JPH0695590B2 - 光学システム - Google Patents
光学システムInfo
- Publication number
- JPH0695590B2 JPH0695590B2 JP2138673A JP13867390A JPH0695590B2 JP H0695590 B2 JPH0695590 B2 JP H0695590B2 JP 2138673 A JP2138673 A JP 2138673A JP 13867390 A JP13867390 A JP 13867390A JP H0695590 B2 JPH0695590 B2 JP H0695590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- region
- laser radiation
- radiation source
- volume
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
- H01S5/309—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer doping of barrier layers that confine charge carriers in the laser structure, e.g. the barriers in a quantum well structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3408—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers characterised by specially shaped wells, e.g. triangular
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、可変波長半導体レーザーを有する光学システ
ム（例：光ファイバ通信システム）に関する。
ム（例：光ファイバ通信システム）に関する。
（従来技術） 可変波長半導体レーザーは、種々のタイプの光学システ
ムの使用に望ましい。例えば、波長分割多重化（WDM）
を用いている光ファイバ通信システムは、異なる波長の
光学信号を発生する複数の光源（例：半導体レーザー）
を有する。さらに、光ファイバを介して通信するLANの
基地局は、異なる波長のレーザーを放射する半導体レー
ザーを採用し、この異なる波長が基地局を識別するのに
役立つ。これらの光学システムに採用された異なる波長
は、異なる材料組成の活性層を有する半導体レーザーを
用いて達成している。しかし、その様なレーザーの製造
は、望ましくない複雑な製造プロセスが必要である。こ
れとは対照的に、このような複雑さは、組成的には同一
であるが、可変波長の半導体レーザーを用いて、回避で
きる。
ムの使用に望ましい。例えば、波長分割多重化（WDM）
を用いている光ファイバ通信システムは、異なる波長の
光学信号を発生する複数の光源（例：半導体レーザー）
を有する。さらに、光ファイバを介して通信するLANの
基地局は、異なる波長のレーザーを放射する半導体レー
ザーを採用し、この異なる波長が基地局を識別するのに
役立つ。これらの光学システムに採用された異なる波長
は、異なる材料組成の活性層を有する半導体レーザーを
用いて達成している。しかし、その様なレーザーの製造
は、望ましくない複雑な製造プロセスが必要である。こ
れとは対照的に、このような複雑さは、組成的には同一
であるが、可変波長の半導体レーザーを用いて、回避で
きる。
分布帰還型（DFB）半導体レーザーと分布ブラッグリフ
レクタ（DBR）半導体レーザーは、波長可変であり、上
記の光学システムに利用できる。しかし、最大可変波長
範囲は、報告されている例では、DBRレーザーでわずか1
16オングストロームである（ボーン ブロバード他、
「InGaAsP−InPの広範囲の波長可変ブラッグリフレクタ
集積レーザー」（応用物理学レターズ52（16）巻1988年
４月18日1285−1287ページ）を参照）。その結果、WDM
光学システムに採用されている異なる波長信号の数と、
異なる波長信号を放出するLANの基地局の数は、制限さ
れる。従って、116オングストローム以上の可変波長範
囲を有する波長可変半導体レーザーが望まれている。
レクタ（DBR）半導体レーザーは、波長可変であり、上
記の光学システムに利用できる。しかし、最大可変波長
範囲は、報告されている例では、DBRレーザーでわずか1
16オングストロームである（ボーン ブロバード他、
「InGaAsP−InPの広範囲の波長可変ブラッグリフレクタ
集積レーザー」（応用物理学レターズ52（16）巻1988年
４月18日1285−1287ページ）を参照）。その結果、WDM
光学システムに採用されている異なる波長信号の数と、
異なる波長信号を放出するLANの基地局の数は、制限さ
れる。従って、116オングストローム以上の可変波長範
囲を有する波長可変半導体レーザーが望まれている。
波長可変の新たな半導体レーザーは、いわゆるオーピン
グ超格子（ｎ−ｉ−ｐ−ｉ結晶とも称する）からなる活
性層を有する。すなわち、この活性層は、結晶体からな
り、III−Ｖ族化合物半導体材料（例:GaAs）を含む組成
を有する。更に、活性層は、周期的間隔で配置されたｎ
型ドーパントシートとｐ型ドーパントのシート（層）を
有し、それらは、（活性層の成長軸方向に）デルタ関数
のドーピングプロファイルを有し、真性半導体材料で分
離されている。このドーパントシートの存在により、真
性半導体材料に関連してサンドイッチ形状に変調された
エネルギバンド図が得られる。（ドーピング超格子 G.
H.Dohler「ドーピング超格子（ｎ−ｉ−ｐ−ｉ結晶）」
（IEEEジヤーナル量子エレクトロニクス QE−22巻 第
９号 1986年９月 1682−1694ページ参照） ドーピング超格子活性層を有する半導体レーザーは、周
波数可変自然放射現象を呈する。すなわち、この種のレ
ーザーが（均等に）光学的または電気的にポンピングさ
れる（誘導放射に必要なレベル以下で）と、活性層の真
性半導体材料内に生成される電子−ホール対は、ドーパ
ントシート内のドーパントを遮蔽（補償）し、ドーパン
トシートにより生成されるバンドダイアグラムの程度を
減少させると思われていた。さらに、ポンピング励起が
強いほど、遮蔽効果は大きくなる。その結果、ポンピン
グ励起の強度を変えることにより、自然放射の波長を、
簡単に変えることができる。しかし、当業者によれば、
誘導放射を達成するに必要なしきい値レベルでは、電子
−ホール対の密度は、高くなり、ドーパントシートによ
り生成されるバンドダイアグラム変調は消え、すなわ
ち、価原子バンドと伝導バンド完全に平面になる。（E.
