JPH069771A - ポリカーボネート粉粒体の残留溶媒の除去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 良溶媒や非溶媒が残留するポリカーボネート
粉粒体から良溶媒や非溶媒を効率よく除去し、嵩比重の
大きいポリカーボネート粉粒体を得る方法を提供する。 【構成】 良溶媒及び／又は非溶媒が残留するポリカー
ボネート粉粒体に特定量の貧溶媒ガスを接触させた後良
溶媒、非溶媒及び貧溶媒の沸点以上の温度で熱処理する
ポリカーボネート粉粒体の残留溶媒の除去方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ポリカーボネート粉粒
体に残留する良溶媒や非溶媒の除去方法に関する。更に
詳しくは、良溶媒や非溶媒が残留するポリカーボネート
粉粒体から良溶媒や非溶媒を効率よく除去し、嵩比重の
大きいポリカーボネート粉粒体を得る方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリカーボネートは、通常二価フェノー
ルのアルカリ水溶液とホスゲンを、有機溶媒の存在下反
応させるいわゆる溶液法により製造され、得られるポリ
カーボネートの有機溶媒溶液から有機溶媒を除去し、乾
燥工程を経て粉粒体として得られる。この粉粒体には有
機溶媒が相当量残留し、この残留有機溶媒は通常の乾燥
では充分に除去することは困難である。

【０００３】残留有機溶媒量の少ないポリカーボネート
粉粒体の製造法として、反応により得られるポリカーボ
ネートの有機溶媒溶液、又は有機溶媒が残留するポリカ
ーボネート粉粒体のスラリーに非溶媒を添加処理する方
法が提案されている。しかしながら、かかる方法で得ら
れるポリカーボネート粉粒体は、膨潤したり結晶化し易
く、乾燥方式によっては乾燥時に微粉が発生して取扱性
が悪化する。また、非溶媒処理する方法で得られるポリ
カーボネート粉粒体には、反応に用いた有機溶媒は充分
に除去されるものの非溶媒が多量残留し、この残留非溶
媒は通常の乾燥では充分に除去することは困難である。
非溶媒が多量残留すると、押出成形時のベントアップ、
メタライジング時の作業効率の低下、乾燥時の安全性の
悪化等の問題が生じる。

【０００４】乾燥効率をあげようとして粉粒体を多孔質
にしたのでは、嵩比重が小さくなって取扱性や成形時の
安定性が悪化するようになる。また、更に乾燥効率をあ
げるために多孔質の粉粒体を粉砕して粒度を細かくする
と、取扱性、発塵による衛生性、成形時の安定性のいず
れも悪化するようになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、良溶
媒や非溶媒が残留するポリカーボネート粉粒体から良溶
媒や非溶媒を効率よく除去し、嵩比重の大きいポリカー
ボネート粉粒体を得る方法を提供することである。

【０００６】本発明者は、上記目的を達成せんとして鋭
意検討した結果、良溶媒や非溶媒が残留するポリカーボ
ネート粉粒体に貧溶媒のガスを接触させた後熱処理すれ
ば、良溶媒や非溶媒を効率よく除去することができ、得
られるポリカーボネート粉粒体の嵩比重も大きいことを
見出し、本発明を完成した。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、良溶媒及び／
又は非溶媒が残留するポリカーボネート粉粒体１００重
量部に５重量部以上の貧溶媒ガスを接触させた後良溶
媒、非溶媒及び貧溶媒の沸点以上の温度で熱処理するこ
とを特徴とするポリカーボネート粉粒体の残留溶媒の除
去方法である。

【０００８】本発明でいうポリカーボネートは、二価フ
ェノールとカーボネート前駆体とを反応させて得られる
ポリカーボネートである。ここで使用する二価フェノー
ルは下記一般式

【０００９】

【化１】

【００１０】［式中、Ｒは炭素数１〜１５の二価の脂肪
族基、脂環族基、フェニル置換脂肪族基、−Ｏ−、−Ｓ
−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −又は−ＣＯ−であり、Ｘはア
ルキル基又はハロゲン原子であり、ｍ及びｎは０、１又
は２である。］で表されるものであり、特に２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン［通称ビスフェ
ノールＡ］が好ましく使用され、その他の二価フェノー
ルとしては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタ
ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
キサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル等、
更には２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパンの如きハロゲン化ビスフェノール
類等があげられる。これらは単独で使用しても又は二種
以上併用してもよい。カーボネート前駆体としてはカル
ボニルハライド、カルボニルエステル、ハロホルメート
等があげられ、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボ
ネート、二価フェノールのジハロホルメート等があげら
れる。また、例えば三官能以上の多官能性芳香族化合物
を二価フェノール及びカーボネート前駆体と反応させた
分岐ポリカーボネートであってもよく、二種以上のポリ
カーボネートの混合物であってもよい。ポリカーボネー
トの重合度については特に制限する必要はなく、通常粘
度平均分子量で表して１３０００〜２０００００のもの
である。

