JPH0695593B2 - プリント基板の改造方法 - Google Patents
プリント基板の改造方法Info
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- JPH0695593B2 JPH0695593B2 JP2257524A JP25752490A JPH0695593B2 JP H0695593 B2 JPH0695593 B2 JP H0695593B2 JP 2257524 A JP2257524 A JP 2257524A JP 25752490 A JP25752490 A JP 25752490A JP H0695593 B2 JPH0695593 B2 JP H0695593B2
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/485—Adaptation of interconnections, e.g. engineering charges, repair techniques
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
コンピュータ等の高性能電子機器に使用されるプリント
基板の改造方法に関し、 高密度のピンピッチに対応可能であり、かつ信頼性の高
いプリント基板の改造方法を提供することを目的とし、 改造対象であるLSIのリードに対応するプリント基板上
の素子実装用パッドを内層から切り離して該素子実装用
パッドの接続先を変更するプリント基板の改造方法にお
いて、 前記改造対象のLSIのリードと素子実装用パッドとの間
に薄板絶縁体を挿入して内層との切り離しを行うように
構成する。
基板の改造方法に関し、 高密度のピンピッチに対応可能であり、かつ信頼性の高
いプリント基板の改造方法を提供することを目的とし、 改造対象であるLSIのリードに対応するプリント基板上
の素子実装用パッドを内層から切り離して該素子実装用
パッドの接続先を変更するプリント基板の改造方法にお
いて、 前記改造対象のLSIのリードと素子実装用パッドとの間
に薄板絶縁体を挿入して内層との切り離しを行うように
構成する。
本発明は、コンピュータ等の高性能電子機器に使用され
るプリント基板の改造方法に関するものである。 LSIの集積度の向上に伴って、LSIが搭載され、LSI間の
配線を収容するプリント基板に対する高密度化への要求
は益々厳しくなってきており、特に、超大型コンピュー
タやスーパーコンピュータに使用されるプリント基板
は、論理設計上、製造プロセス上、両面で非常に複雑化
してきている。 このような事情の下、基板の製造不良の救済や設計変更
に容易に対応することができるプリント基板の改造方法
が求められている。
るプリント基板の改造方法に関するものである。 LSIの集積度の向上に伴って、LSIが搭載され、LSI間の
配線を収容するプリント基板に対する高密度化への要求
は益々厳しくなってきており、特に、超大型コンピュー
タやスーパーコンピュータに使用されるプリント基板
は、論理設計上、製造プロセス上、両面で非常に複雑化
してきている。 このような事情の下、基板の製造不良の救済や設計変更
に容易に対応することができるプリント基板の改造方法
が求められている。
従来、プリント基板の改造方法としては、第6図に示す
ものが提案されている。 基板3上に形成される素子実装用パッド4と、ヴィアあ
るいはスルーホール12を介して内層5に接続されるヴィ
アパッド、あるいはスルーホールランド13との間には、
パターンカット部14とワイヤボンディングパッド15が配
置されており、布線変更に対しては、パターンカット部
14を切断することによりワイヤボンディングパッド15、
および素子実装用パッド4を内層5から切り離し、ワイ
ヤボンディングパッド15を利用してディスクリートワイ
ヤ8を引き回すことにより対応が取られる。 第7図は他の改造方法を示すもので、各LSI1、1・・・
のI/Oピン2、2・・・に対応して設けられる素子実装
用パッド4(ピンパッド)に対してヴィアパッド16とワ
イヤボンディングパッド15とが接続され、布線変更は、
まずヴィアパッド16とピンパッドとを接続するパターン
カット部14をレーザ等により切断して内層5から切り離
し、次いで、ワイヤボンディングパッド15と中継パッド
17間をシングルワイヤ8で布線し、この後、中継パッド
17から布線変更先の中継パッド17にツインリード等、特
性インピーダンスを整合させたワイヤで布線することに
より実現される。
ものが提案されている。 基板3上に形成される素子実装用パッド4と、ヴィアあ
るいはスルーホール12を介して内層5に接続されるヴィ
