JPH0689941A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents
Semiconductor device and its manufactureInfo
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- JPH0689941A JPH0689941A JP2350891A JP2350891A JPH0689941A JP H0689941 A JPH0689941 A JP H0689941A JP 2350891 A JP2350891 A JP 2350891A JP 2350891 A JP2350891 A JP 2350891A JP H0689941 A JPH0689941 A JP H0689941A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置及びその
製造方法に関する。さらに詳しくは、コンタクト配線及
びその作製方法に関し、ことにＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、Ｅ
2ＰＲＯＭ、マスクＲＯＭ等ＭＯＳプロセス、ハイポー
ラプロセス、ＣＣＤ等ＬＳＩの製造に用いられる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device and its manufacturing method. More specifically, the present invention relates to contact wiring and a method of manufacturing the same, especially DRAM, SRAM, and E.
2 Used for manufacturing PROM, MOS process such as mask ROM, high polar process, LSI such as CCD.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の半導体装置は、図２に示すように
素子が形成されたウェハー１１上に、ノンドープトＳi
Ｏ2膜（ＮＳＧ）１２とボロンホスホラスドープトＳiＯ
2膜（ＢＰＳＧ）１３が順に積層され、所定の位置にコ
ンタクト穴が開孔され、この中にタングステンプラグ１
６が形成され、この上にアルミニウム系配線層１７が形
成されて構成されている。2. Description of the Related Art In a conventional semiconductor device, a non-doped Si wafer is formed on a wafer 11 on which elements are formed as shown in FIG.
O 2 film (NSG) 12 and boron phosphorous-doped SiO 2
Two films (BPSG) 13 are sequentially laminated, and contact holes are opened at predetermined positions.
6 is formed, and an aluminum-based wiring layer 17 is formed on this.
【０００３】また、近年、図３に示すように素子が形成
されたウェハー１１′上に、ＮＳＧ膜１２′、ＢＰＳＧ
膜１３′及びエレクトロンサイクロトロンレゾナンス法
によるＳiＯ2（ＥＣＲ−ＳiＯ2）膜１４が順に積層さ
れ、所定の位置にコンタクト穴が開孔され、この中にタ
ングステンプラグ１６′が形成され、この上にアルミニ
ウム系配線層１７′が形成されてなる半導体装置が知ら
れている。Further, in recent years, an NSG film 12 ', BPSG is formed on a wafer 11' on which elements are formed as shown in FIG.
A film 13 'and a SiO 2 (ECR-SiO 2 ) film 14 formed by the electron cyclotron resonance method are sequentially laminated, contact holes are formed at predetermined positions, and a tungsten plug 16' is formed therein, and an aluminum film 16 'is formed thereon. A semiconductor device in which a system wiring layer 17 'is formed is known.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記前者の半導体装置
は、ＢＰＳＧ膜から不要な不純物が拡散して半導体装置
の信頼性を低下させるという問題がある。後者は、コン
タクト穴にタングステンを選択成長させて埋設する工程
においてタングステンの異常成長が起こりタングステン
の膜厚を制御するのが困難という問題がある。また、い
ずれの半導体装置もタングステンプラグが剥離しやすい
という問題がある。The former semiconductor device has a problem that unnecessary impurities are diffused from the BPSG film to reduce the reliability of the semiconductor device. The latter has a problem that abnormal growth of tungsten occurs in the step of selectively growing and burying tungsten in the contact hole, and it is difficult to control the film thickness of tungsten. In addition, any of the semiconductor devices has a problem that the tungsten plug is easily peeled off.
