JPH0697584A

JPH0697584A - 光電子装置

Info

Publication number: JPH0697584A
Application number: JP24618792A
Authority: JP
Inventors: Takeo Takahashi; 健夫高橋; Yasuhiro Nakamura; 康弘中村; Takahiko Kondo; 隆彦近藤
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1992-09-16
Filing date: 1992-09-16
Publication date: 1994-04-08

Abstract

(57)【要約】【目的】光電子装置に塔載される半導体レーザ装置１の
変調度を安定にする。また、半導体レーザ装置１のノイ
ズ低減効果を安定にし、読み出し時のエラーレートを低
減する。【構成】電子回路が形成された基板３に半導体レーザ装
置１が実装され、この基板３の主面上にグランド電位と
なる電極４Ａ、４Ｂの夫々が設けられると共に、基板３
の裏面上にスルーホール配線５を介して電極４Ａ、４Ｂ
の夫々と電気的に接続される電極４Ｃが設けられ、半導
体レーザ１のリード６Ａと電極４Ａとが電気的に接続さ
れ、電極４Ｂが、金属ケース２に支持されかつグランド
電位が印加される外部リード９にワイヤ１０を介して電
気的に接続された光電子装置であって、前記電極４Ｃ上
にこの電極４Ｃを被覆する絶縁膜７を設け、前記金属ケ
ース２に絶縁膜７を介在して基板３を絶縁性接着剤８で
接着固定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光電子装置に関し、特
に、光磁気ディスク、光ディスク等の光源に使用される
高周波重畳半導体レーザダイオードモジュールに適用し
て有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】本発明者が開発中の高周波重畳半導体レ
ーザダイオードモジュール（光電子装置）は、電子回路
(発振器)が形成された基板を金属ケース内に組み込んで
いる。この種の基板には、半導体レーザダイオード素子
(ＬＤ)を塔載した半導体レーザ装置が実装される。

【０００３】前記基板の主面上にはグランド電位となる
ＡｇＰｄ電極が設けられ、その主面と対向する裏面上に
は、スルーホール配線を介して前記主面上のＡｇＰｄ電
極と電気的に接続されるＡｇＰｄ電極が設けられる。こ
のＡｇＰｄ電極(裏面)は、ＳＰＣＣに半田(ＰｂＳｕ)メ
ッキを施した前記金属ケースに低融点半田(ＰｂＳｕ)で
接着される。つまり、基板は低融点半田で金属ケースに
固定される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の高
周波重畳半導体レーザダイオードモジュール（光電子装
置）について検討した結果、以下の問題点を見出した。

【０００５】前記高周波重畳半導体レーザダイオードモ
ジュールにおいて、基板の裏面上に設けられたＡｇＰｄ
電極のＡｇが低融点半田に侵入又は浸透し、基板が金属
ケースから剥がれる。これによって、基板に形成された
電子回路（発振器）から半導体レーザ装置の半導体レー
ザダイオード素子に印加される電力が変動し、発振状態
が不安定になり、半導体レーザダイオード素子の光出力
も不安定に変動する。このため、例えば高周波重畳半導
体レーザダイオードモジュールを光ディスク装置に適用
した場合、書き換え可能な光ディスク(光磁気ディスク
を含む)では、書き込み時に強い光でスポット(又は磁界
の反転)を形成し、読み出し時に弱い光量で信号を読み
出すので、読み出し時に光源の出力が増加すると、書き
込み状態になり、記録されている情報が破壊される。

【０００６】また、高周波重畳を行う(しきい値電流Ｉt
hを越えるように深く変調する場合)場合、直流的な時間
平均光出力が増加する。この時、重畳電流の振幅が変動
すると、時間平均光量も変動する。そこで、ＡＰＣ（Ａ
utomatic Ｐower Ｃontroll)動作を行っている場合、光
量の変動を抑制するように駆動電流をコントロールする
ので、瞬時的な出力低下と増加を繰り返す時に直流光量
の瞬時的変動が増加する。このため、発振出力が変動す
ると、高周波重畳によるノイズ低減効果が変動すること
になり、読み取りエラーが増大する。

