JPS63231403A - 光導波路を有する光学装置 - Google Patents
光導波路を有する光学装置Info
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- JPS63231403A JPS63231403A JP4599988A JP4599988A JPS63231403A JP S63231403 A JPS63231403 A JP S63231403A JP 4599988 A JP4599988 A JP 4599988A JP 4599988 A JP4599988 A JP 4599988A JP S63231403 A JPS63231403 A JP S63231403A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の背景）
［産業上の利用分野］
本発明は周波数選択特性を備えた導波路光学装置及び光
通信におけるこの導波路光学装置の使用に関する。
通信におけるこの導波路光学装置の使用に関する。
［従来技術の説明］
ファイバ光通信の商業的利用が増大するにつれて、現存
の及び計画された光通信施設の最適利用に対する関心か
増大している。かなりの程度まで利用の最適化は光源、
の買に依存する。
の及び計画された光通信施設の最適利用に対する関心か
増大している。かなりの程度まで利用の最適化は光源、
の買に依存する。
例えば、光ファイバは一般的には、かなりの周波数分散
か存在する周波数ての送信に利用されるので、パルスか
伝送されるときに大きな周波数安定性即ち低「チャーブ
（ｃｈ ｉ ｒｐ）Ｊ性を持つレーザ光源が望まれる。
か存在する周波数ての送信に利用されるので、パルスか
伝送されるときに大きな周波数安定性即ち低「チャーブ
（ｃｈ ｉ ｒｐ）Ｊ性を持つレーザ光源が望まれる。
更に、コヒーレントシステムでの通信チャネルの間隔か
接近しているために、狭い線幅を持つレーザか望まれる
。
接近しているために、狭い線幅を持つレーザか望まれる
。
狭い線幅の半導体レーザを作る１つの試みはアール、シ
ー、アルファニス（Ｒ，Ｃ，Ａｌｆｅｒｎｅｓｓ）等に
よりアプライド フィジッ、クスレターズ（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｓｔｔｅｒｓ）、Ｖｏｌ
、４９°（１９８６）、１２５〜１２７ページにおける
「ナローハントグレーティング レゾネータ フィルタ
装置 インＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ウェーブガイト
ス（Ｎａｒｒｏｗ−ｂａｎｄ Ｇｒａｔｉｎｇ Ｒ
ｅ５ｏｎａｔｏｒ Ｆｉｌｔｅｒｓ ｉｎ Ｉｎ
ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ）Ｊて示
唆されている。この示唆された半導体レーザ（輩Ｎ）は
２つの回折格子部よりなる共振フィルタを有しており、
この２つの回折格子は互いに有効な移相を示す、この装
置の動作は伝送共振の点から理解される。（単一の）回
折格子の使用に比較して、この文献による比較的短いフ
ィルタ装置は更に長い普通の回折格子フィルタの周波数
選択性に相当する周波数選択性を達成する。
ー、アルファニス（Ｒ，Ｃ，Ａｌｆｅｒｎｅｓｓ）等に
よりアプライド フィジッ、クスレターズ（Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｓｔｔｅｒｓ）、Ｖｏｌ
、４９°（１９８６）、１２５〜１２７ページにおける
「ナローハントグレーティング レゾネータ フィルタ
装置 インＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ ウェーブガイト
ス（Ｎａｒｒｏｗ−ｂａｎｄ Ｇｒａｔｉｎｇ Ｒ
ｅ５ｏｎａｔｏｒ Ｆｉｌｔｅｒｓ ｉｎ Ｉｎ
ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ）Ｊて示
唆されている。この示唆された半導体レーザ（輩Ｎ）は
２つの回折格子部よりなる共振フィルタを有しており、
この２つの回折格子は互いに有効な移相を示す、この装
置の動作は伝送共振の点から理解される。（単一の）回
折格子の使用に比較して、この文献による比較的短いフ
ィルタ装置は更に長い普通の回折格子フィルタの周波数
選択性に相当する周波数選択性を達成する。
装置の製造を簡易化するためには、混成装置の形で実施
するに容易に適したレーザ設計か望まれる。
するに容易に適したレーザ設計か望まれる。
（発明の概要）
例えば、低チャープ性で、狭い線幅を有するレーザのよ
うな装置は反射共振から生じる周波数選択に基づいて作
ることができる。この共振は便宜上、光導波路の間に並
べられた結合装置で実現される。この光導波路の１つは
空間上周期的に変化する屈折率よりなる２つの部分を備
