JPH0697702A - ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタ - Google Patents
ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタInfo
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- JPH0697702A JPH0697702A JP24356592A JP24356592A JPH0697702A JP H0697702 A JPH0697702 A JP H0697702A JP 24356592 A JP24356592 A JP 24356592A JP 24356592 A JP24356592 A JP 24356592A JP H0697702 A JPH0697702 A JP H0697702A
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- conductor
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- dielectric
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 加工が容易で量産性に優れたストリップ線路
フィルタを得る。 【構成】 ２枚の誘電体基板１ａ，１ｂと、２枚の誘電
体基板１ａ，１ｂのそれぞれ一方の面に形成された外導
体５ａ，５ｂと、誘電体基板１ａ，１ｂのうち少なくと
も１枚の他方の面に相互に略平行に形成され、一端が上
記外導体１ａ，１ｂに接続されて短絡部を形成する複数
の内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂとを備え、上記外導
体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重
ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上記内
導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から所定距
離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接続導体１２
ａ，１２ｂを設ける。
フィルタを得る。 【構成】 ２枚の誘電体基板１ａ，１ｂと、２枚の誘電
体基板１ａ，１ｂのそれぞれ一方の面に形成された外導
体５ａ，５ｂと、誘電体基板１ａ，１ｂのうち少なくと
も１枚の他方の面に相互に略平行に形成され、一端が上
記外導体１ａ，１ｂに接続されて短絡部を形成する複数
の内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂとを備え、上記外導
体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重
ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上記内
導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部から所定距
離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接続導体１２
ａ，１２ｂを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主としてＶＨＦ帯、
ＵＨＦ帯、およびマイクロ波帯で用いられるストリップ
線路フィルタおよびマイクロストリップ線路フィルタに
関するものである。
ＵＨＦ帯、およびマイクロ波帯で用いられるストリップ
線路フィルタおよびマイクロストリップ線路フィルタに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１６は、特公平２−１１１６３号公報
に示された従来のストリップ線路フィルタを示す概略構
造図であり、図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、２
ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着し
て形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面
全体に導体膜を密着して形成された外導体、５ｂは誘電
体基板１ｂの片面に導体膜を密着して形成された外導
体、６〜８は誘電体基板１ａ，１ｂと内導体２ａ〜４ａ
と、外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路共振
器、９ａは内導体２ａと３ａ，３ａと４ａ間の中央部の
誘電体基板１ａを堀込んで設けられた結合量調整用の
溝、９ｂは内導体２ｂと３ｂ，３ｂと４ｂ間の中央部の
誘電体基板１ｂを堀込んで設けられた結合量調整用の
溝、１０と１１はそれらの内導体がそれぞれ内導体２ａ
と４ａの側面に直接接続された入出力用線路である。誘
電体基板１ａと１ｂは、溝９ａと９ｂが対向して重なる
ように重ね合わされ接着されている。内導体２ａ〜４ａ
はそれぞれが約１／４波長に設定されており、一端が誘
電体基板１ａ，１ｂの側面において５ａ，５ｂと接続さ
れ短絡されている。このため、共振器６〜８は一端短絡
の１／４波長共振器となっている。誘電体基板１ａは内
導体２ａの長手方向が誘電体基板１ｂより長く設定され
ており、これら誘電体基板１ａと１ｂを共振器６〜８の
短絡端側が揃うように配置することにより、内導体２ａ
〜４ａの開放端側が露出している。
に示された従来のストリップ線路フィルタを示す概略構
造図であり、図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、２
ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着し
て形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面
全体に導体膜を密着して形成された外導体、５ｂは誘電
体基板１ｂの片面に導体膜を密着して形成された外導
体、６〜８は誘電体基板１ａ，１ｂと内導体２ａ〜４ａ
と、外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路共振
器、９ａは内導体２ａと３ａ，３ａと４ａ間の中央部の
誘電体基板１ａを堀込んで設けられた結合量調整用の
溝、９ｂは内導体２ｂと３ｂ，３ｂと４ｂ間の中央部の
誘電体基板１ｂを堀込んで設けられた結合量調整用の
溝、１０と１１はそれらの内導体がそれぞれ内導体２ａ
と４ａの側面に直接接続された入出力用線路である。誘
電体基板１ａと１ｂは、溝９ａと９ｂが対向して重なる
ように重ね合わされ接着されている。内導体２ａ〜４ａ
はそれぞれが約１／４波長に設定されており、一端が誘
電体基板１ａ，１ｂの側面において５ａ，５ｂと接続さ
れ短絡されている。このため、共振器６〜８は一端短絡
の１／４波長共振器となっている。誘電体基板１ａは内
導体２ａの長手方向が誘電体基板１ｂより長く設定され
ており、これら誘電体基板１ａと１ｂを共振器６〜８の
短絡端側が揃うように配置することにより、内導体２ａ
〜４ａの開放端側が露出している。
【０００３】次に動作について説明する。共振器６〜８
は溝９ａ，９ｂの効果により隣接するもの相互が磁界結
合されており、その結合量は溝９ａ，９ｂの深さや隣接
する内導体間の距離によって調整される。また、入出力
の結合量は入出力線路１０および１１の内導体と内導体
２ａおよび４ａとの接続位置を変化させて調整される。
は溝９ａ，９ｂの効果により隣接するもの相互が磁界結
合されており、その結合量は溝９ａ，９ｂの深さや隣接
する内導体間の距離によって調整される。また、入出力
の結合量は入出力線路１０および１１の内導体と内導体
２ａおよび４ａとの接続位置を変化させて調整される。
【０００４】今、内導体２ａ〜４ａの開放端側の露出部
をトリミングしてこれら内導体の長さを調整すること
で、全ての共振器６〜８が同一の周波数、例えばｆ0 で
共振しているものとすれば、その周波数ｆ0 では、共振
状態にある共振器６〜８は相互に強く結合しており、入
出力線路１０への入射は共振器６へ導かれ、共振器７，
８を通って入出力線路１１より出力される。しかしなが
ら、ｆ0 以外の周波数では、共振器６〜８相互の結合は
非常に弱く、入出力線路１０あるいは１１への入射波は
その電力のほとんどが反射される。このように、図３に
示したストリップ線路フィルタは帯域通過形フィルタと
しての機能を有する。
をトリミングしてこれら内導体の長さを調整すること
で、全ての共振器６〜８が同一の周波数、例えばｆ0 で
共振しているものとすれば、その周波数ｆ0 では、共振
状態にある共振器６〜８は相互に強く結合しており、入
出力線路１０への入射は共振器６へ導かれ、共振器７，
８を通って入出力線路１１より出力される。しかしなが
ら、ｆ0 以外の周波数では、共振器６〜８相互の結合は
非常に弱く、入出力線路１０あるいは１１への入射波は
その電力のほとんどが反射される。このように、図３に
示したストリップ線路フィルタは帯域通過形フィルタと
しての機能を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のストリップ線路
フィルタは以上のように構成されているので、共振器６
と共振器７および共振器７と共振器８の間の結合を得る
ために、誘電体基板上に溝９ａ，９ｂを機械加工により
設ける必要があるため、加工が複雑になり、量産に不向
きであるという問題があった。
フィルタは以上のように構成されているので、共振器６
と共振器７および共振器７と共振器８の間の結合を得る
ために、誘電体基板上に溝９ａ，９ｂを機械加工により
設ける必要があるため、加工が複雑になり、量産に不向
きであるという問題があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、加工が容易で、量産性に優れた
ストリップ線路フィルタを得ることを目的とする。
ためになされたもので、加工が容易で、量産性に優れた
ストリップ線路フィルタを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、２枚
の誘電体基板と、上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方
の面に形成された外導体と、上記誘電体基板のうち少な
くとも１枚の他方の面に相互に略平行に形成され、一端
が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導
体とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導体、誘電体
基板、外導体の順で重ねられてなるストリップ線路フィ
ルタにおいて、上記内導体のうち、隣接する内導体を、
上記短絡部から所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接
続する接続導体を設けたものである。
の誘電体基板と、上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方
の面に形成された外導体と、上記誘電体基板のうち少な
くとも１枚の他方の面に相互に略平行に形成され、一端
が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導
体とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導体、誘電体
基板、外導体の順で重ねられてなるストリップ線路フィ
ルタにおいて、上記内導体のうち、隣接する内導体を、
上記短絡部から所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接
続する接続導体を設けたものである。
【０００８】請求項２の発明は、２枚の誘電体基板と、
上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面に形成された
外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方
の面に相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順
で重ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部からそ
れぞれ異なる所定距離だけ離れた位置で相互に接続する
接続導体を設けたものである。
上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面に形成された
外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方
の面に相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順
で重ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部からそ
れぞれ異なる所定距離だけ離れた位置で相互に接続する
接続導体を設けたものである。
【０００９】請求項３の発明は、２枚の誘電体基板と、
上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面に形成された
外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方
の面に相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順
で重ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部からそ
れぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導
体を設け、さらに上記接続導体が、接続導体上に短絡部
を持つ内導体を有するものである。
上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面に形成された
外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方
の面に相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順
で重ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部からそ
れぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導
体を設け、さらに上記接続導体が、接続導体上に短絡部
を持つ内導体を有するものである。
【００１０】請求項４の発明は、２枚の誘電体基板と、
上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面に形成された
外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方
の面に相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順
で重ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部からそ
れぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に接続する所定の
形状の接続導体を設けたものである。
上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面に形成された
外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方
の面に相互に略平行に形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順
で重ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上
記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡部からそ
れぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に接続する所定の
形状の接続導体を設けたものである。
【００１１】請求項５の発明は、２枚の誘電体基板と、
