JPH0696951A - 立体閉磁路磁心型インダクタンス素子 - Google Patents
立体閉磁路磁心型インダクタンス素子Info
- Publication number
- JPH0696951A JPH0696951A JP25537591A JP25537591A JPH0696951A JP H0696951 A JPH0696951 A JP H0696951A JP 25537591 A JP25537591 A JP 25537591A JP 25537591 A JP25537591 A JP 25537591A JP H0696951 A JPH0696951 A JP H0696951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic core
- core
- inductance element
- thin film
- Prior art date
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- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は高周波薄膜インダクタンス素子のマイ
クロ化に伴い微細化される磁心の反磁界や磁心の特性劣
化を防ぎ、磁心を有効に利用するための立体閉磁路磁心
型インダクタンス素子を提供する。 【構成】基板100上に下部磁心201を配設し、この
下部磁心201上に絶縁膜を介して下部励磁導体101
を配設する。この下部励磁導体101上に絶縁膜を介し
て上部磁心202を配設し、この上部磁心202上に絶
縁膜を介して上部励磁導体102を配設して構成する。
クロ化に伴い微細化される磁心の反磁界や磁心の特性劣
化を防ぎ、磁心を有効に利用するための立体閉磁路磁心
型インダクタンス素子を提供する。 【構成】基板100上に下部磁心201を配設し、この
下部磁心201上に絶縁膜を介して下部励磁導体101
を配設する。この下部励磁導体101上に絶縁膜を介し
て上部磁心202を配設し、この上部磁心202上に絶
縁膜を介して上部励磁導体102を配設して構成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高周波薄膜インダクタン
ス素子に於いて、各磁心を立体的に閉磁路形に作ること
により、素子のマイクロ化に伴い微細化される磁心の反
磁界や磁心の特性劣化を防ぎ、磁心を有効に利用するた
めのインダクタンス素子に関するものである。
ス素子に於いて、各磁心を立体的に閉磁路形に作ること
により、素子のマイクロ化に伴い微細化される磁心の反
磁界や磁心の特性劣化を防ぎ、磁心を有効に利用するた
めのインダクタンス素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、磁心を有する薄膜インダクタンス
素子において、磁心のマイクロ化に伴い、より磁心を有
効に利用する方法として、磁心を平面閉磁路にし、この
磁心に励磁導体を配することにより、磁心を有効に利用
しようと試みられている。図5(a)及び(b)にその
例の平面図を示す。1は励磁導体、2は磁心である。図
で、磁心2は平面内で閉磁路になっている。磁心A(斜
線部)と磁心B部分は寸法的に直角方向に互いに逆方向
にあり、例えばスパッタ等で成膜する時は一般に全方向
に等方的に成膜することが困難であるため、磁心A及び
Bを同じ磁気特性を持つように成膜することは困難であ
る。薄膜磁心の特性を向上させるために、磁心を成膜
後、磁心を磁界中で回転したり、一方向磁界中で熱処理
を施すことが行われている。図6はその時の磁心2と磁
石3の関係を示す概略平面図である。磁心2を回転した
場合は短冊形の磁心2は方向により磁界のかかり方が異
なり磁心2を等方的な磁界中で処理出来ないため、均質
な特性を持つ磁心を得ることができない。一方、一方向
磁界中での処理では磁心A,Bの磁界の方向が異なり、
従って磁区方向が異なる磁心膜ができ、全磁心を有効に
利用する妨げになっている。従って、平面内閉磁路磁心
を有するインダクタンス素子においては磁心その物の特
性として限界がある。
素子において、磁心のマイクロ化に伴い、より磁心を有
効に利用する方法として、磁心を平面閉磁路にし、この
磁心に励磁導体を配することにより、磁心を有効に利用
しようと試みられている。図5(a)及び(b)にその
例の平面図を示す。1は励磁導体、2は磁心である。図
で、磁心2は平面内で閉磁路になっている。磁心A(斜
線部)と磁心B部分は寸法的に直角方向に互いに逆方向
にあり、例えばスパッタ等で成膜する時は一般に全方向
に等方的に成膜することが困難であるため、磁心A及び
Bを同じ磁気特性を持つように成膜することは困難であ
る。薄膜磁心の特性を向上させるために、磁心を成膜
後、磁心を磁界中で回転したり、一方向磁界中で熱処理
を施すことが行われている。図6はその時の磁心2と磁
石3の関係を示す概略平面図である。磁心2を回転した
場合は短冊形の磁心2は方向により磁界のかかり方が異
なり磁心2を等方的な磁界中で処理出来ないため、均質
な特性を持つ磁心を得ることができない。一方、一方向
磁界中での処理では磁心A,Bの磁界の方向が異なり、
従って磁区方向が異なる磁心膜ができ、全磁心を有効に
利用する妨げになっている。従って、平面内閉磁路磁心
を有するインダクタンス素子においては磁心その物の特
性として限界がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたもので、磁心の特性を有効に利用できる
ようにするための磁心形状を有する立体閉磁路磁心型イ
ンダクタンス素子を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、磁心の特性を有効に利用できる
ようにするための磁心形状を有する立体閉磁路磁心型イ
ンダクタンス素子を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、薄膜磁心を絶縁膜を介して薄膜励磁導体の
上下に配し、磁心を立体的に閉磁路になるように構成す
