JPH0697509A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPH0697509A
JPH0697509A JP4273587A JP27358792A JPH0697509A JP H0697509 A JPH0697509 A JP H0697509A JP 4273587 A JP4273587 A JP 4273587A JP 27358792 A JP27358792 A JP 27358792A JP H0697509 A JPH0697509 A JP H0697509A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
optical semiconductor
semiconductor chip
semiconductor device
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP4273587A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazunari Kajiwara
一成 梶原
Hisashi Nagatomi
久 長冨
Seiichi Nagai
精一 永井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP4273587A priority Critical patent/JPH0697509A/ja
Publication of JPH0697509A publication Critical patent/JPH0697509A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
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  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光半導体装置から光ファイバーへ入射される
光出力の割合を増加させる。 【構成】 光半導体装置の光半導体チップ7と同一パッ
ケージ2内に、光半導体チップ7から発せられる光出力
を集光させるために集光面積を広くし、かつその側面に
反射膜を有する集光レンズ61を設ける。 【効果】 光ファイバーへ入射される光出力が増加し、
また半導体チップをステムに固着させるための位置,角
度等の精度が若干悪くてもよいため装置の低価格化,作
業時間の短縮を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は光出力を発する光半導
体装置に関し、特にその光出力の効率を向上させる技術
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は従来の光半導体装置の外観と光フ
ァイバーの位置関係を示す側面図、図5は上記光半導体
装置の断面構成図であり、各図において、1は光半導体
装置を示し、2は内部が空洞になっている円筒形のパッ
ケージであり、その一端側に電極3を備え、その他端側
から光出力が発せられるようになっている。また4は光
半導体装置1から発せられる光出力の方向を表す矢印、
5は上記光半導体装置1近傍に配置され、光出力を受け
る光ファイバーである。
【0003】また上記パッケージ2内の電極3側にはス
テム8が形成されており、これに光半導体チップ7が固
着されている。また、上記パッケージ2の他端側には上
記光半導体チップ7から発せられた光出力を集光する集
光レンズ6が設けられている。また、9は光半導体チッ
プ7から発せられた光出力のうち集光レンズ6に入るも
のを示し、10は上記光出力のうち集光レンズ6に入ら
ないものを示す。
【0004】次に動作について説明する。電極3から所
定の電流がパッケージ2内の光半導体チップ7に供給さ
れると光半導体チップ7から光出力9,10が発せら
れ、この発せられた光出力9及び10のうち光出力9だ
けが集光レンズ6に入射し、ここで集光されて光出力方
向4の方向に出力し、これが光ファイバー5に入射され
て光信号となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の光半導体装置は
以上のように構成されているので、光半導体チップをス
テムへ固着させる時の位置,角度精度が悪いことにより
光半導体チップからの光出力が集光レンズへ入射する割
合が低く、また固着位置,角度精度を満足させることが
できても光半導体チップからの光出力に広がりがあるた
め、集光レンズへ入射する割合は10%前後であった。
以上2つの原因により光半導体装置から光ファイバーへ
入る光出力が小さく、充分な強度を持つ光信号が得られ
にくいという問題点があった。
【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、光半導体チップの固着位置,角
度のある程度のズレや、光半導体チップからの光出力の
広がりがある程度生じても、光出力が高い割合で集光レ
ンズに入射し光ファイバーへ達する光出力量を増加させ
ることができる光半導体装置を得ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光半導体
装置は、光半導体チップと同一パッケージ内に、集光面
積が大きく、且つその側面に光を反射させるために銀な
どを塗布して形成された反射膜を有する集光レンズを備
えたものである。
【0008】あるいは、光半導体チップ近傍に、該チッ
プから出射される光出力を従来構成の集光レンズに導く
光ガイド筒を備えたものである。
【0009】また、光半導体チップ近傍に、該チップか
ら出射される光出力を収束するための光ガイド筒を備
え、レンズを用いることなくパッケージ外部に光出力を
出射するようにしたものである。
【0010】
【作用】この発明においては、集光レンズの集光面積を
大きく取ってあるので光半導体チップからの光出力方向
のずれ、または広がりに対しても有効に集光レンズに光
出力を入射させることができる。また集光レンズ内に入
射した光出力は集光レンズ側面に塗られた反射膜によっ
てさらに集光され、集光レンズの集光面と相対する発光
面から出射される。
【0011】また、光半導体チップからの光出力が光ガ
イド筒により導かれて集光レンズに到達する、あるいは
光半導体チップからの光出力が光ガイド層によって収束
されてパッケージ外部に出射されるため、光ファイバー
へ達する光出力量が増加する。
【0012】
【実施例】実施例1.以下、この発明の一実施例による
光半導体装置を図1に基づいて説明する。図1におい
て、図5と同一符号は同一または相当部分を示し、61
は従来に比べて広い集光面積を有し、かつその側面に光
を反射する銀等の反射膜63が塗布された集光レンズで
ある。この反射膜63は入射した光出力が効率よく集光
レンズ61先端から出射されるように、レンズ先端を除
く周囲全面に形成されている。