えており、この部分はハ波長のスペーサ部により離され
ている。光導波路は一般的には基板により支持されてい
る０本発明の装置はモノリシック又は混成型とすること
かできる。この後者の試みは１例えば、ＩＩＩ族〜Ｖ族
及びＩＶ族の材料のような互いに異なる材料から作られ
た構成要素で装置を組み立てることである。又本発明の
範囲内には、共振反射装とを含む、光送信器、光通信方
式、及び光通信方法か含まれる。
うな装置は反射共振から生じる周波数選択に基づいて作
ることができる。この共振は便宜上、光導波路の間に並
べられた結合装置で実現される。この光導波路の１つは
空間上周期的に変化する屈折率よりなる２つの部分を備
えており、この部分はハ波長のスペーサ部により離され
ている。光導波路は一般的には基板により支持されてい
る０本発明の装置はモノリシック又は混成型とすること
かできる。この後者の試みは１例えば、ＩＩＩ族〜Ｖ族
及びＩＶ族の材料のような互いに異なる材料から作られ
た構成要素で装置を組み立てることである。又本発明の
範囲内には、共振反射装とを含む、光送信器、光通信方
式、及び光通信方法か含まれる。
［実施例の説明コ
第１図は基板１０、第１の光導波路１１及び第２の光導
波路１２を示し、この第２の光導波路は第１の格子部１
２１、第２の格子部１２２及びスペーサ部１２３を有し
、このスペーサ部１２３はこのスペーサ部にわたって１
／４波長のシフトか実現されるように第２の格子部から
第１の格子部を分離している。第１の光導波路１１は第
２の光導波路に対して並べられて光結合関係にある。こ
の光結合は次第に消滅するフィールドにより行なわれる
。更に、入力放射１３と出力放射１４は好適な装置動作
に適用てきるものとして示しであるが、光導波路１２か
らの別の放射出力でもよい。−火格子か好ましいか、よ
り高い次数の格子を使用してもよい。
波路１２を示し、この第２の光導波路は第１の格子部１
２１、第２の格子部１２２及びスペーサ部１２３を有し
、このスペーサ部１２３はこのスペーサ部にわたって１
／４波長のシフトか実現されるように第２の格子部から
第１の格子部を分離している。第１の光導波路１１は第
２の光導波路に対して並べられて光結合関係にある。こ
の光結合は次第に消滅するフィールドにより行なわれる
。更に、入力放射１３と出力放射１４は好適な装置動作
に適用てきるものとして示しであるが、光導波路１２か
らの別の放射出力でもよい。−火格子か好ましいか、よ
り高い次数の格子を使用してもよい。
格子部及びスペーサ部を作るにはいくつかの方法かあり
、その１つは波形の低下部分に達するスペーサ部分によ
って形成される。更に都合良い方法ては、２つの格子部
は密着させられている。これは、これら２つの格子部を
含む格子長をリンクラフィで形成し、続いてスペーサ部
を除いてエツチングを行なうことより得られる。この仕
方で域波長のシフトを達成することは、例えば、格子の
種類、この格子をエツチングする深さ、及び、スペーサ
部の長さのようないくつかのパラメータに依存する。例
えば、溝か垂直壁と平坦な底を有し、そして、隆起部か
その溝と同一の幅を有している格子の場合、好適なスペ
ーサ部の長さは格子のツラッグ長さく格子結合係数の逆
数）に等しいかほぼ等しいと決まっている。
、その１つは波形の低下部分に達するスペーサ部分によ
って形成される。更に都合良い方法ては、２つの格子部
は密着させられている。これは、これら２つの格子部を
含む格子長をリンクラフィで形成し、続いてスペーサ部
を除いてエツチングを行なうことより得られる。この仕
方で域波長のシフトを達成することは、例えば、格子の
種類、この格子をエツチングする深さ、及び、スペーサ
部の長さのようないくつかのパラメータに依存する。例
えば、溝か垂直壁と平坦な底を有し、そして、隆起部か
その溝と同一の幅を有している格子の場合、好適なスペ
ーサ部の長さは格子のツラッグ長さく格子結合係数の逆
数）に等しいかほぼ等しいと決まっている。
第２図は光導波路層２２のリブ形状の特徴としての第１
の光導波路１１と第２の光導波路１２を示し、光導波路
層２２は下部クラッド層２１と上部クラッド層２３の間
にある。
の光導波路１１と第２の光導波路１２を示し、光導波路
層２２は下部クラッド層２１と上部クラッド層２３の間
にある。
第１図と第２図による装置の作用を次に説明する。第２
の光導波路１２の２つの互いに離れた格子は第１の光導
波路１１から第２の光導波路１２へ結合された放射用の
共振空洞を形成する。共振空洞の共振周波数における第
１の光導波路１１内の入射フィールドについては、強力
なフィールドか共振空洞に形成される。この共振空洞に
累積されたエネルギーは結合により第１の光導波路１１
の中へ戻って両方向に伝わる。共振時には、順方向への
再注入フィールドは入射フィールドに対して破壊的に干
渉し、共振損失か結合により支配される場合、はぼ全て
