JPH0696951A - 立体閉磁路磁心型インダクタンス素子 - Google Patents
立体閉磁路磁心型インダクタンス素子Info
- Publication number
- JPH0696951A JPH0696951A JP25537591A JP25537591A JPH0696951A JP H0696951 A JPH0696951 A JP H0696951A JP 25537591 A JP25537591 A JP 25537591A JP 25537591 A JP25537591 A JP 25537591A JP H0696951 A JPH0696951 A JP H0696951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic core
- core
- inductance element
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は高周波薄膜インダクタンス素子のマイ
クロ化に伴い微細化される磁心の反磁界や磁心の特性劣
化を防ぎ、磁心を有効に利用するための立体閉磁路磁心
型インダクタンス素子を提供する。 【構成】基板１００上に下部磁心２０１を配設し、この
下部磁心２０１上に絶縁膜を介して下部励磁導体１０１
を配設する。この下部励磁導体１０１上に絶縁膜を介し
て上部磁心２０２を配設し、この上部磁心２０２上に絶
縁膜を介して上部励磁導体１０２を配設して構成する。
クロ化に伴い微細化される磁心の反磁界や磁心の特性劣
化を防ぎ、磁心を有効に利用するための立体閉磁路磁心
型インダクタンス素子を提供する。 【構成】基板１００上に下部磁心２０１を配設し、この
下部磁心２０１上に絶縁膜を介して下部励磁導体１０１
を配設する。この下部励磁導体１０１上に絶縁膜を介し
て上部磁心２０２を配設し、この上部磁心２０２上に絶
縁膜を介して上部励磁導体１０２を配設して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波薄膜インダクタン
ス素子に於いて、各磁心を立体的に閉磁路形に作ること
により、素子のマイクロ化に伴い微細化される磁心の反
磁界や磁心の特性劣化を防ぎ、磁心を有効に利用するた
めのインダクタンス素子に関するものである。
ス素子に於いて、各磁心を立体的に閉磁路形に作ること
により、素子のマイクロ化に伴い微細化される磁心の反
磁界や磁心の特性劣化を防ぎ、磁心を有効に利用するた
めのインダクタンス素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁心を有する薄膜インダクタンス
素子において、磁心のマイクロ化に伴い、より磁心を有
効に利用する方法として、磁心を平面閉磁路にし、この
磁心に励磁導体を配することにより、磁心を有効に利用
しようと試みられている。図５（ａ）及び（ｂ）にその
例の平面図を示す。１は励磁導体、２は磁心である。図
で、磁心２は平面内で閉磁路になっている。磁心Ａ（斜
線部）と磁心Ｂ部分は寸法的に直角方向に互いに逆方向
にあり、例えばスパッタ等で成膜する時は一般に全方向
に等方的に成膜することが困難であるため、磁心Ａ及び
Ｂを同じ磁気特性を持つように成膜することは困難であ
る。薄膜磁心の特性を向上させるために、磁心を成膜
後、磁心を磁界中で回転したり、一方向磁界中で熱処理
を施すことが行われている。図６はその時の磁心２と磁
石３の関係を示す概略平面図である。磁心２を回転した
場合は短冊形の磁心２は方向により磁界のかかり方が異
なり磁心２を等方的な磁界中で処理出来ないため、均質
な特性を持つ磁心を得ることができない。一方、一方向
磁界中での処理では磁心Ａ，Ｂの磁界の方向が異なり、
従って磁区方向が異なる磁心膜ができ、全磁心を有効に
利用する妨げになっている。従って、平面内閉磁路磁心
を有するインダクタンス素子においては磁心その物の特
性として限界がある。
素子において、磁心のマイクロ化に伴い、より磁心を有
効に利用する方法として、磁心を平面閉磁路にし、この
磁心に励磁導体を配することにより、磁心を有効に利用
しようと試みられている。図５（ａ）及び（ｂ）にその
例の平面図を示す。１は励磁導体、２は磁心である。図
で、磁心２は平面内で閉磁路になっている。磁心Ａ（斜
線部）と磁心Ｂ部分は寸法的に直角方向に互いに逆方向
にあり、例えばスパッタ等で成膜する時は一般に全方向
に等方的に成膜することが困難であるため、磁心Ａ及び
Ｂを同じ磁気特性を持つように成膜することは困難であ