【０００７】本発明の目的は、光電子装置に塔載される
半導体レーザ装置の変調度を安定にすることが可能な技
術を提供することにある。

【０００８】本発明の他の目的は、光電子装置に塔載さ
れる半導体レーザ装置のノイズ低減効果を安定にし、読
み出し時のエラーレートを低減することが可能な技術を
提供することにある。

【０００９】本発明の他の目的は、光電子装置に塔載さ
れる半導体レーザ装置の光出力を安定にし、記録した信
号が破壊されるのを防止することが可能な技術を提供す
ることにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１２】電子回路が形成された基板に半導体レーザ
装置が実装され、この基板の主面上にグランド電位とな
る第１グランド電極、第２グランド電極の夫々が設けら
れると共に、前記基板の主面と対向する裏面上にスルー
ホール配線を介して前記第１グランド電極、第２グラン
ド電極の夫々と電気的に接続される第３グランド電極が
設けられ、前記半導体レーザのグランドリードと前記第
１グランド電極とが電気的に接続され、前記第２グラン
ドリードが、金属ケースに支持され、かつグランド電位
が印加される外部リードにワイヤを介して電気的に接続
された光電子装置であって、前記第３グランド電極上に
この第３グランド電極を被覆する絶縁膜を設け、前記金
属ケースに絶縁膜を介在して前記基板を絶縁性接着剤で
接着固定する。

【００１３】前記光電子装置は、高周波重畳半導体レー
ザダイオードモジュールである。

【００１４】

【作用】上述した手段によれば、基板が金属ケースから
剥がれるのを防止できるので、電子回路(発振器)から半
導体レーザ装置までの高周波電流の経路が固定され、半
導体レーザ装置の変調度を安定にすることができる。こ
れにより、半導体レーザ装置のノイズ低減効果を安定に
し、読み出し時のエラーレートを低減することができ
る。

【００１５】また、半導体レーザ装置の変調度が安定す
ることにより、半導体レーザ装置の光出力が安定し、記
録した信号の破壊を防止することができる。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて詳細に説明する。

【００１７】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００１８】図１は、本発明の一実施例である高周波重
畳半導体レーザダイオードモジュール(光電子装置)の概
略構成を示す斜視図、図２は、図１のＡーＡで切った断
面図である。

【００１９】図１及び図２において、１は半導体レーザ
装置、２は金属導体からなる金属ケース、３はセラミッ
クからなるセラミック基板、４Ａ，４Ｂ，４ＣはＡｇＰ
ｄ等からなる導電剤が塗布されたグランド電極、５はス
ルーホール配線、６は半導体レーザ装置１のリードピ
ン、７は絶縁膜、８は絶縁性接着剤、９は金属ケースに
支持された外部リードピン、１０は導電性ワイヤ、１１
は半田（ＰｂＳｎ）である。

【００２０】本実施例の高周波重畳半導体レーザダイオ
ードモジュール(光電子装置)は、図１及び図２に示すよ
うに、電子回路(発振器)が形成されたセラミック基板３
を金属ケース２内に組み込んでいる。このセラミック基
板３には、半導体レーザダイオード素子(ＬＤ)を塔載し
た半導体レーザ装置１が実装される。

【００２１】前記セラミック基板３の主面上には、グラ
ンド電位となるグランド電極４Ａ、グランド電極４Ｂの
夫々が設けられる。また、セラミック基板３の主面と対
向する裏面上には、スルーホール配線５を介して前記グ
ランド電極４Ａ、４Ｂの夫々と電気的に接続されるグラ
ンド電極４Ｃが設けられる。このグランド電極４Ｃは、
セラミック基板３の裏面のぼぼ全域に設けられる。

【００２２】前記グランド電極４Ａには、半導体レーザ
装置１のリードピン６のうち、グランド電位が印加され
るグランドリードピン６Ａが電気的に接続され、半田１
１で固定される。前記半導体レーザ装置１のリードピン
６のうち、リードピン６Ｂ、６Ｃの夫々は、セラミック
基板３に形成された電子回路に電気的に接続される。前
記グランド電極４Ｂには、導電性ワイヤ１０を介して金
属ケース２に支持された外部リード９が電気的に接続さ
れる。この外部リード９にはグランド電位が印加され
る。