【００１１】また、本発明でいう良溶媒、非溶媒及び貧
溶媒は、W.F.CHRISTOPHER,D.W.FOX著「ポリカーボネー
ト」、１９６２年、３２〜３３頁の表３−１における分
類中の“Good Solvents ”及び“Fair Solvents ”に該
当する溶媒が良溶媒であり、“Poor Solvents ”、“Ve
ry Poor Solvents”及び“Weak Precipitants ”に該当
する溶媒が貧溶媒であり、“Nonsolvents ”に該当する
溶媒が非溶媒である。良溶媒の代表的な例としては四塩
化エタン、１，１，２−三塩化エタン、１，２−二塩化
エタン、塩化メチレン等があげられ、貧溶媒の代表的な
例としてはベンゼン、トルエン、アセトン等があげら
れ、非溶媒の代表的な例としてはヘキサン、ヘプタン等
があげられる。本発明ではかかる貧溶媒を単独で使用し
ても又は二種以上併用してもよい。

【００１２】本発明で対象にする上記ポリカーボネート
の粉粒体は、任意の方法で製造されたものであってもよ
いが、良溶媒や非溶媒が残留しているものである。良溶
媒や非溶媒の残留量は特に制限する必要はないが、通常
０．０００５重量％以上であり、２．５重量％程度以下
が好ましい。ポリカーボネート粉粒体の水分含有量は通
常１重量％以下である。また、ポリカーボネート粉粒体
の形状は任意であり、その大きさも通常粉粒体と言われ
る程度の大きさであれば何等制限する必要はない。

【００１３】かかるポリカーボネート粉粒体に接触させ
る貧溶媒ガスの量は、ポリカーボネート粉粒体１００重
量部に対して５重量部以上である。５重量部に達しない
量では良溶媒や非溶媒を充分に除去し得ない。この貧溶
媒ガスの量を多くしても差支えないが、５００重量部以
上になると溶媒の除去効果が飽和するようになる。貧溶
媒ガスの濃度は特に制限する必要はなく、安全性や効率
等を勘案して適宜選択すればよい。通常５０〜１００重
量％の範囲で使用される。

【００１４】ポリカーボネート粉粒体に貧溶媒ガスを接
触させるには、ポリカーボネート粉粒体に貧溶媒ガスが
均一に接触し、貧溶媒ガスが凝縮しない方法であればよ
く、例えば貧溶媒の沸点以上の温度に保持した充填塔内
のポリカーボネート粉粒体に貧溶媒ガスを供給する方
法、貧溶媒の沸点以上の温度に保持したポリカーボネー
ト粉粒体をパドルドライヤーやナウターミキサー等によ
り攪拌しながら貧溶媒ガスを供給する方法等が好まし
い。貧溶媒ガスの温度、供給速度、接触雰囲気の圧力
（減圧、常圧、加圧）、接触時間等の接触条件は特に制
限する必要はないが、３分以上接触させるのが好まし
く、５分以上接触させるのが特に好ましい。

【００１５】貧溶媒ガスの接触後行う熱処理には任意の
装置が使用される。例えば流動乾燥機、パドル式乾燥
機、熱風乾燥機等があげられるが、防爆型仕様のものが
好ましい。処理温度は良溶媒、非溶媒、貧溶媒の最も高
い沸点以上の温度でであり、通常１２０〜１５０℃程度
が好ましい。熱処理時間は特に制限する必要はないが、
通常２０分以上であり、４０分〜８時間程度が好まし
い。

【００１６】

【実施例】以下に実施例をあげて更に説明する。なお、
実施例中における部及び％は重量部及び重量％であり、
n-ヘプタン及びアセトンの定量は、ガスクロマトグラフ
ィー［（株）日立製作所製２６３型］により、カラム充
填剤にジオクチルセバケートを使用し、n-ヘプタンは２
５０℃、アセトンは１５０℃でヘッドスペース法で測定
した。塩素含有量は全有機ハロゲン分析装置［三菱化成
（株）製 TOX］により分析した。