上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面に形成された
外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方
の面に一端を共通として放射状に形成され、上記一端が
上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体
とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基
板、外導体の順で重ねられて形成され、請求項１〜４の
いずれか１項に記載の接続導体が設けたられたものであ
る。
上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面に形成された
外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方
の面に一端を共通として放射状に形成され、上記一端が
上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体
とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導体、誘電体基
板、外導体の順で重ねられて形成され、請求項１〜４の
いずれか１項に記載の接続導体が設けたられたものであ
る。
【００１２】請求項６の発明は、誘電体基板と、上記誘
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電
体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線
路の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部から所定距離だけ離れた同じ位置で
相互に接続する接続導体を設けたものである。
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電
体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線
路の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部から所定距離だけ離れた同じ位置で
相互に接続する接続導体を設けたものである。
【００１３】請求項７の発明は、誘電体基板と、上記誘
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電
体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線
路の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部からそれぞれ異なる所定距離だけ離
れた位置で相互に接続する接続導体を設けたものであ
る。
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電
体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線
路の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部からそれぞれ異なる所定距離だけ離
れた位置で相互に接続する接続導体を設けたものであ
る。
【００１４】請求項８の発明は、誘電体基板と、上記誘
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電
体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線
路の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距離だけ離れた位
置で相互に接続する接続導体を設け、さらに上記接続導
体が、接続導体上に短絡部を持つ内導体を有するもので
ある。
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電
体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線
路の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距離だけ離れた位
置で相互に接続する接続導体を設け、さらに上記接続導
体が、接続導体上に短絡部を持つ内導体を有するもので
ある。
【００１５】請求項９の発明は、誘電体基板と、上記誘
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電
体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線
路の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距離だけ離れた位
置で相互に接続する所定の形状の接続導体を設けたもの
である。
電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体
基板の他方の面に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記誘電
体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリップ線
路の共振器が形成され、上記内導体のうち、隣接する内
導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距離だけ離れた位
置で相互に接続する所定の形状の接続導体を設けたもの
である。
【００１６】請求項１０の発明は、誘電体基板と、上記
誘電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電
体基板の他方の面に一端を共通として放射状に形成さ
れ、上記一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成す
る複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と外
導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成さ
れ、請求項６〜９のいずれか１項に記載の接続導体が設
けられたものである。
誘電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電
体基板の他方の面に一端を共通として放射状に形成さ
れ、上記一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成す
る複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と外
導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成さ
れ、請求項６〜９のいずれか１項に記載の接続導体が設
けられたものである。
【００１７】請求項１１の発明は、円筒形に形成した誘
電体基板と、上記誘電体基板の一方の面に形成された外
導体と、上記誘電体基板の他方の面に相互に略平行に形
成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成す
る複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と外
導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成さ
れ、請求項６〜９のいずれか１項に記載の接続導体が設
けられたものである。
電体基板と、上記誘電体基板の一方の面に形成された外
導体と、上記誘電体基板の他方の面に相互に略平行に形
成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成す
る複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と外
導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成さ
れ、請求項６〜９のいずれか１項に記載の接続導体が設
けられたものである。
【００１８】請求項１２の発明は、２枚の誘電体基板
と、上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面の側に設
けられた外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１
枚の他方の面に、上記誘電体基板と異なる誘電率の誘電
体層を介して形成され、一端が上記外導体に接続されて
短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記外導体、
誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねら
れてなるものである。
と、上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面の側に設
けられた外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１
枚の他方の面に、上記誘電体基板と異なる誘電率の誘電
体層を介して形成され、一端が上記外導体に接続されて
短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記外導体、
誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねら
れてなるものである。
【００１９】請求項１３の発明は、誘電体基板と、上記
誘電体基板の一方の面の側に設けられた外導体と、上記
誘電体基板の他方の面に、上記誘電体基板と異なる誘電
率の誘電体層を介して形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリッ
プ線路の共振器が形成されたものである。
誘電体基板の一方の面の側に設けられた外導体と、上記
誘電体基板の他方の面に、上記誘電体基板と異なる誘電
率の誘電体層を介して形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリッ
プ線路の共振器が形成されたものである。
【００２０】請求項１４の発明は、円筒形に形成した誘
電体基板と、上記誘電体基板の一方の面の側に設けられ
た外導体と、上記誘電体基板の他方の面に、上記誘電体
基板と異なる誘電率の誘電体層を介して形成され、一端
が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導
体とを備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んで
マイクロストリップ線路の共振器が形成されたものであ
る。
電体基板と、上記誘電体基板の一方の面の側に設けられ
た外導体と、上記誘電体基板の他方の面に、上記誘電体
基板と異なる誘電率の誘電体層を介して形成され、一端
が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導
体とを備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んで
マイクロストリップ線路の共振器が形成されたものであ
る。
【００２１】
【作用】請求項１の発明においては、外導体、誘電体基
板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなる
ストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のうち、
隣接する内導体を、上記短絡部から所定距離だけ離れた
同じ位置で相互に接続する接続導体を設けたので、この
接続導体を介して隣接共振器間の結合が得られる。この
ため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加工等によ
り設けることが不要になる。
板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなる
ストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のうち、
隣接する内導体を、上記短絡部から所定距離だけ離れた
同じ位置で相互に接続する接続導体を設けたので、この
接続導体を介して隣接共振器間の結合が得られる。この
ため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加工等によ
り設けることが不要になる。
【００２２】請求項２の発明においては、外導体、誘電
体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられて
なるストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設けたの
で、この接続導体を介して隣接共振器間の結合が得られ
る。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加
工等により設けることが不要になる。また、所望の結合
量を、狭い共振器間隔において得ることができるのでフ
ィルタを小形化できる。
体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられて
なるストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設けたの
で、この接続導体を介して隣接共振器間の結合が得られ
る。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加
工等により設けることが不要になる。また、所望の結合
量を、狭い共振器間隔において得ることができるのでフ
ィルタを小形化できる。
【００２３】請求項３の発明においては、外導体、誘電
体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられて
なるストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さ
らに上記接続導体上に短絡部を持つ内導体を設けたの
で、この接続導体を介して隣接共振器間の結合が得られ
る。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加
工等により設けることが不要になる。また、上記接続導
体に設けられた内導体により、所望の周波数以外の周波
数での結合を抑えることができる。
体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられて
なるストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さ
らに上記接続導体上に短絡部を持つ内導体を設けたの
で、この接続導体を介して隣接共振器間の結合が得られ
る。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加
工等により設けることが不要になる。また、上記接続導
体に設けられた内導体により、所望の周波数以外の周波
数での結合を抑えることができる。
【００２４】請求項４の発明においては、外導体、誘電
体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられて
なるストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さ
らに上記接続導体として所望の特性に応じて変形した所
定の形状のものを用いたので、この接続導体を介して隣
接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体基板に
結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不要
になる。また、上記接続導体の形状を調整することで、
共振器の配置を変えることなく所望の特性を得ることが
できる。また、所望の結合量を、狭い共振器間隔におい
て得ることができるのでフィルタを小形化できる。
体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられて
なるストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のう