【０００５】この発明は上記問題を解決するためになさ
れたものであって、不要な不純物の拡散がなく、タング
ステンの膜厚がよく制御されタングステンの剥離がなく
信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供しよう
とするものである。The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is a semiconductor device which is free from unnecessary diffusion of impurities, has a well-controlled tungsten film thickness, has no tungsten peeling, and is highly reliable, and a manufacturing method thereof. It is intended to provide a method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明によれば、素子
が形成されたウェハー上に、第１のノンドープトＳiＯ2
膜、ボロンホスホラスドープトＳiＯ2膜及びエレクトロ
ンサイクロトロンレゾナンス法によるＳiＯ2膜が順に積
層されコンタクト穴が開孔されてなる層間絶縁膜を有
し、層間絶縁膜の上面及びコンタクト穴の側壁上部のエ
レクトロンサイクロトロンレゾナンス法によるＳiＯ2膜
の表面が第２のノンドープトＳiＯ2膜によってカバーさ
れ、コンタクト穴にタングステンプラグが埋設され、タ
ングステンプラグの上を含む領域にアルミニウム系配線
層が形成されてなる半導体装置が提供される。According to the present invention, a first non-doped SiO 2 film is formed on a wafer on which elements are formed.
A film, a boron phosphorous-doped SiO 2 film, and an SiO 2 film formed by the electron cyclotron resonance method are sequentially stacked, and an interlayer insulating film is formed by opening contact holes, and an upper surface of the interlayer insulating film and a sidewall upper portion of the contact hole are formed. A semiconductor device in which the surface of a SiO 2 film formed by the electron cyclotron resonance method is covered with a second non-doped SiO 2 film, a contact hole is filled with a tungsten plug, and an aluminum-based wiring layer is formed in a region including the tungsten plug. Will be provided.
【０００７】この発明の半導体装置は、例えば次のよう
にして製造することができる。The semiconductor device of the present invention can be manufactured, for example, as follows.
【０００８】すなわち、素子が形成されたウェハー上
に、常圧ＣＶＤ法によって第１のノンドープトＳiＯ2膜
とボロンホスホラスドープトＳiＯ2膜を、次いでエレク
トロンサイクロトロンレゾナンス法によってＳiＯ2膜を
順に積層して層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜の所定位
置にコンタクト穴を開孔した後、コンタクト穴を含む領
域に常圧ＣＶＤ法によってノンドープトＳiＯ2を積層
し、ウェハーをノンドープトＳiＯ2のエッチング液に浸
漬することによってコンタクト穴底部及び側壁下部の薄
い膜厚のノンドープトＳiＯ2膜を除去し、層間絶縁膜上
及びコンタクト穴の側壁上部のエレクトロンサイクロト
ロンレゾナンス法によるＳiＯ2膜面上の厚い膜厚のノン
ドープトＳiＯ2膜を残して第２のノンドープトＳiＯ2膜
を形成し、コンタクト穴にタングステンを堆積してタン
グステンプラグを形成し、タングステンプラグの上を含
む領域にアルミニウム配線層を形成して半導体装置を製
造する。That is, a first non-doped SiO 2 film and a boron phosphorous-doped SiO 2 film are laminated in this order by an atmospheric pressure CVD method, and then an SiO 2 film is sequentially laminated by an electron cyclotron resonance method on a wafer on which elements are formed. After forming an interlayer insulating film by forming a contact hole at a predetermined position of the interlayer insulating film, non-doped SiO 2 is laminated in a region including the contact hole by an atmospheric pressure CVD method, and the wafer is treated with an etching solution of non-doped SiO 2. removing the non-doped SiO 2 film of the contact hole bottom portion and sidewall lower thin film thickness by dipping, the thick film on the SiO 2 film surface by the interlayer insulating film and the electron cyclotron resonance method of the sidewall upper portion of the contact hole non-doped a second non-doped SiO 2 film is formed to leave the SiO 2 film, a contact By depositing tungsten to form a tungsten plug, the semiconductor device is manufactured by forming an aluminum wiring layer in a region including the top of the tungsten plugs.
【０００９】素子が形成されたウェハー上に、第１のノ
ンドープトＳiＯ2膜とボロンホスホラスドープトＳiＯ2
を、次いでエレクトロンサイクロトロンレゾナンス法に
よってＳiＯ2膜を順に積層して層間絶縁膜を形成し、こ
の所定位置にコンタクト穴を開孔する。[0009] on the element is formed wafer, the first non-doped SiO 2 film and boron phosphorous Sudo script SiO 2
Then, an SiO 2 film is sequentially laminated by the electron cyclotron resonance method to form an interlayer insulating film, and a contact hole is opened at this predetermined position.