のエネルギーは反射される。
の光導波路１２の２つの互いに離れた格子は第１の光導
波路１１から第２の光導波路１２へ結合された放射用の
共振空洞を形成する。共振空洞の共振周波数における第
１の光導波路１１内の入射フィールドについては、強力
なフィールドか共振空洞に形成される。この共振空洞に
累積されたエネルギーは結合により第１の光導波路１１
の中へ戻って両方向に伝わる。共振時には、順方向への
再注入フィールドは入射フィールドに対して破壊的に干
渉し、共振損失か結合により支配される場合、はぼ全て
のエネルギーは反射される。
１／４波長のシフトか起こるように適当に設計されてい
れば、共振器は単一の高Ｑモードを維持する。
れば、共振器は単一の高Ｑモードを維持する。
第３図は、第１図に関して上に述べた特徴の他に、光導
波路３１と別の光出力３２と３３を示す、これらの光導
波路及び光出力は、例えば、共通のチャネル（光導波路
３１）に多重化され、そして、受信に利用される場合は
、共通のチャネルからエネルギーを取り出すための別の
出力を提供するように設計することができる。
波路３１と別の光出力３２と３３を示す、これらの光導
波路及び光出力は、例えば、共通のチャネル（光導波路
３１）に多重化され、そして、受信に利用される場合は
、共通のチャネルからエネルギーを取り出すための別の
出力を提供するように設計することができる。
第４図は、第１図に関連して述べた特徴の他に、後面４
１１を持つ利得媒体４１、光導波路１１に対して並べて
結合され、そして、光検出器４４と４５に至る光導波路
４２、及び光検出器４７に至る光導波路４６を示す。光
検出器４４は共振反射器へのエネルギー人力を監視する
ために使用することかでき、光検出器４５は反射エネル
ギーを監視するために使用することかてき、そして、光
検出器４７は透過電力を監視するために使用することか
できる。なるべくなら、外部共振器により主に提供され
る利得媒体の内部フィードバックは無視てきるものが好
ましい。
１１を持つ利得媒体４１、光導波路１１に対して並べて
結合され、そして、光検出器４４と４５に至る光導波路
４２、及び光検出器４７に至る光導波路４６を示す。光
検出器４４は共振反射器へのエネルギー人力を監視する
ために使用することかでき、光検出器４５は反射エネル
ギーを監視するために使用することかてき、そして、光
検出器４７は透過電力を監視するために使用することか
できる。なるべくなら、外部共振器により主に提供され
る利得媒体の内部フィードバックは無視てきるものが好
ましい。
第５図はレーザ５１（第４図で詳しく示しである）、レ
ーザ５１に電気的に結合されてこのレーザ５１を動作さ
せ変調するように設計された電子ユニット５２、及びコ
ア部５３１とタラディンク部５３２よりなる光ファイバ
５３を示す、この光ファイバ５３への結合は共振反射器
のところ又はレーザの鏡面で行うことかできる。
ーザ５１に電気的に結合されてこのレーザ５１を動作さ
せ変調するように設計された電子ユニット５２、及びコ
ア部５３１とタラディンク部５３２よりなる光ファイバ
５３を示す、この光ファイバ５３への結合は共振反射器
のところ又はレーザの鏡面で行うことかできる。
第６図はそれぞれの異なる試長入１、入２及び入コで動
作する送信器６０１．６０２及び６０３を示し、これら
の送信器は第５図に示すようになっている。光ファイバ
６１１，６１２及び６１３はこれらの送信器をマルチプ
レクサ６２に結合し、このマルチプレクサ６２には光伝
送線６３か接続されている。光伝送線６３は又デマルチ
プレクサ（分離化装置）６４に結合され、このデマルチ
プレクサ６４は動作条件下で波長入１、入、及び入３の
信号を分離してそれぞれの光ファイバ６５１．６５２及
び６５３を介してそれぞれの受信器６６１．６６２及び
６６３に伝送される。
作する送信器６０１．６０２及び６０３を示し、これら
の送信器は第５図に示すようになっている。光ファイバ
６１１，６１２及び６１３はこれらの送信器をマルチプ
レクサ６２に結合し、このマルチプレクサ６２には光伝
送線６３か接続されている。光伝送線６３は又デマルチ
プレクサ（分離化装置）６４に結合され、このデマルチ
プレクサ６４は動作条件下で波長入１、入、及び入３の
信号を分離してそれぞれの光ファイバ６５１．６５２及
び６５３を介してそれぞれの受信器６６１．６６２及び
６６３に伝送される。
第７図は第１図による理想化された装置の場合に光周波
数ωの関数としての反射電力Ｒを示す。
数ωの関数としての反射電力Ｒを示す。
この場合の理想化された装置は狭い反射共振を有するこ
とを特徴としている。
とを特徴としている。
第８図は第４図による理想化されたレーザの場合の等利
得−損失に対応する曲線８１を示し、この深く狭い最小
値は共振反射器の存在により生しる。又１Ｎか整数のと
き、２π（Ｎ−１）、２πＮ及び２π（Ｎ＋１）の往復
位相に対応する位相曲線８２．８３．８４か示されてい
る。