【００２３】前記グランド電極４Ｃ上には、このグラン
ド電極４Ｃを被覆する絶縁膜７が設けられる。絶縁膜７
は、例えばＳＯＧ(Ｓpin Ｏn Ｇlass)膜で形成され、金
属ケース２に絶縁性接着剤で接着される。つまり、セラ
ミック基板３は、絶縁膜７を介在して金属ケース２に絶
縁性接着剤８で固定される。このように構成される高周
波重畳半導体レーザダイオードモジュールは、金属ケー
ス２にセラミック基板３を低融点半田で固定しないの
で、グランド電極４ＣのＡｇの侵入又は浸透による金属
ケース２からセラミック基板３が剥がれるのを防止でき
る。

【００２４】なお、絶縁性接着剤８の代わりに絶縁性シ
ートを使用し、金属ケース２にセラミック基板３をネジ
止め固定してもよい。

【００２５】また、半導体レーザダイオード素子(ＬＤ)
を他の実装部品と共にセラミック基板３の実装面上に実
装し、このセラミック基板３を窓が一体化された金属ケ
ース２内に組み込んでもよい。この場合、金属ケース２
は放熱フィンを設け、この放熱フィンをヒートシンク又
はキャリッジに固定する。

【００２６】このように、本実施例によれば、以下の効
果が得られる。

【００２７】金属ケース２から基板３が剥がれるのを防
止できるので、電子回路(発振器)から半導体レーザ装置
１までの高周波電流の経路が固定され、半導体レーザ装
置１の変調度を安定にすることができる。これにより、
半導体レーザ装置１のノイズ低減効果が安定し、読み出
し時のエラーレートを低減することができる。

【００２８】また、半導体レーザ装置１の変調度が安定
することにより、半導体レーザ装置１の光出力が安定
し、記録した信号の破壊を防止することができる。

【００２９】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００３０】例えば、本発明は、他の光電子装置にも適
用できる。

【００３１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００３２】電子回路(発振器)から半導体レーザ装置ま
での高周波電流の経路が固定され、半導体レーザ装置の
変調度を安定にすることができる。これにより、半導体
レーザ装置のノイズ低減効果が安定し、読み出し時のエ
ラーレートを低減することができる。

【００３３】また、半導体レーザ装置１の変調度が安定
することにより、半導体レーザ装置の光出力が安定し、
記録した信号の破壊を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である高周波重畳半導体レ
ーザダイオードモジュール(光電子装置)の概略構成を示
す斜視図、

【図２】図１のＡーＡで切った断面図。

【符号の説明】

１…半導体レーザ装置、２…金属ケース、３…セラミッ
ク基板、４Ａ，４Ｂ，４Ｃ…グランド電極、５…スルー
ホール配線、６…リードピン、７…絶縁膜、８…絶縁性
接着剤、９…外部リードピン、１０…導電性ワイヤ、１
１…半田。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者近藤隆彦長野県小諸市大字柏木字東大道下190番地株式会社日立製作所小諸工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子回路が形成された基板に半導体レー
ザ装置が実装され、この基板の主面上にグランド電位と
なる第１グランド電極、第２グランド電極の夫々が設け
られると共に、前記基板の主面と対向する裏面上にスル
ーホール配線を介して前記第１グランド電極、第２グラ
ンド電極の夫々と電気的に接続される第３グランド電極
が設けられ、前記半導体レーザのグランドリードと前記
第１グランド電極とが電気的に接続され、前記第２グラ
ンドリードが、金属ケースに支持され、かつグランド電
位が印加される外部リードにワイヤを介して電気的に接
続された光電子装置であって、前記第３グランド電極上
にこの第３グランド電極を被覆する絶縁膜を設け、前記
金属ケースに絶縁膜を介在して前記基板を絶縁性接着剤
で接着固定したことを特徴とする光電子装置。
【請求項２】前記光電子装置は、高周波重畳半導体レ
ーザダイオードモジュールであることを特徴とする請求
項１に記載の光電子装置。