scan in the direction to correct the amount of deformation of the transfer-receiving body.

(作用) このような手段を備えたプロキシミティ露光装置によれ
ば、第1の被転写体変形補正手段により被転写体の変形
量に基づいてXYテーブルを露光用光走査手段によるX方
向の1走査に同期して駆動し被転写体の変形量を補正す
るので、被転写体の変形に起因する露光誤差をμmオー
ダで補正するものとなり、被転写体の伸び、歪み、曲り
等の変形が生じても、被転写体のパターンを正確に転写
することができるようになり、その結果、製品歩留まり
が格段に向上し、コスト低減にも寄与できる。
(Operation) According to the proximity exposure apparatus having such means, the XY table is moved in the X direction by the exposure light scanning means based on the deformation amount of the transferred material by the first transferred material deformation correcting means. Since the amount of deformation of the transferred material is corrected by driving in synchronization with scanning, the exposure error due to the deformation of the transferred material is corrected on the order of μm, and deformation such as elongation, distortion, and bending of the transferred material is prevented. Even if it occurs, it becomes possible to accurately transfer the pattern of the transferred material, and as a result, the product yield is remarkably improved and the cost can be reduced.

又、上記手段を備えたプロキシミティ露光装置によれ
ば、第2の被転写体変形補正手段により変形量検出手段
により検出された被転写体の変形量に基づいてマスク支
持手段を露光用光走査手段によるX方向の1走査に同期
して伸縮させ被転写体の変形量を補正するので、上記同
様に、被転写体の変形に起因する露光誤差をμmオーダ
で補正するものとなり、被転写体の伸び、歪み、曲り等
の変形が生じても、被転写体のパターンを正確に転写で
きる。
Further, according to the proximity exposure apparatus including the above-mentioned means, the mask supporting means is exposed to the optical scanning for exposure on the basis of the deformation amount of the transferred material detected by the deformation amount detecting means by the second transferred material deformation correcting means. Since the amount of deformation of the transferred material is corrected by expanding and contracting in synchronization with one scan in the X direction by the means, the exposure error due to the deformation of the transferred material is corrected in the order of μm in the same manner as described above. Even if deformations such as stretching, distortion, and bending occur, the pattern of the transfer target can be accurately transferred.

又、上記手段を備えたプロキシミティ露光装置によれ
ば、第3の被転写体変形補正手段により変形量検出手段
により検出された被転写体の変形量に基づいてシャッタ
手段の開度を露光用光走査手段によるX方向の1走査に
同期して調節し被転写体の変形量を補正するので、上記
同様に、被転写体の変形に起因する露光誤差をμmオー
ダで補正するものとなり、被転写体の伸び、歪み、曲り
等の変形が生じても、被転写体のパターンを正確に転写
できる。
Further, according to the proximity exposure apparatus having the above-mentioned means, the opening degree of the shutter means is exposed for exposure based on the deformation amount of the transferred body detected by the deformation amount detecting means by the third transferred body deformation correcting means. Since the amount of deformation of the transferred material is corrected by adjusting in synchronization with one scan in the X direction by the optical scanning means, the exposure error due to the deformation of the transferred material is corrected in the order of μm in the same manner as described above. Even if the transfer body is deformed, such as stretched, distorted, or bent, the pattern of the transferred body can be accurately transferred.

又、上記手段を備えたプロキシミティ露光装置によれ
ば、上記第1、第2又は第3の被転写体変形補正手段の
いずれかにより被転写体の変形量を補正するので、上記
同様に、被転写体の変形に起因する露光誤差をμmオー
ダで補正するものとなり、被転写体の伸び、歪み、曲り
等の変形が生じても、被転写体のパターンを正確に転写
できる。
Further, according to the proximity exposure apparatus having the above means, the deformation amount of the transferred body is corrected by any of the first, second or third transferred body deformation correcting means. The exposure error due to the deformation of the transferred material is corrected in the order of μm, and the pattern of the transferred material can be accurately transferred even if the transferred material is deformed such as elongation, distortion, and bending.

(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
(Example) Hereinafter, one example of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図はプロキシミティ露光装置の構成図である。Yテ
ーブル40上にはXテーブル41が設けられ、このXテーブ
ル41上にZ・チルト・θ・上下・傾斜及び回転テーブル
(以下、テーブルと省略する)42が設けられている。そ
して、プレート43がテーブル42上に載置されている。こ
の場合、プレート43はテーブル42に設けられた真空又は
静電チャックにより吸着されている。
FIG. 1 is a block diagram of a proximity exposure apparatus. An X table 41 is provided on the Y table 40, and a Z / tilt / θ / vertical / tilt and rotary table (hereinafter abbreviated as a table) 42 is provided on the X table 41. Then, the plate 43 is placed on the table 42. In this case, the plate 43 is attracted by a vacuum or an electrostatic chuck provided on the table 42.