【0013】次に動作について説明する。図1におい
て、光半導体チップ7から発せられた光出力9,10は
集光レンズ61に入射し、レンズ側面に塗られた反射膜
63によって反射,集光されながら集光レンズ61の集
光面に相対する発光面に到達し、さらに集光されて光フ
ァイバー5に入射する。
【0014】このように本実施例によれば、光半導体チ
ップ7の光出力を集光する集光レンズ61の光半導体チ
ップ7と対向する面の集光面積を大きくし、かつレンズ
61側面に光出力を反射させるために銀などを塗布した
から、光半導体チップ7から発せられた光出力9,10
はともにレンズ61にて集光されるようになり、光ファ
イバー5への光出力が増大される。このため、光半導体
チップ7をステム8に固着する際の位置,角度合わせの
精度が多少悪くても集光される光出力の低下は少ないた
め、光半導体チップ7の固着作業時間を短縮することが
でき、装置の低価格化を図ることができる。
【0015】実施例2.次に本発明の第2の実施例によ
る光半導体装置を図2に基づいて説明する。上記実施例
では集光面積を大きくし、側面に反射膜を塗った集光レ
ンズ61を用いて光出力の集光度を大きくしたが、図2
に示すように、この実施例では、内面で光出力の反射が
起こるように反射膜が施された反射筒11からなる光ガ
イド筒を光半導体チップ7近傍に配置し、これに集光レ
ンズ62を組み合わせて用いるようにしたものである。
【0016】次に動作について説明する。光半導体チッ
プ7から発せられた光出力9,10は反射筒11内に向
かって進行し、特に広がりの大きい光出力10は筒11
内で反射されて集光レンズ62に入射し、ここで上記光
出力9とともに集光されて集光レンズ62の集光面に相
対する発光面に到達し、光ファイバー5に入射する。
【0017】このように本実施例によれば、光半導体チ
ップ7近傍に内面に反射膜を有する反射筒11を設けた
から、光半導体チップ7から出射された光出力9,10
は収束されて共に集光レンズ62に入射するようにな
り、光ファイバー5への光出力が増大される。
【0018】実施例3.次に本発明の第3の実施例によ
る光半導体装置を図3に基づいて説明する。図3に示す
ように、この実施例では集光レンズを用いることなく光
ガイド筒である反射筒だけで光出力を光ファイバー5に
導くようにしたものである。即ち11aは、先細りの形
状を有し、その内面で光出力の反射が起こるように反射
膜が施された反射筒であり、光半導体チップ7から発せ
られた光出力9,10がそれぞれ反射筒11a内で反射
されて進行し、光ファイバー5に効率よく入射するよう
にその長さ及び設置角度が設計されている。このように
することで上記実施例とほぼ同様の効果を奏することが
できるとともに、集光レンズ62を省いたことによって
構成を簡素化することができ、製造コストの低減を図る
ことができる。
【0019】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る光半導体
装置によれば、光半導体チップと同一パッケージ内に半
導体チップからの光出力を集光する割合を大きくする構
造を設けたため、光半導体装置から光ファイバーへ入射
される光出力が増加し、また半導体チップをステムに固
着させるための位置,角度等の精度は従来と比べ低くて
もよいため装置の低価格化,作業時間の短縮が図れると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例による光半導体装置の
構成と、光ファイバーの配置を示す断面図である。
【図2】この発明の第2の実施例による光半導体装置の
構成と、光ファイバーの配置を示す断面図である。
【図3】この発明の第2の実施例による光半導体装置の
構成と、光ファイバーの配置を示す断面図である。
【図4】従来の一般的な光半導体装置の外観と、光ファ
イバーとの配置を示す側面図である。
【図5】従来の光半導体装置の構成と、光ファイバーの
配置を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体装置 2 パッケージ 3 電極 4 光半導体装置からの光出力の方向 5 光ファイバー 6 集光レンズ 61 集光レンズ 62 集光レンズ 63 反射膜 7 光半導体チップ 8 ステム 9 光半導体チップからの光出力 10 光半導体チップからの光出力 11 反射筒 11a 反射筒

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光出力を発する光半導体チップと、該チ
    ップから発せられた光出力を集光して出力する集光レン
    ズとを同一パッケージ内に備えた光半導体装置におい
    て、 上記集光レンズは、 上記光半導体チップの光出力出射面側の集光面積が大き
    く、かつその外周面に反射膜を有することを特徴とする
    光半導体装置。
  2. 【請求項2】 光出力を発する光半導体チップと、該チ
    ップから発せられた光出力を集光して出力する集光レン
    ズとを同一パッケージ内に備えた光半導体装置におい
    て、 上記光半導体チップ近傍に、該チップから発せられた光
    出力を上記集光レンズに導く光ガイド筒を備えたことを
    特徴とする光半導体装置。
  3. 【請求項3】 光出力を発する光半導体チップをパッケ
    ージ内に備えた光半導体装置において、 上記光半導体チップ近傍に、該チップから発せられた光
    出力を収束させてパッケージ外へ出力する光ガイド筒を
    備えたことを特徴とする光半導体装置。
JP4273587A 1992-09-16 1992-09-16 光半導体装置 Pending JPH0697509A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7264383B2 (en) 2003-07-09 2007-09-04 Diehl Luftfahrt Elektronik Gmbh Lighting element with a light emitting device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7264383B2 (en) 2003-07-09 2007-09-04 Diehl Luftfahrt Elektronik Gmbh Lighting element with a light emitting device
EP1495910A3 (de) * 2003-07-09 2008-04-16 Diehl Aerospace GmbH Leuchtelement mit einem Leuchtmittel
DE10331075B4 (de) * 2003-07-09 2009-02-26 Diehl Aerospace Gmbh Leuchtelement mit einem Leuchtmittel

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