るもので、素子全体の薄膜磁心を均一にして利用するた
めの有効な手段である。
するために、薄膜磁心を絶縁膜を介して薄膜励磁導体の
上下に配し、磁心を立体的に閉磁路になるように構成す
るもので、素子全体の薄膜磁心を均一にして利用するた
めの有効な手段である。
【0005】
【作用】上記手段で磁心を立体的に閉磁路にすることに
より、全磁心を対等に配することができ、磁心材料の特
性向上並びに励磁導体により全磁心を対等に励磁するこ
とができる。
より、全磁心を対等に配することができ、磁心材料の特
性向上並びに励磁導体により全磁心を対等に励磁するこ
とができる。
【0006】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。 実施例1
説明する。 実施例1
【0007】図1は立体閉磁路磁心を一個用いたインダ
クタンス素子の断面図である。基板100上に薄膜磁性
体よりなる下部磁心201を配設し、この下部磁心20
1上に薄膜よりなる絶縁膜(図示せず)を介して薄膜よ
りなる下部励磁導体(コイル)101を配設する。この
下部励磁導体101上に薄膜よりなる絶縁膜(図示せ
ず)を介して薄膜磁性体よりなる上部磁心202を配設
し、この上部磁心202上に薄膜よりなる絶縁膜(図示
せず)を介して薄膜よりなる上部励磁導体(コイル)1
02を配設する構造になっている。各薄膜パターンは下
部励磁導体101の上下に配設する絶縁膜が下部磁心2
01及び上部磁心202より小さくすることにより、下
部磁心201と上部磁心202が薄膜パターン端部で繋
がり磁心は立体的に閉磁路を形成する。 実施例2
クタンス素子の断面図である。基板100上に薄膜磁性
体よりなる下部磁心201を配設し、この下部磁心20
1上に薄膜よりなる絶縁膜(図示せず)を介して薄膜よ
りなる下部励磁導体(コイル)101を配設する。この
下部励磁導体101上に薄膜よりなる絶縁膜(図示せ
ず)を介して薄膜磁性体よりなる上部磁心202を配設
し、この上部磁心202上に薄膜よりなる絶縁膜(図示
せず)を介して薄膜よりなる上部励磁導体(コイル)1
02を配設する構造になっている。各薄膜パターンは下
部励磁導体101の上下に配設する絶縁膜が下部磁心2
01及び上部磁心202より小さくすることにより、下
部磁心201と上部磁心202が薄膜パターン端部で繋
がり磁心は立体的に閉磁路を形成する。 実施例2
【0008】図2は立体閉磁路磁心を複数個配した場合
の実施例の平面図である。10は薄膜よりなる励磁導体
(コイル)、20は薄膜磁性体よりなる上下の磁心で、
白の部分は励磁導体10と磁心20間の薄膜よりなる絶
縁膜30である。立体閉磁路磁心20が24個励磁導体
10により結合している。また点線は上下磁心20間に
ある励磁導体10を示す。 実施例3
の実施例の平面図である。10は薄膜よりなる励磁導体
(コイル)、20は薄膜磁性体よりなる上下の磁心で、
白の部分は励磁導体10と磁心20間の薄膜よりなる絶
縁膜30である。立体閉磁路磁心20が24個励磁導体
10により結合している。また点線は上下磁心20間に
ある励磁導体10を示す。 実施例3
【0009】図3は隣り合う磁心21を逆相に励磁する
ように励磁導体11を配設することにより共振周波数を
上げる方法の実施例の平面図である。立体閉磁路磁心2
1を矢印Hで示すように、一列ごとに逆相に励磁したも
のである。11は薄膜よりなる励磁導体、21は薄膜磁
性体よりなる上下の磁心で、白の部分は励磁導体11と
磁心21間の薄膜よりなる絶縁膜31である。また点線
は上下磁心21間にある励磁導体11を示す。 実施例4
ように励磁導体11を配設することにより共振周波数を
上げる方法の実施例の平面図である。立体閉磁路磁心2
1を矢印Hで示すように、一列ごとに逆相に励磁したも
のである。11は薄膜よりなる励磁導体、21は薄膜磁
性体よりなる上下の磁心で、白の部分は励磁導体11と
磁心21間の薄膜よりなる絶縁膜31である。また点線
は上下磁心21間にある励磁導体11を示す。 実施例4
【0010】図4は立体閉磁路磁心同士を複数個結合し
たインダクタンス素子の実施例の平面図である。磁心2
2の横方向全体を繋ぐことにより磁心22の体積を増加
し、インダクタンス素子の単位当たりのインダクタンス
を増加させることができる。12は薄膜よりなる励磁導
体、22は薄膜磁性体よりなる上下の磁心で、白の部分
は励磁導体12と磁心22間の薄膜よりなる絶縁膜32
である。また点線は上下磁心22間にある励磁導体12
を示す。
たインダクタンス素子の実施例の平面図である。磁心2
2の横方向全体を繋ぐことにより磁心22の体積を増加
し、インダクタンス素子の単位当たりのインダクタンス
を増加させることができる。12は薄膜よりなる励磁導
体、22は薄膜磁性体よりなる上下の磁心で、白の部分
は励磁導体12と磁心22間の薄膜よりなる絶縁膜32
である。また点線は上下磁心22間にある励磁導体12
を示す。
【0011】上記のように、磁心を有する薄膜インダク
タンス素子では特に素子全体が等方的であることが必要
である。インダクタンス素子としてインダクタを例にと
り説明する。図4で高周波領域まで高いインダクタンス
を得るためには磁心を励磁方向に直角方向に磁化容易磁
区方向があることが良いとされ、その方法として励磁方
向と直角方向への一方向磁界の基で熱処理を行ってい
る。この場合に全磁心が同様な磁界で処理されるには、
全磁心は磁界に対して対等でなければならない。磁心を
上下に同様な形状で配することにより、全磁心が対等で
あり上下磁心膜を励磁コイルに対して同等に配すること
ができ磁心の有効利用に非常に有利である。尚、上記実
施例において、上部磁心及び下部磁心をストリップ状薄
膜磁心から形成するようにしてもよい。
タンス素子では特に素子全体が等方的であることが必要
である。インダクタンス素子としてインダクタを例にと
り説明する。図4で高周波領域まで高いインダクタンス
を得るためには磁心を励磁方向に直角方向に磁化容易磁
区方向があることが良いとされ、その方法として励磁方
向と直角方向への一方向磁界の基で熱処理を行ってい
る。この場合に全磁心が同様な磁界で処理されるには、