又、テーブル42の上方には架台系44が設けられている。
この架台系44はマスク45を保持すると共に集光レンズ46
を配置している。このマスク45は第2図に示すように吸
着パッド45aにより吸着されて支持されている。又、マ
スク45の周囲には伸縮パッド45bが設けられている。こ
の伸縮パッド45bは圧電素子から形成され、マスク45を
伸縮させるものとなっている。なお、伸縮パッド45bは
電歪素子、磁歪素子であれば適用できる。又、マスク45
とプレート43との間隔は10〜50μmに配置されている。
なお、マスク45とプレート43の隙間やマスク45の曲り等
を検出するためにレーザ発振器45c及びその受光器45dが
備えられている。これらレーザ発振器45c及び受光器45
はマスク45及びプレート43に対して所定角度でレーザビ
ームが入射、反射するように配置されている。
A pedestal system 44 is provided above the table 42.
This pedestal system 44 holds a mask 45 and a condenser lens 46.
Are arranged. The mask 45 is adsorbed and supported by an adsorption pad 45a as shown in FIG. A stretchable pad 45b is provided around the mask 45. The expansion / contraction pad 45b is formed of a piezoelectric element and expands / contracts the mask 45. The expansion / contraction pad 45b may be any electrostrictive element or magnetostrictive element. Also, mask 45
And the plate 43 are arranged at a distance of 10 to 50 μm.
A laser oscillator 45c and its light receiver 45d are provided to detect the gap between the mask 45 and the plate 43, the bending of the mask 45, and the like. These laser oscillator 45c and light receiver 45
Is arranged so that the laser beam is incident on and reflected from the mask 45 and the plate 43 at a predetermined angle.

又、架台系44の上部にはシャッタ機構47が設けられてい
る。このシャッタ機構47は具体的には第3図(a)
(b)に示す構成となっている。同図(a)は上方から
見た図、同図(b)は横から見た図である。各スライド
支持体48,49が設けられ、これらスライド支持体48,49上
にそれぞれシャッタ体50,51が矢印(イ)方向、つまり
X方向に平行にスライド可能に設けられている。各シャ
ッタ体50,51は先端部の厚みが薄く形成され重なるよう
に配置され、かつスライド移動する。そして、各シャッ
タ体50,51が重なった場合、同図(a)に示すようにス
リット状の孔52が形成される。
Further, a shutter mechanism 47 is provided above the gantry system 44. This shutter mechanism 47 is specifically shown in FIG. 3 (a).
The configuration is shown in (b). The figure (a) is the figure seen from the upper side, and the figure (b) is the figure seen from the side. The slide supports 48, 49 are provided, and the shutter bodies 50, 51 are provided on the slide supports 48, 49 so as to be slidable in parallel with the arrow (a) direction, that is, the X direction. The shutter bodies 50, 51 are formed so that the thickness of their tip portions is thin and arranged so as to overlap with each other, and they slide. When the shutter bodies 50 and 51 overlap, a slit-shaped hole 52 is formed as shown in FIG.

ところで、プレート43及びマスク45には1例としてそれ
ぞれアライメントマーク53,54が形成されている。プレ
ート43にはアライメントマーク53がY方向に形成され、
マスク45にはアライメントマーク54がY方向に所定間隔
をおいて不連続にかつ2列にそれぞれ形成されている。
第4図はマスク45、プレート43の上から見たときに各ア
ライメントマーク53,54が重ね合わされた状態を示す図
である。なお、これらアライメントマーク53,54は図面
上片側だけ示してあるが、実際にはマスク45、プレート
43のX方向の両端側にそれぞれ形成されている。
Incidentally, alignment marks 53 and 54 are formed on the plate 43 and the mask 45, respectively, as an example. An alignment mark 53 is formed on the plate 43 in the Y direction,
Alignment marks 54 are formed in two rows on the mask 45 discontinuously at predetermined intervals in the Y direction.
FIG. 4 is a view showing a state in which the alignment marks 53 and 54 are superposed when viewed from above the mask 45 and the plate 43. Although these alignment marks 53 and 54 are shown only on one side in the drawing, the mask 45 and the plate are actually shown.
It is formed on both end sides of the X direction of 43, respectively.

又、アライメント検出系55が設けられている。このアラ
イメント検出系55は各アライメントマーク53,54の位置
を検出してマスク45とプレート43とのアイラメント状態
を検出するものである。具体的な構成は、アライメント
光源56が設けられ、このアライメント光源56から放射さ
れた光がミラー57,58で反射し、さらにハーフミラー59
を通ってプレート43に照射し、このプレート43からの反
射光をハーフミラー59で反射して受光素子60に導く構成
となっている。そして、受光素子60の前方にはスリット
60aが配置され、所定周期で振動している。つまり、振
動スリット方式によりアライメント信号を検出する構成
となっている。
Also, an alignment detection system 55 is provided. The alignment detection system 55 detects the position of each of the alignment marks 53, 54 and detects the state of the alignment between the mask 45 and the plate 43. The specific configuration is that an alignment light source 56 is provided, the light emitted from this alignment light source 56 is reflected by mirrors 57 and 58, and a half mirror 59 is also provided.
The plate 43 is irradiated therethrough, and the light reflected from the plate 43 is reflected by the half mirror 59 and guided to the light receiving element 60. A slit is provided in front of the light receiving element 60.
60a is arranged and vibrates in a predetermined cycle. That is, the vibration slit method is used to detect the alignment signal.