る。薄膜磁心の特性を向上させるために、磁心を成膜
後、磁心を磁界中で回転したり、一方向磁界中で熱処理
を施すことが行われている。図６はその時の磁心２と磁
石３の関係を示す概略平面図である。磁心２を回転した
場合は短冊形の磁心２は方向により磁界のかかり方が異
なり磁心２を等方的な磁界中で処理出来ないため、均質
な特性を持つ磁心を得ることができない。一方、一方向
磁界中での処理では磁心Ａ，Ｂの磁界の方向が異なり、
従って磁区方向が異なる磁心膜ができ、全磁心を有効に
利用する妨げになっている。従って、平面内閉磁路磁心
を有するインダクタンス素子においては磁心その物の特
性として限界がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたもので、磁心の特性を有効に利用できる
ようにするための磁心形状を有する立体閉磁路磁心型イ
ンダクタンス素子を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、磁心の特性を有効に利用できる
ようにするための磁心形状を有する立体閉磁路磁心型イ
ンダクタンス素子を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、薄膜磁心を絶縁膜を介して薄膜励磁導体の
上下に配し、磁心を立体的に閉磁路になるように構成す
るもので、素子全体の薄膜磁心を均一にして利用するた
めの有効な手段である。
するために、薄膜磁心を絶縁膜を介して薄膜励磁導体の
上下に配し、磁心を立体的に閉磁路になるように構成す
るもので、素子全体の薄膜磁心を均一にして利用するた
めの有効な手段である。
【０００５】
【作用】上記手段で磁心を立体的に閉磁路にすることに
より、全磁心を対等に配することができ、磁心材料の特
性向上並びに励磁導体により全磁心を対等に励磁するこ
とができる。
より、全磁心を対等に配することができ、磁心材料の特
性向上並びに励磁導体により全磁心を対等に励磁するこ
とができる。
【０００６】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。 実施例１
説明する。 実施例１
【０００７】図１は立体閉磁路磁心を一個用いたインダ
クタンス素子の断面図である。基板１００上に薄膜磁性
体よりなる下部磁心２０１を配設し、この下部磁心２０
１上に薄膜よりなる絶縁膜（図示せず）を介して薄膜よ
りなる下部励磁導体（コイル）１０１を配設する。この
下部励磁導体１０１上に薄膜よりなる絶縁膜（図示せ
ず）を介して薄膜磁性体よりなる上部磁心２０２を配設
し、この上部磁心２０２上に薄膜よりなる絶縁膜（図示
せず）を介して薄膜よりなる上部励磁導体（コイル）１
０２を配設する構造になっている。各薄膜パターンは下
部励磁導体１０１の上下に配設する絶縁膜が下部磁心２
０１及び上部磁心２０２より小さくすることにより、下
部磁心２０１と上部磁心２０２が薄膜パターン端部で繋
がり磁心は立体的に閉磁路を形成する。 実施例２
クタンス素子の断面図である。基板１００上に薄膜磁性
体よりなる下部磁心２０１を配設し、この下部磁心２０
１上に薄膜よりなる絶縁膜（図示せず）を介して薄膜よ
りなる下部励磁導体（コイル）１０１を配設する。この
下部励磁導体１０１上に薄膜よりなる絶縁膜（図示せ
ず）を介して薄膜磁性体よりなる上部磁心２０２を配設
し、この上部磁心２０２上に薄膜よりなる絶縁膜（図示
せず）を介して薄膜よりなる上部励磁導体（コイル）１
０２を配設する構造になっている。各薄膜パターンは下
部励磁導体１０１の上下に配設する絶縁膜が下部磁心２
０１及び上部磁心２０２より小さくすることにより、下
部磁心２０１と上部磁心２０２が薄膜パターン端部で繋
がり磁心は立体的に閉磁路を形成する。 実施例２
【０００８】図２は立体閉磁路磁心を複数個配した場合
の実施例の平面図である。１０は薄膜よりなる励磁導体
（コイル）、２０は薄膜磁性体よりなる上下の磁心で、
白の部分は励磁導体１０と磁心２０間の薄膜よりなる絶
縁膜３０である。立体閉磁路磁心２０が２４個励磁導体
１０により結合している。また点線は上下磁心２０間に
ある励磁導体１０を示す。 実施例３
の実施例の平面図である。１０は薄膜よりなる励磁導体
（コイル）、２０は薄膜磁性体よりなる上下の磁心で、
白の部分は励磁導体１０と磁心２０間の薄膜よりなる絶
縁膜３０である。立体閉磁路磁心２０が２４個励磁導体
１０により結合している。また点線は上下磁心２０間に
ある励磁導体１０を示す。 実施例３
【０００９】図３は隣り合う磁心２１を逆相に励磁する