全磁心は磁界に対して対等でなければならない。磁心を
上下に同様な形状で配することにより、全磁心が対等で
あり上下磁心膜を励磁コイルに対して同等に配すること
ができ磁心の有効利用に非常に有利である。尚、上記実
施例において、上部磁心及び下部磁心をストリップ状薄
膜磁心から形成するようにしてもよい。
【0012】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、磁心
を有する薄膜インダクタンス素子に於いて、磁心を立体
的に閉磁路にすることにより、全磁心を対等に配するこ
とができ磁心材料の特性向上並びに励磁導体により全磁
心が対等に励磁される利点がある。
を有する薄膜インダクタンス素子に於いて、磁心を立体
的に閉磁路にすることにより、全磁心を対等に配するこ
とができ磁心材料の特性向上並びに励磁導体により全磁
心が対等に励磁される利点がある。
【図1】本発明の実施例1を示す概略断面図である。
【図2】本発明の実施例2を示す概略平面図である。
【図3】本発明の実施例3を示す概略平面図である。
【図4】本発明の実施例4を示す概略平面図である。
【図5】従来の平面閉磁路インダクタ磁心の概略構成図
である。
である。
【図6】従来の磁界中熱処理の場合の磁心と磁石の関係
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
100…基板、101…下部励磁導体、102…上部励
磁導体、201…下部磁心、202…上部磁心。
磁導体、201…下部磁心、202…上部磁心。
Claims (4)
- 【請求項1】 薄膜励磁導体の回りに薄膜磁心を配設す
るインダクタンス素子において、上部磁心及び下部磁心
により立体閉磁路を構成する磁心が一個もしくは複数個
からなることを特徴とする立体閉磁路磁心型インダクタ
ンス素子。 - 【請求項2】 隣り合う磁心が逆相に励磁されるように
励磁導体を配設したことを特徴とする請求項1記載の立
体閉磁路磁心型インダクタンス素子。 - 【請求項3】 立体閉磁路磁心を複数個結合したことを
特徴とする請求項1又は2記載の立体閉磁路磁心型イン
ダクタス素子。 - 【請求項4】 上部磁心及び下部磁心がストリップ状薄
膜磁心からなることを特徴とする請求項1,2又は3記
載の立体閉磁路磁心型インダクタンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25537591A JPH0696951A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 立体閉磁路磁心型インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25537591A JPH0696951A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 立体閉磁路磁心型インダクタンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0696951A true JPH0696951A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17277896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25537591A Pending JPH0696951A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 立体閉磁路磁心型インダクタンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0696951A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008109139A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Commissariat A L'energie Atomique | いくつかのコイルブランチを有するコイル、及び当該コイルの一つを有するマイクロインダクタ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5095722A (ja) * | 1973-12-25 | 1975-07-30 | ||
JPS59102325A (ja) * | 1983-10-25 | 1984-06-13 | 株式会社クボタ | コンバイン |
JPH01276708A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Koichi Murakami | インダクタンス素子 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25537591A patent/JPH0696951A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5095722A (ja) * | 1973-12-25 | 1975-07-30 | ||
JPS59102325A (ja) * | 1983-10-25 | 1984-06-13 | 株式会社クボタ | コンバイン |
JPH01276708A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Koichi Murakami | インダクタンス素子 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008109139A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Commissariat A L'energie Atomique | いくつかのコイルブランチを有するコイル、及び当該コイルの一つを有するマイクロインダクタ |
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