一方、例えばレーザ発振器61が設けられている。このレ
ーザ発振器61のレーザ出力方向には位相板62、複眼レン
ズ63及びコリメータ64が配置されている。さらにコリメ
ータ64の平行光の出力方向にはポリゴンミラー65が配置
されている。このポリゴンミラー65は集光レンズ46の上
方に配置され、矢印(ロ)方向に所定の回転速度で回転
することによりレーザ光をX方向に走査して集光レンズ
46を通してマスク45、プレート43に照射するものであ
る。
On the other hand, for example, a laser oscillator 61 is provided. A phase plate 62, a compound eye lens 63 and a collimator 64 are arranged in the laser output direction of the laser oscillator 61. Further, a polygon mirror 65 is arranged in the output direction of the collimated light from the collimator 64. The polygon mirror 65 is arranged above the condenser lens 46 and rotates in the arrow (b) direction at a predetermined rotation speed to scan the laser light in the X direction to condense the lens.
The mask 45 and the plate 43 are irradiated through 46.

さらに、Xテーブル41に近接してテーブル位置計測系66
が設けられている。このテーブル位置計測系66は、後述
するように、レーザ干渉計をその本体とするものであっ
て、Xテーブル41に立設された基準ミラー80に対してレ
ーザ光を照射し、その反射レーザ光に基づいてXテーブ
ル41の位置計測を行うものである。そして、このテーブ
ル位置計測系66からの位置計測信号はコントローラ67に
出力され、このコントローラ67は、Xテーブル41の位置
計測結果に基づいてXテーブル41の精密位置決めを行う
ようになっている。なお、図示しないが、テーブル位置
計測系66は、Xテーブル41と同様にして、Yテーブル40
の位置計測手段も有している。
Further, the table position measuring system 66 is provided close to the X table 41.
Is provided. As will be described later, the table position measuring system 66 has a laser interferometer as its main body, and irradiates the reference mirror 80 erected on the X table 41 with laser light, and reflects the reflected laser light. The position of the X table 41 is measured based on the above. Then, the position measurement signal from the table position measurement system 66 is output to the controller 67, and the controller 67 performs precise positioning of the X table 41 based on the position measurement result of the X table 41. Although not shown, the table position measuring system 66 is similar to the X table 41 and is similar to the Y table 40.
It also has a position measuring means.

このコントローラ67はプレート43の変形量を受け、この
変形量に基づいてXテーブル41を移動してプレート43の
変形を補正する第1補正機能、変形量に基づいて伸縮パ
ッド45bを伸縮してプレート43の変形に対する補正を行
う第2補正機能及び変形量に基づいてシャッタ機構47の
開閉を調整してプレート43の変形に対する補正を行う第
3補正機能を有している。このコントローラ67は上記各
補正機能のうちいずれか1つの補正機能を実行するもの
となっている。このコントローラ67の補正機能により求
められた補正駆動信号はドライバ68に送られる。
The controller 67 receives a deformation amount of the plate 43, moves the X table 41 based on the deformation amount to correct the deformation of the plate 43, and expands / contracts the expansion / contraction pad 45b based on the deformation amount. It has a second correction function for correcting the deformation of the plate 43 and a third correction function for adjusting the opening / closing of the shutter mechanism 47 based on the deformation amount to correct the deformation of the plate 43. The controller 67 executes one of the correction functions described above. The correction drive signal obtained by the correction function of the controller 67 is sent to the driver 68.

このドライバ68はYテーブル40の移動とポリゴンミミラ
ー56の回転とを同期させると共に、補正駆動信号を受け
てXテーブル41を動作させる、又は伸縮パッド45bを伸
縮動作させる、又はシャッタ機構47の開閉動作させるも
のである。
The driver 68 synchronizes the movement of the Y table 40 and the rotation of the polygon mirror 56, operates the X table 41 in response to a correction drive signal, or expands or contracts the expansion pad 45b, or opens or closes the shutter mechanism 47. It works.

次に上記の如く構成された装置の作用について説明す
る。
Next, the operation of the apparatus configured as described above will be described.

先ず、プレート43に伸び、縮み、歪、曲りなどの変形が
生じていない場合について説明する。
First, a case where the plate 43 is not deformed such as stretched, contracted, distorted, or bent will be described.

アライメント検出系55のアライメント光源56が点灯され
ると、この光源5から放射された光は反射ミラー57,58
で反射し、ハーフミラー59を透過してマスク45及びプレ
ート43に照射される。このプレート43に照射された光は
反射して再びハーフミラー59に戻り、このハーフミラー
59で反射し、スリット60aを通って受光素子60に到達す
る。このときスリット60aは振動しているので、プレー
ト43のアライメントマーク53がマスク45の各アライメン
トマーク54のずれ量を計測することができるので、その
量を補正できる。かくして、マスク45とプレート43との
アライメントがなされる。
When the alignment light source 56 of the alignment detection system 55 is turned on, the light emitted from this light source 5 is reflected by the reflection mirrors 57, 58.
Is reflected on the mask 45 and the plate 43 through the half mirror 59. The light radiated to this plate 43 is reflected and returns to the half mirror 59 again.
It is reflected by 59 and reaches the light receiving element 60 through the slit 60a. At this time, since the slit 60a is vibrating, the amount of deviation of the alignment mark 53 of the plate 43 from each alignment mark 54 of the mask 45 can be measured, and the amount can be corrected. In this way, the mask 45 and the plate 43 are aligned.