【００１７】

【実施例１】 (A) ビスフェノールＡとホスゲンから得た粘度平均分子
量２３５００のポリカーボネートの１５％塩化メチレン
溶液をニーダーに投入して塩化メチレンを除去した後粗
粉砕し、次いで目開き４mmのスクリーン付ハンマーミル
により粉砕した後水を添加して、ポリカーボネート粉粒
体濃度２５％、液温３５℃のスラリーを得た。

【００１８】(B) このスラリーにn-ヘプタンをポリカー
ボネート１００部に対して２０部添加混合した後遠心分
離機により脱水し、次いで防爆型熱風循環乾燥機により
１４５℃で２時間乾燥してn-ヘプタン残留量１０１００
ppm 、塩素残留量５００ppmのポリカーボネート粉粒体
を得た。

【００１９】(C) このポリカーボネート粉粒体１００部
を、上部にベント口、底部にガス吹込口を有する二軸型
ジャケット付混練機に仕込み、昇温してポリカーボネー
ト粉粒体の温度が８０℃に達した時点でガス吹込口から
濃度１００％、温度８０℃のアセトンガスを５部／分の
速度で供給すると同時にベント口から脱気した。アセト
ンガスの供給量が３００部に達した時点でアセトンガス
の供給を止め、次いで防爆型熱風循環乾燥機により１４
５℃で８時間熱処理した。熱処理後のポリカーボネート
粉粒体の平均粒径、嵩比重、残留溶媒量を表１に示し
た。

【００２０】

【実施例２】実施例１(A) で得たスラリーＡを遠心分離
機により脱水し、流動乾燥機により１４０℃で８時間乾
燥してn-ヘプタン残留量０ppm 、塩素残留量２５０ppm
のポリカーボネート粉粒体を得た。

【００２１】このポリカーボネート粉粒体１００部を、
実施例１で使用した二軸型ジャケット付混練機に仕込
み、ポリカーボネート粉粒体の温度が８０℃に達した時
点でガス吹込口から濃度１００％、温度８０℃のアセト
ンガスを５部／分の速度で供給すると同時にベント口か
ら脱気した。アセトンガスの供給量が１００部に達した
時点でアセトンガスの供給を止め、次いで防爆型熱風循
環乾燥機により１４５℃で８時間熱処理した。熱処理後
のポリカーボネート粉粒体の平均粒径、嵩比重、残留溶
媒量を表１に示した。

【００２２】

【実施例３】実施例１(B) で得たn-ヘプタン残留量１０
１００ppm 、塩素残留量５００ppmのポリカーボネート
粉粒体１００部を、上部にベント口、底部にガス吹込口
を有するジャケット付充填塔に仕込み、昇温してポリカ
ーボネート粉粒体の温度が８０℃に達した時点でガス吹
込口から濃度１００％、温度８０℃のアセトンガスを２
部／分の速度で供給すると同時にベント口から脱気し、
アセトンガスの供給量が２０部に達した時点でアセトン
ガスの供給を止め、次いで防爆型熱風循環乾燥機により
１４５℃で８時間熱処理した。熱処理後のポリカーボネ
ート粉粒体の平均粒径、嵩比重、残留溶媒量を表１に示
した。

【００２３】

【比較例１】実施例１(B) で得たn-ヘプタン残留量１０
１００ppm 、塩素残留量５００ppmのポリカーボネート
粉粒体を、防爆型熱風循環乾燥機により１４５℃で８時
間乾燥した。乾燥後のポリカーボネート粉粒体の平均粒
径、嵩比重、残留溶媒量を表１に示した。

【００２４】

【表１】

【００２５】

【発明の効果】本発明によれば、良溶媒や非溶媒が残留
するポリカーボネート粉粒体から、極めて簡単な処理に
より効率よく良溶媒や非溶媒を除去することができ、し
かも得られるポリカーボネート粉粒体は嵩比重の大きい
取扱い易いものであり、その奏する工業的効果は格別な
ものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北地 敏範 東京都港区西新橋１丁目６番21号 帝人化 成株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 良溶媒及び／又は非溶媒が残留するポリ
   カーボネート粉粒体１００重量部に５重量部以上の貧溶
   媒ガスを接触させた後良溶媒、非溶媒及び貧溶媒の沸点
   以上の温度で熱処理することを特徴とするポリカーボネ
   ート粉粒体の残留溶媒の除去方法。