ように励磁導体１１を配設することにより共振周波数を
上げる方法の実施例の平面図である。立体閉磁路磁心２
１を矢印Ｈで示すように、一列ごとに逆相に励磁したも
のである。１１は薄膜よりなる励磁導体、２１は薄膜磁
性体よりなる上下の磁心で、白の部分は励磁導体１１と
磁心２１間の薄膜よりなる絶縁膜３１である。また点線
は上下磁心２１間にある励磁導体１１を示す。 実施例４
ように励磁導体１１を配設することにより共振周波数を
上げる方法の実施例の平面図である。立体閉磁路磁心２
１を矢印Ｈで示すように、一列ごとに逆相に励磁したも
のである。１１は薄膜よりなる励磁導体、２１は薄膜磁
性体よりなる上下の磁心で、白の部分は励磁導体１１と
磁心２１間の薄膜よりなる絶縁膜３１である。また点線
は上下磁心２１間にある励磁導体１１を示す。 実施例４
【００１０】図４は立体閉磁路磁心同士を複数個結合し
たインダクタンス素子の実施例の平面図である。磁心２
２の横方向全体を繋ぐことにより磁心２２の体積を増加
し、インダクタンス素子の単位当たりのインダクタンス
を増加させることができる。１２は薄膜よりなる励磁導
体、２２は薄膜磁性体よりなる上下の磁心で、白の部分
は励磁導体１２と磁心２２間の薄膜よりなる絶縁膜３２
である。また点線は上下磁心２２間にある励磁導体１２
を示す。
たインダクタンス素子の実施例の平面図である。磁心２
２の横方向全体を繋ぐことにより磁心２２の体積を増加
し、インダクタンス素子の単位当たりのインダクタンス
を増加させることができる。１２は薄膜よりなる励磁導
体、２２は薄膜磁性体よりなる上下の磁心で、白の部分
は励磁導体１２と磁心２２間の薄膜よりなる絶縁膜３２
である。また点線は上下磁心２２間にある励磁導体１２
を示す。
【００１１】上記のように、磁心を有する薄膜インダク
タンス素子では特に素子全体が等方的であることが必要
である。インダクタンス素子としてインダクタを例にと
り説明する。図４で高周波領域まで高いインダクタンス
を得るためには磁心を励磁方向に直角方向に磁化容易磁
区方向があることが良いとされ、その方法として励磁方
向と直角方向への一方向磁界の基で熱処理を行ってい
る。この場合に全磁心が同様な磁界で処理されるには、
全磁心は磁界に対して対等でなければならない。磁心を
上下に同様な形状で配することにより、全磁心が対等で
あり上下磁心膜を励磁コイルに対して同等に配すること
ができ磁心の有効利用に非常に有利である。尚、上記実
施例において、上部磁心及び下部磁心をストリップ状薄
膜磁心から形成するようにしてもよい。
タンス素子では特に素子全体が等方的であることが必要
である。インダクタンス素子としてインダクタを例にと
り説明する。図４で高周波領域まで高いインダクタンス
を得るためには磁心を励磁方向に直角方向に磁化容易磁
区方向があることが良いとされ、その方法として励磁方
向と直角方向への一方向磁界の基で熱処理を行ってい
る。この場合に全磁心が同様な磁界で処理されるには、
全磁心は磁界に対して対等でなければならない。磁心を
上下に同様な形状で配することにより、全磁心が対等で
あり上下磁心膜を励磁コイルに対して同等に配すること
ができ磁心の有効利用に非常に有利である。尚、上記実
施例において、上部磁心及び下部磁心をストリップ状薄
膜磁心から形成するようにしてもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、磁心
を有する薄膜インダクタンス素子に於いて、磁心を立体
的に閉磁路にすることにより、全磁心を対等に配するこ
とができ磁心材料の特性向上並びに励磁導体により全磁
心が対等に励磁される利点がある。
を有する薄膜インダクタンス素子に於いて、磁心を立体
的に閉磁路にすることにより、全磁心を対等に配するこ
とができ磁心材料の特性向上並びに励磁導体により全磁
心が対等に励磁される利点がある。
【図１】本発明の実施例１を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例２を示す概略平面図である。
【図３】本発明の実施例３を示す概略平面図である。
【図４】本発明の実施例４を示す概略平面図である。
【図５】従来の平面閉磁路インダクタ磁心の概略構成図
である。
である。
【図６】従来の磁界中熱処理の場合の磁心と磁石の関係
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
１００…基板、１０１…下部励磁導体、１０２…上部励
磁導体、２０１…下部磁心、２０２…上部磁心。