アライメントが終了すると、コントローラ67はポリゴン
ミラー65を所定の回転速度で回転させる駆動制御信号を
ドライバ68に送り、これによりポリゴンミラー65は回転
する。これとともにレーザ発振器61はレーザを出力す
る。このレーザは図示しない光学系により平行光に成形
され、次の位相板62により位相がランダムにされる。つ
まりレーザはプレート43に照射されたときに干渉が発生
しないように整形される。位相板62を通過したレーザは
複眼レンズ63を透過することにより均一な光強度を有す
るものとなり、次のコリメータ64を透過することにより
平行ビームに成形される。この平行ビームはポリゴンミ
ラー65に送られ、このポリゴンミラー65によってX方向
に走査される。この走査された平行ビームは集光レンズ
46によりマスク45上でX方向に走査される。平行ビーム
の1走査が終了すると、コントローラ57はYテーブル40
に対して1走査幅だけY方向に移動させる駆動制御信号
を送出する。これにより、Yテーブル40は1走査幅だけ
Y方向に移動する。再び平行ビームはマスク45上のX方
向に走査される。以上の動作が繰り返されてマスク45全
面に平行ビームが走査され、この結果マスク45のパター
ンがプレート43に転写される。
When the alignment is completed, the controller 67 sends a drive control signal for rotating the polygon mirror 65 at a predetermined rotation speed to the driver 68, which causes the polygon mirror 65 to rotate. At the same time, the laser oscillator 61 outputs a laser. This laser is shaped into parallel light by an optical system (not shown), and the phase thereof is randomized by the next phase plate 62. That is, the laser is shaped so that interference does not occur when it is irradiated on the plate 43. The laser having passed through the phase plate 62 has a uniform light intensity by passing through the compound eye lens 63, and is shaped into a parallel beam by passing through the next collimator 64. This parallel beam is sent to the polygon mirror 65 and scanned by the polygon mirror 65 in the X direction. This scanned parallel beam is a condenser lens
The mask 45 scans the mask 45 in the X direction. When one scan of the parallel beam is completed, the controller 57 moves the Y table 40
A drive control signal for moving the scanning direction by one scanning width in the Y direction is transmitted. As a result, the Y table 40 moves in the Y direction by one scanning width. Again, the parallel beam is scanned on the mask 45 in the X direction. By repeating the above operation, the parallel beam is scanned over the entire surface of the mask 45, and as a result, the pattern of the mask 45 is transferred to the plate 43.

次にプレート43に第6図に示すように伸び、縮み、歪、
曲りなどの変形が生じた場合について説明する。
Then, on the plate 43, as shown in FIG.
A case where deformation such as bending occurs will be described.

マスク45及びプレート43にはX方向の両端側にそれぞれ
アライメントマーク54、53が形成されているが、このう
ち片側のアライメントマーク54、53、例えば図面上左側
に示す各アライメントマーク54、53によりアライメント
が行われる。テーブル位置計測系66は例えばレーザ干渉
計を用い、Xテーブル上の基準ミラー80によってレーザ
計測でき、コントローラ67で位置決めできる。このコン
トローラ67はアライメント計測によって算出されたずれ
量に応じた駆動制御信号をX及びYテーブル41,40に送
る。これにより、アライメントマーク53がアランメント
マーク54の中間に配置されて、マスク45とプレート43と
が片側において位置合わせされる。
Alignment marks 54 and 53 are formed on the mask 45 and the plate 43 at both ends in the X direction. Of these, alignment marks 54 and 53 on one side, such as alignment marks 54 and 53 shown on the left side of the drawing, are used for alignment. Is done. The table position measuring system 66 uses, for example, a laser interferometer, laser measurement can be performed by the reference mirror 80 on the X table, and positioning can be performed by the controller 67. The controller 67 sends a drive control signal to the X and Y tables 41, 40 according to the amount of deviation calculated by the alignment measurement. As a result, the alignment mark 53 is arranged in the middle of the alignment mark 54, and the mask 45 and the plate 43 are aligned on one side.

次にアライメント検出系はマスク46とプレート43とにお
ける他方の片面において各アライメントマーク54,53の
位置関係を求める。各アライメントマーク54,53の位置
は第6図に示すようにプレート43が変形しているために
X方向にずれが生じている。テーブル位置計測系66でこ
のずれ、つまりマスク45に対するプレート43の相対的変
形量は計測される。なお、プレート43のX方向の変形量
の測定は、Y方向に沿って逐次行われ、それら変形量の
計測結果は、コントローラ67に格納される。しかして、
この状態にて、上記と同様にポリゴンミラー65が回転す
ると共にレーザ発振器61からレーザが出力される。従っ
て、ポリゴンミラー65により平行ビームが走査され、こ
の平行ビームがマスク45を通ってプレート43に照射され
る。そして、1走査されるごとにYテーブル40がY方向
に1走査幅だけ移動される。
Next, the alignment detection system determines the positional relationship between the alignment marks 54 and 53 on the other surface of the mask 46 and the plate 43. The positions of the alignment marks 54, 53 are displaced in the X direction because the plate 43 is deformed as shown in FIG. The table position measuring system 66 measures this deviation, that is, the relative deformation amount of the plate 43 with respect to the mask 45. The measurement of the deformation amount of the plate 43 in the X direction is sequentially performed along the Y direction, and the measurement result of the deformation amount is stored in the controller 67. Then,
In this state, the polygon mirror 65 rotates in the same manner as described above, and the laser is output from the laser oscillator 61. Therefore, the parallel beam is scanned by the polygon mirror 65, and the parallel beam is irradiated onto the plate 43 through the mask 45. The Y table 40 is moved in the Y direction by one scanning width each time one scanning is performed.