【００１０】上記ノンドープトＳiＯ2ＮＳＧ膜は、層間
絶縁膜を構成するためのものであって、通常０.１〜０.
２μmの膜厚を有し、例えば常圧ＣＶＤ法を用いて３７
０〜４３０°Ｃの温度でウェハー上に積層して形成する
ことができる。The non-doped SiO 2 NSG film is for forming an interlayer insulating film, and is usually 0.1 to 0.1.
It has a film thickness of 2 μm, and is 37
It can be formed by stacking on a wafer at a temperature of 0 to 430 ° C.
【００１１】上記ボロンホスホラスドープトＳiＯ2ＢＰ
ＳＧ膜は、同様に層間絶縁膜を構成するためのものであ
って、通常０.４〜０.８μmの膜厚を有し、例えば常圧Ｃ
ＶＤ法を用いて３７０〜４３０°Ｃの温度で上記ＮＳＧ
膜上に積層し、Ｎ2雰囲気中８５０〜９５０°Ｃのフロ
ー条件で処理して表面平滑化して形成することができ
る。The boron phosphorous-doped SiO 2 BP
The SG film is also used to form an interlayer insulating film, and usually has a film thickness of 0.4 to 0.8 μm, for example, a normal pressure C
The above NSG at a temperature of 370 to 430 ° C using the VD method.
It can be formed by laminating on a film and treating it under a flow condition of 850 to 950 ° C. in an N 2 atmosphere to smooth the surface.
【００１２】上記エレクトロンサイクロトロンレゾナン
ス法によるＳiＯ2膜は、同様に層間絶縁膜を構成するた
めのものであって、通常０.４〜１.０μmの膜厚を有し、
エレクトロンサイクロトロンレゾナンス（ＥＣＲ）法を
用いて２５０〜３５０°Ｃの温度で上記平滑化されたＢ
ＰＳＧ膜上に積層して形成することができる。The SiO 2 film formed by the electron cyclotron resonance method is also used to form an interlayer insulating film, and usually has a film thickness of 0.4 to 1.0 μm.
The above smoothed B was prepared at a temperature of 250 to 350 ° C. using an electron cyclotron resonance (ECR) method.
It can be laminated on the PSG film.
【００１３】ＥＣＲ法は、原料の熱分解室と熱分解生成
物の堆積室が別々に配置された装置によって行われるＣ
ＶＤ法であり、比較的低温で表面平滑なＳiＯ2膜を積層
することができる。The ECR method is carried out by an apparatus in which a pyrolysis chamber for raw materials and a deposition chamber for pyrolysis products are separately arranged.
This is a VD method, and a SiO 2 film having a smooth surface can be laminated at a relatively low temperature.
【００１４】上記コンタクト穴は、層間絶縁膜の下方の
素子のコンタクトを形成するためのものであって、通常
ホトリソグラフィ法によって層間絶縁膜の所定位置に貫
通して形成され、通常直径０.４〜０.５μm、深さ１.０
〜２.０μmの寸法を有する。The contact hole is used to form a contact for an element below the interlayer insulating film, and is usually formed by penetrating a predetermined position of the interlayer insulating film by a photolithography method, and usually has a diameter of 0.4. ~ 0.5μm, depth 1.0
It has a size of ˜2.0 μm.