F.Schubert他の「波長λ＞0.9で放射するGaAs鋸歯状超
格子レーザー」（応用物理学レターズ47（３）1985年８
月219−221ページ）、B.A.Vojak他「GaAsドーピング超
格子の光ポンピングレーザー動作」（応用物理学レター
ズ48（３）1986年１月251−253ページ）参照） この技術分野の当業者は、116オングストローム以上の
可変波長範囲を有する半導体レーザーの開発には成功し
なかった。
グ超格子（ｎ−ｉ−ｐ−ｉ結晶とも称する）からなる活
性層を有する。すなわち、この活性層は、結晶体からな
り、III−Ｖ族化合物半導体材料（例:GaAs）を含む組成
を有する。更に、活性層は、周期的間隔で配置されたｎ
型ドーパントシートとｐ型ドーパントのシート（層）を
有し、それらは、（活性層の成長軸方向に）デルタ関数
のドーピングプロファイルを有し、真性半導体材料で分
離されている。このドーパントシートの存在により、真
性半導体材料に関連してサンドイッチ形状に変調された
エネルギバンド図が得られる。（ドーピング超格子 G.
H.Dohler「ドーピング超格子（ｎ−ｉ−ｐ−ｉ結晶）」
（IEEEジヤーナル量子エレクトロニクス QE−22巻 第
９号 1986年９月 1682−1694ページ参照） ドーピング超格子活性層を有する半導体レーザーは、周
波数可変自然放射現象を呈する。すなわち、この種のレ
ーザーが（均等に）光学的または電気的にポンピングさ
れる（誘導放射に必要なレベル以下で）と、活性層の真
性半導体材料内に生成される電子−ホール対は、ドーパ
ントシート内のドーパントを遮蔽（補償）し、ドーパン
トシートにより生成されるバンドダイアグラムの程度を
減少させると思われていた。さらに、ポンピング励起が
強いほど、遮蔽効果は大きくなる。その結果、ポンピン
グ励起の強度を変えることにより、自然放射の波長を、
簡単に変えることができる。しかし、当業者によれば、
誘導放射を達成するに必要なしきい値レベルでは、電子
−ホール対の密度は、高くなり、ドーパントシートによ
り生成されるバンドダイアグラム変調は消え、すなわ
ち、価原子バンドと伝導バンド完全に平面になる。（E.
F.Schubert他の「波長λ＞0.9で放射するGaAs鋸歯状超
格子レーザー」（応用物理学レターズ47（３）1985年８
月219−221ページ）、B.A.Vojak他「GaAsドーピング超
格子の光ポンピングレーザー動作」（応用物理学レター
ズ48（３）1986年１月251−253ページ）参照） この技術分野の当業者は、116オングストローム以上の
可変波長範囲を有する半導体レーザーの開発には成功し
なかった。
（発明の概要） 本発明は、この種のドーピング超格子活性層を有するレ
ーザーを電気的または光学的またはその両方で、非均等
にポンピングすることにより、容易にその波長を可変可
能にすることである。すなわち、ポンピングの間、この
種のレーザーの活性層の一領域（その体積は、活性層の
体積の少なくとも10％以上90％以下を占有する）は、そ
の領域で誘導放射するに必要な平均励起レベル以下まで
ポンピングされる。（まったくポンピングされない領域
は、このカテゴリーには入らない）これとは対照的に、
活性層の別の領域は、上記の励起レベルより少なくとも
10％高く、レーザー発振する誘導放射するに十分高い）
平均励起レベルまでポンピングされる。（比較的高い励
起レベルまたは、比較的低い励起レベルにさらされる領
域の種々の組み合わせ（例：そのような領域の交互配
置）も利用できる。）、例示的には、比較的低い励起レ
ベルにさらされる領域の体積（上記の体積％の制限によ
るその領域の全体積）の変更により、または、これらの
比較的低い励起レベルの変更により、または、それに応
じて、他の領域に印加されるポンピング強度の変更によ
り、あるいは、それら全体の組み合わせにより、放射レ
ーザー光の波長は、簡単に変化する。
ーザーを電気的または光学的またはその両方で、非均等
にポンピングすることにより、容易にその波長を可変可
能にすることである。すなわち、ポンピングの間、この
種のレーザーの活性層の一領域（その体積は、活性層の
体積の少なくとも10％以上90％以下を占有する）は、そ
の領域で誘導放射するに必要な平均励起レベル以下まで
ポンピングされる。（まったくポンピングされない領域
は、このカテゴリーには入らない）これとは対照的に、
活性層の別の領域は、上記の励起レベルより少なくとも
10％高く、レーザー発振する誘導放射するに十分高い）
平均励起レベルまでポンピングされる。（比較的高い励
起レベルまたは、比較的低い励起レベルにさらされる領
域の種々の組み合わせ（例：そのような領域の交互配
置）も利用できる。）、例示的には、比較的低い励起レ
ベルにさらされる領域の体積（上記の体積％の制限によ
るその領域の全体積）の変更により、または、これらの
比較的低い励起レベルの変更により、または、それに応
じて、他の領域に印加されるポンピング強度の変更によ
り、あるいは、それら全体の組み合わせにより、放射レ
ーザー光の波長は、簡単に変化する。
説明のため、比較的低い励起レベルにさらされる領域の
体積が大きくなると、または、これらの比較的低い励起
レベルが低くなると、または、その両方で、レーザーを
発生させる為、他の領域に印加されるべきポンピング強
度は高くなる。そして、その逆もいえる。言い換える
と、比較的低い励起レベルにさらされる領域の体積が大
きくなると、または、これらの比較的低い励起レベルが
低くなると、または、その両方で、レーザーを発生させ
る為、他の領域に形成、または注入されるべき電子−ホ
ール対のしきい値密度は、高くなる。しかし、これらの
電子−ホール対は、ドーパントシート内のドーパントを
遮蔽するのに役立ち、ドーパントシートにより形成され
るバンドダイアグラムの変調のレベルの程度を減少させ
る。しかし、本発明の電子−ホール対のしきい値密度に
よる遮蔽量は、一般的に、価原子バンドと伝導バンドの
完全には水平化しない。従って、周波数可変は、簡単に
達成できる。
体積が大きくなると、または、これらの比較的低い励起
レベルが低くなると、または、その両方で、レーザーを
発生させる為、他の領域に印加されるべきポンピング強
度は高くなる。そして、その逆もいえる。言い換える
と、比較的低い励起レベルにさらされる領域の体積が大
きくなると、または、これらの比較的低い励起レベルが
低くなると、または、その両方で、レーザーを発生させ
る為、他の領域に形成、または注入されるべき電子−ホ
ール対のしきい値密度は、高くなる。しかし、これらの
電子−ホール対は、ドーパントシート内のドーパントを