ところで、コントローラ67はプレート43の変形量を記憶
しているので、1走査されるごとにXテーブル40を変形
量に応じた量だけX方向に補正移動する。この補正移動
は平行ビームの1走査と同期して行われる。例えば、プ
レート43が伸びていれば、この伸びの長さ分だけXテー
ブル40が移動する。これは通常のスキャン長よりも長く
スキャンされる。このように1走査ごとにX方向の補正
が行われ、プレート43全面への走査が終了すると、マス
ク45のパターンがプレート43に転写される。
By the way, since the controller 67 stores the deformation amount of the plate 43, the X table 40 is corrected and moved in the X direction by an amount corresponding to the deformation amount for each scanning. This correction movement is performed in synchronization with one scanning of the parallel beam. For example, if the plate 43 extends, the X table 40 moves by the length of this extension. This will be scanned longer than the normal scan length. In this way, the correction in the X direction is performed for each scanning, and when the scanning of the entire surface of the plate 43 is completed, the pattern of the mask 45 is transferred to the plate 43.

次に別の補正技術について説明する。Next, another correction technique will be described.

上記の如くテーブル位置計測系66によりプレート43の変
形量が求められ、この変形量がコントローラ67に送られ
る。この状態に上記と同様にポリゴンミラー65が回転す
ると共にレーザ発振器61からレーザが出力され、このレ
ーザがポリゴンミラー65により平行ビームとして走査さ
れ、この平行ビームがマスク45を通ってプレート43に照
射される。そして、1走査されるごとにYテーブル40が
Y方向に1走査幅だけ移動される。
As described above, the deformation amount of the plate 43 is obtained by the table position measuring system 66, and this deformation amount is sent to the controller 67. In this state, the polygon mirror 65 is rotated in the same manner as above, and a laser is output from the laser oscillator 61. This laser is scanned by the polygon mirror 65 as a parallel beam, and the parallel beam is irradiated onto the plate 43 through the mask 45. It The Y table 40 is moved in the Y direction by one scanning width each time one scanning is performed.

ところで、コントローラ67はプレート43の変形量を記憶
しているので、1走査されるごとに伸縮パッド45bを変
形量に応じた距離だけ極微動させる。この極微動は平行
ビームの1走査と同期して行われる。このように1走査
ごとにX方向の補正が行われ、マスク43全面への走査が
終了すると、マスク45のパターンがプレート43に転写さ
れる。
By the way, since the controller 67 stores the deformation amount of the plate 43, the expansion / contraction pad 45b is finely moved by a distance corresponding to the deformation amount each time one scanning is performed. This fine movement is performed in synchronization with one scanning of the parallel beam. In this way, the correction in the X direction is performed for each scanning, and when the scanning of the entire surface of the mask 43 is completed, the pattern of the mask 45 is transferred to the plate 43.

さらに別の補正技術について説明する。Still another correction technique will be described.

上記の如くテーブル位置計測系66によりプレート43の変
形量が求められ、この変形量がコントローラ67に送られ
る。この状態に上記と同様にポリゴンミラー65が回転す
ると共にレーザ発振器61からレーザが出力され、このレ
ーザがポリゴンミラー65により平行ビームとして走査さ
れ、この平行ビームがマスク45を通ってプレート43に照
射される。そして、1走査されるごとにYテーブル40が
Y方向に1走査幅だけ移動される。
As described above, the deformation amount of the plate 43 is obtained by the table position measuring system 66, and this deformation amount is sent to the controller 67. In this state, the polygon mirror 65 is rotated in the same manner as above, and a laser is output from the laser oscillator 61. This laser is scanned by the polygon mirror 65 as a parallel beam, and the parallel beam is irradiated onto the plate 43 through the mask 45. It The Y table 40 is moved in the Y direction by one scanning width each time one scanning is performed.

ところで、コントローラ67はプレート43の変形量を記憶
しているので、1走査されるごとにシャッタ機構47の各
シャッタ体50,51が1走査に同期して孔52の開度が変形
量に応じて調整される。このように1走査ごとにシャッ
タ機構47の開度が調整されて、マスク45のパターンがプ
レート43に転写される。
By the way, since the controller 67 stores the amount of deformation of the plate 43, each shutter body 50, 51 of the shutter mechanism 47 is synchronized with one scan and the opening degree of the hole 52 corresponds to the amount of deformation every one scan. Be adjusted. In this way, the opening degree of the shutter mechanism 47 is adjusted for each scanning, and the pattern of the mask 45 is transferred to the plate 43.