磁導体、２０１…下部磁心、２０２…上部磁心。
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜励磁導体の回りに薄膜磁心を配設す
るインダクタンス素子において、上部磁心及び下部磁心
により立体閉磁路を構成する磁心が一個もしくは複数個
からなることを特徴とする立体閉磁路磁心型インダクタ
ンス素子。 - 【請求項２】 隣り合う磁心が逆相に励磁されるように
励磁導体を配設したことを特徴とする請求項１記載の立
体閉磁路磁心型インダクタンス素子。 - 【請求項３】 立体閉磁路磁心を複数個結合したことを
特徴とする請求項１又は２記載の立体閉磁路磁心型イン
ダクタス素子。 - 【請求項４】 上部磁心及び下部磁心がストリップ状薄
膜磁心からなることを特徴とする請求項１，２又は３記
載の立体閉磁路磁心型インダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25537591A JPH0696951A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 立体閉磁路磁心型インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25537591A JPH0696951A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 立体閉磁路磁心型インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696951A true JPH0696951A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17277896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25537591A Pending JPH0696951A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 立体閉磁路磁心型インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008109139A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Commissariat A L'energie Atomique | いくつかのコイルブランチを有するコイル、及び当該コイルの一つを有するマイクロインダクタ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5095722A (ja) * | 1973-12-25 | 1975-07-30 | ||
| JPS59102325A (ja) * | 1983-10-25 | 1984-06-13 | 株式会社クボタ | コンバイン |
| JPH01276708A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Koichi Murakami | インダクタンス素子 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25537591A patent/JPH0696951A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5095722A (ja) * | 1973-12-25 | 1975-07-30 | ||
| JPS59102325A (ja) * | 1983-10-25 | 1984-06-13 | 株式会社クボタ | コンバイン |
| JPH01276708A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Koichi Murakami | インダクタンス素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008109139A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Commissariat A L'energie Atomique | いくつかのコイルブランチを有するコイル、及び当該コイルの一つを有するマイクロインダクタ |
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