【００１５】この発明においては、コンタクト穴を含む
領域にノンドープトＳiＯ2膜を積層し、ウェハーをノン
ドープトＳiＯ2のエッチング液に浸漬することによって
コンタクト穴底部及び側壁下部の薄い膜厚のノンドープ
トＳiＯ2膜を除去し、層間絶縁膜上及びコンタクト穴の
側壁上部のエレクトロンサイクロトロンレゾナンス法に
よるＳiＯ2膜面上の厚い膜厚のノンドープトＳiＯ2膜を
残して第２のノンドープトＳiＯ2膜を形成する。[0015] In the present invention, by laminating a non-doped SiO 2 film in the region including the contact hole, non-doped SiO 2 film of the contact hole bottom portion and sidewall lower thin film thickness by dipping the wafer in an etching solution of non-doped SiO 2 removed to form the second non-doped SiO 2 film leaving the interlayer insulating film and the SiO 2 film surface large thickness of the non-doped SiO 2 film on the by the upper portion of the side wall of the electron cyclotron resonance method contacts the hole.
【００１６】上記ノンドープトＳiＯ2膜は、第２ノンド
ープトＳiＯ2膜を形成するためのものであって、層間絶
縁膜の表面を構成するＥＣＲ−ＳiＯ2膜上及びコンタク
ト穴の側壁部と底部に、例えば常圧ＣＶＤ法によって積
層することができる。この膜厚は、ＥＣＲ−ＳiＯ2膜上
及びコンタクト穴の側壁上部の方がコンタクト穴底部及
び側壁下部に比べて大きくなる。The non-doped SiO 2 film is for forming a second non-doped SiO 2 film, and is formed on the ECR-SiO 2 film forming the surface of the interlayer insulating film and on the side wall and the bottom of the contact hole. For example, they can be laminated by a normal pressure CVD method. This film thickness is larger on the ECR-SiO 2 film and on the upper side wall of the contact hole than on the bottom and lower side wall of the contact hole.
【００１７】また、この膜厚は、ＥＣＲ−ＳiＯ2膜上
で、通常０.１〜０.２μmでありコンタクト穴開口部か
らコンタクト穴底部にいくに従って小さくなりコンタク
ト穴底部で、通常０〜０.０１μmである。The film thickness is usually 0.1 to 0.2 μm on the ECR-SiO 2 film and becomes smaller from the contact hole opening portion to the contact hole bottom portion, usually 0 to 0 μm at the contact hole bottom portion. It is 0.01 μm.
【００１８】上記ノンドープトＳiＯ2エッチング液は、
コンタクト穴底部の薄い膜厚のノンドープトＳiＯ2膜を
除去するためのものであって、例えば１００：１ＢＨＦ
（バッファードフッ酸溶液）等を用いることができる。The above-mentioned non-doped SiO 2 etching solution is
For removing the thin undoped SiO 2 film at the bottom of the contact hole, for example, 100: 1 BHF
(Buffered hydrofluoric acid solution) or the like can be used.
【００１９】このエッチング液による処理は、コンタク
ト穴底部の薄い膜厚のノンドープトＳiＯ2膜を除去しコ
ンタクト穴の側壁上部のＥＣＲ−ＳiＯ2膜面及びコンタ
クト穴外の層間絶縁膜上のＥＣＲ−ＳiＯ2膜をカバーす
るようにノンドープトＳiＯ2膜を残すように行うのがよ
い。The treatment with this etching solution removes the thin undoped SiO 2 film at the bottom of the contact hole and removes the ECR-SiO 2 film surface on the upper side wall of the contact hole and the ECR-SiO 2 on the interlayer insulating film outside the contact hole. It is preferable to leave the non-doped SiO 2 film so as to cover the 2 films.
【００２０】残されたノンドープトＳiＯ2膜によって第
２のノンドープトＳiＯ2膜が構成される。この膜厚は、
通常０.０１〜０.０２μmである。The second non-doped SiO 2 film by non-doped SiO 2 film left is formed. This film thickness is
Usually, it is 0.01 to 0.02 μm.
【００２１】上記第２のノンドープトＳiＯ2膜は、後工
程のコンタクト穴にタングステンを堆積する工程におい
て、タングステンの異常堆積を防止してタングステンの
堆積量を制御すると共にＥＣＲ法によるＳiＯ2膜の表面
から不純物の拡散を防止することができ、更にコンタク
ト穴底部側に対してコンタクト穴開口部側が狭くなるよ
うに配置されるので、この中に埋設されるタングステン
プラグの剥離を防止することができる。In the second non-doped SiO 2 film, the abnormal deposition of tungsten is prevented in the subsequent step of depositing tungsten in the contact hole to control the deposition amount of tungsten, and the surface of the SiO 2 film formed by the ECR method is used. Therefore, the diffusion of impurities can be prevented, and the contact hole opening side is narrower than the contact hole bottom side. Therefore, the tungsten plug embedded in the contact hole can be prevented from peeling off.
