JPH0691282B2 - 発受光素子 - Google Patents
発受光素子Info
- Publication number
- JPH0691282B2 JPH0691282B2 JP28283285A JP28283285A JPH0691282B2 JP H0691282 B2 JPH0691282 B2 JP H0691282B2 JP 28283285 A JP28283285 A JP 28283285A JP 28283285 A JP28283285 A JP 28283285A JP H0691282 B2 JPH0691282 B2 JP H0691282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- receiving element
- receiving
- inp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、光コンピユータ用光源ならびに、受光素子に
関する。
関する。
従来の面発受光素子は、昭和60年度電子通信学会総合全
国大会において山田博仁氏により発表された論文、「２
次元アレイ化Coaxial Transverse Janction型発光ダイ
オードの試作および動作」に論じられているように、結
晶の形状加工を伴うため、高密度化が困難であつた。
国大会において山田博仁氏により発表された論文、「２
次元アレイ化Coaxial Transverse Janction型発光ダイ
オードの試作および動作」に論じられているように、結
晶の形状加工を伴うため、高密度化が困難であつた。
本発明の目的は、談密度の画像出力，入力を可能とする
発受光マトリクスを提供することにある。
発受光マトリクスを提供することにある。
本発明では、高エネルギイオン打つ込み法を用いて、発
受光層の上面ならびに下面に並列したストライプ状の導
電部を形成し、クロスバー型とすることでマトリクス状
の発受光作用を可能とした。表面の加工が不用になるた
め、各素子の間隔は、キヤリアの拡散長の数倍程度とな
り、高密度の発受光マトリクスが実現できる。
受光層の上面ならびに下面に並列したストライプ状の導
電部を形成し、クロスバー型とすることでマトリクス状
の発受光作用を可能とした。表面の加工が不用になるた
め、各素子の間隔は、キヤリアの拡散長の数倍程度とな
り、高密度の発受光マトリクスが実現できる。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図に素子の構成を、第２図に発受光部の分解図を示
す。高抵抗InP基板１上に、活性層となるInGaAsP層（厚
さ:0.3〜0.8μｍ）２、光、キヤリア閉じ込め層となるI
nP層（厚さ:1〜２μｍ）３をMOVPE（metano−organic v
apor phase epitaxial）法で形成する。InP基板１、な
らびに、InP層３の抵抗率は、Mnをドープすることによ
つて102Ω・cm抵度、InGaAsP層２のそれは、アンドープ
によつて0.1Ω・cm程度とした。
す。高抵抗InP基板１上に、活性層となるInGaAsP層（厚
さ:0.3〜0.8μｍ）２、光、キヤリア閉じ込め層となるI
nP層（厚さ:1〜２μｍ）３をMOVPE（metano−organic v
apor phase epitaxial）法で形成する。InP基板１、な
らびに、InP層３の抵抗率は、Mnをドープすることによ
つて102Ω・cm抵度、InGaAsP層２のそれは、アンドープ
によつて0.1Ω・cm程度とした。
次いで、結晶表面にSiO2とAuの２層からなるライン幅10
μm,スペース幅10μｍの並列型ストライプを形成し、こ
れをマスクにして表面からSiを加速電圧１〜3MeVで打ち
込んだ。この後、マスクを除去し、前記パタンと直交す
るように新しくSiO2とAuの２層からなるマスクを形成し
表面からBeを加速電圧0.1〜0.9MeVで打ち込んだ。な
お、打ち込み量は各1.0×1014atoms/cm2である。水素気
中、650℃で熱処理を行つたところ、キヤリア密度１〜
２×1018cm-3の互いに交さする帯状の不純物層4,5が得
られた。
μm,スペース幅10μｍの並列型ストライプを形成し、こ
れをマスクにして表面からSiを加速電圧１〜3MeVで打ち
込んだ。この後、マスクを除去し、前記パタンと直交す
るように新しくSiO2とAuの２層からなるマスクを形成し
表面からBeを加速電圧0.1〜0.9MeVで打ち込んだ。な
お、打ち込み量は各1.0×1014atoms/cm2である。水素気
中、650℃で熱処理を行つたところ、キヤリア密度１〜
２×1018cm-3の互いに交さする帯状の不純物層4,5が得
られた。
加速電圧をInP層３の層厚に応じて調整することによ
り、不純物層４をInGaAsP層２の下側に、不純物５を上
側に配置することが可能であつた。例えば、InP層３の
厚さが１μｍの場合には、Siの加速電圧を1.5MeV,Beの
加速電圧を0.2MeVとした。
り、不純物層４をInGaAsP層２の下側に、不純物５を上
側に配置することが可能であつた。例えば、InP層３の
厚さが１μｍの場合には、Siの加速電圧を1.5MeV,Beの
加速電圧を0.2MeVとした。
各ストライプに対しＰ型層には、AuZn,n型層にはAuSnで
電気的接触をとつた。250μｍ角のチツプ上に10×10の
発受光マトリクスを形成し、各要素から0.01μＷ程度の
発光が確認できた。
電気的接触をとつた。250μｍ角のチツプ上に10×10の
発受光マトリクスを形成し、各要素から0.01μＷ程度の
発光が確認できた。
本実施例では、InGaAsP/InP系について述べたが、材料
系はこれに限らない。また、活性層は、多層量子井戸構
造であつても良い。
系はこれに限らない。また、活性層は、多層量子井戸構
造であつても良い。
本発明によれば、高密度の発受光マトリクスを形成する
ことが出来るため、光演算システムを構成する場合に巨
大な光学系を組む必要がなくなる。マトリクスの要素数
を増加することによつて、演算速度の増大を図ることが
できる。
ことが出来るため、光演算システムを構成する場合に巨
大な光学系を組む必要がなくなる。マトリクスの要素数
を増加することによつて、演算速度の増大を図ることが
できる。
第１図は、素子の斜視図、第２図は、発受光部の分解図
である。 １…基板（InP）、２…活性層（InGaAsP）、３…閉じ込
め層（InP）、４…Si打ち込み層、５…Be打ち込み層。
である。 １…基板（InP）、２…活性層（InGaAsP）、３…閉じ込
め層（InP）、４…Si打ち込み層、５…Be打ち込み層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大石 昭夫 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松村 宏善 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】禁制帯幅の大きな物質により挾まれた薄膜
構造であつて、該薄膜の上面，下面の各々に並列したス
トライプ状の不純物層があり、当該ストライプが薄膜面
方向からみて、交差していることを特徴とする発受光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28283285A JPH0691282B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 発受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28283285A JPH0691282B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 発受光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143487A JPS62143487A (ja) | 1987-06-26 |
| JPH0691282B2 true JPH0691282B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17657655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28283285A Expired - Lifetime JPH0691282B2 (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 発受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691282B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120034912A (ko) * | 2010-10-04 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28283285A patent/JPH0691282B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120034912A (ko) * | 2010-10-04 | 2012-04-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62143487A (ja) | 1987-06-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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