アパッド、あるいはスルーホールランド13との間には、
パターンカット部14とワイヤボンディングパッド15が配
置されており、布線変更に対しては、パターンカット部
14を切断することによりワイヤボンディングパッド15、
および素子実装用パッド4を内層5から切り離し、ワイ
ヤボンディングパッド15を利用してディスクリートワイ
ヤ8を引き回すことにより対応が取られる。 第7図は他の改造方法を示すもので、各LSI1、1・・・
のI/Oピン2、2・・・に対応して設けられる素子実装
用パッド4(ピンパッド)に対してヴィアパッド16とワ
イヤボンディングパッド15とが接続され、布線変更は、
まずヴィアパッド16とピンパッドとを接続するパターン
カット部14をレーザ等により切断して内層5から切り離
し、次いで、ワイヤボンディングパッド15と中継パッド
17間をシングルワイヤ8で布線し、この後、中継パッド
17から布線変更先の中継パッド17にツインリード等、特
性インピーダンスを整合させたワイヤで布線することに
より実現される。
しかし、前者のものにあっては、LSI1の全てのI/Oピン
2に対して上述した構造が必要となるため、改造エリア
が大きくなる結果、LSI1間の距離が広がってプリント基
板3上の信号遅延が大きくなり、機器の性能を低下させ
るという重大な欠点を有するものであった。 また、後者のものは、LSI1の周辺には中継パッド17のみ
を設置すれば足りるために、改造エリアを小型化するこ
とはできるものの、マトリクス状に配置されたピンパッ
ド4の間にパターンカット部14、ヴィアパッド16、ワイ
ヤボンディングパッド15を配置しなければならず、ピン
ピッチの小型化に限界が生じる上に、レーザによるパタ
ーンカット部14の切断は、メタル残りや、層間絶縁層と
して配置される下地ポリイミドの炭化、あるいは下層パ
ターンへのダメージ等による品質低下の虞があるという
欠点を有するものであった。 本発明は、以上の欠点を解消すべくなされたものであっ
て、高密度のピンピッチに対応可能であり、かつ信頼性
の高いプリント基板の改造方法を提供することを目的と
する。
2に対して上述した構造が必要となるため、改造エリア
が大きくなる結果、LSI1間の距離が広がってプリント基
板3上の信号遅延が大きくなり、機器の性能を低下させ
るという重大な欠点を有するものであった。 また、後者のものは、LSI1の周辺には中継パッド17のみ
を設置すれば足りるために、改造エリアを小型化するこ
とはできるものの、マトリクス状に配置されたピンパッ
ド4の間にパターンカット部14、ヴィアパッド16、ワイ
ヤボンディングパッド15を配置しなければならず、ピン
ピッチの小型化に限界が生じる上に、レーザによるパタ
ーンカット部14の切断は、メタル残りや、層間絶縁層と
して配置される下地ポリイミドの炭化、あるいは下層パ
ターンへのダメージ等による品質低下の虞があるという
欠点を有するものであった。 本発明は、以上の欠点を解消すべくなされたものであっ
て、高密度のピンピッチに対応可能であり、かつ信頼性
の高いプリント基板の改造方法を提供することを目的と
する。
本発明によれば上記目的は、実施例に対応する第1図に
示すように、 改造対象であるLSI1のリード2に対応するプリント基板
3上の素子実装用パッド4を内層5から切り離して該素
子実装用パッド4の接続先を変更するプリント基板の改
造方法において、 前記改造対象のLSI1のリード2と素子実装用パッド4と
の間に、上面に導体層7が形成された薄板絶縁体6を挿
入して内層5の切り離しを行い、 次いで、導体層7から所望の接続先にディスクリートワ
イヤ8を布線するプリント基板の改造方法を提供するこ
とにより達成される。 この場合、薄板絶縁体6は、各素子実装用パッド4に対
応する個片であって、その表面に形成した導体層7は、
ディスクリートワイヤ8をボンディングするワイヤボン
ディング部9とLSI1のリード2に対応する素子実装用パ
ッド部10とからなるように構成することもでき、 さらに、薄板絶縁体6は、第3図に示すように、少なく
とも基板上のLSI1搭載領域を覆う大きさで、かつ、非改
造対象リード2に対応する孔11を有するシート体であっ
てもよい。
示すように、 改造対象であるLSI1のリード2に対応するプリント基板
3上の素子実装用パッド4を内層5から切り離して該素
子実装用パッド4の接続先を変更するプリント基板の改
造方法において、 前記改造対象のLSI1のリード2と素子実装用パッド4と
の間に、上面に導体層7が形成された薄板絶縁体6を挿
入して内層5の切り離しを行い、 次いで、導体層7から所望の接続先にディスクリートワ
イヤ8を布線するプリント基板の改造方法を提供するこ