ち、隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さ
らに上記接続導体として所望の特性に応じて変形した所
定の形状のものを用いたので、この接続導体を介して隣
接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体基板に
結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不要
になる。また、上記接続導体の形状を調整することで、
共振器の配置を変えることなく所望の特性を得ることが
できる。また、所望の結合量を、狭い共振器間隔におい
て得ることができるのでフィルタを小形化できる。
【００２５】請求項５の発明においては、２枚の誘電体
基板と、上記２枚の誘電体基板それぞれ一方の面に形成
された外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚
の他方の面に放射状に形成され、一端が上記外導体に接
続され短絡部を形成する複数の内導体を備え、上記外導
体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重
ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上記内
導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部から、所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設けたの
で、この接続導体を介して隣接共振器間の結合が得られ
る。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加
工等により設けることが不要になる。また、短絡部を共
有することでフィルタを小形化できる。
基板と、上記２枚の誘電体基板それぞれ一方の面に形成
された外導体と、上記誘電体基板のうち少なくとも１枚
の他方の面に放射状に形成され、一端が上記外導体に接
続され短絡部を形成する複数の内導体を備え、上記外導
体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重
ねられてなるストリップ線路フィルタにおいて、上記内
導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部から、所定距
離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設けたの
で、この接続導体を介して隣接共振器間の結合が得られ
る。このため、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加
工等により設けることが不要になる。また、短絡部を共
有することでフィルタを小形化できる。
【００２６】請求項６の発明においては、誘電体基板
と、上記内導体と上記外導体を備えたマイクロストリッ
プ線路の共振器を形成するストリップ線路フィルタにお
いて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部
から、所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接
続導体を設けたので、この接続導体を介して隣接共振器
間の結合が得られる。このため、誘電体基板に結合量調
整用の溝を機械加工等により設けることが不要になる。
さらに、上記接続導体が露出しているため、上記接続導
体の位置や幅を変化させて、結合量を容易に調整でき
る。
と、上記内導体と上記外導体を備えたマイクロストリッ
プ線路の共振器を形成するストリップ線路フィルタにお
いて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部
から、所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接
続導体を設けたので、この接続導体を介して隣接共振器
間の結合が得られる。このため、誘電体基板に結合量調
整用の溝を機械加工等により設けることが不要になる。
さらに、上記接続導体が露出しているため、上記接続導
体の位置や幅を変化させて、結合量を容易に調整でき
る。
【００２７】請求項７の発明においては、誘電体基板
と、上記内導体と上記外導体を備えたマイクロストリッ
プ線路の共振器を形成するストリップ線路フィルタにお
いて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部
から、それぞれ所定距離だけ離れた異なる位置で相互に
接続する接続導体を設けたので、この接続導体を介して
隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体基板
に結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不
要になる。さらに、上記接続導体が露出しているため、
上記接続導体の位置や幅を変化させて、結合量を容易に
調整できる。また、上記接続導体の形状を調整すること
で、共振器の配置を変えることなく所望の特性を得るこ
とができる。また、所望の結合量を狭い共振器間におい
て得ることができるのでフィルタを小形化できる。
と、上記内導体と上記外導体を備えたマイクロストリッ
プ線路の共振器を形成するストリップ線路フィルタにお
いて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部
から、それぞれ所定距離だけ離れた異なる位置で相互に
接続する接続導体を設けたので、この接続導体を介して
隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体基板
に結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不
要になる。さらに、上記接続導体が露出しているため、
上記接続導体の位置や幅を変化させて、結合量を容易に
調整できる。また、上記接続導体の形状を調整すること
で、共振器の配置を変えることなく所望の特性を得るこ
とができる。また、所望の結合量を狭い共振器間におい
て得ることができるのでフィルタを小形化できる。
【００２８】請求項８の発明においては、誘電体基板
と、上記内導体と上記外導体を備えたマイクロストリッ
プ線路の共振器を形成するストリップ線路フィルタにお
いて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部
から、それぞれ所定距離だけ離れた異なる位置で相互に
接続する接続導体を設け、さらに上記接続導体上に短絡
部を持つ内導体を設けたので、この接続導体を介して隣
接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体基板に
結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不要
になる。さらに、上記接続導体が露出しているため、上
記接続導体の位置や幅を変化させて、結合量を容易に調
整できる。また、上記接続導体上に設けられた内導体に
より、所望の周波数以外の周波数での結合を抑えること
ができる。
と、上記内導体と上記外導体を備えたマイクロストリッ
プ線路の共振器を形成するストリップ線路フィルタにお
いて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部
から、それぞれ所定距離だけ離れた異なる位置で相互に
接続する接続導体を設け、さらに上記接続導体上に短絡
部を持つ内導体を設けたので、この接続導体を介して隣
接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体基板に
結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不要
になる。さらに、上記接続導体が露出しているため、上
記接続導体の位置や幅を変化させて、結合量を容易に調
整できる。また、上記接続導体上に設けられた内導体に
より、所望の周波数以外の周波数での結合を抑えること
ができる。
【００２９】請求項９の発明においては、誘電体基板
と、上記内導体と上記外導体を備えたマイクロストリッ
プ線路の共振器を形成するストリップ線路フィルタにお
いて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部
から、それぞれ所定距離だけ離れた異なる位置で相互に
接続する接続導体を設け、さらに上記接続導体として所
望の特性に応じて変形したものを用いたので、この接続
導体を介して隣接共振器間の結合が得られる。このた
め、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加工等により
設けることが不要になる。さらに、上記接続導体が露出
しているため、上記接続導体の位置や幅を変化させて、
結合量を容易に調整できる。また、上記接続導体の形状
を調整することで、共振器の配置を変えることなく所望
の特性を得ることができる。また、所望の結合量を狭い
共振器間において得ることができるのでフィルタを小形
化できる。
と、上記内導体と上記外導体を備えたマイクロストリッ
プ線路の共振器を形成するストリップ線路フィルタにお
いて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記短絡部
から、それぞれ所定距離だけ離れた異なる位置で相互に
接続する接続導体を設け、さらに上記接続導体として所
望の特性に応じて変形したものを用いたので、この接続
導体を介して隣接共振器間の結合が得られる。このた
め、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加工等により
設けることが不要になる。さらに、上記接続導体が露出
しているため、上記接続導体の位置や幅を変化させて、
結合量を容易に調整できる。また、上記接続導体の形状
を調整することで、共振器の配置を変えることなく所望
の特性を得ることができる。また、所望の結合量を狭い
共振器間において得ることができるのでフィルタを小形
化できる。
【００３０】請求項１０の発明においては、誘電体基板
の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他
方の面に放射状に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れ短絡部を形成する複数の内導体を備え、上記外導体、
誘電体基板、内導体を含んで、マイクロストリップ線路
の共振器を形成してなり、上記内導体のうち、隣接する
内導体を上記短絡部から、所定距離だけ離れた同じ位置
で相互に接続する接続導体を設けたので、この接続導体
を介して隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘
電体基板に結合量調整用の溝を機械加工等により設ける
ことが不要になる。さらに、上記接続導体が露出してい
るため、上記接続導体の位置や幅を変化させて、結合量
を容易に調整できる。また、短絡部を共有することでフ
ィルタを小形化できる。
の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他
方の面に放射状に形成され、一端が上記外導体に接続さ
れ短絡部を形成する複数の内導体を備え、上記外導体、
誘電体基板、内導体を含んで、マイクロストリップ線路
の共振器を形成してなり、上記内導体のうち、隣接する
内導体を上記短絡部から、所定距離だけ離れた同じ位置
で相互に接続する接続導体を設けたので、この接続導体
を介して隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘
電体基板に結合量調整用の溝を機械加工等により設ける
ことが不要になる。さらに、上記接続導体が露出してい
るため、上記接続導体の位置や幅を変化させて、結合量
を容易に調整できる。また、短絡部を共有することでフ
ィルタを小形化できる。
【００３１】請求項１１の発明においては、円筒形に形
成した誘電体基板と、上記円筒形に形成した誘電体基板
の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他
方の面に形成され、一端が上記外導体に接続され短絡部
を形成する複数の内導体を備え、上記外導体、誘電体基
板、内導体で構成されるマイクロストリップ線路フィル
タにおいて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記
短絡部から、それぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に
接続する接続導体を設けたので、この接続導体を介して
隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体基板
に結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不
要になる。さらに、上記接続導体が露出しているため、
上記接続導体の位置や幅を変化させて、結合量を容易に
調整できる。また、誘電体基板を円筒状にすることによ
りフィルタを小形化できる。
成した誘電体基板と、上記円筒形に形成した誘電体基板
の一方の面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他
方の面に形成され、一端が上記外導体に接続され短絡部
を形成する複数の内導体を備え、上記外導体、誘電体基
板、内導体で構成されるマイクロストリップ線路フィル
タにおいて、上記内導体のうち、隣接する内導体を上記
短絡部から、それぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に
接続する接続導体を設けたので、この接続導体を介して
隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体基板
に結合量調整用の溝を機械加工等により設けることが不
要になる。さらに、上記接続導体が露出しているため、
上記接続導体の位置や幅を変化させて、結合量を容易に
調整できる。また、誘電体基板を円筒状にすることによ
りフィルタを小形化できる。
【００３２】請求項１２の発明においては、２枚の誘電
体基板と、上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面の
側に形成された外導体と、上記誘電体基板のうち少なく
とも１枚の他方の面に、上記誘電体基板と異なる誘電率
の誘電体層を介して形成され、一端が上記外導体に接続
され短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記外導
体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重
ねられているので、この構造を用いて共振器を作成した
場合、偶モードと奇モードの位相定数が異なることか
ら、隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体
基板に結合量調整用の溝を機械加工等により設けること
が不要になり、さらに、接続導体も不要にできる。ま
た、薄膜に誘電体損の小さい材質を用いることで、伝送
損失を抑えることができる。
体基板と、上記２枚の誘電体基板のそれぞれ一方の面の
側に形成された外導体と、上記誘電体基板のうち少なく
とも１枚の他方の面に、上記誘電体基板と異なる誘電率
の誘電体層を介して形成され、一端が上記外導体に接続
され短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記外導
体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重
ねられているので、この構造を用いて共振器を作成した
場合、偶モードと奇モードの位相定数が異なることか
ら、隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体
基板に結合量調整用の溝を機械加工等により設けること
が不要になり、さらに、接続導体も不要にできる。ま
た、薄膜に誘電体損の小さい材質を用いることで、伝送
損失を抑えることができる。
【００３３】請求項１３の発明においては、誘電体基板
と、上記誘電体基板の一方の面の側に設けられた外導体
と、上記誘電体基板の他方の面に、上記誘電体基板と異
なる誘電率の誘電体層を介して形成され、一端が上記外