【００２２】この発明においては、コンタクト穴にタン
グステンプラグが埋設され、タングステンプラグの上を
含む領域にアルミニウム系配線層が形成され半導体装置
が構成される。According to the present invention, a tungsten plug is buried in the contact hole, and an aluminum-based wiring layer is formed in a region including the tungsten plug to form a semiconductor device.
【００２３】上記タングステンプラグは、層間絶縁膜下
方の素子のコンタクト形成するためのものであって、選
択タングステン成長法によって形成することができる。The above-mentioned tungsten plug is for forming a contact of the element below the interlayer insulating film, and can be formed by the selective tungsten growth method.
【００２４】[0024]
【作用】第２のノンドープトＳiＯ2膜が、ＥＣＲ−Ｓi
Ｏ2膜の露出面をカバーして、コンタクト穴にタングス
テンを堆積する工程においてＥＣＲ−ＳiＯ2膜とタング
ステンとの接触を防ぎタングステンの異常堆積を迎えタ
ングステン堆積量の制御を容易にする。また第２のノン
ドープトＳiＯ2膜がＥＣＲ−ＳiＯ2膜からの不純物の拡
散を抑えると共にコンタクト穴の形状を底部側に比べて
開口側で狭くする。The function of the second non-doped SiO 2 film is ECR-Si.
The exposed surface of the O 2 film is covered to prevent contact between the ECR-SiO 2 film and tungsten in the step of depositing tungsten in the contact hole, which causes abnormal deposition of tungsten and facilitates control of the amount of deposited tungsten. Further, the second non-doped SiO 2 film suppresses the diffusion of impurities from the ECR-SiO 2 film and makes the shape of the contact hole narrower on the opening side than on the bottom side.
【００２５】[0025]
【実施例】この発明の実施例を図面を用いて説明する。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２６】図１に示すように、素子が形成されたシリ
コン基板（ウエハー）１をＣＶＤ装置内に配置し、ウエ
ハーを４００°Ｃに加熱し常圧ＣＶＤ法によって膜厚
０.２μmのノンドープトＳiＯ2膜２と膜厚０.５μmのＢ
ＰＳＧ膜３とを順に積層する。As shown in FIG. 1, a silicon substrate (wafer) 1 on which elements are formed is placed in a CVD apparatus, the wafer is heated to 400 ° C., and a 0.2 μm-thick non-doped SiO 2 film is formed by atmospheric pressure CVD. 2 film 2 and B of 0.5 μm film thickness
The PSG film 3 is sequentially laminated.
【００２７】次に、このウエハーをＮ2ガス雰囲気中で
９００°Ｃに加熱して流動させて表面を平滑化する。Next, this wafer is heated to 900 ° C. in an N 2 gas atmosphere and fluidized to smooth the surface.
【００２８】次に、ＥＣＲ法のＣＶＤ装置内にウエハー
を配置し、ウエハーを３００°Ｃに加熱してＳiＯ2を積
層して膜厚０.７μmのＥＣＲ−ＳiＯ2膜４を形成し、上
記３つの膜からなる層間絶縁層を作製する。Next, the wafer is placed in a CVD apparatus of ECR method, the wafer is heated to 300 ° C. and SiO 2 is laminated to form an ECR-SiO 2 film 4 having a thickness of 0.7 μm. An interlayer insulating layer composed of three films is produced.
【００２９】なお、このＥＣＲ−ＳiＯ2膜４は平坦性に
優れている。The ECR-SiO 2 film 4 is excellent in flatness.