遮蔽するのに役立ち、ドーパントシートにより形成され
るバンドダイアグラムの変調のレベルの程度を減少させ
る。しかし、本発明の電子−ホール対のしきい値密度に
よる遮蔽量は、一般的に、価原子バンドと伝導バンドの
完全には水平化しない。従って、周波数可変は、簡単に
達成できる。
例示的に、真性半導体材料がGaAsで、ドーパントシート
のｎ型ドーパント、ｐ型ドーパントが、それぞれ、シリ
コンと、ベリリュウムである、ドーピング超格子活性層
を有する半導体レーザーの場合、非均等ポンピングは、
116オングストローム以上（200オングストローム以上、
更に、250オングストロームほどの）の波長範囲にわた
り、周波数可変である。
のｎ型ドーパント、ｐ型ドーパントが、それぞれ、シリ
コンと、ベリリュウムである、ドーピング超格子活性層
を有する半導体レーザーの場合、非均等ポンピングは、
116オングストローム以上（200オングストローム以上、
更に、250オングストロームほどの）の波長範囲にわた
り、周波数可変である。
（実施例の説明） 第１図において、本発明の光通信システムは、WDMシス
テム10であり、これは、複数の分離配置された半導体レ
ーザー20を有し、このレーザー20は、波長λ１、λ２で
レーザー放射を発振する。更に、このシステムは、複数
の光ファイバ30と、マルチプレクサ40を有し、この光フ
ァイバ30は、レーザー20から放射されるレーザービーム
をマルチプレクサ40へ伝送するもので、マルチプレクサ
40は、レーザービームを空間的に結合する。更に、この
システムは、光ファイバ50を有し、この光ファイバ50
は、空間的に結合されたレーザービームをデマルチプレ
クサ60へ伝送する。このデマルチプレクサ60は、レーザ
ービームを空間的に分離する。光ファイバ70は、空間的
に分離されたレーザービームを光検知機80へ伝送する。
テム10であり、これは、複数の分離配置された半導体レ
ーザー20を有し、このレーザー20は、波長λ１、λ２で
レーザー放射を発振する。更に、このシステムは、複数
の光ファイバ30と、マルチプレクサ40を有し、この光フ
ァイバ30は、レーザー20から放射されるレーザービーム
をマルチプレクサ40へ伝送するもので、マルチプレクサ
40は、レーザービームを空間的に結合する。更に、この
システムは、光ファイバ50を有し、この光ファイバ50
は、空間的に結合されたレーザービームをデマルチプレ
クサ60へ伝送する。このデマルチプレクサ60は、レーザ
ービームを空間的に分離する。光ファイバ70は、空間的
に分離されたレーザービームを光検知機80へ伝送する。
第２図においては、本発明の光通信システムは、LANシ
ステム100であり、複数の基地局110と140（複数のコン
ピューターまたは、コンピューター端末）を有し、これ
らの基地局は、光ファイバブス150を介して、互いに通
信する。各基地局は、波長可変半導体レーザー20を有
し、このレーザー20は、基地局を識別する波長（例：λ
１、λ２）でレーザー放射を発振する。各基地局は、光
カプラー120を有し、この光カプラー120は、レーザーに
より光ファイバブス150に注入されるレーザー放射の少
なくとも一部を結合する。各基地局は、第２光カプラー
130、光検知機80を有し、この光検知機80は、光ファイ
バブスからのレーザー放射を結合し、それを光検知機80
に送る。
ステム100であり、複数の基地局110と140（複数のコン
ピューターまたは、コンピューター端末）を有し、これ
らの基地局は、光ファイバブス150を介して、互いに通
信する。各基地局は、波長可変半導体レーザー20を有
し、このレーザー20は、基地局を識別する波長（例：λ
１、λ２）でレーザー放射を発振する。各基地局は、光
カプラー120を有し、この光カプラー120は、レーザーに
より光ファイバブス150に注入されるレーザー放射の少
なくとも一部を結合する。各基地局は、第２光カプラー
130、光検知機80を有し、この光検知機80は、光ファイ
バブスからのレーザー放射を結合し、それを光検知機80
に送る。
第３図におて、本発明の波長可変半導体レーザー20は、
ドーピング超格子活性層180を有し、それらは、好まし
くは、それらは、低屈折率層170,190の間に挟持され、
それらは、全て、基板160上（例：半導体基板160）に成
長される（低屈折率層170,190に比較して比較的高屈折
率ゆえ、光は活性層180内に閉じ込められ、導波され
る）。レーザーを含む層は、基板160上に容易に、従来
技術（例：“分子線エピタキシー（MBE）、有機金属気
相成長法（MOCVD））を用いて、成長させることができ
る。成長後、層は、へき解され、ミラー状端面200,210
を形成し、この面は、レーザー動作に必要不可欠なもの
である。
ドーピング超格子活性層180を有し、それらは、好まし
くは、それらは、低屈折率層170,190の間に挟持され、
それらは、全て、基板160上（例：半導体基板160）に成
長される（低屈折率層170,190に比較して比較的高屈折
率ゆえ、光は活性層180内に閉じ込められ、導波され
る）。レーザーを含む層は、基板160上に容易に、従来
技術（例：“分子線エピタキシー（MBE）、有機金属気
相成長法（MOCVD））を用いて、成長させることができ
る。成長後、層は、へき解され、ミラー状端面200,210
を形成し、この面は、レーザー動作に必要不可欠なもの
である。
活性層180の真性半導体材料の組成は、III−Ｖ族化合物
半導体材料である。エピタキシャル成長を行うために、
層170,190の組成と基板の組成は、そのようなIII−Ｖ族
化合物半導体材料を含む。例えば、成長させ、屈折率を
減らすために、ドーピング超格子活性層（エピタキシャ
ル層）180の組成がGaAsを含有すると、層170,190の組成
は、例えば、AlxGa1-xAs（0.1≦ｘ≦1.0）を含み、基板
160の組成は、GaAsを含む。一方、ドーピング超格子活
性層（エピタキシャル層）180の組成がInPを含有する
と、層170,190の組成は、例えば、GayIn1-yAs（ここ
で、ｙは例えば、0.47）を含み、基板160の組成は、InP
を含む。
半導体材料である。エピタキシャル成長を行うために、
層170,190の組成と基板の組成は、そのようなIII−Ｖ族
化合物半導体材料を含む。例えば、成長させ、屈折率を
減らすために、ドーピング超格子活性層（エピタキシャ
ル層）180の組成がGaAsを含有すると、層170,190の組成
は、例えば、AlxGa1-xAs（0.1≦ｘ≦1.0）を含み、基板
160の組成は、GaAsを含む。一方、ドーピング超格子活