得−損失に対応する曲線８１を示し、この深く狭い最小
値は共振反射器の存在により生しる。又１Ｎか整数のと
き、２π（Ｎ−１）、２πＮ及び２π（Ｎ＋１）の往復
位相に対応する位相曲線８２．８３．８４か示されてい
る。
なお、容易に理解できるように１例えば、装置動作中、
温度変化のために生じる可能性のある平行移動を曲線８
２．８３及び８４に与えるときにレーザ動作周波数（曲
ｔｉＡ８１に対する曲線８２．８３′、８４の最低の交
差点の横座標ω。）にはほとんど変化がない、なるべく
なら、モードのホッピングを防止するために、又、波長
、線幅及びチャープを積極的に制御するために、レーザ
動作点を制御するための手段を設けるほうがよい、これ
には、例えば、第３図に示す検出器によって、監視電力
に基づくことができる、装置動作中に行なわれる温度制
御を含むことかできる。特に、混成レーザの場合、温度
制御は全体としてレーザ装置に加えられるものとしては
有効なものとなり得る。又は、局部的な加熱又は冷却を
、例えば、利得媒体又は共振器に加えることもできる。
温度変化のために生じる可能性のある平行移動を曲線８
２．８３及び８４に与えるときにレーザ動作周波数（曲
ｔｉＡ８１に対する曲線８２．８３′、８４の最低の交
差点の横座標ω。）にはほとんど変化がない、なるべく
なら、モードのホッピングを防止するために、又、波長
、線幅及びチャープを積極的に制御するために、レーザ
動作点を制御するための手段を設けるほうがよい、これ
には、例えば、第３図に示す検出器によって、監視電力
に基づくことができる、装置動作中に行なわれる温度制
御を含むことかできる。特に、混成レーザの場合、温度
制御は全体としてレーザ装置に加えられるものとしては
有効なものとなり得る。又は、局部的な加熱又は冷却を
、例えば、利得媒体又は共振器に加えることもできる。
又はこの代わりに、あるいは、温度制御の他に、共振反
射器の屈折率に影響する他の手段によりレーザ動作を安
定化することができる。これらの手段には液晶材料、電
子光学材料、又は、半導体材料のキャリア注入を含むと
ともにこれらの制御か含まれる。第９図は第１図と第２
図に示したように装置について実験的に決定される電力
伝送曲線９１と電力反射曲線９２を示すか、これは更に
以下の実施例１で説明する０反射ピークは約１．５４マ
イクロメータの波長のところに中心を有しており、この
反射ピークの幅は約０．０３５ナノメータである。
射器の屈折率に影響する他の手段によりレーザ動作を安
定化することができる。これらの手段には液晶材料、電
子光学材料、又は、半導体材料のキャリア注入を含むと
ともにこれらの制御か含まれる。第９図は第１図と第２
図に示したように装置について実験的に決定される電力
伝送曲線９１と電力反射曲線９２を示すか、これは更に
以下の実施例１で説明する０反射ピークは約１．５４マ
イクロメータの波長のところに中心を有しており、この
反射ピークの幅は約０．０３５ナノメータである。
本発明の装置は、光源を含む完全な光学的通路か暦付着
段階及びバターニング段階の同一シーケンスにより製造
されるという意味でモノリシック装置として形成するこ
とができる。これに関しては、ＩＩＩ族〜■族の化合物
材料を選択するのがよい、あるいは又、例えば、シリコ
ン半導体のようなより簡単な技術を使用して更に経済的
に実施できる受動光導波路（共振反射光導波路を含む）
に対し増幅（能動）装置部分は主に化合物を使用する混
成装置を用いるのか望ましい、この混成装置の試みは、
別々に製造された装置の構成要素か組み立て前に個々に
試験することかできるという別の利点を持ち得るが、一
方、この構成要素の充分正確な整列及びこれらの相互の
取り付けか必要である。この整列及び取り付けは、例え
ば、レーザがリン化インジュウムレーザダイオードをシ
リコンチップ共振反射器と組み合せることによって作る
ときに行われる。商業的な製造においては、この整列は
接合される構成要素に面の造作を合せることによって容
易になり、そして、この造作は面の選択的なエツチング
により製造することかできる。
段階及びバターニング段階の同一シーケンスにより製造
されるという意味でモノリシック装置として形成するこ
とができる。これに関しては、ＩＩＩ族〜■族の化合物
材料を選択するのがよい、あるいは又、例えば、シリコ
ン半導体のようなより簡単な技術を使用して更に経済的
に実施できる受動光導波路（共振反射光導波路を含む）
に対し増幅（能動）装置部分は主に化合物を使用する混
成装置を用いるのか望ましい、この混成装置の試みは、
別々に製造された装置の構成要素か組み立て前に個々に
試験することかできるという別の利点を持ち得るが、一
方、この構成要素の充分正確な整列及びこれらの相互の
取り付けか必要である。この整列及び取り付けは、例え
ば、レーザがリン化インジュウムレーザダイオードをシ
リコンチップ共振反射器と組み合せることによって作る