とにより達成される。 この場合、薄板絶縁体6は、各素子実装用パッド4に対
応する個片であって、その表面に形成した導体層7は、
ディスクリートワイヤ8をボンディングするワイヤボン
ディング部9とLSI1のリード2に対応する素子実装用パ
ッド部10とからなるように構成することもでき、 さらに、薄板絶縁体6は、第3図に示すように、少なく
とも基板上のLSI1搭載領域を覆う大きさで、かつ、非改
造対象リード2に対応する孔11を有するシート体であっ
てもよい。
本発明において、プリント基板3の改造時に必要な素子
実装用パッド4の内層5からの切り離しは、該素子実装
用パッド4とLSI1のリード2との間に薄板絶縁体6を介
在させることによりなされる。 この結果、内層5からの切り離しにレーザによるパター
ンカットの必要がなくなり、改造時におけるプリント基
板3へのダメージが避けられる。 さらに、プリント基板3には、予めワイヤボンディング
パッド15等を形成しておく必要がないために、高密度の
ピンピッチへの対応が可能となる。
実装用パッド4の内層5からの切り離しは、該素子実装
用パッド4とLSI1のリード2との間に薄板絶縁体6を介
在させることによりなされる。 この結果、内層5からの切り離しにレーザによるパター
ンカットの必要がなくなり、改造時におけるプリント基
板3へのダメージが避けられる。 さらに、プリント基板3には、予めワイヤボンディング
パッド15等を形成しておく必要がないために、高密度の
ピンピッチへの対応が可能となる。
以下、本発明の望ましい実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。 第1図は本発明の第1実施例を示すもので、図中4はPG
A(PIN GRID ARRAY)タイプのLSI1のI/Oピン2に対応
してプリント基板3上に形成されるピンパッド4(素子
実装用パッド)であり、本発明が適用されるプリント基
板3は、これらのピンパッド4のみが単独で設けられ、
パターンカット部14を有しない。 かかるプリント基板3の改造は、上記ピンパッド4上に
補修用パッド6を貼着することにより行われる。この補
修用パッド6は、絶縁体18の表面に導体層7を形成した
もので、例えば表面に導体層7を形成した厚さ10ミクロ
ン程度のポリイミド薄膜フィルムに打ち抜き加工を施し
てすことにより製造され、ピンパッド4と略同一の径を
有する素子実装用パッド部10の先端にワイヤボンディン
グ部9を膨隆させて平面視略瓢箪形状に形成されてい
る。また、この補修用パッド6に形成される導体層7
は、望ましくは、半田濡れ性が良好であり、さらに、素
子実装用パッド部10とワイヤボンディング部9の境界に
は、ソルダダムが設けられる。 したがってこの実施例においてプリント基板3を改造す
る際には、先ず、改造対象のピンパッド4上に補修用パ
ッド6を貼着した後、該補修用パッド6の素子実装用パ
ッド部10にLSI1のI/Oピン2を接合する。これにより、
改造対象のI/Oピン2は、ヴィア19を介して接続される
内層5と切り離され、次いで、補修用パッド6のワイヤ
ボンディング部9と図示しない中継パッド17とをシング
ルワイヤ8により布線することにより、基板改造がなさ
れる。 この場合、微少な補修用パッド6を必要な箇所のみに配
置するために、第2図に示すような治具20を使用するこ
とも可能である。この治具20には、ピンパッド4の配置
パターンと同一のパターンで補修用パッド6と同形の孔
11が多数穿孔11されており、改造時には、補修対象位置
に対応する孔11にのみ補修用パッド6が嵌め込まれ、仮
固定される。各補修用パッド6の裏面、あるいは補修対
象のピンパッド4上には、予め接着層が形成されてお
り、治具20をプリント基板3上に載せることにより、補
修用パッド6はピンパッド4上に接着され、この後、治
具20を取り除くと、補修用パッド6のみがピンパッド4
上に残留し、該補修用パッド6の供給がなされる。 第3図は、本発明の第二実施例を示すものであり、図中
4はヴィア19を介して内層5に接続されるピンパッド
4、6は補修用シートである。補修用シート6は、第4
図に示すように、例えばポリイミド薄膜フィルム21上に
ピンパッド4の配置パターンと同一のパターンで導体層
7を薄膜工程により形成したもので、基板3の改造に当
たっては、改造対象のピンパッド4に対応する部位のみ
を除いて、他の導体層7は、パンチングにより予め打ち
抜かれる。 プリント基板3の改造は、先ず、上述したように改造対
象のピンパッド4に対応する部位のみを残して他の導体
層7を打ち抜いた補修用シート6を基板上に載置し、こ
の後、LSI1を基板上に搭載することによりなされる。LS
I1の搭載時に、該LSI1の改造対象でないI/Oピン2′