性層（エピタキシャル層）180の組成がInPを含有する
と、層170,190の組成は、例えば、GayIn1-yAs（ここ
で、ｙは例えば、0.47）を含み、基板160の組成は、InP
を含む。
ドーピング超格子活性層180の厚さは、約20ナノメータ
（nm）から約500nmの範囲である。20nm未満の厚さは好
ましくない。その理由は、少なくとも１つのｎ型ドーパ
ントシートと少なくとも１つのｐ型ドーパントシートと
を活性層に組み込む（これは、レーザー動作に必要不可
欠なものである）のは困難だからである（その理由は以
下に詳述する）。約500nm以上の厚さは、除外するわけ
ではないが、好ましくはない。その理由は、この厚さで
は、活性層内では、フォトン（光子）の密度が薄くな
り、レーザーを発振させるためには、比較的高いポンピ
ング密度が必要だからである。
（nm）から約500nmの範囲である。20nm未満の厚さは好
ましくない。その理由は、少なくとも１つのｎ型ドーパ
ントシートと少なくとも１つのｐ型ドーパントシートと
を活性層に組み込む（これは、レーザー動作に必要不可
欠なものである）のは困難だからである（その理由は以
下に詳述する）。約500nm以上の厚さは、除外するわけ
ではないが、好ましくはない。その理由は、この厚さで
は、活性層内では、フォトン（光子）の密度が薄くな
り、レーザーを発振させるためには、比較的高いポンピ
ング密度が必要だからである。
ドーピング超格子活性層180の真性半導体材料がGaAsを
含有すると、ｎ型ドーパントシートのｎ型ドーパント
は、Si,Sn,Te、ｐ型ドーパントシートのｐ型ドーパント
は、Be,Zn,Cd,Cが有益である。活性層のドーパントシー
トは、成長の過程で、活性層に組み込まれる。活性層内
の得られたドーピングプロファイルは、活性層の成長軸
Ｚに沿って、理想的な形として、第３図に描いてある。
ここで、ND、NAは、それぞれ、ドナーイオンとアクセプ
ターイオンの密度である。ドーパントシートにより生成
されたバンドダイアグラム変調も図に記載されている。
含有すると、ｎ型ドーパントシートのｎ型ドーパント
は、Si,Sn,Te、ｐ型ドーパントシートのｐ型ドーパント
は、Be,Zn,Cd,Cが有益である。活性層のドーパントシー
トは、成長の過程で、活性層に組み込まれる。活性層内
の得られたドーピングプロファイルは、活性層の成長軸
Ｚに沿って、理想的な形として、第３図に描いてある。
ここで、ND、NAは、それぞれ、ドナーイオンとアクセプ
ターイオンの密度である。ドーパントシートにより生成
されたバンドダイアグラム変調も図に記載されている。
第３図から明らかなように、ドーパントシートの存在に
より、バンドダイアグラムの鋸刃形状の変調が形成さ
れ、この変調こそが波長を可変にする。すなわち、非均
等ポンピングの間、活性層内に形成された、又は、注入
された電子は、（変調された）伝導バンドの谷により形
成された量子井戸にトラップされる。さらに、活性層内
に形成された、又は、注入されたホールは、（変調され
た）価電子バンドのピークにより形成された量子井戸に
トラップされる。重要なことに、電子とホールにより占
有されるエネルギーレベル間のエネルギーギャップは、
バンドギャップ以下である。その結果、電子とホールと
が、誘導再結合すると、得られた誘導放射は、バンドギ
ャップに関連する物より、長くなる。バンドダイアグラ
ム変調の程度を減らすこと（活性層内に形成された、又
は、注入された電子−ホール対の数密度を増加すること
により達成される）により、誘導放射の波長は、短くな
る。
より、バンドダイアグラムの鋸刃形状の変調が形成さ
れ、この変調こそが波長を可変にする。すなわち、非均
等ポンピングの間、活性層内に形成された、又は、注入
された電子は、（変調された）伝導バンドの谷により形
成された量子井戸にトラップされる。さらに、活性層内
に形成された、又は、注入されたホールは、（変調され
た）価電子バンドのピークにより形成された量子井戸に
トラップされる。重要なことに、電子とホールにより占
有されるエネルギーレベル間のエネルギーギャップは、
バンドギャップ以下である。その結果、電子とホールと
が、誘導再結合すると、得られた誘導放射は、バンドギ
ャップに関連する物より、長くなる。バンドダイアグラ
ム変調の程度を減らすこと（活性層内に形成された、又
は、注入された電子−ホール対の数密度を増加すること
により達成される）により、誘導放射の波長は、短くな
る。
伝導バンド内にすくなくとも１つの「谷」と価電子バン
ド内にすくなくとも１つの「山」とを形成するために、
活性層180は、少なくとも１つのｎ型ドーパントシート
と少なくとも１つのｐ型ドーパントシートとを含む。し
かし、活性層180は、20以上のｎ型ドーパントシートと
ｐ型ドーパントシートとの対を含むべきではない。その
理由は、そのような対の数が多くなると、伝導バンドと
価電子バンドの小さな「谷」と「山」を形成してしまう
ので、好ましくないからである。
ド内にすくなくとも１つの「山」とを形成するために、
活性層180は、少なくとも１つのｎ型ドーパントシート
と少なくとも１つのｐ型ドーパントシートとを含む。し
かし、活性層180は、20以上のｎ型ドーパントシートと
ｐ型ドーパントシートとの対を含むべきではない。その
理由は、そのような対の数が多くなると、伝導バンドと
価電子バンドの小さな「谷」と「山」を形成してしまう
ので、好ましくないからである。
第３図に示すように、ドーパントシートは、無限に薄い
厚さを有するよう描かれているが、このシートは、実際
には、有限の厚さを有し、そのドーピングプロファイル
は、ガウス分布形状をしている。この点に関して、この
ガウス分布の半値全幅は、１−2nmである。更に、ドー
パントシートのトーパントイオン間の平均距離ｄは、次
式により与えられる。
厚さを有するよう描かれているが、このシートは、実際
には、有限の厚さを有し、そのドーピングプロファイル
は、ガウス分布形状をしている。この点に関して、この
ガウス分布の半値全幅は、１−2nmである。更に、ドー
パントシートのトーパントイオン間の平均距離ｄは、次
式により与えられる。
ここで、N2dはガウス分布の中心面の単位面積あたりの
ドーパントイオンの数を表す。重要なことに、N2dが約1
012cm-2以上であることは、知れており、それ以下は好
ましくはない。その理由は、価電子バンドと伝導バンド
との変調が小さくなり好ましくないからである。その結
果、必然的に、ｄは10nm以下である。
ドーパントイオンの数を表す。重要なことに、N2dが約1