導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備
え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイクロ
ストリップ線路の共振器が形成されているので、偶モー
ドと奇モードの位相定数が異なることから、隣接共振器
間の結合が得られる。このため、誘電体基板に結合量調
整用の溝を機械加工等により設けることが不要になり、
さらに、接続導体も不要にできる。また、薄膜に誘電体
損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑えること
ができる。
と、上記誘電体基板の一方の面の側に設けられた外導体
と、上記誘電体基板の他方の面に、上記誘電体基板と異
なる誘電率の誘電体層を介して形成され、一端が上記外
導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備
え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイクロ
ストリップ線路の共振器が形成されているので、偶モー
ドと奇モードの位相定数が異なることから、隣接共振器
間の結合が得られる。このため、誘電体基板に結合量調
整用の溝を機械加工等により設けることが不要になり、
さらに、接続導体も不要にできる。また、薄膜に誘電体
損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑えること
ができる。
【００３４】請求項１４の発明においては、円筒形に形
成した誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の面の側に
設けられた外導体と、上記誘電体基板の他方の面に、上
記誘電体基板と異なる誘電率の誘電体層を介して形成さ
れ、一端が上記外導体に接続され短絡部を形成する複数
の内導体を備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含
んでマイクロストリップ線路の共振器が形成されている
ので、偶モードと奇モードの位相定数が異なることか
ら、隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体
基板に結合量調整用の溝を機械加工等により設けること
が不要になる。また、薄膜に誘電体損の小さい材質を用
いることで、伝送損失を抑えることができる。さらに、
基板を円筒状にしたことでフィルタを小形化することが
できる。
成した誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の面の側に
設けられた外導体と、上記誘電体基板の他方の面に、上
記誘電体基板と異なる誘電率の誘電体層を介して形成さ
れ、一端が上記外導体に接続され短絡部を形成する複数
の内導体を備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含
んでマイクロストリップ線路の共振器が形成されている
ので、偶モードと奇モードの位相定数が異なることか
ら、隣接共振器間の結合が得られる。このため、誘電体
基板に結合量調整用の溝を機械加工等により設けること
が不要になる。また、薄膜に誘電体損の小さい材質を用
いることで、伝送損失を抑えることができる。さらに、
基板を円筒状にしたことでフィルタを小形化することが
できる。
【００３５】
【実施例】実施例１．図１は、この発明の実施例１を示
す概略構成図であり、図において、１ａ，１ｂは誘電体
基板、２ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜
を密着して形成された内導体、２ｂ〜４ｂは誘電体基板
１ｂの一方の面に導体膜を密着して形成された内導体、
５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密着し
て形成した外導体、５ｂは誘電体基板１ｂの他方の面全
体に導体膜を密着して形成した外導体、６〜８は誘電体
基板１ａ，１ｂと、内導体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂと、
外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路の共振
器、１０，１１はそれぞれ内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４
ｂに内導体が直接接続された入出力線路、１２ａは誘電
体基板１ａの内導体の同じ位置を接続するために内導体
２ａ〜４ａと直交する向きに導体膜を密着して形成され
た接続導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体の同じ位
置を接続するために内導体２ｂ〜４ｂと直交する向きに
導体膜を密着して形成された接続導体、１３ａ〜１５
ａ、１３ｂ〜１５ｂは短絡部である。誘電体基板１ａと
１ｂは、内導体２ａと２ｂ，３ａと３ｂ，４ａと４ｂが
それぞれ対向し重なるように重ね合わされ、対向する内
導体が電気的に接触するように接着されている。内導体
２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ、および接続導体１２ａ，１２
ｂは薄膜あるいは厚膜で形成され、フォトエッチング等
により成形される。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが
所望の基本波に対して約１／４波長に設定されており、
内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂは一端が誘電体基板１
ａ，１ｂの側面の短絡部１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５
ｂにおいて外導体５ａ，５ｂと接続されている。このた
め、共振器６〜８は一端短絡他端開放の１／４波長共振
器となっている。従来の場合と同様、誘電体基板１ａに
おいて、内導体２ａ〜４ａは誘電体基板１ｂより長く設
定されている。これら誘電体基板１ａと１ｂは共振器６
〜８の短絡端側が揃うように配置することにより、内導
体２ａ〜４ａの開放端側を露出させている。
す概略構成図であり、図において、１ａ，１ｂは誘電体
基板、２ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜
を密着して形成された内導体、２ｂ〜４ｂは誘電体基板
１ｂの一方の面に導体膜を密着して形成された内導体、
５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密着し
て形成した外導体、５ｂは誘電体基板１ｂの他方の面全
体に導体膜を密着して形成した外導体、６〜８は誘電体
基板１ａ，１ｂと、内導体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂと、
外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路の共振
器、１０，１１はそれぞれ内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４
ｂに内導体が直接接続された入出力線路、１２ａは誘電
体基板１ａの内導体の同じ位置を接続するために内導体
２ａ〜４ａと直交する向きに導体膜を密着して形成され
た接続導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体の同じ位
置を接続するために内導体２ｂ〜４ｂと直交する向きに
導体膜を密着して形成された接続導体、１３ａ〜１５
ａ、１３ｂ〜１５ｂは短絡部である。誘電体基板１ａと
１ｂは、内導体２ａと２ｂ，３ａと３ｂ，４ａと４ｂが
それぞれ対向し重なるように重ね合わされ、対向する内
導体が電気的に接触するように接着されている。内導体
２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ、および接続導体１２ａ，１２
ｂは薄膜あるいは厚膜で形成され、フォトエッチング等
により成形される。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが
所望の基本波に対して約１／４波長に設定されており、
内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂは一端が誘電体基板１
ａ，１ｂの側面の短絡部１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５
ｂにおいて外導体５ａ，５ｂと接続されている。このた
め、共振器６〜８は一端短絡他端開放の１／４波長共振
器となっている。従来の場合と同様、誘電体基板１ａに
おいて、内導体２ａ〜４ａは誘電体基板１ｂより長く設
定されている。これら誘電体基板１ａと１ｂは共振器６
〜８の短絡端側が揃うように配置することにより、内導
体２ａ〜４ａの開放端側を露出させている。
【００３６】次に動作について説明する。上記ストリッ
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８が同一周波数ｆ
0 で共振するとすれば、周波数ｆ0 では共振器６〜８は
接続導体１２ａ，１２ｂを介して強く結合し、入出力線
路１０への入射波は入出力線路１１へ導かれる。しか
し、ｆ0 以外の周波数では共振器間の結合は弱く、入出
力線路１０への入射波はほとんど反射される。このよう
に図１のストリップ線路フィルタは帯域通過フィルタと
しての機能を有する。共振器６〜８の間の結合量は接続
導体１２ａ，１２ｂの短絡端側からの位置を変化させる
ことで調整することができる。また、共振周波数は内導
体２ａ〜４ａの長さを変化させたり、開放端に誘電体を
接着したりして容易に調整することができる。入出力線
路１０，１１と、共振器６，８の結合量は入出力線路１
０，１１と内導体２ａ，４ａとの接続位置を変化させる
ことで調整できる。以上のように、図１のストリップ線
路フィルタは誘電体基板に溝加工が不要であり、誘電体
基板１ａ，１ｂの外形加工と導体膜のエッチング加工の
みで製作できる。
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８が同一周波数ｆ
0 で共振するとすれば、周波数ｆ0 では共振器６〜８は
接続導体１２ａ，１２ｂを介して強く結合し、入出力線
路１０への入射波は入出力線路１１へ導かれる。しか
し、ｆ0 以外の周波数では共振器間の結合は弱く、入出
力線路１０への入射波はほとんど反射される。このよう
に図１のストリップ線路フィルタは帯域通過フィルタと
しての機能を有する。共振器６〜８の間の結合量は接続
導体１２ａ，１２ｂの短絡端側からの位置を変化させる
ことで調整することができる。また、共振周波数は内導
体２ａ〜４ａの長さを変化させたり、開放端に誘電体を
接着したりして容易に調整することができる。入出力線
路１０，１１と、共振器６，８の結合量は入出力線路１
０，１１と内導体２ａ，４ａとの接続位置を変化させる
ことで調整できる。以上のように、図１のストリップ線
路フィルタは誘電体基板に溝加工が不要であり、誘電体
基板１ａ，１ｂの外形加工と導体膜のエッチング加工の
みで製作できる。
【００３７】実施例２．図２は、実施例２を示す概略構
成図である。図において、１２ａは誘電体基板１ａの内
導体の異なる位置を接続するために導体膜を密着して形
成された接続導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体の
異なる位置を接続するために導体膜を密着して形成され
た接続導体であり、１ａ，１ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４
ｂ，５ａ，５ｂ，６〜８，１０，１１，１３ａ〜１５
ａ，１３ｂ〜１５ｂおよび概略構成は図１と同様であ
る。この実施例においても、共振器６〜８の間の結合量
は接続導体１２ａ，１２ｂの短絡端側からの位置を変化
させることで調整することができ、実施例１同様の効果
を有する。さらに、実施例２では、接続導体１２ａ，１
２ｂは、隣接する内導体を短絡部からそれぞれ所定の距
離だけ離れた位置で相互に接続するので、所望の結合量
を狭い共振器間隔において得ることができ、フィルタを
小形化できる。
成図である。図において、１２ａは誘電体基板１ａの内
導体の異なる位置を接続するために導体膜を密着して形
成された接続導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体の
異なる位置を接続するために導体膜を密着して形成され
た接続導体であり、１ａ，１ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４
ｂ，５ａ，５ｂ，６〜８，１０，１１，１３ａ〜１５
ａ，１３ｂ〜１５ｂおよび概略構成は図１と同様であ
る。この実施例においても、共振器６〜８の間の結合量
は接続導体１２ａ，１２ｂの短絡端側からの位置を変化
させることで調整することができ、実施例１同様の効果
を有する。さらに、実施例２では、接続導体１２ａ，１
２ｂは、隣接する内導体を短絡部からそれぞれ所定の距
離だけ離れた位置で相互に接続するので、所望の結合量
を狭い共振器間隔において得ることができ、フィルタを
小形化できる。
【００３８】実施例３．図３は、実施例３を示す概略構
成図である。図において、１２ａは誘電体基板１ａの内
導体を接続するために導体膜を密着して形成された接続
導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体を接続するため
に導体膜を密着して形成された接続導体、２１ａは誘電
体基板１ａの接続導体上に短絡部を持つように導体膜を
密着して形成された内導体、２１ｂは誘電体基板１ｂの
接続導体上に短絡部を持つように導体膜を密着して形成
された内導体、２２，２３は誘電体基板１ａ，１ｂと、
内導体２１ａ，２１ｂと、外導体５ａ，５ｂとからなる
トリプレート線路の共振器であり、１ａ，１ｂ，２ａ〜
４ａ，２ｂ〜４ｂ，５ａ，５ｂ，６〜８，１０，１１，
１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂおよび概略構成は図１
と同様である。内導体２１ａ，２１ｂは所望の基本波に
対して約１／１２波長に設定されており、接続導体１２
ａ，１２ｂに接続されている。また、共振器２２，２３
は３倍高調波に対する一端短絡他端開放の１／４波長共
振器となっている。
成図である。図において、１２ａは誘電体基板１ａの内
導体を接続するために導体膜を密着して形成された接続
導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体を接続するため
に導体膜を密着して形成された接続導体、２１ａは誘電
体基板１ａの接続導体上に短絡部を持つように導体膜を
密着して形成された内導体、２１ｂは誘電体基板１ｂの
接続導体上に短絡部を持つように導体膜を密着して形成
された内導体、２２，２３は誘電体基板１ａ，１ｂと、
内導体２１ａ，２１ｂと、外導体５ａ，５ｂとからなる
トリプレート線路の共振器であり、１ａ，１ｂ，２ａ〜
４ａ，２ｂ〜４ｂ，５ａ，５ｂ，６〜８，１０，１１，
１３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂおよび概略構成は図１
と同様である。内導体２１ａ，２１ｂは所望の基本波に
対して約１／１２波長に設定されており、接続導体１２
ａ，１２ｂに接続されている。また、共振器２２，２３
は３倍高調波に対する一端短絡他端開放の１／４波長共
振器となっている。
【００３９】次に動作について説明する。上記ストリッ
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８が同一周波数ｆ
0 で共振するとすれば、周波数ｆ0 では共振器６〜８は
接続導体１２ａ，１２ｂを介して強く結合し、入出力線
路１０への入射波は入出力線路１１へ導かれる。しか
し、ｆ0 以外の周波数では共振器間の結合は弱く、入出
力線路１０への入射波はほとんど反射される。また、接
続導体１２ａ，１２ｂ上に設けた共振器２２，２３が周
波数ｆ0 で共振するとすれば、３倍高調波を阻止する効
果がある。このように図３のストリップ線路フィルタは
帯域通過フィルタとしての機能を有する。共振器６〜８
の間の結合量は接続導体１２ａ，１２ｂの短絡端側から
の位置を変化させることで調整することができる。ま