ときに行われる。商業的な製造においては、この整列は
接合される構成要素に面の造作を合せることによって容
易になり、そして、この造作は面の選択的なエツチング
により製造することかできる。
第１図〜第４図に示した光導波路は基板上で互いに並べ
て作られているか、順次付着される層で形成することが
できる積み重ね式の光導波路も除外するものではない、
尚、光導波路を並べて配置することは、例えば、製造の
容易さ、モして又、次第に消滅するフィールドの有効な
結合のために光導波路どうしの間の屈折率の整合に関し
て有利であると考えられる。
て作られているか、順次付着される層で形成することが
できる積み重ね式の光導波路も除外するものではない、
尚、光導波路を並べて配置することは、例えば、製造の
容易さ、モして又、次第に消滅するフィールドの有効な
結合のために光導波路どうしの間の屈折率の整合に関し
て有利であると考えられる。
本発明の重要な特徴と考えられるのは、コンパクトな格
子を使用する反射装置での狭い線幅の達成であり、これ
は、長い回折格子を有し、これに要求される一様性故に
開業生産か困難であると考えられる従来装置と対称的で
ある。別の利点は、一般的に遭遇する材料及び温度の非
一様性により共振か過度に広がらない（共振は共振器の
往復位相変化が２πであるその波長の場合に起こる）と
いう事実にある。結果として、共振の同調をとることに
より共振は広がらない。
子を使用する反射装置での狭い線幅の達成であり、これ
は、長い回折格子を有し、これに要求される一様性故に
開業生産か困難であると考えられる従来装置と対称的で
ある。別の利点は、一般的に遭遇する材料及び温度の非
一様性により共振か過度に広がらない（共振は共振器の
往復位相変化が２πであるその波長の場合に起こる）と
いう事実にある。結果として、共振の同調をとることに
より共振は広がらない。
え亙勇ユ
第１図及び第２図に略示した装置は標準的な化学蒸着（
ＣＶＤ）処理及びリブ光導波路及びリブ格子の光形成エ
ツチングによって酸化シリコンチップに形成された。ク
ラッド層２１はシリカガラスを約５ミクロンの厚さに付
着することにより形成され、光導波路層２２は窒化けい
素を約１２０ナノメータの厚さに付着することにより形
成され、そして、約１１０ナノメータの厚さまで逆に選
択的にエツチングを行ってリブ光導波路を形成した。ク
ラッド層２３は約０．６ミクロンの厚さにシリカガラス
を付着することにより形成された。リブ光導波路の幅は
約３ミクロンであった。
ＣＶＤ）処理及びリブ光導波路及びリブ格子の光形成エ
ツチングによって酸化シリコンチップに形成された。ク
ラッド層２１はシリカガラスを約５ミクロンの厚さに付
着することにより形成され、光導波路層２２は窒化けい
素を約１２０ナノメータの厚さに付着することにより形
成され、そして、約１１０ナノメータの厚さまで逆に選
択的にエツチングを行ってリブ光導波路を形成した。ク
ラッド層２３は約０．６ミクロンの厚さにシリカガラス
を付着することにより形成された。リブ光導波路の幅は
約３ミクロンであった。
約０．５ミクロンの周期を持つ一次格子がホログラフ式
すソクラフイにより形成され、そして、エツチングされ
てシリカガラスのクラッド層２３となった。同調可能な
色中心レーザか使用されて電力の伝送及び反射スペクト
ルを決定した。結果は第９図に示す通りである。
すソクラフイにより形成され、そして、エツチングされ
てシリカガラスのクラッド層２３となった。同調可能な
色中心レーザか使用されて電力の伝送及び反射スペクト
ルを決定した。結果は第９図に示す通りである。
及立亘ユ
レーザは実施例１において上に述べた共振反射器を標準
的なダイオード光源に付き合わせ結合することによって
作された。このことはデー、ビー、ウィルト（Ｄ、Ｐ、
Ｗｉｌｔ）等による「チャネルトーサブストレート ベ
リード−へテロストラクチュアＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
レーザウィズ セミインシュレイティング ＯＭＶ
Ｐ Ｅベース ストラフチャ アント ＬＰＥ リ
グロース（Ｃｈａｎｎｅｌ １ｅｄ−ｓｕｂｓｔｒａｔ
ｅ Ｂｕｒｉｓｄ−ｈｅｔａｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ Ｌａ５ｅｒ ｗｉｔ
ｈｓｅｍｉ−ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ＯＭＶＰＥ
Ｂａ５ｅ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄＬＰ
Ｅ Ｒｉｇｒｏｗｓ）ｒエレクトロニクスレター（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌ ｅ ｔ ｔ ｅｒＪＶｏ
ｌ、２２，８６９〜８７０ページに記載されている。非
反射コーチインクか共振反射器に結合されたレーザ面に
付着された。このレーザは約１．５４ミクロンの波長で
動作し、そして、約１３５ＫＨｚの線幅、即ち、一般的
な分配フィードバックレーザよりも大きさか二桁以上小
さい線幅を持つということか解った。
的なダイオード光源に付き合わせ結合することによって
作された。このことはデー、ビー、ウィルト（Ｄ、Ｐ、
Ｗｉｌｔ）等による「チャネルトーサブストレート ベ
リード−へテロストラクチュアＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
レーザウィズ セミインシュレイティング ＯＭＶ
Ｐ Ｅベース ストラフチャ アント ＬＰＥ リ
グロース（Ｃｈａｎｎｅｌ １ｅｄ−ｓｕｂｓｔｒａｔ
ｅ Ｂｕｒｉｓｄ−ｈｅｔａｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ Ｌａ５ｅｒ ｗｉｔ
ｈｓｅｍｉ−ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ＯＭＶＰＥ
Ｂａ５ｅ ５ｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄＬＰ
Ｅ Ｒｉｇｒｏｗｓ）ｒエレクトロニクスレター（Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌ ｅ ｔ ｔ ｅｒＪＶｏ
ｌ、２２，８６９〜８７０ページに記載されている。非
反射コーチインクか共振反射器に結合されたレーザ面に
付着された。このレーザは約１．５４ミクロンの波長で
動作し、そして、約１３５ＫＨｚの線幅、即ち、一般的
な分配フィードバックレーザよりも大きさか二桁以上小
さい線幅を持つということか解った。
（発明の効果）
本発明によれば、コンパクトな格子を使用する反射装置
で狭いレーザ線幅か達成され、また、一般的に遭遇する
材料及び温度の非一様性によっても共振は過度に広がら
ない
で狭いレーザ線幅か達成され、また、一般的に遭遇する
材料及び温度の非一様性によっても共振は過度に広がら
ない
第１図は本発明の反射装置の実施例の略図、第２図は第
１図に示した装置の略断面図。 第３図は本発明の４端子装置の実施例の略図、第４図は
本発明のレーザ装置の実施例の略図、第５図は本発明の
光通信送信器の実施例の略図、 第６図は本発明の光通信方式の実施例の略図、第７図は
第１図の装置の特性を理解する場合に役立つと思われる
周波数の関数としての反射電力の略図、 第８図は第４図の装置の特性を理解する場合に役立つと
思われる光周波数の関数としての利得の略図、及び 第９図は第１図に示した装置の場合の波長の関数として
実験的に決定される送信電力と反射電力のグラフ表示で
ある。 １０ ・・・基板、１１
・・・第１の光導波路、１２
・・・第２の光導波路、１３
・・・入力放射。 １４ ・・・出力放射、１２１
・・・ｔｉ４１の格子部、１２２
・・・第２の格子部、１２３
・・・スペーサ部、２１ ・・・
下部クラッド層、２２ ・・・光導
波路層、２３ ・・・上部クラッド層
、３１ ・・・光導波路、３２．
３３ ・・・光出力、４１
・・・利得媒体、４４．４５．４７
・・・光検出器、４６ ・
・・光導波路、４１１ ・・
・後面、５１ ・・・レーザ
、５２ ・・・電子ユニット、５３
・φ・光ファイバ、５３１
・・・コア部、５３２
・・・クラッド部、６２ ・・
・マルチプレクサ、６３ ・・
・伝送線、６４ ・・・デマルチプレクサ
、６０１．６０２．６０３ ・・・送信器、ａｌ
ｌ、６１２，６１３． ６５１．６５２．６５３ ・・・光ファイバ、６６１．
６６２．６６３ ・・・受信器、８１
・・・曲線、８２．８３．８４
・・・位相曲線。 出願人：アメリカン テレホン アントチレフラフ カ
ムパニー ＦＩＧ、 ３ ＦＩＧ、 ４ ＦＩＧ、 ７ ＦＩＧ、 ８ ＦＩＧ、 ９ Ｌ５４．＆
１図に示した装置の略断面図。 第３図は本発明の４端子装置の実施例の略図、第４図は
本発明のレーザ装置の実施例の略図、第５図は本発明の
光通信送信器の実施例の略図、 第６図は本発明の光通信方式の実施例の略図、第７図は
第１図の装置の特性を理解する場合に役立つと思われる
周波数の関数としての反射電力の略図、 第８図は第４図の装置の特性を理解する場合に役立つと
思われる光周波数の関数としての利得の略図、及び 第９図は第１図に示した装置の場合の波長の関数として
実験的に決定される送信電力と反射電力のグラフ表示で
ある。 １０ ・・・基板、１１
・・・第１の光導波路、１２
・・・第２の光導波路、１３
・・・入力放射。 １４ ・・・出力放射、１２１
・・・ｔｉ４１の格子部、１２２
・・・第２の格子部、１２３
・・・スペーサ部、２１ ・・・
下部クラッド層、２２ ・・・光導
波路層、２３ ・・・上部クラッド層
、３１ ・・・光導波路、３２．
３３ ・・・光出力、４１