012cm-2以上であることは、知れており、それ以下は好
ましくはない。その理由は、価電子バンドと伝導バンド
との変調が小さくなり好ましくないからである。その結
果、必然的に、ｄは10nm以下である。
第３図に描かれたバンドダイアグラムの鋸歯状変調を得
るために、隣接ドーパントシートの中心面間のdsは、以
上のｄ以上で、例えば、10nm以上である。これ以下は、
好ましくない。その理由は、バンドダイアグラムが滑ら
かに変化するサイン形状を形成していまい、一般的に、
周波数可変とはならないからである。
るために、隣接ドーパントシートの中心面間のdsは、以
上のｄ以上で、例えば、10nm以上である。これ以下は、
好ましくない。その理由は、バンドダイアグラムが滑ら
かに変化するサイン形状を形成していまい、一般的に、
周波数可変とはならないからである。
ｎ型ドーパントシート間の間隔とｐ型ドーパントシート
間の間隔は、20−100nmの範囲である。この間隔が20nm
以下では、ｎ型ドーパントシートとｐ型ドーパントシー
トの間隔は10nm以下となり、上記の理由で好ましくな
い。また、この間隔が100nm以上では、隣接量子井戸
（谷と山）間の距離が、電子とホールにとって、大きく
なり過ぎて、その結果、再結合効率が低くなるので、好
ましくない。
間の間隔は、20−100nmの範囲である。この間隔が20nm
以下では、ｎ型ドーパントシートとｐ型ドーパントシー
トの間隔は10nm以下となり、上記の理由で好ましくな
い。また、この間隔が100nm以上では、隣接量子井戸
（谷と山）間の距離が、電子とホールにとって、大きく
なり過ぎて、その結果、再結合効率が低くなるので、好
ましくない。
上述したように、半導体レーザー20は、非均等に光学
的、電気的またはその両方で、レーザーにポンピングす
ることにより、周波数を可変にできる。本発明による非
均等ポンピングをするために、レーザー20の活性層180
の少なくとも一領域（活性層の少なくとも10％を有す
る）を平均励起レベル（この領域で誘導放射に到達する
に必要なレベル）までポンピングする（その領域の体積
で全体にわたって平均して）。（因みに、全くポンピナ
グされない領域は、このカテゴリーには入らない。）こ
の領域は、活性層の約90％を超えてはならない。それを
越えると、活性層の残りに印加されるポンピング励起
は、大きくなり過ぎ、実際的でない。
的、電気的またはその両方で、レーザーにポンピングす
ることにより、周波数を可変にできる。本発明による非
均等ポンピングをするために、レーザー20の活性層180
の少なくとも一領域（活性層の少なくとも10％を有す
る）を平均励起レベル（この領域で誘導放射に到達する
に必要なレベル）までポンピングする（その領域の体積
で全体にわたって平均して）。（因みに、全くポンピナ
グされない領域は、このカテゴリーには入らない。）こ
の領域は、活性層の約90％を超えてはならない。それを
越えると、活性層の残りに印加されるポンピング励起
は、大きくなり過ぎ、実際的でない。
非均等ポンピングは、また、活性層180の他の領域（活
性層の少なくとも10％を有する）は、平均励起レベル
（上記の励起レベルの少なくとも10％高く、レーザー放
射に至る誘導放射を達成するに十分高いレベル）までポ
ンピングする。
性層の少なくとも10％を有する）は、平均励起レベル
（上記の励起レベルの少なくとも10％高く、レーザー放
射に至る誘導放射を達成するに十分高いレベル）までポ
ンピングする。
本発明の非均等ポンピングには、活性層の３つ以上の領
域を平均励起レベルの種々の組合わせ（例：相対的に、
低励起レベルと高励起レベルと低励起レベル、または、
相対的に、高励起レベルと低励起レベルと高励起レベ
ル）にさらすことも含まれる。これらの種々の組合わせ
の唯一の条件は、相対的低励起レベルの領域の全体積が
上記の条件に合うようにすることであり、相対的高励起
レベルの領域の全体積が上記の条件に合うようにするこ
とである。
域を平均励起レベルの種々の組合わせ（例：相対的に、
低励起レベルと高励起レベルと低励起レベル、または、
相対的に、高励起レベルと低励起レベルと高励起レベ
ル）にさらすことも含まれる。これらの種々の組合わせ
の唯一の条件は、相対的低励起レベルの領域の全体積が
上記の条件に合うようにすることであり、相対的高励起
レベルの領域の全体積が上記の条件に合うようにするこ
とである。
上記の非均等ポンピングは、例えば、ガウスの強度分布
を有する光ビームでレーザー20をポンピングし、ビーム
の中心をレーザーの中心からずらすことにより、達成で
きる（第４図）。その結果、２つの領域が定義できる。
その１つは、比較的低い励起レベルにさらされ、他の１
つは、比較的高い励起レベルにさらされるものである。
あるいは、非均等ポンピングは、例えば、基板160を
（第５図）n+型導電性に、層170をｎ型導電性に、層190
をｐ型導電性に、この層190上にｐ型導電性の追加層220
（III−Ｖ族化合物半導体材料の）を成長させる。その
後、複数の電気接点230,240を層220の表面に、基板160
の底部表面上に電気接点250を成長させる。比較的低容
量の電流が接点230を、比較的高容量の電流が接点240を
介して流れ、必要な非均等ポンピングを達成する。
を有する光ビームでレーザー20をポンピングし、ビーム
の中心をレーザーの中心からずらすことにより、達成で
きる（第４図）。その結果、２つの領域が定義できる。
その１つは、比較的低い励起レベルにさらされ、他の１
つは、比較的高い励起レベルにさらされるものである。
あるいは、非均等ポンピングは、例えば、基板160を
（第５図）n+型導電性に、層170をｎ型導電性に、層190
をｐ型導電性に、この層190上にｐ型導電性の追加層220
（III−Ｖ族化合物半導体材料の）を成長させる。その
後、複数の電気接点230,240を層220の表面に、基板160
の底部表面上に電気接点250を成長させる。比較的低容
量の電流が接点230を、比較的高容量の電流が接点240を
介して流れ、必要な非均等ポンピングを達成する。
半導体レーザー20は、比較的低励起レベルにさらされる
活性層の領域の体積を変えることにより、または、比較
的低励起レベルのレベルを調整することにより、また
は、その両方により、波長を簡単に変えることができ
る。また、これは、例えば、ガウス分布ポンピングビー
ム（第４図）の中心をレーザーの中心に対して、必要な
放射波長が得られるまで変えることである。あるいは、
波長可変は、複数の電極230,240（第５図）を流れる電
流量を変えることにより、達成される。