た、共振周波数は内導体２ａ〜４ａの長さを変化させた
り、開放端に誘電体を接着したりして容易に調整するこ
とができる。入出力線路１０，１１と、共振器６，８の
結合量は入出力線路１０，１１と内導体２ａ，４ａとの
接続位置を変化させることで調整できる。なお、共振器
２２，２３は所定の周波数で共振するように設定でき、
所望の周波数を阻止できる。以上のように、実施例３の
ストリップ線路フィルタは誘電体基板に溝加工が不要で
あり、誘電体基板１ａ，１ｂの外形加工と導体膜のエッ
チング加工のみで製作できる。さらに、接続導体１２
ａ，１２ｂ上に設けられた内導体２１ａ，２１ｂにより
形成された共振器２２，２３により、所望の周波数以外
の周波数での結合を抑えることができる。
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８が同一周波数ｆ
0 で共振するとすれば、周波数ｆ0 では共振器６〜８は
接続導体１２ａ，１２ｂを介して強く結合し、入出力線
路１０への入射波は入出力線路１１へ導かれる。しか
し、ｆ0 以外の周波数では共振器間の結合は弱く、入出
力線路１０への入射波はほとんど反射される。また、接
続導体１２ａ，１２ｂ上に設けた共振器２２，２３が周
波数ｆ0 で共振するとすれば、３倍高調波を阻止する効
果がある。このように図３のストリップ線路フィルタは
帯域通過フィルタとしての機能を有する。共振器６〜８
の間の結合量は接続導体１２ａ，１２ｂの短絡端側から
の位置を変化させることで調整することができる。ま
た、共振周波数は内導体２ａ〜４ａの長さを変化させた
り、開放端に誘電体を接着したりして容易に調整するこ
とができる。入出力線路１０，１１と、共振器６，８の
結合量は入出力線路１０，１１と内導体２ａ，４ａとの
接続位置を変化させることで調整できる。なお、共振器
２２，２３は所定の周波数で共振するように設定でき、
所望の周波数を阻止できる。以上のように、実施例３の
ストリップ線路フィルタは誘電体基板に溝加工が不要で
あり、誘電体基板１ａ，１ｂの外形加工と導体膜のエッ
チング加工のみで製作できる。さらに、接続導体１２
ａ，１２ｂ上に設けられた内導体２１ａ，２１ｂにより
形成された共振器２２，２３により、所望の周波数以外
の周波数での結合を抑えることができる。
【００４０】実施例４．図４は、実施例４を示す概略構
成図であり、図において、１２ａは誘電体基板１ａの内
導体を接続するために導体膜を密着して形成された接続
導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体を接続するため
に導体膜を密着して形成された接続導体であり、所望の
共振器間隔や、周波数の特性に応じて変形したものであ
る。また、１ａ，１ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ，５
ａ，５ｂ，６〜８，１０，１１，１３ａ〜１５ａ，１３
ｂ〜１５ｂおよび概略構成は図１と同様である。この実
施例においても、実施例２同様の効果を有する。さら
に、実施例４では、接続導体１２ａ，１２ｂは所望の特
性に応じて変形したものを用いたので、形状を調整する
ことにより、共振器６〜８の配置を変えることなく狭い
共振器間隔で所望の結合特性を得ることができる。
成図であり、図において、１２ａは誘電体基板１ａの内
導体を接続するために導体膜を密着して形成された接続
導体、１２ｂは誘電体基板１ｂの内導体を接続するため
に導体膜を密着して形成された接続導体であり、所望の
共振器間隔や、周波数の特性に応じて変形したものであ
る。また、１ａ，１ｂ，２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ，５
ａ，５ｂ，６〜８，１０，１１，１３ａ〜１５ａ，１３
ｂ〜１５ｂおよび概略構成は図１と同様である。この実
施例においても、実施例２同様の効果を有する。さら
に、実施例４では、接続導体１２ａ，１２ｂは所望の特
性に応じて変形したものを用いたので、形状を調整する
ことにより、共振器６〜８の配置を変えることなく狭い
共振器間隔で所望の結合特性を得ることができる。
【００４１】実施例５．図５は、実施例５を示す概略構
成図である。図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、２
００ａ〜７００ａは誘電体基板１ａの一方の面に放射状
に導体膜を密着して形成された内導体、２００ｂ〜７０
０ｂは誘電体基板１ｂの一方の面に導体膜を密着して形
成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体
に導体膜を密着して形成した外導体、５ｂは誘電体基板
１ｂの他方の面全体に導体膜を密着して形成した外導
体、２００〜７００は誘電体基板１ａ，１ｂと、内導体
２００ａ〜７００ａ、２００ｂ〜７００ｂと、外導体５
ａ，５ｂとからなるトリプレート線路の共振器、１０，
１１はそれぞれ内導体２００ａ，２００ｂ，７００ａ，
７００ｂに内導体が直接接続された入出力線路、１２ａ
は誘電体基板１ａの内導体の異なる位置を接続するため
に導体膜を密着して形成された接続導体、１２ｂは誘電
体基板１ｂの内導体の異なる位置を接続するために導体
膜を密着して形成された接続導体、１３ａ，１３ｂは誘
電体基板１ａ，１ｂの中央部に設けられた短絡部であ
る。誘電体基板１ａと１ｂは、内導体２００ａと２００
ｂ，３００ａと３００ｂ，４００ａと４００ｂ，５００
ａと５００ｂ，６００ａと６００ｂ，７００ａと７００
ｂがそれぞれ対向し重なるように重ね合わされ、対向す
る内導体が電気的に接触するように接着されている。内
導体２００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂおよび接
続導体１２ａ，１２ｂは薄膜あるいは厚膜で形成され、
フォトエッチング等により形成される。内導体２００ａ
〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂはそれぞれ長さが所望
の基本波に対して約１／４波長に設定されており、内導
体２００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂは一端が誘
電体基板１ａ，１ｂの中央部に設けられた短絡部１３
ａ，１３ｂにおいて外導体５ａ，５ｂと接続されてい
る。このため、共振器２００〜７００は一端短絡他端開
放の１／４波長共振器となっている。この実施例におい
ても、共振器２００〜７００の間の結合量は接続導体１
２ａ，１２ｂの短絡端側からの位置を変化させることで
調整することができ、実施例１同様の効果を有する。さ
らに、実施例５では、内導体２００ａ〜７００ａ，２０
０ｂ〜７００ｂの短絡部を共有するので、フィルタを小
形化できる。また、上記実施例５では接続導体１２ａ，
１２ｂが隣接する内導体を短絡部１３ａ，１３ｂから所
定距離だけ離れた位置で相互に接続する場合について図
５を用いて説明したが、接続導体１２ａ，１２ｂの構成
について、上記実施例２または実施例４で説明した構
成、さらには実施例３で説明した共振器を備えた構成を
適用することができ、上記実施例２、実施例３または実
施例４で説明したと同様の効果が得られる。
成図である。図において、１ａ，１ｂは誘電体基板、２
００ａ〜７００ａは誘電体基板１ａの一方の面に放射状
に導体膜を密着して形成された内導体、２００ｂ〜７０
０ｂは誘電体基板１ｂの一方の面に導体膜を密着して形
成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面全体
に導体膜を密着して形成した外導体、５ｂは誘電体基板
１ｂの他方の面全体に導体膜を密着して形成した外導
体、２００〜７００は誘電体基板１ａ，１ｂと、内導体
２００ａ〜７００ａ、２００ｂ〜７００ｂと、外導体５
ａ，５ｂとからなるトリプレート線路の共振器、１０，
１１はそれぞれ内導体２００ａ，２００ｂ，７００ａ，
７００ｂに内導体が直接接続された入出力線路、１２ａ
は誘電体基板１ａの内導体の異なる位置を接続するため
に導体膜を密着して形成された接続導体、１２ｂは誘電
体基板１ｂの内導体の異なる位置を接続するために導体
膜を密着して形成された接続導体、１３ａ，１３ｂは誘
電体基板１ａ，１ｂの中央部に設けられた短絡部であ
る。誘電体基板１ａと１ｂは、内導体２００ａと２００
ｂ，３００ａと３００ｂ，４００ａと４００ｂ，５００
ａと５００ｂ，６００ａと６００ｂ，７００ａと７００
ｂがそれぞれ対向し重なるように重ね合わされ、対向す
る内導体が電気的に接触するように接着されている。内
導体２００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂおよび接
続導体１２ａ，１２ｂは薄膜あるいは厚膜で形成され、
フォトエッチング等により形成される。内導体２００ａ
〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂはそれぞれ長さが所望
の基本波に対して約１／４波長に設定されており、内導
体２００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂは一端が誘
電体基板１ａ，１ｂの中央部に設けられた短絡部１３
ａ，１３ｂにおいて外導体５ａ，５ｂと接続されてい
る。このため、共振器２００〜７００は一端短絡他端開
放の１／４波長共振器となっている。この実施例におい
ても、共振器２００〜７００の間の結合量は接続導体１
２ａ，１２ｂの短絡端側からの位置を変化させることで
調整することができ、実施例１同様の効果を有する。さ
らに、実施例５では、内導体２００ａ〜７００ａ，２０
０ｂ〜７００ｂの短絡部を共有するので、フィルタを小
形化できる。また、上記実施例５では接続導体１２ａ，
１２ｂが隣接する内導体を短絡部１３ａ，１３ｂから所
定距離だけ離れた位置で相互に接続する場合について図
５を用いて説明したが、接続導体１２ａ，１２ｂの構成
について、上記実施例２または実施例４で説明した構
成、さらには実施例３で説明した共振器を備えた構成を
適用することができ、上記実施例２、実施例３または実
施例４で説明したと同様の効果が得られる。
【００４２】実施例６．図６は、実施例６を示す概略構
成図であり、図１に示した実施例１のトリプレート線路
共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器を用い
て構成した場合である。図において、１ａは誘電体基
板、２ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を
密着して形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他
方の面全体に導体膜を密着して形成した外導体、１６〜
１８は誘電体基板１ａと、内導体２ａ〜４ａと、外導体
５ａとからなるマイクロストリップ線路の共振器、１
０，１１はそれぞれ内導体２ａ，４ａに内導体が直接接
続された入出力線路、１２ａは誘電体基板１ａの内導体
の同じ位置を接続するために内導体２ａ〜４ａと直交す
る向きに導体膜を密着して形成された接続導体、１３ａ
〜１５ａは短絡部である。内導体２ａ〜４ａ、接続導体
１２ａは薄膜あるいは厚膜で形成され、フォトエッチン
グ等により成形される。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長
さが所望の基本波に対して約１／４波長に設定されてお
り、それぞれが、一端が誘電体基板１ａの側面の短絡部
１３ａ〜１５ａにおいて外導体５ａと接続されている。
このため、共振器１６〜１８は一端短絡他端開放の１／
４波長共振器となっている。この実施例６では、図１に
示した実施例１の場合と同様の動作原理および利点を有
する他、接続導体１２ａが露出しているため、接続導体
１２ａの幅をトリミングすることで共振器間の結合量を
容易に調整できるという効果を有する。
成図であり、図１に示した実施例１のトリプレート線路
共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器を用い
て構成した場合である。図において、１ａは誘電体基
板、２ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を
密着して形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他
方の面全体に導体膜を密着して形成した外導体、１６〜
１８は誘電体基板１ａと、内導体２ａ〜４ａと、外導体
５ａとからなるマイクロストリップ線路の共振器、１
０，１１はそれぞれ内導体２ａ，４ａに内導体が直接接
続された入出力線路、１２ａは誘電体基板１ａの内導体
の同じ位置を接続するために内導体２ａ〜４ａと直交す
る向きに導体膜を密着して形成された接続導体、１３ａ
〜１５ａは短絡部である。内導体２ａ〜４ａ、接続導体
１２ａは薄膜あるいは厚膜で形成され、フォトエッチン
グ等により成形される。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長
さが所望の基本波に対して約１／４波長に設定されてお
り、それぞれが、一端が誘電体基板１ａの側面の短絡部
１３ａ〜１５ａにおいて外導体５ａと接続されている。
このため、共振器１６〜１８は一端短絡他端開放の１／
４波長共振器となっている。この実施例６では、図１に
示した実施例１の場合と同様の動作原理および利点を有
する他、接続導体１２ａが露出しているため、接続導体
１２ａの幅をトリミングすることで共振器間の結合量を
容易に調整できるという効果を有する。
【００４３】実施例７．図７は、実施例７を示す概略構
成図であり、図２に示した実施例２のトリプレート線路
共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器を用い
て構成した場合である。図において、１２ａは誘電体基
板１ａの内導体の異なる位置を接続するために導体膜を
密着して形成された接続導体であり、１ａ，２ａ〜４
ａ，５ａ，１６〜１８，１０，１１，１３ａ〜１５ａお
よび概略構成は図６と同様である。この実施例７では、
図２に示した実施例２の場合と同様の動作原理および利
点を有する他、接続導体１２ａが露出しているため、接
続導体１２ａの幅をトリミングすることで共振器間の結
合量を容易に調整できるという効果を有する。
成図であり、図２に示した実施例２のトリプレート線路
共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器を用い
て構成した場合である。図において、１２ａは誘電体基
板１ａの内導体の異なる位置を接続するために導体膜を
密着して形成された接続導体であり、１ａ，２ａ〜４
ａ，５ａ，１６〜１８，１０，１１，１３ａ〜１５ａお
よび概略構成は図６と同様である。この実施例７では、
図２に示した実施例２の場合と同様の動作原理および利
点を有する他、接続導体１２ａが露出しているため、接
続導体１２ａの幅をトリミングすることで共振器間の結
合量を容易に調整できるという効果を有する。
【００４４】実施例８．図８は、実施例８を示す概略構
成図であり、上記実施例６または実施例７で示した内導
体２ａ〜４ａと一体形成された接続導体１２ａの代わり
に、個別の接続導体１２ａを内導体２ａ〜４ａに接続し
た場合を示す。この実施例８では、実施例６または実施
例７の場合と同様の動作原理および利点を有する他、接
続導体１２ａの位置が可変であるため、結合量を容易に
調整できるという効果を有する。
成図であり、上記実施例６または実施例７で示した内導
体２ａ〜４ａと一体形成された接続導体１２ａの代わり
に、個別の接続導体１２ａを内導体２ａ〜４ａに接続し
た場合を示す。この実施例８では、実施例６または実施
例７の場合と同様の動作原理および利点を有する他、接
続導体１２ａの位置が可変であるため、結合量を容易に
調整できるという効果を有する。
【００４５】実施例９．図９は、実施例９を示す概略構
成図であり、図３に示した実施例３のトリプレート線路
共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器を用い
て構成した場合である。図において、１２ａは誘電体基
板１ａの内導体を接続するために導体膜を密着して形成
された接続導体、２１ａは誘電体基板１ａの接続導体上
に短絡部を持つように導体膜を密着して形成された内導
体、２２，２３は誘電体基板１ａと、内導体２１ａと、
外導体５ａとからなるマイクロストリップ線路の共振器
であり、１ａ，２ａ〜４ａ，５ａ，１６〜１８，１０，
１１，１３ａ〜１５ａおよび概略構成は図６と同様であ