・・・利得媒体、４４．４５．４７
・・・光検出器、４６ ・
・・光導波路、４１１ ・・
・後面、５１ ・・・レーザ
、５２ ・・・電子ユニット、５３
・φ・光ファイバ、５３１
・・・コア部、５３２
・・・クラッド部、６２ ・・
・マルチプレクサ、６３ ・・
・伝送線、６４ ・・・デマルチプレクサ
、６０１．６０２．６０３ ・・・送信器、ａｌ
ｌ、６１２，６１３． ６５１．６５２．６５３ ・・・光ファイバ、６６１．
６６２．６６３ ・・・受信器、８１
・・・曲線、８２．８３．８４
・・・位相曲線。 出願人：アメリカン テレホン アントチレフラフ カ
ムパニー ＦＩＧ、 ３ ＦＩＧ、 ４ ＦＩＧ、 ７ ＦＩＧ、 ８ ＦＩＧ、 ９ Ｌ５４．＆
Claims (10)
- （１）第１の光導波路と第２の光導波路を有し、この第
１の光導波路は光学的入力を受け及び光学的出力を与え
るように設計され、そして、この第２の光導波路が第１
の光導波路に対して相並べられて光結合関係にある光学
装置において、 第２の光導波路は第１の部分と第２の部分よりなり、こ
の第１と第２の部分の中で実効的な屈折率は空間上で周
期的に変化し、第１と第２の部分は所望の波長に基づく
１／４波長シフトされた関係にあることを特徴とする光
導波路を有する光学装置。 - （２）第１と第２の光導波路は基板支持形であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光導波路を有
する光学装置。 - （３）第１の光導波路へ光学的入力を与えるように配置
された発光手段を更に有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の光導波路を有する光学装置。 - （４）第１の光導波路から光学的出力を受信するように
配置された光ファイバを更に有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の光導波路を有する光学装置
。 - （５）第１と第２の部分は回折格子を有していることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光導波路を有
する光学装置。 - （６）前記基板はほぼシリコンよりなることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項に記載の光導波路を有する光学
装置。 - （７）第１と第２の光導波路はほぼシリカガラスからな
るクラッド部を有していることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の光導波路を有する光学装置。 - （８）第１と第２の光導波路はほぼ窒化けい素からなる
コア部を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第
７項に記載の光導波路を有する光学装置。 - （９）第１の光導波路内を移動する放射を監視するため
の手段を更に有していることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の光導波路を有する光学装置。 - （１０）第２の光導波路に対して並べられて結合関係に
ある第３の光導波路を有することを特徴とする特許請求
の範囲第１項に記載の光導波路を有する光学装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US2460987A | 1987-03-11 | 1987-03-11 | |
| US024609 | 1987-03-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63231403A true JPS63231403A (ja) | 1988-09-27 |
Family
ID=21821465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4599988A Pending JPS63231403A (ja) | 1987-03-11 | 1988-03-01 | 光導波路を有する光学装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0282237A1 (ja) |
| JP (1) | JPS63231403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685371A (ja) * | 1991-12-11 | 1994-03-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光デバイス |