は、補修用シート6の孔11から基板上のピンパッド4を
臨む位置に位置するとともに、改造対象のI/Oピン2
は、補修用シート6上面の導体層7の素子実装用パッド
部10に乗り上げることとなり、これに続く半田付け工程
において、改造対象以外のI/Oピン2′は基板3上のピ
ンパッド4に、改造対象のI/Oピン2は補修用シート6
の導体層7に接合される。 なお、この場合、基板側に位置決め用の半田バンプを形
成するとともに、補修用シート6側に上記半田バうプが
嵌入する位置決め穴22を設けておけば、補修用シート6
の装着位置を正確に管理することができる。さらに、上
述した実施例における補修用シート6は、改造対象位置
以外の導体層7をパンチングにより打ち抜くことにより
形成されているが、この他に、予め全てのピンパッド4
に対応する孔11、11・・・を穿孔しておき、第5図に示
すように、改造対象部位のみを表面に導体層7を形成し
た個片により埋めるようにしてもよい。 以上のようにしてLSI1を基板および補修用シート6上に
実装した後、導体層7のワイヤボンディング部9と図示
しない中継パッド17とをディスクリートワイヤ8により
布線することにより改造作業が完了するが、補修用シー
ト6上に予め引き出し配線をプリントしておくことも可
能である。 なお、以上においては、PGAタイプのLSI1に対応した改
造方法について述べたが、フラットパッケージタイプ
等、種々のSLI1に対応させることができる。
細に説明する。 第1図は本発明の第1実施例を示すもので、図中4はPG
A(PIN GRID ARRAY)タイプのLSI1のI/Oピン2に対応
してプリント基板3上に形成されるピンパッド4(素子
実装用パッド)であり、本発明が適用されるプリント基
板3は、これらのピンパッド4のみが単独で設けられ、
パターンカット部14を有しない。 かかるプリント基板3の改造は、上記ピンパッド4上に
補修用パッド6を貼着することにより行われる。この補
修用パッド6は、絶縁体18の表面に導体層7を形成した
もので、例えば表面に導体層7を形成した厚さ10ミクロ
ン程度のポリイミド薄膜フィルムに打ち抜き加工を施し
てすことにより製造され、ピンパッド4と略同一の径を
有する素子実装用パッド部10の先端にワイヤボンディン
グ部9を膨隆させて平面視略瓢箪形状に形成されてい
る。また、この補修用パッド6に形成される導体層7
は、望ましくは、半田濡れ性が良好であり、さらに、素
子実装用パッド部10とワイヤボンディング部9の境界に
は、ソルダダムが設けられる。 したがってこの実施例においてプリント基板3を改造す
る際には、先ず、改造対象のピンパッド4上に補修用パ
ッド6を貼着した後、該補修用パッド6の素子実装用パ
ッド部10にLSI1のI/Oピン2を接合する。これにより、
改造対象のI/Oピン2は、ヴィア19を介して接続される
内層5と切り離され、次いで、補修用パッド6のワイヤ
ボンディング部9と図示しない中継パッド17とをシング
ルワイヤ8により布線することにより、基板改造がなさ
れる。 この場合、微少な補修用パッド6を必要な箇所のみに配
置するために、第2図に示すような治具20を使用するこ
とも可能である。この治具20には、ピンパッド4の配置
パターンと同一のパターンで補修用パッド6と同形の孔
11が多数穿孔11されており、改造時には、補修対象位置
に対応する孔11にのみ補修用パッド6が嵌め込まれ、仮
固定される。各補修用パッド6の裏面、あるいは補修対
象のピンパッド4上には、予め接着層が形成されてお
り、治具20をプリント基板3上に載せることにより、補
修用パッド6はピンパッド4上に接着され、この後、治
具20を取り除くと、補修用パッド6のみがピンパッド4
上に残留し、該補修用パッド6の供給がなされる。 第3図は、本発明の第二実施例を示すものであり、図中
4はヴィア19を介して内層5に接続されるピンパッド
4、6は補修用シートである。補修用シート6は、第4
図に示すように、例えばポリイミド薄膜フィルム21上に
ピンパッド4の配置パターンと同一のパターンで導体層
7を薄膜工程により形成したもので、基板3の改造に当
たっては、改造対象のピンパッド4に対応する部位のみ
を除いて、他の導体層7は、パンチングにより予め打ち
抜かれる。 プリント基板3の改造は、先ず、上述したように改造対
象のピンパッド4に対応する部位のみを残して他の導体
層7を打ち抜いた補修用シート6を基板上に載置し、こ
の後、LSI1を基板上に搭載することによりなされる。LS
I1の搭載時に、該LSI1の改造対象でないI/Oピン2′
は、補修用シート6の孔11から基板上のピンパッド4を
臨む位置に位置するとともに、改造対象のI/Oピン2
は、補修用シート6上面の導体層7の素子実装用パッド
部10に乗り上げることとなり、これに続く半田付け工程
において、改造対象以外のI/Oピン2′は基板3上のピ
ンパッド4に、改造対象のI/Oピン2は補修用シート6
の導体層7に接合される。 なお、この場合、基板側に位置決め用の半田バンプを形
成するとともに、補修用シート6側に上記半田バうプが
嵌入する位置決め穴22を設けておけば、補修用シート6
の装着位置を正確に管理することができる。さらに、上
述した実施例における補修用シート6は、改造対象位置
以外の導体層7をパンチングにより打ち抜くことにより
形成されているが、この他に、予め全てのピンパッド4
に対応する孔11、11・・・を穿孔しておき、第5図に示
すように、改造対象部位のみを表面に導体層7を形成し
た個片により埋めるようにしてもよい。 以上のようにしてLSI1を基板および補修用シート6上に
実装した後、導体層7のワイヤボンディング部9と図示
しない中継パッド17とをディスクリートワイヤ8により
布線することにより改造作業が完了するが、補修用シー
ト6上に予め引き出し配線をプリントしておくことも可
能である。 なお、以上においては、PGAタイプのLSI1に対応した改
造方法について述べたが、フラットパッケージタイプ
等、種々のSLI1に対応させることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明によるプリント
基板の改造方法によれば、改造後の動作信頼性を向上さ
せることができ、かつピンピッチの高密度化にも対応す
ることができる。
基板の改造方法によれば、改造後の動作信頼性を向上さ
せることができ、かつピンピッチの高密度化にも対応す
ることができる。
第1図は本発明の実施例を示すもので、 (a)は素子実装用パッドを介在させる状態を示す斜視
図、 (b)はその断面図、 第2図は改造用パッドの装着治具を示す図、 第3図は本発明の第二実施例を示すもので、 (a)は補修用シートを示す図、 (b)は補修用シートの装着状態の断面図、 第4図は補修用シートの製造方法を示す図、 第5図は他の製造方法を示す図、 第6図は従来例を示す図で、 (a)は断面図、 (b)は要部平面図、 第7図は他の従来例を示す図で、 (a)は側面図、 (b)は要部平面図である。 図において、 1……LSI、 2、2′……リード、 3……プリント基板、 4……素子実装用パッド、 5……内層、 6……薄板絶縁体、 7……導体層、 8……ディスクリートワイヤ、 9……ワイヤボンディング部、 10……素子実装用パッド部、 11……孔である。
図、 (b)はその断面図、 第2図は改造用パッドの装着治具を示す図、 第3図は本発明の第二実施例を示すもので、 (a)は補修用シートを示す図、 (b)は補修用シートの装着状態の断面図、 第4図は補修用シートの製造方法を示す図、 第5図は他の製造方法を示す図、 第6図は従来例を示す図で、 (a)は断面図、 (b)は要部平面図、 第7図は他の従来例を示す図で、 (a)は側面図、 (b)は要部平面図である。 図において、 1……LSI、 2、2′……リード、 3……プリント基板、 4……素子実装用パッド、 5……内層、 6……薄板絶縁体、 7……導体層、 8……ディスクリートワイヤ、 9……ワイヤボンディング部、 10……素子実装用パッド部、 11……孔である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲桑▼原 清 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 大嶋 修 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】改造対象であるLSI(1)のリード(2)
に対応するプリント基板(3)上の素子実装用パッド
(4)を内層(5)から切り離して該素子実装用パッド
(4)の接続先を変更するプリント基板の改造方法にお
いて、 前記改造対象のLSI(1)のリード(2)と素子実装用
パッド(4)との間に、上面に導体層(7)が形成され
た薄板絶縁体(6)を挿入して内層(5)の切り離しを
行い、 次いで、導体層(7)から所望の接続先にディスクリー
トワイヤ(8)を布線するプリント基板の改造方法。 - 【請求項2】前記薄板絶縁体(6)は、各素子実装用パ
ッド(4)に対応する個片であって、その表面に形成し
た導体層(7)は、ディスクリートワイヤ(8)をボン
ディングするワイヤボンディング部(9)とLSI(1)
のリード(2)に対応する素子実装用パッド部(10)と
からなる請求項1記載のプリント基板の改造方法 - 【請求項3】前記薄板絶縁体(6)は、少なくとも基板
(3)上のLSI搭載領域を覆う大きさで、かつ、非改造
対象リード(2′)に対応する孔(11)を有するシート
体であることを特徴とする請求項1記載のプリント基板
の改造方法。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP2257524A JPH0695593B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | プリント基板の改造方法 |
US07/766,244 US5181317A (en) | 1990-09-28 | 1991-09-27 | Method of making an engineering change to a printed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2257524A JPH0695593B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | プリント基板の改造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04137692A JPH04137692A (ja) | 1992-05-12 |
JPH0695593B2 true JPH0695593B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=17307495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2257524A Expired - Lifetime JPH0695593B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | プリント基板の改造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5181317A (ja) |
JP (1) | JPH0695593B2 (ja) |
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JP3150527B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2001-03-26 | 富士通株式会社 | プリント配線板の改造支援装置 |
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US6009619A (en) * | 1996-08-19 | 2000-01-04 | International Business Machines Corporation | Process for manufacturing an electronic circuit card |
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GB0027510D0 (en) * | 2000-11-10 | 2000-12-27 | Secr Defence | Surface with varying electrical or magnetic properties |
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JPH0727921B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1995-03-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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- 1990-09-28 JP JP2257524A patent/JPH0695593B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1991
- 1991-09-27 US US07/766,244 patent/US5181317A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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---|---|
US5181317A (en) | 1993-01-26 |
JPH04137692A (ja) | 1992-05-12 |
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