【００３０】次に、ホトリソグラフィ法によって、コン
タクトの形成を意図する位置の層間絶縁膜にコンタクト
穴を開孔する。Next, a contact hole is formed in the interlayer insulating film at a position intended to form a contact by photolithography.
【００３１】次に、常圧ＣＶＤ法によって層間絶縁膜形
成面に、層間絶縁層上で０.２μmの膜厚となるように第
２のノンドープトＳiＯ2膜を堆積する。Then, a second non-doped SiO 2 film is deposited on the surface of the interlayer insulating film by atmospheric pressure CVD so as to have a thickness of 0.2 μm on the interlayer insulating layer.
【００３２】次に、このウエハーをバッファーフッ酸中
に浸漬してウエットエッチングを行い、層間絶縁膜表面
及びコンタクト穴の上部側壁を構成するＥＣＲ−ＳiＯ2
膜上の比較的膜厚の厚いノンドープトＳiＯ2膜を残し、
比較的膜厚の薄いコンタクト穴下部側壁及び底部のノン
ドープトＳiＯ2膜を除去する。Next, this wafer is immersed in buffer hydrofluoric acid and wet-etched to form ECR-SiO 2 forming the surface of the interlayer insulating film and the upper side wall of the contact hole.
Leaving a relatively thick non-doped SiO 2 film on the film,
The non-doped SiO 2 film on the lower side wall and the bottom of the contact hole, which is relatively thin, is removed.
【００３３】この結果、コンタクト穴は底部から開口部
にいくに伴って狭い横断面形状となる。As a result, the contact hole has a narrow cross-sectional shape as it goes from the bottom to the opening.
【００３４】次に、選択タングステン成長法によってコ
ンタクト穴にタングステンを堆積してコンタクトのプラ
グを形状し、この上にアルミ系金属の配線層を形成して
多層配線を形成し、半導体装置を製造する。Next, tungsten is deposited in the contact hole by the selective tungsten growth method to form a contact plug, and an aluminum-based metal wiring layer is formed on the contact plug to form a multi-layered wiring to manufacture a semiconductor device. .
【００３５】[0035]
【発明の効果】この発明によれば、層間絶縁膜の表面平
坦性がよく、層間絶縁膜からの不要な不純物の拡散がな
く、コンタクトホールにおけるタングステンの堆積量の
制御が簡単で剥離のないタングステンプラグが形成でき
信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供するこ
とができる。According to the present invention, the surface flatness of the interlayer insulating film is good, unnecessary impurities are not diffused from the interlayer insulating film, the amount of tungsten deposited in the contact hole is easily controlled, and the tungsten does not peel off. A highly reliable semiconductor device in which a plug can be formed and a manufacturing method thereof can be provided.
【図１】この発明の実施例で作製した半導体装置の説明
図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a semiconductor device manufactured according to an example of the present invention.
【図２】従来の半導体装置の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a conventional semiconductor device.
【図３】従来の半導体装置の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a conventional semiconductor device.
１ 素子が形成されたシリコン基板（ウェハー） ２ ノンドープトＳiＯ2膜 ３ ＢＰＳＧ膜 ４ ＥＣＲ−ＳiＯ2膜 ５ ノンドープトＳiＯ2膜 ６ タングステン1 Silicon substrate (wafer) on which elements are formed 2 Non-doped SiO 2 film 3 BPSG film 4 ECR-SiO 2 film 5 Non-doped SiO 2 film 6 Tungsten
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/283 Ｓ 9055−4Ｍ 21/3205 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/283 S 9055-4M 21/3205
Claims (2)
ノンドープトＳiＯ2膜、ボロンホスホラスドープトＳｉ
Ｏ2膜及びエレクトロンサイクロトロンレゾナンス法に
よるＳiＯ2膜が順に積層されコンタクト穴が開孔されて
なる層間絶縁膜を有し、層間絶縁膜の上面及びコンタク
ト穴の側壁上部のエレクトロンサイクロトロンレゾナン
ス法によるＳiＯ2膜の表面が第２のノンドープトＳiＯ2
膜によってカバーされ、コンタクト穴にタングステンプ
ラグが埋設され、タングステンプラグの上を含む領域に
アルミニウム系配線層が形成されてなる半導体装置。1. A first non-doped SiO2 film and a boron phosphorous-doped Si are formed on a wafer on which elements are formed.