| JP2013205456A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 波長選択性経路切換素子 |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| US4980892A (en) * | 1989-05-30 | 1990-12-25 | At&T Bell Laboratories | Optical system including wavelength-tunable semiconductor laser |
| US5048909A (en) * | 1990-07-27 | 1991-09-17 | At&T Bell Laboratories | Adiabatic reflection apparatus |
| USRE35516E (en) * | 1990-07-27 | 1997-05-20 | Lucent Technologies Inc. | Adiabatic reflection Y-coupler apparatus |
| US5243609A (en) * | 1990-11-20 | 1993-09-07 | General Instrument Corporation | Laser with longitudinal mode selection |
| IT1272081B (it) * | 1993-12-16 | 1997-06-11 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Filtro risonante per sistemi di comunicazione ottica a divisione di lunghezza d'onda |
| WO2009133631A1 (en) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Nec Corporation | Tunable laser source using intracavity laser light outcoupling and module containing the same |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60121404A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光分波器 |
| JPS61284983A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Hitachi Ltd | 波長安定化半導体レ−ザ装置 |
| JPS6218503A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Fujitsu Ltd | 回折格子の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4577924A (en) * | 1982-06-03 | 1986-03-25 | General Dynamics Electronics Division | Optical recursive filter |
| JPS61216383A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レ−ザ |
-
1988
- 1988-03-01 JP JP4599988A patent/JPS63231403A/ja active Pending
- 1988-03-04 EP EP19880301899 patent/EP0282237A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
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| JPS60121404A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光分波器 |
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| JP2013205456A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | 波長選択性経路切換素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0282237A1 (en) | 1988-09-14 |
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| US8831049B2 (en) | Tunable optical system with hybrid integrated laser | |
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