る。この実施例９では、図３に示した実施例３の場合と
同様の動作原理および利点を有する他、接続導体１２ａ
および内導体２１ａが露出しているため、接続導体１２
ａの幅等をトリミングすることで共振器間の結合量を容
易に調整できるという効果を有する。
成図であり、図３に示した実施例３のトリプレート線路
共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器を用い
て構成した場合である。図において、１２ａは誘電体基
板１ａの内導体を接続するために導体膜を密着して形成
された接続導体、２１ａは誘電体基板１ａの接続導体上
に短絡部を持つように導体膜を密着して形成された内導
体、２２，２３は誘電体基板１ａと、内導体２１ａと、
外導体５ａとからなるマイクロストリップ線路の共振器
であり、１ａ，２ａ〜４ａ，５ａ，１６〜１８，１０，
１１，１３ａ〜１５ａおよび概略構成は図６と同様であ
る。この実施例９では、図３に示した実施例３の場合と
同様の動作原理および利点を有する他、接続導体１２ａ
および内導体２１ａが露出しているため、接続導体１２
ａの幅等をトリミングすることで共振器間の結合量を容
易に調整できるという効果を有する。
【００４６】実施例１０．図１０は、実施例１０を示す
概略構成図であり、図４に示した実施例４のトリプレー
ト線路共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器
を用いて構成した場合である。図において、１２ａは誘
電体基板１ａの内導体を接続するために導体膜を密着し
て形成された接続導体であり、所望の共振器の間隔や、
周波数の特性に応じて変形したものである。なお、１
ａ，２ａ〜４ａ，５ａ，１６〜１８，１０，１１，１３
ａ〜１５ａおよび概略構成は図６と同様である。この実
施例１０では、図４に示した実施例４の場合と同様の動
作原理および利点を有する他、接続導体１２ａが露出し
ているため、接続導体１２ａの幅をトリミングすること
で共振器間の結合量を容易に調整できるという効果を有
する。
概略構成図であり、図４に示した実施例４のトリプレー
ト線路共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器
を用いて構成した場合である。図において、１２ａは誘
電体基板１ａの内導体を接続するために導体膜を密着し
て形成された接続導体であり、所望の共振器の間隔や、
周波数の特性に応じて変形したものである。なお、１
ａ，２ａ〜４ａ，５ａ，１６〜１８，１０，１１，１３
ａ〜１５ａおよび概略構成は図６と同様である。この実
施例１０では、図４に示した実施例４の場合と同様の動
作原理および利点を有する他、接続導体１２ａが露出し
ているため、接続導体１２ａの幅をトリミングすること
で共振器間の結合量を容易に調整できるという効果を有
する。
【００４７】実施例１１．図１１は、実施例１１を示す
概略構成図であり、図５に示した実施例５のトリプレー
ト線路共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器
を用いて構成した場合である。図において、１ａは誘電
体基板、２００ａ〜７００ａは誘電体基板１ａの一方の
面に放射状に導体膜を密着して形成された内導体、５ａ
は誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密着して形
成した外導体、２００〜７００は誘電体基板１ａと内導
体２００ａ〜７００ａと、外導体５ａとからなるマイク
ロストリップ線路の共振器、１０，１１はそれぞれ内導
体２００ａ，７００ａに内導体が直接接続された入出力
線路、１２ａは内導体の異なる位置を接続するために導
体膜を密着して形成された接続導体、１３ａは誘電体基
板１ａの中央部に設けられた短絡部である。内導体２０
０ａ〜７００ａおよび接続導体１２ａは薄膜あるいは厚
膜で形成され、フォトエッチング等により成形される。
内導体２００ａ〜７００ａはそれぞれ長さが所望の基本
波に対して約１／４波長に設定されており、内導体２０
０ａ〜７００ａは一端が誘電体基板１ａの中央部に設け
られた短絡部１３ａにおいて外導体５ａと接続されてい
る。このため、共振器２００〜７００は一端短絡他端開
放の１／４波長共振器となっている。この実施例におい
ても、共振器２００〜７００の間の結合量は接続導体１
２ａの短絡端側からの位置を変化させることで調整する
ことができ、実施例６同様の効果を有する。さらに、実
施例１１では、内導体２００ａ〜７００ａの短絡部を共
有するので、フィルタを小形化できる。また、上記実施
例１１では接続導体１２ａが隣接する内導体を短絡部１
３ａから所定距離だけ離れた位置で相互に接続する場合
について図１１を用いて説明したが、接続導体１２ａの
構成について、上記実施例７または実施例１０で説明し
た構成、実施例９で説明した共振器を備えた構成、さら
に実施例８で説明した構成を適用することができ、上記
実施例７、実施例８、実施例９または実施例１０で説明
したと同様の効果が得られる。
概略構成図であり、図５に示した実施例５のトリプレー
ト線路共振器の変わりにマイクロストリップ線路共振器
を用いて構成した場合である。図において、１ａは誘電
体基板、２００ａ〜７００ａは誘電体基板１ａの一方の
面に放射状に導体膜を密着して形成された内導体、５ａ
は誘電体基板１ａの他方の面全体に導体膜を密着して形
成した外導体、２００〜７００は誘電体基板１ａと内導
体２００ａ〜７００ａと、外導体５ａとからなるマイク
ロストリップ線路の共振器、１０，１１はそれぞれ内導
体２００ａ，７００ａに内導体が直接接続された入出力
線路、１２ａは内導体の異なる位置を接続するために導
体膜を密着して形成された接続導体、１３ａは誘電体基
板１ａの中央部に設けられた短絡部である。内導体２０
０ａ〜７００ａおよび接続導体１２ａは薄膜あるいは厚
膜で形成され、フォトエッチング等により成形される。
内導体２００ａ〜７００ａはそれぞれ長さが所望の基本
波に対して約１／４波長に設定されており、内導体２０
０ａ〜７００ａは一端が誘電体基板１ａの中央部に設け
られた短絡部１３ａにおいて外導体５ａと接続されてい
る。このため、共振器２００〜７００は一端短絡他端開
放の１／４波長共振器となっている。この実施例におい
ても、共振器２００〜７００の間の結合量は接続導体１
２ａの短絡端側からの位置を変化させることで調整する
ことができ、実施例６同様の効果を有する。さらに、実
施例１１では、内導体２００ａ〜７００ａの短絡部を共
有するので、フィルタを小形化できる。また、上記実施
例１１では接続導体１２ａが隣接する内導体を短絡部１
３ａから所定距離だけ離れた位置で相互に接続する場合
について図１１を用いて説明したが、接続導体１２ａの
構成について、上記実施例７または実施例１０で説明し
た構成、実施例９で説明した共振器を備えた構成、さら
に実施例８で説明した構成を適用することができ、上記
実施例７、実施例８、実施例９または実施例１０で説明
したと同様の効果が得られる。
【００４８】実施例１２．図１２は、実施例１２を示す
概略構成図である。図において、１ａは円筒形の誘電体
基板、２ａ〜４ａは円筒形の誘電体基板１ａの一方の面
に導体膜を密着して形成された内導体、５ａは誘電体基
板１ａの他方の面全体に導体膜を密着して形成した外導
体、１６〜１８は誘電体基板１ａと、内導体２ａ〜４ａ
と、外導体５ａとからなるマイクロストリップ線路の共
振器、１０，１１はそれぞれ内導体２ａ，４ａに内導体
が直接接続された入出力線路（ただし、入出力線路１１
は図示を省略する。）、１２ａは内導体を接続するため
に導体膜を誘電体基板１ａに密着して形成された接続導
体、１３ａ〜１５ａは短絡部である。接続導体１２ａに
は、所望の共振器の間隔や、周波数の特性に応じて上記
実施例６〜１０の構成を適用すればよい。なお、ここで
は実施例６に相当する場合を示す。内導体２ａ〜４ａ、
接続導体１２ａは薄膜あるいは厚膜で形成され、フォト
エッチング等により形成される。内導体２ａ〜４ａはそ
れぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４波長に設定
されており、それぞれが、一端が誘電体基板１ａの側面
の短絡部１３ａ〜１５ａにおいて外導体５ａと接続され
ている。このため、共振器６〜８は一端短絡他端開放の
１／４波長共振器となっている。この実施例は、上記実
施例６〜１０の場合と同様な動作原理および利点を有す
る他、誘電体基板を円筒状にしたことで小形のフィルタ
を実現できる。
概略構成図である。図において、１ａは円筒形の誘電体
基板、２ａ〜４ａは円筒形の誘電体基板１ａの一方の面
に導体膜を密着して形成された内導体、５ａは誘電体基
板１ａの他方の面全体に導体膜を密着して形成した外導
体、１６〜１８は誘電体基板１ａと、内導体２ａ〜４ａ
と、外導体５ａとからなるマイクロストリップ線路の共
振器、１０，１１はそれぞれ内導体２ａ，４ａに内導体
が直接接続された入出力線路（ただし、入出力線路１１
は図示を省略する。）、１２ａは内導体を接続するため
に導体膜を誘電体基板１ａに密着して形成された接続導
体、１３ａ〜１５ａは短絡部である。接続導体１２ａに
は、所望の共振器の間隔や、周波数の特性に応じて上記
実施例６〜１０の構成を適用すればよい。なお、ここで
は実施例６に相当する場合を示す。内導体２ａ〜４ａ、
接続導体１２ａは薄膜あるいは厚膜で形成され、フォト
エッチング等により形成される。内導体２ａ〜４ａはそ
れぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４波長に設定
されており、それぞれが、一端が誘電体基板１ａの側面
の短絡部１３ａ〜１５ａにおいて外導体５ａと接続され
ている。このため、共振器６〜８は一端短絡他端開放の
１／４波長共振器となっている。この実施例は、上記実
施例６〜１０の場合と同様な動作原理および利点を有す
る他、誘電体基板を円筒状にしたことで小形のフィルタ
を実現できる。
【００４９】実施例１３．図１３は、実施例１３を示す
概略構成図である。図において、１ａ，１ｂは誘電体基
板、２０ａ，２０ｂは誘電体基板１ａ，１ｂと異なる誘
電率の誘電体層である誘電体薄膜、２ａ〜４ａは誘電体
基板１ａの一方の面に導体膜を密着して形成された内導
体、２ｂ〜４ｂは誘電体基板１ｂの一方の面に導体膜を
密着して形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他
方の面全体に導体膜を密着して形成した外導体、５ｂは
誘電体基板１ｂの他方の面全体に導体膜を密着して形成
した外導体、６〜８は誘電体基板１ａ，１ｂおよび誘電
体薄膜２０ａ，２０ｂと、内導体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４
ｂと、外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路の
共振器、１０，１１はそれぞれ内導体２ａ，２ｂ，４
ａ，４ｂに内導体が直接接続された入出力線路、１３ａ
〜１５ａ、１３ｂ〜１５ｂは短絡部である。誘電体基板
１ａと１ｂおよび誘電体薄膜２０ａ，２０ｂは、内導体
２ａと２ｂ，３ａと３ｂ，４ａと４ｂがそれぞれ対向し
重なるように重ね合わされ、対向する内導体が電気的に
接触するように接着されている。また、内導体２ａ〜４
ａ，２ｂ〜４ｂはそれぞれ誘電体薄膜２０ａ，２０ｂ上
に形成され、誘電体薄膜２０ａ，２０ｂはそれぞれ誘電
体基板１ａ，１ｂ上に接着されている。内導体２ａ〜４
ａはそれぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４波長
に設定されており、内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂは一
端が誘電体基板１ａ，１ｂの側面の短絡部１３ａ〜１５
ａ，１３ｂ〜１５ｂにおいて外導体５ａ，５ｂと接続さ
れている。このため、共振器６〜８は一端短絡他端開放
の１／４波長共振器となっている。なお、従来の場合と
同様、誘電体基板１ａにおいて、内導体２ａ〜４ａは誘
電体基板１ｂより長く設定されている。これら誘電体基
板１ａと１ｂは共振器６〜８の短絡端側が揃うように配
置することにより、内導体２ａ〜４ａの開放端側を露出
させている。
概略構成図である。図において、１ａ，１ｂは誘電体基
板、２０ａ，２０ｂは誘電体基板１ａ，１ｂと異なる誘
電率の誘電体層である誘電体薄膜、２ａ〜４ａは誘電体
基板１ａの一方の面に導体膜を密着して形成された内導
体、２ｂ〜４ｂは誘電体基板１ｂの一方の面に導体膜を
密着して形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他
方の面全体に導体膜を密着して形成した外導体、５ｂは
誘電体基板１ｂの他方の面全体に導体膜を密着して形成
した外導体、６〜８は誘電体基板１ａ，１ｂおよび誘電
体薄膜２０ａ，２０ｂと、内導体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４
ｂと、外導体５ａ，５ｂとからなるトリプレート線路の
共振器、１０，１１はそれぞれ内導体２ａ，２ｂ，４
ａ，４ｂに内導体が直接接続された入出力線路、１３ａ
〜１５ａ、１３ｂ〜１５ｂは短絡部である。誘電体基板
１ａと１ｂおよび誘電体薄膜２０ａ，２０ｂは、内導体
２ａと２ｂ，３ａと３ｂ，４ａと４ｂがそれぞれ対向し
重なるように重ね合わされ、対向する内導体が電気的に
接触するように接着されている。また、内導体２ａ〜４
ａ，２ｂ〜４ｂはそれぞれ誘電体薄膜２０ａ，２０ｂ上
に形成され、誘電体薄膜２０ａ，２０ｂはそれぞれ誘電
体基板１ａ，１ｂ上に接着されている。内導体２ａ〜４
ａはそれぞれ長さが所望の基本波に対して約１／４波長
に設定されており、内導体２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂは一
端が誘電体基板１ａ，１ｂの側面の短絡部１３ａ〜１５
ａ，１３ｂ〜１５ｂにおいて外導体５ａ，５ｂと接続さ
れている。このため、共振器６〜８は一端短絡他端開放
の１／４波長共振器となっている。なお、従来の場合と
同様、誘電体基板１ａにおいて、内導体２ａ〜４ａは誘
電体基板１ｂより長く設定されている。これら誘電体基
板１ａと１ｂは共振器６〜８の短絡端側が揃うように配
置することにより、内導体２ａ〜４ａの開放端側を露出
させている。
【００５０】次に動作について説明する。上記ストリッ
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８は誘電体基板１
ａ，１ｂと誘電体薄膜２０ａ，２０ｂの誘電率の違いに
よる不均質性により、偶モードと奇モードの位相定数が
異なることから、隣接共振器間の結合が得られる。共振
器６〜８が同一周波数ｆ0 で共振するとすれば、周波数
ｆ0 では共振器６〜８は結合し、入出力線路１０への入
射波は入出力線路１１へ導かれる。しかし、ｆ0 以外の
周波数では共振器間の結合は弱く、入出力線路１０への
入射波はほとんど反射される。このように図１３に示す
実施例１３のストリップ線路フィルタは帯域通過フィル
タとしての機能を有する。共振器６〜８の間の結合量は
共振器の間隔、あるいは誘電体薄膜の厚みを変化させる
ことで調整することができる。また、共振周波数は内導
体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂの長さを変化させたり、開放
端に誘電体を接着したりして容易に調整することができ
る。入出力線路１０，１１と、共振器６，８の結合量は
入出力線路１０，１１と内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂ
との接続位置を変化させることで調整できる。以上のよ
うに、図１３のストリップ線路フィルタは共振器６〜８
の間の結合量調整のための誘電体基板への溝加工または
接続導体が不要であり、誘電体基板１ａ，１ｂの外形加
工と導体膜のエッチング加工、および誘電体薄膜の接着
または堆積などで製作できる。さらに、誘電体薄膜に誘
電体損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑える
ことができる。
プ線路フィルタにおいて、共振器６〜８は誘電体基板１
ａ，１ｂと誘電体薄膜２０ａ，２０ｂの誘電率の違いに
よる不均質性により、偶モードと奇モードの位相定数が
異なることから、隣接共振器間の結合が得られる。共振
器６〜８が同一周波数ｆ0 で共振するとすれば、周波数
ｆ0 では共振器６〜８は結合し、入出力線路１０への入
射波は入出力線路１１へ導かれる。しかし、ｆ0 以外の
周波数では共振器間の結合は弱く、入出力線路１０への
入射波はほとんど反射される。このように図１３に示す
実施例１３のストリップ線路フィルタは帯域通過フィル
タとしての機能を有する。共振器６〜８の間の結合量は
共振器の間隔、あるいは誘電体薄膜の厚みを変化させる
ことで調整することができる。また、共振周波数は内導
体２ａ〜４ａ、２ｂ〜４ｂの長さを変化させたり、開放
端に誘電体を接着したりして容易に調整することができ
る。入出力線路１０，１１と、共振器６，８の結合量は
入出力線路１０，１１と内導体２ａ，２ｂ，４ａ，４ｂ
との接続位置を変化させることで調整できる。以上のよ
うに、図１３のストリップ線路フィルタは共振器６〜８
の間の結合量調整のための誘電体基板への溝加工または
接続導体が不要であり、誘電体基板１ａ，１ｂの外形加
工と導体膜のエッチング加工、および誘電体薄膜の接着
または堆積などで製作できる。さらに、誘電体薄膜に誘
電体損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑える
ことができる。
【００５１】実施例１４．図１４は、実施例１４を示す
概略構成図である。図において、１ａは誘電体基板、２
０ａは誘電体基板１ａと異なる誘電率の誘電体薄膜、２
ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着し
て形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面
全体に導体膜を密着して形成した外導体、６〜８は誘電
体基板１ａおよび誘電体薄膜２０ａと、内導体２ａ〜４
ａと、外導体５ａとからなるマイクロストリップ線路の
共振器、１０，１１はそれぞれ内導体２ａ，４ａに内導
体が直接接続された入出力線路、１３ａ〜１５ａは短絡
部である。内導体２ａ〜４ａは誘電体薄膜２０ａ上に形
成され、誘電体薄膜２０ａは誘電体基板１ａ上に接着さ
れている。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所望の基
本波に対して約１／４波長に設定されており、内導体２
ａ〜４ａは一端が誘電体基板１ａの側面の短絡部１３ａ
〜１５ａにおいて外導体５ａと接続されている。このた
め、共振器６〜８は一端短絡他端開放の１／４波長共振
器となっている。この実施例１４の動作については、上
記実施例１３の説明から明かであり、省略する。以上の
ように、図１４のマイクロストリップ線路フィルタは共
振器６〜８の間の結合量調整のための誘電体基板への溝
加工または接続導体が不要である。さらに、誘電体薄膜
に誘電体損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑
えることができる。また、この実施例１４のマイクロス
トリップ線路フィルタでは、実施例６〜１０の接続導体
１２ａおよび内導体２１ａを露出させて形成できるた
め、図１４に示したマイクロストリップ線路フィルタに
おいて、上記実施例６〜１０のいずれかと同様の接続導
体１２ａおよび内導体２１ａを設けることにより、さら
に結合量の調整の自由度を大きくでき、設計ならびに調
整が容易にできる。
概略構成図である。図において、１ａは誘電体基板、２
０ａは誘電体基板１ａと異なる誘電率の誘電体薄膜、２
ａ〜４ａは誘電体基板１ａの一方の面に導体膜を密着し
て形成された内導体、５ａは誘電体基板１ａの他方の面
全体に導体膜を密着して形成した外導体、６〜８は誘電
体基板１ａおよび誘電体薄膜２０ａと、内導体２ａ〜４
ａと、外導体５ａとからなるマイクロストリップ線路の
共振器、１０，１１はそれぞれ内導体２ａ，４ａに内導
体が直接接続された入出力線路、１３ａ〜１５ａは短絡
部である。内導体２ａ〜４ａは誘電体薄膜２０ａ上に形
成され、誘電体薄膜２０ａは誘電体基板１ａ上に接着さ
れている。内導体２ａ〜４ａはそれぞれ長さが所望の基
本波に対して約１／４波長に設定されており、内導体２
ａ〜４ａは一端が誘電体基板１ａの側面の短絡部１３ａ
〜１５ａにおいて外導体５ａと接続されている。このた
め、共振器６〜８は一端短絡他端開放の１／４波長共振
器となっている。この実施例１４の動作については、上
記実施例１３の説明から明かであり、省略する。以上の
ように、図１４のマイクロストリップ線路フィルタは共
振器６〜８の間の結合量調整のための誘電体基板への溝
加工または接続導体が不要である。さらに、誘電体薄膜
に誘電体損の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑
えることができる。また、この実施例１４のマイクロス
トリップ線路フィルタでは、実施例６〜１０の接続導体
１２ａおよび内導体２１ａを露出させて形成できるた
め、図１４に示したマイクロストリップ線路フィルタに
おいて、上記実施例６〜１０のいずれかと同様の接続導
体１２ａおよび内導体２１ａを設けることにより、さら
に結合量の調整の自由度を大きくでき、設計ならびに調
整が容易にできる。
【００５２】実施例１５．図１５は、実施例１５を示す
概略構成図であり、実施例１３および実施例１４で説明
した、誘電体薄膜２０ａを備えて共振器６〜８の間の結
合量調整を行う構成を、実施例１２で説明した、誘電体
基板を円筒状にしたマイクロストリップ線路フィルタに
適用した場合を示すものである。図において、１ａは円
筒形の誘電体基板、２０ａは円筒形の誘電体基板１ａ上
に設けられた誘電体薄膜、２ａ〜４ａは誘電体薄膜２０
ａ上に形成された内導体である。この実施例１５の動作
については、上記実施例１３の説明から明かであり、省
略する。以上のように、実施例１５のマイクロストリッ
プ線路フィルタは共振器６〜８の間の結合量調整のため
の誘電体基板への溝加工または接続導体が不要である。
また、誘電体薄膜に誘電体損の小さい材質を用いること
で、伝送損失を抑えることができる。さらに、誘電体基
板を円筒状にしたことで小形のフィルタを実現できる。
また、この実施例１５のマイクロストリップ線路フィル
タでは、実施例６〜１０の接続導体１２ａおよび内導体
２１ａを露出させて形成できるため、図１５に示したマ
イクロストリップ線路フィルタにおいて、上記実施例６
〜１０のいずれかと同様の接続導体１２ａおよび内導体
２１ａを設けることにより、さらに結合量の調整の自由
度を大きくでき、設計ならびに調整が容易にできる。
概略構成図であり、実施例１３および実施例１４で説明
した、誘電体薄膜２０ａを備えて共振器６〜８の間の結
合量調整を行う構成を、実施例１２で説明した、誘電体
基板を円筒状にしたマイクロストリップ線路フィルタに
適用した場合を示すものである。図において、１ａは円
筒形の誘電体基板、２０ａは円筒形の誘電体基板１ａ上
に設けられた誘電体薄膜、２ａ〜４ａは誘電体薄膜２０
ａ上に形成された内導体である。この実施例１５の動作
については、上記実施例１３の説明から明かであり、省
略する。以上のように、実施例１５のマイクロストリッ
プ線路フィルタは共振器６〜８の間の結合量調整のため
の誘電体基板への溝加工または接続導体が不要である。
また、誘電体薄膜に誘電体損の小さい材質を用いること
で、伝送損失を抑えることができる。さらに、誘電体基
板を円筒状にしたことで小形のフィルタを実現できる。
また、この実施例１５のマイクロストリップ線路フィル
タでは、実施例６〜１０の接続導体１２ａおよび内導体
２１ａを露出させて形成できるため、図１５に示したマ
イクロストリップ線路フィルタにおいて、上記実施例６
〜１０のいずれかと同様の接続導体１２ａおよび内導体
２１ａを設けることにより、さらに結合量の調整の自由
度を大きくでき、設計ならびに調整が容易にできる。
【００５３】上記実施例１３〜１５で説明した誘電体薄
膜２０ａ，２０ｂを備えた構成は、上記実施例５および
実施例１１にも適用でき、同様の効果を得られることは
言うまでもない。また、上記実施例１４などにおいて
は、誘電体薄膜２０ａ上にあらかじめ内導体２ａ〜４
ａ、外導体５ａ、短絡部１３ａ〜１５ａ、入出力線路１
０，１１などをパターン形成しておき、これを誘電体基
板１ａ上に接着などすれば、非常に容易にマイクロスト
リップ線路フィルタを製造できる。この場合には誘電体
基板１ａと外導体５ａの間にも誘電体薄膜２０ａが挿入
される構成となる。なお、以上の実施例では主に共振器
が３つの場合について示したが、４つ以上の場合にも上
記同様に適用できることは言うまでもない。
膜２０ａ，２０ｂを備えた構成は、上記実施例５および
実施例１１にも適用でき、同様の効果を得られることは
言うまでもない。また、上記実施例１４などにおいて
は、誘電体薄膜２０ａ上にあらかじめ内導体２ａ〜４
ａ、外導体５ａ、短絡部１３ａ〜１５ａ、入出力線路１
０，１１などをパターン形成しておき、これを誘電体基
板１ａ上に接着などすれば、非常に容易にマイクロスト
リップ線路フィルタを製造できる。この場合には誘電体
基板１ａと外導体５ａの間にも誘電体薄膜２０ａが挿入
される構成となる。なお、以上の実施例では主に共振器
が３つの場合について示したが、４つ以上の場合にも上
記同様に適用できることは言うまでもない。
【００５４】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
誘電体基板に溝加工が不要であり、誘電体基板の外形加
工と導体膜のエッチング加工のみでストリップ線路フィ
ルタを製作できるという効果がある。
誘電体基板に溝加工が不要であり、誘電体基板の外形加
工と導体膜のエッチング加工のみでストリップ線路フィ
ルタを製作できるという効果がある。
【００５５】請求項２の発明によれば、隣接する内導体
を短絡部からそれぞれ異なる所定の距離だけ離れた位置
で相互に接続するので、所望の結合量を狭い共振器間隔
において得ることができ、フィルタを小形化できる効果
がある。
を短絡部からそれぞれ異なる所定の距離だけ離れた位置
で相互に接続するので、所望の結合量を狭い共振器間隔
において得ることができ、フィルタを小形化できる効果
がある。
【００５６】請求項３の発明によれば、接続導体に設け
られた内導体により、所望の周波数以外の周波数での結
合を抑圧できる効果がある。
られた内導体により、所望の周波数以外の周波数での結
合を抑圧できる効果がある。
【００５７】請求項４の発明によれば、接続導体に所望
の特性に応じて変形したものを用いたので、形状を調整
することにより、共振器の配置を変えることなく、ま
た、狭い共振器間隔で所望の結合特性を得ることがで
き、フィルタを小形化できる効果がある。
の特性に応じて変形したものを用いたので、形状を調整
することにより、共振器の配置を変えることなく、ま
た、狭い共振器間隔で所望の結合特性を得ることがで
き、フィルタを小形化できる効果がある。
【００５８】請求項５の発明によれば、短絡部を共有す
るので、トリプレート線路フィルタを小形化できる効果
がある。
るので、トリプレート線路フィルタを小形化できる効果
がある。
【００５９】請求項６の発明によれば、接続導体が露出
しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接続
導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量を
容易に調整できるという効果がある。
しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接続
導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量を
容易に調整できるという効果がある。
【００６０】請求項７の発明によれば、共振器の配置を
変えることなく、また、狭い共振器間隔で所望の結合特
性を得ることができ、フィルタを小形化できる効果があ
る。
変えることなく、また、狭い共振器間隔で所望の結合特
性を得ることができ、フィルタを小形化できる効果があ
る。
【００６１】請求項８の発明によれば、接続導体が露出
しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接続
導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量を
容易に調整できるという効果がある。さらに、接続導体
に設けられた内導体により、所望の周波数以外の周波数
での結合を抑圧できる効果がある。
しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接続
導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量を
容易に調整できるという効果がある。さらに、接続導体
に設けられた内導体により、所望の周波数以外の周波数
での結合を抑圧できる効果がある。
【００６２】請求項９の発明によれば、接続導体が露出
しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接続
導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量を
容易に調整できるという効果がある。さらに、共振器の
配置を変えることなく、また、狭い共振器間隔で所望の
結合特性を得ることができ、フィルタを小形化できる効
果がある。
しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接続
導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量を
容易に調整できるという効果がある。さらに、共振器の
配置を変えることなく、また、狭い共振器間隔で所望の
結合特性を得ることができ、フィルタを小形化できる効
果がある。
【００６３】請求項１０の発明によれば、接続導体が露
出しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接
続導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量
を容易に調整できるという効果がある。さらに、短絡部
を共有するので、フィルタを小形化できる効果がある。
出しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接
続導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量
を容易に調整できるという効果がある。さらに、短絡部
を共有するので、フィルタを小形化できる効果がある。
【００６４】請求項１１の発明によれば、接続導体が露
出しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接
続導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量
を容易に調整できるという効果がある。さらに、誘電体
基板を円筒形に形成したので、フィルタを小形化できる
効果がある。
出しているため、接続導体の幅をトリミングしたり、接
続導体の位置や幅を変化させることで共振器間の結合量
を容易に調整できるという効果がある。さらに、誘電体
基板を円筒形に形成したので、フィルタを小形化できる
効果がある。
【００６５】請求項１２の発明によれば、ストリップ線
路フィルタにおいて、誘電体基板に結合量調整用の溝を
機械加工等により設けることが不要になり、さらに、接
続導体も不要にできる。また、薄膜に誘電体損の小さい
材質を用いることで、伝送損失を抑えることができる効
果がある。
路フィルタにおいて、誘電体基板に結合量調整用の溝を
機械加工等により設けることが不要になり、さらに、接
続導体も不要にできる。また、薄膜に誘電体損の小さい
材質を用いることで、伝送損失を抑えることができる効
果がある。
【００６６】請求項１３の発明によれば、マイクロスト
リップ線路フィルタにおいて、誘電体基板に結合量調整
用の溝を機械加工等により設けることが不要になり、さ
らに、接続導体も不要にできる。また、薄膜に誘電体損
の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑えることが
できる効果がある。
リップ線路フィルタにおいて、誘電体基板に結合量調整
用の溝を機械加工等により設けることが不要になり、さ
らに、接続導体も不要にできる。また、薄膜に誘電体損
の小さい材質を用いることで、伝送損失を抑えることが
できる効果がある。
【００６７】請求項１４の発明によれば、誘電体基板を
円筒形に形成したマイクロストリップ線路フィルタにお
いて、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加工等によ
り設けることが不要になり、さらに、接続導体も不要に