このように本発明は、プレート43の変形量を検出し、こ
の変形量に基づいてプレート43を載置するXテーブル41
を移動してプレート43の変形を補正するようにしたり、
又変形量に基づいて伸縮パッド45bによりプレート43の
変形を補正したり、さらに変形量に基づいてシャッタ機
構47の開閉を調整してプレート43の変形を補正したりす
るので、プレート43に伸び、縮み、歪、曲りなどの変形
が生じてもマスク45のパターンを正確に転写できる。例
えば、転写パターンの解像度はマスク45とプレート43と
の間隔を20〜50μmとすれば5μm程度にできる。又、
アライメントは0.5μmの分解能が可能となる。一方、
露光時間はプレート43の面積とレジスト感度力によるが
従来のプロキシミティ方式とほぼ同一となる。又、シャ
ッタ機構47の孔52の長手方向の長さを可変すれば、プレ
ート43の大きさに応じた転写ができる。従って、プロキ
シミティ方式の特徴である高スループット、低価格な光
学系を生かし、10μm以下の高解像度で10μm程度のプ
レート歪みを補正できる。
As described above, the present invention detects the amount of deformation of the plate 43 and mounts the plate 43 on the basis of the amount of deformation.
To move the plate 43 to correct the deformation,
Further, since the expansion / contraction pad 45b corrects the deformation of the plate 43 based on the deformation amount, and further the opening / closing of the shutter mechanism 47 is adjusted based on the deformation amount to correct the deformation of the plate 43, the expansion to the plate 43 occurs. The pattern of the mask 45 can be accurately transferred even if deformation such as shrinkage, distortion, and bending occurs. For example, the resolution of the transfer pattern can be about 5 μm if the distance between the mask 45 and the plate 43 is 20 to 50 μm. or,
Alignment enables resolution of 0.5 μm. on the other hand,
Although the exposure time depends on the area of the plate 43 and the resist sensitivity, it is almost the same as that of the conventional proximity method. Also, by varying the length of the hole 52 of the shutter mechanism 47 in the longitudinal direction, transfer can be performed according to the size of the plate 43. Therefore, it is possible to correct the plate distortion of about 10 μm with a high resolution of 10 μm or less by utilizing the high throughput and low cost optical system which is the characteristic of the proximity method.

なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、レ
ーザ光の走査はポリゴンミラーに限らず、音響効果素子
やガルバノミラー等に変更しても良い。又、第7図に示
すように凹面鏡70をマスク45及びプレート43の上方に配
置するとともに、凹面鏡70とマスク45との間にシャッタ
機構47を配置する。露光用光は凹面鏡70を介してマスク
45の全面に照射するように投入し、この状態でシャッタ
機構47を移動させながらシャッタ機構47の孔52の長手方
向の長さをプレート43の変形量に応じて調整する。第8
図はシャッタ機構47の移動及びその孔52の長手方向の長
さを示している。一方、レーザ発振器61に限らず、又ア
ライメント検出系55の構成なども限定されるものでな
い。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may be modified without departing from the spirit of the invention. For example, the scanning of the laser light is not limited to the polygon mirror, and may be changed to an acoustic effect element, a galvano mirror, or the like. Further, as shown in FIG. 7, the concave mirror 70 is arranged above the mask 45 and the plate 43, and the shutter mechanism 47 is arranged between the concave mirror 70 and the mask 45. The exposure light is masked via the concave mirror 70.
The light is thrown so that it irradiates the entire surface of 45, and in this state, the length in the longitudinal direction of the hole 52 of the shutter mechanism 47 is adjusted according to the deformation amount of the plate 43 while moving the shutter mechanism 47. 8th
The figure shows the movement of the shutter mechanism 47 and the length of the hole 52 in the longitudinal direction. On the other hand, the configuration of the alignment detection system 55 is not limited to the laser oscillator 61.