O 2 film and electron cyclotron resonance method SiO 2 film has an interlayer insulating film a contact hole are laminated in this order formed by apertures by, SiO 2 by the upper surface and the electron cyclotron resonance method of the sidewall upper portion of the contact hole in the interlayer insulating film The surface of the film is the second undoped SiO 2
A semiconductor device comprising a film, a tungsten plug buried in a contact hole, and an aluminum-based wiring layer formed in a region including the tungsten plug.
ＶＤ法によって第１のノンドープトＳiＯ2膜とボロンホ
スホラスドープトＳiＯ2膜を、次いでエレクトロンサイ
クロトロンレゾナンス法によってＳiＯ2膜を順に積層し
て層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜の所定位置にコンタ
クト穴を開孔した後、コンタクト穴を含む領域に常圧Ｃ
ＶＤ法によってノンドープトＳiＯ2を積層し、ウェハー
をノンドープトＳiＯ2のエッチング液に浸漬することに
よってコンタクト穴底部及び側壁下部の薄い膜厚のノン
ドープトＳiＯ2膜を除去し、層間絶縁膜上及びコンタク
ト穴の側壁上部のエレクトロンサイクロトロンレゾナン
ス法によるＳiＯ2膜面上の厚い膜厚のノンドープトＳi
Ｏ2膜を残して第２のノンドープトＳiＯ2膜を形成し、
コンタクト穴にタングステンを堆積してタングステンプ
ラグを形成し、タングステンプラグの上を含む領域にア
ルミニウム系配線層を形成して半導体装置を製造するこ
とからなる半導体装置の製造方法。2. A normal pressure C is applied on the wafer on which the element is formed.
A first non-doped SiO 2 film and boron phosphorous Sudo script SiO 2 film by VD method, followed by laminating a SiO 2 film in this order to form an interlayer insulating film by electron cyclotron resonance method, the contact at a predetermined position of the interlayer insulating film After opening the hole, apply normal pressure C to the area including the contact hole.
The non-doped SiO 2 are laminated by VD method, wafers were removed non-doped SiO 2 film of the contact hole bottom portion and sidewall lower thin film thickness by immersion in an etching solution of non-doped SiO 2, on the interlayer insulating film and contact holes Thick undoped Si on the SiO 2 film surface by electron cyclotron resonance method on the upper side wall
A second non-doped SiO 2 film is formed leaving the O 2 film,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: depositing tungsten in a contact hole to form a tungsten plug; and forming an aluminum-based wiring layer in a region including above the tungsten plug to manufacture a semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2350891A JPH0689941A (en) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | Semiconductor device and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2350891A JPH0689941A (en) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | Semiconductor device and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689941A true JPH0689941A (en) | 1994-03-29 |
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ID=12112402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2350891A Pending JPH0689941A (en) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | Semiconductor device and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689941A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5710060A (en) * | 1994-04-22 | 1998-01-20 | Nippon Steel Corporation | Method of forming wiring using sputtered insulating mask |
| US6002175A (en) * | 1995-10-05 | 1999-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with improved connection hole for embedding an electrically conductive layer portion |
| US6246085B1 (en) | 1997-02-19 | 2001-06-12 | Nec Corporation | Semiconductor device having a through-hole of a two-level structure |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP2350891A patent/JPH0689941A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5710060A (en) * | 1994-04-22 | 1998-01-20 | Nippon Steel Corporation | Method of forming wiring using sputtered insulating mask |
| US6002175A (en) * | 1995-10-05 | 1999-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with improved connection hole for embedding an electrically conductive layer portion |
| US6246085B1 (en) | 1997-02-19 | 2001-06-12 | Nec Corporation | Semiconductor device having a through-hole of a two-level structure |
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