できる。また、薄膜に誘電体損の小さい材質を用いるこ
とで、伝送損失を抑えることができる効果がある。
円筒形に形成したマイクロストリップ線路フィルタにお
いて、誘電体基板に結合量調整用の溝を機械加工等によ
り設けることが不要になり、さらに、接続導体も不要に
できる。また、薄膜に誘電体損の小さい材質を用いるこ
とで、伝送損失を抑えることができる効果がある。
【図１】この発明の実施例１を示す概略構成図である。
【図２】この発明の実施例２を示す概略構成図である。
【図３】この発明の実施例３を示す概略構成図である。
【図４】この発明の実施例４を示す概略構成図である。
【図５】この発明の実施例５を示す概略構成図である。
【図６】この発明の実施例６を示す概略構成図である。
【図７】この発明の実施例７を示す概略構成図である。
【図８】この発明の実施例８を示す概略構成図である。
【図９】この発明の実施例９を示す概略構成図である。
【図１０】この発明の実施例１０を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１１】この発明の実施例１１を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１２】この発明の実施例１２を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１３】この発明の実施例１３を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１４】この発明の実施例１４を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１５】この発明の実施例１５を示す概略構成図であ
る。
る。
【図１６】従来のストリップ線路フィルタを示す概略構
成図である。
成図である。
１ａ，１ｂ 誘電体基板 ２ａ〜４ａ，２ｂ〜４ｂ 内導体 ５ａ，５ｂ 外導体 ６〜８ ストリップ線路の共振器 ９ａ，９ｂ 溝 １０，１１ 入出力線路 １２ａ，１２ｂ 接続導体 １３ａ〜１５ａ，１３ｂ〜１５ｂ 短絡部 １６〜１８ 共振器 ２０ａ，２０ｂ 誘電体薄膜 ２１ａ，２１ｂ 内導体 ２２，２３ 共振器 ２００ａ〜７００ａ，２００ｂ〜７００ｂ 内導体 ２００〜７００ 共振器
Claims (14)
- 【請求項１】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電体
基板のそれぞれ一方の面に形成された外導体と、上記誘
電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に相互に略平
行に形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を
形成する複数の内導体とを備え、上記外導体、誘電体基
板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなる
ストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のうち、
隣接する内導体を、上記短絡部から所定距離だけ離れた
同じ位置で相互に接続する接続導体を設けたことを特徴
とするストリップ線路フィルタ。 - 【請求項２】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電体
基板のそれぞれ一方の面に形成された外導体と、上記誘
電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に相互に略平
行に形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を
形成する複数の内導体とを備え、上記外導体、誘電体基
板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなる
ストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のうち、
隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ異なる所定
距離だけ離れた位置で相互に接続する接続導体を設けた
ことを特徴とするストリップ線路フィルタ。 - 【請求項３】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電体
基板のそれぞれ一方の面に形成された外導体と、上記誘
電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に相互に略平
行に形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を
形成する複数の内導体とを備え、上記外導体、誘電体基
板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなる
ストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のうち、
隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距離だ
け離れた位置で相互に接続する接続導体を設け、さらに
上記接続導体が、接続導体上に短絡部を持つ内導体を有
することを特徴とするストリップ線路フィルタ。 - 【請求項４】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電体
基板のそれぞれ一方の面に形成された外導体と、上記誘
電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に相互に略平
行に形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を
形成する複数の内導体とを備え、上記外導体、誘電体基
板、内導体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなる
ストリップ線路フィルタにおいて、上記内導体のうち、
隣接する内導体を、上記短絡部からそれぞれ所定距離だ
け離れた位置で相互に接続する所定の形状の接続導体を
設けたことを特徴とするストリップ線路フィルタ。 - 【請求項５】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電体
基板のそれぞれ一方の面に形成された外導体と、上記誘
電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に一端を共通
として放射状に形成され、上記一端が上記外導体に接続
されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記外
導体、誘電体基板、内導体、誘電体基板、外導体の順で
重ねられて形成され、請求項１〜４のいずれか１項に記
載の接続導体が設けたことを特徴とするストリップ線路
フィルタ。 - 【請求項６】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の
面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面に
形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成
する複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と
外導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成
され、上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡
部から所定距離だけ離れた同じ位置で相互に接続する接
続導体を設けたことを特徴とするマイクロストリップ線
路フィルタ。 - 【請求項７】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の
面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面に
形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成
する複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と
外導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成
され、上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡
部からそれぞれ異なる所定距離だけ離れた位置で相互に
接続する接続導体を設けたことを特徴とするマイクロス
トリップ線路フィルタ。 - 【請求項８】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の
面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面に
形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成
する複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と
外導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成
され、上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡
部からそれぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に接続す
る接続導体を設け、さらに上記接続導体が、接続導体上
に短絡部を持つ内導体を有することを特徴とするマイク
ロストリップ線路フィルタ。 - 【請求項９】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の
面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面に
形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成
する複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導体と
外導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が形成
され、上記内導体のうち、隣接する内導体を、上記短絡
部からそれぞれ所定距離だけ離れた位置で相互に接続す
る所定の形状の接続導体を設けたことを特徴とするマイ
クロストリップ線路フィルタ。 - 【請求項１０】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方
の面に形成された外導体と、上記誘電体基板の他方の面
に一端を共通として放射状に形成され、上記一端が上記
外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体とを
備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイク
ロストリップ線路の共振器が形成され、請求項６〜９の
いずれか１項に記載の接続導体が設けられたことを特徴
とするマイクロストリップ線路フィルタ。 - 【請求項１１】 円筒形に形成した誘電体基板と、上記
誘電体基板の一方の面に形成された外導体と、上記誘電
体基板の他方の面に相互に略平行に形成され、一端が上
記外導体に接続されて短絡部を形成する複数の内導体と
を備え、上記誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイ
クロストリップ線路の共振器が形成され、請求項６〜９
のいずれか１項に記載の接続導体が設けられたことを特
徴とするマイクロストリップ線路フィルタ。 - 【請求項１２】 ２枚の誘電体基板と、上記２枚の誘電
体基板のそれぞれ一方の面の側に設けられた外導体と、
上記誘電体基板のうち少なくとも１枚の他方の面に、上
記誘電体基板と異なる誘電率の誘電体層を介して形成さ
れ、一端が上記外導体に接続されて短絡部を形成する複
数の内導体とを備え、上記外導体、誘電体基板、内導
体、誘電体基板、外導体の順で重ねられてなることを特
徴とするストリップ線路フィルタ。 - 【請求項１３】 誘電体基板と、上記誘電体基板の一方
の面の側に設けられた外導体と、上記誘電体基板の他方
の面に、上記誘電体基板と異なる誘電率の誘電体層を介
して形成され、一端が上記外導体に接続されて短絡部を
形成する複数の内導体とを備え、上記誘電体基板と内導
体と外導体を含んでマイクロストリップ線路の共振器が
形成されたことを特徴とするマイクロストリップ線路フ
ィルタ。 - 【請求項１４】 円筒形に形成した誘電体基板と、上記
誘電体基板の一方の面の側に設けられた外導体と、上記
誘電体基板の他方の面に、上記誘電体基板と異なる誘電
率の誘電体層を介して形成され、一端が上記外導体に接
続されて短絡部を形成する複数の内導体とを備え、上記
誘電体基板と内導体と外導体を含んでマイクロストリッ
プ線路の共振器が形成されたことを特徴とするマイクロ
ストリップ線路フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243565A JP2765396B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243565A JP2765396B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697702A true JPH0697702A (ja) | 1994-04-08 |
| JP2765396B2 JP2765396B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=17105735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4243565A Expired - Fee Related JP2765396B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | ストリップ線路フィルタ及びマイクロストリップ線路フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2765396B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4833426A (en) * | 1987-05-22 | 1989-05-23 | Compagnie D'electronique Et De Piezo-Electricite C.E.P.E. | Controllable frequency, temperature compensated piezoelectric oscillator of high spectral purity |
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-
1992
- 1992-09-11 JP JP4243565A patent/JP2765396B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN106463806A (zh) * | 2014-05-23 | 2017-02-22 | 通玉科技有限公司 | Rf滤波器 |
| CN106463806B (zh) * | 2014-05-23 | 2020-03-27 | 通玉科技有限公司 | Rf滤波器 |
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| US10763561B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-09-01 | Nec Corporation | Band-pass filter and control method thereof |
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|---|---|
| JP2765396B2 (ja) | 1998-06-11 |
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