[発明の効果] 以上のように本発明においては、被転写体の変形量に基
づいてXYテーブルを露光用光の走査に同期して駆動し被
転写体の変形量を補正する、被転写体の変形量に基づい
て露光用光の走査に同期してマスク支持手段を伸縮させ
被転写体の変形量を補正する、又は被転写体の変形量に
基づいて露光用光の走査に同期してシャッタ手段の開度
を調節し被転写体の変形量を補正するので、例えば露光
用光の1走査に同期して変形を補正できて被写体の変形
に起因する露光誤差をμmオーダで補正することが可能
となり、被転写体に伸び、歪み、曲り等の変形が生じて
も、被転写体のパターンを正確に転写することができ、
その結果として製品歩留まりが格段に向上し、コスト低
減にも寄与できるプロキシミティ露光装置を提供でき
る。
[Effect of the Invention] As described above, in the present invention, the transfer target is corrected by driving the XY table in synchronization with the scanning of the light for exposure based on the deformation of the transfer target. In accordance with the amount of deformation of the exposure light, the mask support means is expanded and contracted to correct the amount of deformation of the transfer target, or in synchronization with the scanning of the exposure light based on the amount of deformation of the transfer target. Since the opening amount of the shutter means is adjusted to correct the deformation amount of the transferred material, the deformation can be corrected in synchronization with one scanning of the exposure light, and the exposure error due to the deformation of the subject can be corrected in the order of μm. It is possible to accurately transfer the pattern of the transferred material even if the transferred material is deformed such as stretched, distorted or bent.
As a result, it is possible to provide a proximity exposure apparatus that can significantly improve the product yield and contribute to cost reduction.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図乃至第6図は本発明に係わるプロキシミティ露光
装置の一実施例を説明するための図であって、第1図は
構成図、第2図はマスクの周辺部材を示す図、第3図は
シャッタ機構の構成図、第4図はアライメントマークを
示す図、第5図はアライメントマークに対する走査を示
す図、第6図はプレートの伸縮を示す図、第7図及び第
8図は変形例を示す図、第9図乃至第11図は従来技術の
構成図である。 40……Yテーブル、41……Xテーブル、42……Zθ傾斜
テーブル、43……プレート、44……架台系、45……マス
ク、45a……吸着パッド、45b……伸縮パッド、が46……
集光レンズ、47……シャッタ機構、53,54……アライメ
ントマーク、55……アライメント検出系、61……レーザ
発振器、62……位相板、63……複眼レンズ、64……コリ
メータ、65……ポリゴンミラー、66……テーブル位置計
測系、67……コントローラ、68……ドライバ。
1 to 6 are views for explaining one embodiment of a proximity exposure apparatus according to the present invention, wherein FIG. 1 is a configuration diagram, FIG. 2 is a diagram showing peripheral members of a mask, and FIG. 3 is a configuration diagram of a shutter mechanism, FIG. 4 is a diagram showing an alignment mark, FIG. 5 is a diagram showing scanning with respect to the alignment mark, FIG. 6 is a diagram showing expansion and contraction of a plate, and FIGS. FIG. 9 and FIG. 11 which show a modified example are configuration diagrams of a conventional technique. 40 …… Y table, 41 …… X table, 42 …… Zθ tilt table, 43 …… Plate, 44 …… Stand system, 45 …… Mask, 45a …… Suction pad, 45b …… Expansion pad, 46… …
Condenser lens, 47 ... Shutter mechanism, 53, 54 ... Alignment mark, 55 ... Alignment detection system, 61 ... Laser oscillator, 62 ... Phase plate, 63 ... Compound eye lens, 64 ... Collimator, 65 ... … Polygon mirror, 66 …… Table position measurement system, 67 …… Controller, 68 …… Driver.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−158345(JP,A) 特開 昭56−88319(JP,A) 特開 昭55−48489(JP,A) 特開 昭62−122216(JP,A) 特開 昭58−118648(JP,A) 特開 昭63−283022(JP,A) 特開 昭62−69519(JP,A) 特開 昭56−55042(JP,A) 特公 昭51−5539(JP,B1) ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) Reference JP-A-50-158345 (JP, A) JP-A-56-88319 (JP, A) JP-A-55-48489 (JP, A) JP-A-62- 122216 (JP, A) JP 58-118648 (JP, A) JP 63-283022 (JP, A) JP 62-69519 (JP, A) JP 56-55042 (JP, A) Japanese Patent Publication Sho 51-5539 (JP, B1)