活性層の領域の体積を変えることにより、または、比較
的低励起レベルのレベルを調整することにより、また
は、その両方により、波長を簡単に変えることができ
る。また、これは、例えば、ガウス分布ポンピングビー
ム（第４図）の中心をレーザーの中心に対して、必要な
放射波長が得られるまで変えることである。あるいは、
波長可変は、複数の電極230,240（第５図）を流れる電
流量を変えることにより、達成される。
重要なことは、活性層180の真性半導体材料がGaAsを含
み、ドーパントシートのｎ型ドーパント、ｐ型ドーパン
トが、それぞれ、Si、Beで、活性層が、５つのｎ型、ｐ
型ドーパントシートの対を有し、それらが38nmの周期
（ｎ型ドーパントシート間とｐ型ドーパントシート間）
で配置されると、200オングストロームもの波長範囲に
わたり、可変であり、さらに、250オングストロームま
でも可能である。
み、ドーパントシートのｎ型ドーパント、ｐ型ドーパン
トが、それぞれ、Si、Beで、活性層が、５つのｎ型、ｐ
型ドーパントシートの対を有し、それらが38nmの周期
（ｎ型ドーパントシート間とｐ型ドーパントシート間）
で配置されると、200オングストロームもの波長範囲に
わたり、可変であり、さらに、250オングストロームま
でも可能である。
上記の説明は、本発明の一実施例に関するもので、この
技術分野の当業者であれば、本発明の種々の変形例が考
え得るが、それらはいずれも本発明の技術的範囲の包含
される。
技術分野の当業者であれば、本発明の種々の変形例が考
え得るが、それらはいずれも本発明の技術的範囲の包含
される。
第１図は、本発明によるWDM光学システムを表す図、 第２図は、本発明によるLAN光学システムを表す図、 第３図は、本発明のドーピング超格子活性層を含む半導
体レーザーと、活性層の成長軸Ｚに沿った（理想の）ド
ーピングプロファイルと、その対応バンド図で、 第４図は、第３図の半導体レーザーに非均等光学ポンピ
ングを実施する技術を示す図、 第５図は、第３図の半導体レーザーに非均等電気ポンピ
ングを実施する技術を示す図である。
体レーザーと、活性層の成長軸Ｚに沿った（理想の）ド
ーピングプロファイルと、その対応バンド図で、 第４図は、第３図の半導体レーザーに非均等光学ポンピ
ングを実施する技術を示す図、 第５図は、第３図の半導体レーザーに非均等電気ポンピ
ングを実施する技術を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アードマン フレデリック シュバート アメリカ合衆国，07974ニュージャージィ ニユープロビデンス，ウッドランド ロ ード 70 (72)発明者 ジャン ピーター ヴァン デル ジール アメリカ合衆国，07078ニユージャージィ ショートヒルズ，グレート オーク ド ライブ 21 (56)参考文献 特開 昭62−296573（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】III−Ｖ族化合物半導体材料（GaAs）から
なる活性層（18）と、この活性層を挟み活性層より低い
屈折率を有する第１、第２の層（170,190）とからなる
半導体レーザーを含む可変波長レーザー放射源（20）
と、 前記可変波長レーザー放射源（20）と光通信が可能な光
検知機（80）とからなる光学システムにおいて、 前記活性層（180）は、少なくとも１つのｎ型ドーパン
ト層とｐ型ドーパント層とからなる超格子からなり、 前記可変波長レーザー放射源は、電気的または光学的ま
たはその両方で、活性層（180）を非均等にポンピング
する手段（240,230）を有し、 前記ポンピング手段（240,230）によりそれぞれ励起さ
れる活性層の第１領域と第２領域のレベルは、前記第１
領域の平均励起レベルは、前記第２領域のそれより少な
くとも10％高くなるようにし、 第２領域の平均励起レベルは、第２領域で誘導放射する
に必要なしきい値レベル以下である ことを特徴とする光学システム。 - 【請求項２】第２領域は、前記活性層（180）の体積の
少なくとも10％を占有する ことを特徴とする請求項１記載の光学システム。 - 【請求項３】第１領域は、前記活性層（180）の体積の
少なくとも10％を占有する ことを特徴とする請求項１記載の光学システム。 - 【請求項４】III−Ｖ族化合物半導体材料（GaAs）から
なる第１活性層（180）と、この第１活性層を挟み活性
層より低い屈折率を有する複数の層（170,190）とから
なる第１半導体レーザーを含む第１可変波長レーザー放
射源と、 III−Ｖ族化合物半導体材料からなる第２活性層と、こ
の第２活性層を挟み活性層より低い屈折率を有する複数
の層とからなる第２半導体レーザーを含む第２可変波長
レーザー放射源と、 前記可変波長レーザー放射源と光学通信が可能な少なく
とも第１と第２の光検知機と からなる光学システムにおいて、 前記第１と第２の活性層は、少なくとも１つのｎ型ドー
パント層とｐ型ドーパント層とからなる超格子からな
り、 前記第１可変波長レーザー放射源は、電気的または光学
的またはその両方で、第１活性層を非均等にポンピング
する手段を有し、 前記ポンピング手段により励起される前記第１活性層の
前記第１領域の平均励起レベルは、前記第１領域で励起
放射するに必要なしきい値レベル以下で、 前記第１領域は、前記第１活性層の体積の少なくとも10
％を占有し、 前記第２可変波長レーザー放射源は、電気的または光学
的またはその両方で、第２活性層を非均等にポンピング
する手段を有し、 前記ポンピング手段により励起される前記第２活性層の
第２領域の平均励起レベルは、第２領域で励起放射する
に必要なしきい値レベル以下で、 第２領域は、第２活性層の体積の少なくとも10％を占有
し、 前記第１と第２の領域の体積、前記第１と第２の活性層
の体積または／および、前記第１と第２の領域の平均励
起レベルは、それぞれ異なる ことを特徴とする光学システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/358,972 US4980892A (en) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | Optical system including wavelength-tunable semiconductor laser |
| US358972 | 1999-07-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0321094A JPH0321094A (ja) | 1991-01-29 |