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】被転写体を保持するXYテーブルと、 このXYテーブルに保持された前記被転写体に近接して配
置されかつ露光パターンが形成されたマスクを経由して
露光用光を前記被転写体に対してY方向に1走査幅だけ
移動するごとにX方向に1走査することを繰り返して前
記被転写体に走査し、前記露光パターンを前記被転写体
に転写する露光用光走査手段と、 前記被転写体の前記露光用光走査方向の変形量を検出す
る変形量検出手段と、 この変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
形量に基づいて前記XYテーブルを前記露光用光走査手段
によるX方向の1走査に同期して駆動し前記被転写体の
変形量を補正する被転写体変形補正手段と、 を具備したことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
1. An exposure light is passed through an XY table for holding a transfer target and a mask having an exposure pattern formed in proximity to the transfer target held by the XY table. An optical scanning means for exposure that scans the transfer target by repeating one scan in the X direction each time the transfer member moves by one scanning width in the Y direction, and transfers the exposure pattern to the transfer target. A deformation amount detecting means for detecting a deformation amount of the transferred object in the exposure light scanning direction, and the XY table is exposed based on the deformation amount of the transferred object detected by the deformation amount detecting means. A proximity exposure apparatus comprising: a transfer member deformation correction unit that is driven in synchronization with one scanning in the X direction by the optical scanning unit to correct the amount of deformation of the transfer member.
【請求項2】被転写体に近接して配置されかつ露光パタ
ーンが形成されたマスクを経由して露光用光を前記被転
写体に対してY方向に1走査幅だけ移動するごとにX方
向に1走査することを繰り返して前記被転写体に走査
し、前記露光パターンを前記被転写体に転写する露光用
光走査手段と、 前記マスクを伸縮自在に支持するマスク支持手段と、 前記被転写体の前記露光用光走査方向の変形量を検出す
る変形量検出手段と、 この変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
形量に基づいて前記マスク支持手段を前記露光用光走査
手段によるX方向の1走査に同期して伸縮させ前記被転
写体の変形量を補正する被転写体変形補正手段と、 を具備したことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
2. The X-direction is moved every time the exposure light is moved by one scanning width in the Y-direction with respect to the transferred body through a mask which is arranged close to the transferred body and has an exposure pattern formed thereon. An optical scanning unit for exposure that scans the transfer target by repeating one scanning step to transfer the exposure pattern to the transfer target; a mask supporting unit that supports the mask in a stretchable manner; Deformation amount detection means for detecting the deformation amount of the body in the exposure light scanning direction, and the mask support means for exposing light scanning means based on the deformation amount of the transferred body detected by the deformation amount detection means. And a transfer-body-deformation-correction unit that expands and contracts in synchronization with one scan in the X direction to correct the amount of deformation of the transfer-receiving body, the proximity exposure apparatus.
【請求項3】マスク支持手段は、電歪素子又は磁歪素子
であることを特徴とする請求項2記載のプロキシミティ
露光装置。
3. The proximity exposure apparatus according to claim 2, wherein the mask support means is an electrostrictive element or a magnetostrictive element.
【請求項4】被転写体に近接して配置されかつ露光パタ
ーンが形成されたマスクを経由して露光用光を前記被転
写体に対してY方向に1走査幅だけ移動するごとにX方
向に1走査することを繰り返して前記被転写体に走査
し、前記露光パターンを前記被転写体に転写する露光用
光走査手段と、 前記マスクと前記露光用光走査手段との間に設けられ前
記露光用光を開度調節自在に遮光するシャッタ手段と、 前記被転写体の前記露光用光走査方向の変形量を検出す
る変形量検出手段と、 この変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
形量に基づいて前記シャッタ手段の開度を前記露光用光
走査手段によるX方向の1走査に同期して調節し前記被
転写体の変形量を補正する被転写体変形補正手段と、 を具備したことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
4. The X-direction is moved every time the exposure light is moved by one scanning width in the Y-direction with respect to the transferred body via a mask which is arranged close to the transferred body and has an exposure pattern formed thereon. Is provided between the mask and the exposure light scanning unit, and the exposure light scanning unit that scans the transfer target by repeating one scanning step to transfer the exposure pattern to the transfer target. A shutter means for blocking the exposure light so that its opening can be adjusted freely, a deformation amount detecting means for detecting a deformation amount of the transferred object in the exposure light scanning direction, and the transferred object detected by the deformation amount detecting means. A transfer-body-deformation correction unit that adjusts the opening of the shutter unit in synchronization with one scan in the X direction by the exposure light scanning unit based on the deformation amount of the body and corrects the amount of deformation of the transfer-subject; A proxy characterized by having Miti exposure equipment.
【請求項5】被転写体を保持するXYテーブルと、 このXYテーブルに保持された前記被転写体に近接して配
置されかつ露光パターンが形成されたマスクを経由して
露光用光を前記被転写体に対してY方向に1走査幅だけ
移動するごとにX方向に1走査することを繰り返して前
記被転写体に走査し、前記露光パターンを前記被転写体
に転写する露光用光走査手段と、 前記マスクを伸縮自在に支持するマスク支持手段と、 前記マスクと前記露光用光走査手段との間に設けられ前
記露光用光を開度調節自在に遮光するシャッタ手段と、 前記被転写体の前記露光用光走査方向の変形量を検出す
る変形量検出手段と、 この変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
形量に基づいて前記XYテーブルを前記露光用光走査手段
によるX方向の1走査に同期して駆動し前記被転写体の
変形量を補正する第1の被転写体変形補正手段と、 前記変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
形量に基づいて前記マスク支持手段を前記露光用光走査
手段によるX方向の1走査に同期して伸縮させ前記被転
写体の変形量を補正する第2の被転写体変形補正手段
と、 前記変形量検出手段により検出された前記被転写体の変
形量に基づいて前記シャッタ手段の開度を前記露光用光
走査手段によるX方向の1走査に同期して調節し前記被
転写体の変形量を補正する第3の被転写体変形補正手段
と、 を具備したことを特徴とするプロキシミティ露光装置。
5. An exposure light is passed through an XY table holding a transfer target and a mask having an exposure pattern formed in proximity to the transfer target held by the XY table. An optical scanning means for exposure that scans the transfer target by repeating one scan in the X direction each time the transfer member moves by one scanning width in the Y direction, and transfers the exposure pattern to the transfer target. A mask supporting unit that supports the mask in a stretchable manner; a shutter unit that is provided between the mask and the exposure light scanning unit and that shields the exposure light with an adjustable opening. Of deformation amount detecting means for detecting the deformation amount of the exposure light scanning direction, and the XY table is moved by the exposure light scanning means based on the deformation amount of the transferred body detected by the deformation amount detecting means. In one scan of direction A first transfer-body-deformation correction unit that drives the transfer-target member in time to correct the deformation amount of the transfer-target member; and the mask support unit based on the deformation amount of the transfer-target member detected by the deformation amount detection unit. Second transferred member deformation correction means for expanding and contracting in synchronization with one scanning in the X direction by the exposure light scanning means to correct the amount of deformation of the transferred material, and the transferred material detected by the deformation amount detecting means. Third transfer-body-deformation correction for correcting the amount of deformation of the transferred body by adjusting the opening degree of the shutter means in synchronization with one scan in the X direction by the exposure light scanning means based on the amount of deformation of the body. A proximity exposure apparatus comprising:
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