| JPH0695590B2 true JPH0695590B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=23411784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138673A Expired - Fee Related JPH0695590B2 (ja) | 1989-05-30 | 1990-05-30 | 光学システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4980892A (ja) |
| EP (1) | EP0400880B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0695590B2 (ja) |
| CA (1) | CA2015482C (ja) |
| DE (1) | DE69023813T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5390209A (en) * | 1994-01-05 | 1995-02-14 | At&T Corp. | Article comprising a semiconductor laser that is non-degenerate with regard to polarization |
| US6717964B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-04-06 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
| GB2380855B (en) * | 2001-10-11 | 2005-12-14 | Marconi Caswell Ltd | Tunable laser with improved suppression of auger recombination |
| US20050064111A1 (en) * | 2003-09-23 | 2005-03-24 | Hiller Nathan David | Method for forming doping superlattices using standing electromagnetic waves |
| US20050215036A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Hiller Nathan D | Method for forming a doping superlattice using a laser |
| US7483212B2 (en) * | 2006-10-11 | 2009-01-27 | Rensselaer Polytechnic Institute | Optical thin film, semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same |
| CN101573844B (zh) * | 2007-12-28 | 2013-01-16 | 艾格瑞系统有限公司 | 具有delta掺杂活性区域的波导器件 |
| US20090283746A1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | Palo Alto Research Center Incorporated | Light-emitting devices with modulation doped active layers |
| EP2434594B1 (en) * | 2010-09-27 | 2014-05-14 | Alcatel Lucent | Photonic integrated circuit for wavelength division multiplexing |
| US11349569B2 (en) | 2018-10-26 | 2022-05-31 | Raytheon Company | Methods and apparatus for implementing an optical transceiver using a vapor cell |
| US11307395B2 (en) | 2019-05-23 | 2022-04-19 | Raytheon Company | Methods and apparatus for optical path length equalization in an optical cavity |
| EP3987687B1 (en) | 2019-06-20 | 2023-07-05 | Raytheon Company | Methods and apparatus for tracking moving objects using symmetric phase change detection |
| EP3994808A1 (en) | 2019-07-03 | 2022-05-11 | Raytheon Company | Optical receiver comprising a rotatable optical resonator, and method for demodulating an optical signal using said receiver |
| US11199754B2 (en) | 2019-07-15 | 2021-12-14 | Raytheon Company | Demodulator with optical resonator |
| US11431417B2 (en) * | 2019-09-26 | 2022-08-30 | Raytheon Company | Methods and apparatus for reception of low photon density optical signals |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664668B2 (ja) * | 1986-06-17 | 1997-10-15 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JPS63231403A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-27 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | 光導波路を有する光学装置 |
| US4839899A (en) * | 1988-03-09 | 1989-06-13 | Xerox Corporation | Wavelength tuning of multiple quantum well (MQW) heterostructure lasers |
-
1989
- 1989-05-30 US US07/358,972 patent/US4980892A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-04-26 CA CA002015482A patent/CA2015482C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-23 EP EP90305586A patent/EP0400880B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-23 DE DE69023813T patent/DE69023813T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-30 JP JP2138673A patent/JPH0695590B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0321094A (ja) | 1991-01-29 |
| EP0400880B1 (en) | 1995-11-29 |
| CA2015482C (en) | 1994-03-29 |
| CA2015482A1 (en) | 1990-11-30 |
| DE69023813D1 (de) | 1996-01-11 |
| DE69023813T2 (de) | 1996-04-18 |
| US4980892A (en) | 1990-12-25 |
| EP0400880A3 (en) | 1991-09-18 |
| EP0400880A2 (en) | 1990-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4318058A (en) | Semiconductor diode laser array | |
| EP0332453B1 (en) | Distributed feedback semiconductor laser device and current injection method therefor | |
| US20070013996A1 (en) | Quantum dot vertical lasing semiconductor optical amplifier | |
| US6541297B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device | |
| US4928285A (en) | Impurity-doped semiconductor laser device for single wavelength oscillation | |
| JP2004146833A (ja) | 複数活性領域を備えた電気ポンピング式垂直共振器面発光レーザ | |
| JPH0695590B2 (ja) | 光学システム | |
| JP2004336039A (ja) | トンネル接合構造を組み込んだＧａＡｓベースの長波長レーザ | |
| JP2004525498A (ja) | 量子ダッシュデバイス | |
| EP0480697B1 (en) | Tunable semiconductor laser | |
| KR100503939B1 (ko) | 반도체 레이저 | |
| GB2077484A (en) | Semiconductor junction laser | |
| Kjellberg et al. | Investigation on the spectral characteristics of DFB lasers with different grating configurations made by electron-beam lithography | |
| US6795470B1 (en) | Semiconductor laser light source with photocurrent feedback control for single mode operation | |
| JPH05283806A (ja) | 選択的に設置された損失部を有する分布帰還型レーザーダイオード | |
| JP3189881B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP3149962B2 (ja) | 多波長半導体レーザ素子及びその駆動方法 | |
| CN112636166B (zh) | 一种可调谐单纵模激光器及其制备方法 | |
| JP2783163B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH11112096A (ja) | 半導体レーザ装置およびこれを用いた光通信システム | |
| JP2703618B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2903322B2 (ja) | 半導体集積レーザ | |
| Kraowski et al. | Ultra-low-threshold, high bandwidth, very low noise operation of 1.52 m GaInAsP/InP DFB buried ridge structure laser diodes entirely grown by MOCVD | |
| Agrawal | Semiconductor Lasers for Optical Fibre Communications | |
| Hirata et al. | Fabrication of 780-nm AlGaAs tunable distributed Bragg reflector laser diodes by using compositional disordering of a quantum well |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |