JPH0689899A - 半導体ウェハ加熱装置 - Google Patents
半導体ウェハ加熱装置Info
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- JPH0689899A JPH0689899A JP25692991A JP25692991A JPH0689899A JP H0689899 A JPH0689899 A JP H0689899A JP 25692991 A JP25692991 A JP 25692991A JP 25692991 A JP25692991 A JP 25692991A JP H0689899 A JPH0689899 A JP H0689899A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハに対する高真空雰囲気中での通
電加熱によって、半導体ウェハの表面を、半導体ウェハ
が円板状であり且つ大口径を有していても、原子層の一
層分のオ―ダで平坦化させることができる半導体ウェハ
加熱装置を提供する。 【構成】 半導体ウェハの外周部に接触する３個以上の
電極を環状に順次配列している電極配列板と、その３個
以上の電極を順次２個づつ選択して電源に接続させる電
源接続手段とを有する。
電加熱によって、半導体ウェハの表面を、半導体ウェハ
が円板状であり且つ大口径を有していても、原子層の一
層分のオ―ダで平坦化させることができる半導体ウェハ
加熱装置を提供する。 【構成】 半導体ウェハの外周部に接触する３個以上の
電極を環状に順次配列している電極配列板と、その３個
以上の電極を順次２個づつ選択して電源に接続させる電
源接続手段とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハを、その
表面が原子層の一層分のオ―ダで平坦化するように、高
真空雰囲気中で加熱させるのに用いる半導体ウェハ加熱
装置に関する。
表面が原子層の一層分のオ―ダで平坦化するように、高
真空雰囲気中で加熱させるのに用いる半導体ウェハ加熱
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高真空雰囲気中において、半導体
ウェハに、その相対向する２つの側縁部において、２つ
の電極をそれぞれ接触させた状態にし、そして、それら
２つの電極間に電源を接続することによって、半導体ウ
ェハに通電させ、それによって、半導体ウェハを、高真
空雰囲気中で加熱させることが行われている。
ウェハに、その相対向する２つの側縁部において、２つ
の電極をそれぞれ接触させた状態にし、そして、それら
２つの電極間に電源を接続することによって、半導体ウ
ェハに通電させ、それによって、半導体ウェハを、高真
空雰囲気中で加熱させることが行われている。
【０００３】このようにして半導体ウェハを通電によっ
て加熱する場合、その通電電流の制御によって、半導体
ウェハがシリコンでなる場合、そのシリコンでなる半導
体ウェハを、表面の原子が蒸発したり表面上で移動させ
ることができるのに十分な１２００℃またはそれ以上の
高温に加熱させることができる。
て加熱する場合、その通電電流の制御によって、半導体
ウェハがシリコンでなる場合、そのシリコンでなる半導
体ウェハを、表面の原子が蒸発したり表面上で移動させ
ることができるのに十分な１２００℃またはそれ以上の
高温に加熱させることができる。
【０００４】このため、半導体ウェハが加熱前におい
て、たとえ、表面に不規則な原子ステップと称される原
子層一層分の段差を有していても、その原子ステップが
規則性を有して得られ、また、半導体ウェハや高真空雰
囲気が炭素によって汚染されていても、半導体ウェハの
表面に炭化物層（ＳｉＣ）を形成されず、よって、半導
体ウェハの表面を、原子層の一層分の凹凸のオ―ダで平
坦化させることができる。
て、たとえ、表面に不規則な原子ステップと称される原
子層一層分の段差を有していても、その原子ステップが
規則性を有して得られ、また、半導体ウェハや高真空雰
囲気が炭素によって汚染されていても、半導体ウェハの
表面に炭化物層（ＳｉＣ）を形成されず、よって、半導
体ウェハの表面を、原子層の一層分の凹凸のオ―ダで平
坦化させることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ウェハの加熱においては、２つの電極のみを用い
ているため、図６及び図７に示すように、半導体ウェハ
Ｗが、通常提供される円板状であって、大口径を有する
場合、それら電源２の両端に接続される２つの電極Ｅ１
及びＥ２が円弧状になることから、それら電極Ｅ１及び
Ｅ２の円弧長が、比較的短い場合、図６に示すように、
電極Ｅ１及びＥ２が対向している斜線図示の帯状の領域
が他の領域に比し高温となり、また、それら電極Ｅ１及
びＥ２の円弧長が比較的長い場合、図７に示すように、
電極Ｅ１及びＥ２の対応する側縁部間の斜線図示の帯状
領域が他の領域に比し高温になる、という温度分布を呈
する。
半導体ウェハの加熱においては、２つの電極のみを用い
ているため、図６及び図７に示すように、半導体ウェハ
Ｗが、通常提供される円板状であって、大口径を有する
場合、それら電源２の両端に接続される２つの電極Ｅ１
及びＥ２が円弧状になることから、それら電極Ｅ１及び
Ｅ２の円弧長が、比較的短い場合、図６に示すように、
電極Ｅ１及びＥ２が対向している斜線図示の帯状の領域
が他の領域に比し高温となり、また、それら電極Ｅ１及
びＥ２の円弧長が比較的長い場合、図７に示すように、
電極Ｅ１及びＥ２の対応する側縁部間の斜線図示の帯状
領域が他の領域に比し高温になる、という温度分布を呈
する。
【０００６】従って、半導体ウェハＷが円板状であり且
つ大口半を有する場合、半導体ウェハＷに対する通電加
熱によって、半導体ウェハＷの表面を、原子層の一層分
の凹凸レベルで、各部均一に平坦化することができな
い、という欠点を有していた。
つ大口半を有する場合、半導体ウェハＷに対する通電加
熱によって、半導体ウェハＷの表面を、原子層の一層分
の凹凸レベルで、各部均一に平坦化することができな
い、という欠点を有していた。
【０００７】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な半導体ウェハ加熱装置を提案せんとするものであ
る。
新規な半導体ウェハ加熱装置を提案せんとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願第１番目の発明によ
る半導体ウェハ加熱装置は、（ｉ）半導体ウェハを載置
する半導体ウェハ載置用板と、（ｉｉ）主面上に複数ｎ
個（ただし、ｎは３以上の整数）の電極を環状に順次配
列している電極配列板と、（ｉｉｉ）上記電極配列板の
上記ｎ個の電極を、順次２個づつ選択して、電源に接続
させる電源接続手段とを有し、そして、（ｉｖ）上記電
極配列板が、上記半導体ウェハ載置用板上に載置される
半導体ウェハ上に、その外周部において上記ｎ個の電極
が接触するように配される構成を有する。
る半導体ウェハ加熱装置は、（ｉ）半導体ウェハを載置
する半導体ウェハ載置用板と、（ｉｉ）主面上に複数ｎ
個（ただし、ｎは３以上の整数）の電極を環状に順次配
列している電極配列板と、（ｉｉｉ）上記電極配列板の
上記ｎ個の電極を、順次２個づつ選択して、電源に接続
させる電源接続手段とを有し、そして、（ｉｖ）上記電
極配列板が、上記半導体ウェハ載置用板上に載置される
半導体ウェハ上に、その外周部において上記ｎ個の電極
が接触するように配される構成を有する。
【０００９】また、本願第２番目の発明による半導体ウ
ェハ加熱装置は、（ｉ）複数ｑ枚の半導体ウェハＷ1 、
Ｗ2 ………Ｗq をそれらの順に順次積層して載置する半
導体ウェハ載置用板と、（ｉｉ）第１の主面上に複数ｎ
個（ただし、ｎは３以上の整数）の第１の電極を環状に
順次配列し、上記第１の主面と対向する第２の主面上に
複数ｍ個（ただし、ｍは３以上の整数）の第２の電極を
環状に順次配列している（ｑ−１）枚の電極配列板
Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ(q-1) と、（ｉｉｉ）主面上に環状
に順次配列された複数ｐ個（ただし、ｐは３以上の整
数）の第３の電極を環状に順次配列している電極配列板
Ｍq と、（ｉｖ）上記電極配列板Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ
(q-1) のそれぞれについて、上記ｎ個の第１の電極を、
順次２個づつ選択して、第１の電源に接続させ、且つ上
記ｍ個の第２の電極を、順次２個づつ選択して、上記第
１の電源または他の第２の電源に接続させ、上記電極配
列板Ｍq について、上記ｐ個の電極を、順次２個づつ選
択して上記第１または第２の電源もしくは他の第３の電
源に接続させる電源接続手段とを有し、そして、（ｖ）
上記電極配列板Ｍa （ａ＝１、２………（ｑ−１））
が、上記半導体ウェハＷa 及びＷb （ｂ＝２、３………
ｑ）間に、上記半導体ウェハＷa 及びＷb の外周部にお
いて上記ｎ個の第１の電極及び上記ｍ個の第２の電極が
それぞれ接触するように配される構成を有し、また、
（ｖｉ）上記電極配列板Ｍq が、上記半導体ウェハＷq
上に、その外周部において上記ｐ個の第３の電極が接触
するように配される構成を有する。
ェハ加熱装置は、（ｉ）複数ｑ枚の半導体ウェハＷ1 、
Ｗ2 ………Ｗq をそれらの順に順次積層して載置する半
導体ウェハ載置用板と、（ｉｉ）第１の主面上に複数ｎ
個（ただし、ｎは３以上の整数）の第１の電極を環状に
順次配列し、上記第１の主面と対向する第２の主面上に
複数ｍ個（ただし、ｍは３以上の整数）の第２の電極を
環状に順次配列している（ｑ−１）枚の電極配列板
Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ(q-1) と、（ｉｉｉ）主面上に環状
に順次配列された複数ｐ個（ただし、ｐは３以上の整
数）の第３の電極を環状に順次配列している電極配列板
Ｍq と、（ｉｖ）上記電極配列板Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ
(q-1) のそれぞれについて、上記ｎ個の第１の電極を、
順次２個づつ選択して、第１の電源に接続させ、且つ上
記ｍ個の第２の電極を、順次２個づつ選択して、上記第
１の電源または他の第２の電源に接続させ、上記電極配
列板Ｍq について、上記ｐ個の電極を、順次２個づつ選
択して上記第１または第２の電源もしくは他の第３の電
源に接続させる電源接続手段とを有し、そして、（ｖ）
上記電極配列板Ｍa （ａ＝１、２………（ｑ−１））
が、上記半導体ウェハＷa 及びＷb （ｂ＝２、３………
ｑ）間に、上記半導体ウェハＷa 及びＷb の外周部にお
いて上記ｎ個の第１の電極及び上記ｍ個の第２の電極が
それぞれ接触するように配される構成を有し、また、
（ｖｉ）上記電極配列板Ｍq が、上記半導体ウェハＷq
上に、その外周部において上記ｐ個の第３の電極が接触
するように配される構成を有する。
【００１０】
【作用・効果】本願第１番目の発明による半導体ウェハ
加熱装置によれば、高真空中において、半導体ウェハ載
置板上に半導体ウェハを配し、また、その半導体ウェハ
上に、電極配列板を、そのｎ個の電極が半導体ウェハの
外周部に接触するように配した状態で、電極配列板のｎ
個の電極を、電源接続手段によって、２個づつ選択して
電源に接続させることができるので、前述した従来の場
合と同様に、半導体基板を通電によって加熱させること
ができる。
加熱装置によれば、高真空中において、半導体ウェハ載
置板上に半導体ウェハを配し、また、その半導体ウェハ
上に、電極配列板を、そのｎ個の電極が半導体ウェハの
外周部に接触するように配した状態で、電極配列板のｎ
個の電極を、電源接続手段によって、２個づつ選択して
電源に接続させることができるので、前述した従来の場
合と同様に、半導体基板を通電によって加熱させること
ができる。
【００１１】また、この場合の２個づつ選択された電極
を通じての通電電流を、前述した従来の場合に準じて制
御させることによって、半導体ウェハを、前述した従来
の場合と同様に、高温に加熱させることができる。
を通じての通電電流を、前述した従来の場合に準じて制
御させることによって、半導体ウェハを、前述した従来
の場合と同様に、高温に加熱させることができる。
【００１２】このため、半導体ウェハの表面を、前述し
た従来の場合と同様に、原子層の一層分の凹凸オ―ダに
平坦化させることができる。
た従来の場合と同様に、原子層の一層分の凹凸オ―ダに
平坦化させることができる。
【００１３】しかしながら、本願第１番目の発明による
半導体ウェハ加熱装置を用いる場合、半導体ウェハに接
触するｎ個の電極を有し、そして、それらｎ個の電極
が、２個づつ順次選択されて電源に接続されるので、半
導体ウェハへの通電を、順次方向を変えて繰返し行わせ
ることができる。このため、半導体ウェハが円板状であ
って、大口径を有していても、半導体ウェハを前述した
従来の場合に比しより各部均一な温度分布に加熱させる
ことができる。
半導体ウェハ加熱装置を用いる場合、半導体ウェハに接
触するｎ個の電極を有し、そして、それらｎ個の電極
が、２個づつ順次選択されて電源に接続されるので、半
導体ウェハへの通電を、順次方向を変えて繰返し行わせ
ることができる。このため、半導体ウェハが円板状であ
って、大口径を有していても、半導体ウェハを前述した
従来の場合に比しより各部均一な温度分布に加熱させる
ことができる。
【００１４】従って、本願第１番目の発明による半導体
ウェハ加熱装置によれば、それを用いて、半導体ウェハ
の表面を、半導体ウェハが円板状であって、大口径を有
していても、原子層の一層分の凹凸レベルで、前述した
従来の場合に比し、より各部均一に、平坦化させること
ができる。
ウェハ加熱装置によれば、それを用いて、半導体ウェハ
の表面を、半導体ウェハが円板状であって、大口径を有
していても、原子層の一層分の凹凸レベルで、前述した
従来の場合に比し、より各部均一に、平坦化させること
ができる。
【００１５】また、本願第２番目の発明による半導体ウ
ェハ加熱装置によれば、高真空雰囲気中において、半導
体ウェハ載置板上に、ｑ枚の半導体ウェハＷ1 、Ｗ2 …
……Ｗq を、それらの順に且つ半導体ウェハＷa （ａ＝
１、２………（ｑ−１））及びＷb （ｂ＝２、３………
８）間に電極配列板Ｍb を、その第１及び第２の電極が
半導体ウェハＷa 及びＷb の外周部にそれぞれ接触する
ように且つ半導体ウェハＷq の外周部上に電極配列板Ｍ
q の第３の電極が接触するように配して、積層している
状態で、電極配列板Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ(q-1) の第１及
び第２の電極、及び電極配列板Ｍq の第３の電極を、電
源接続手段によって、２個づつ選択して電源に接続させ
ることができるので、本願第１番目の発明による半導体
ウェハ加熱装置の場合と同様に、半導体基板を通電によ
って加熱させることができる。
ェハ加熱装置によれば、高真空雰囲気中において、半導
体ウェハ載置板上に、ｑ枚の半導体ウェハＷ1 、Ｗ2 …
……Ｗq を、それらの順に且つ半導体ウェハＷa （ａ＝
１、２………（ｑ−１））及びＷb （ｂ＝２、３………
８）間に電極配列板Ｍb を、その第１及び第２の電極が
半導体ウェハＷa 及びＷb の外周部にそれぞれ接触する
ように且つ半導体ウェハＷq の外周部上に電極配列板Ｍ
q の第３の電極が接触するように配して、積層している
状態で、電極配列板Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ(q-1) の第１及
び第２の電極、及び電極配列板Ｍq の第３の電極を、電
源接続手段によって、２個づつ選択して電源に接続させ
ることができるので、本願第１番目の発明による半導体
ウェハ加熱装置の場合と同様に、半導体基板を通電によ
って加熱させることができる。
【００１６】従って、本願第１番目の発明による半導体
ウェハ加熱装置の場合と同様に、通電電流を制御するこ
とによって、半導体ウェハＷ1 〜Ｗq をともに高温に加
熱させることができるので、本願第１番目の発明による
半導体ウェハ加熱装置の場合と同様に、半導体ウェハの
表面を平坦化させることができる。
ウェハ加熱装置の場合と同様に、通電電流を制御するこ
とによって、半導体ウェハＷ1 〜Ｗq をともに高温に加
熱させることができるので、本願第１番目の発明による
半導体ウェハ加熱装置の場合と同様に、半導体ウェハの
表面を平坦化させることができる。
【００１７】しかしながら、本願第２番目の発明による
半導体ウェハ加熱装置を用いれば、本願第１番目の発明
による半導体ウェハ加熱装置を用いる場合に準じて、半
導体ウェハＷ1 〜Ｗq のそれぞれについて、通電を順次
方向を変えて行わせることができるので、半導体ウェハ
Ｗ1 〜Ｗq のそれぞれを前述した従来の場合に比しより
各部均一の温度分布に加熱させることができる。
半導体ウェハ加熱装置を用いれば、本願第１番目の発明
による半導体ウェハ加熱装置を用いる場合に準じて、半
導体ウェハＷ1 〜Ｗq のそれぞれについて、通電を順次
方向を変えて行わせることができるので、半導体ウェハ
Ｗ1 〜Ｗq のそれぞれを前述した従来の場合に比しより
各部均一の温度分布に加熱させることができる。
【００１８】従って、本願第２番目の発明による半導体
ウェハ加熱装置によっても、本願第１番目の発明による
半導体ウェハ加熱装置の場合に準じて、半導体ウェハＷ
1 〜Ｗq のそれぞれに対する通電加熱によって、半導体
ウェハＷ1 〜Ｗq のそれぞれの表面を、原子層の一層分
の凹凸レベルで、前述した従来の場合に比しより各部均
一に、平坦化させることができる。
ウェハ加熱装置によっても、本願第１番目の発明による
半導体ウェハ加熱装置の場合に準じて、半導体ウェハＷ
1 〜Ｗq のそれぞれに対する通電加熱によって、半導体
ウェハＷ1 〜Ｗq のそれぞれの表面を、原子層の一層分
の凹凸レベルで、前述した従来の場合に比しより各部均
一に、平坦化させることができる。
【００１９】
【実施例１】次に、図１及び図２を伴って、本発明によ
る半導体ウェハ加熱装置の第１の実施例を述べよう。
る半導体ウェハ加熱装置の第１の実施例を述べよう。
【００２０】図１及び図２において、図６及び図７との
対応部分には同一符号を付して示す。
対応部分には同一符号を付して示す。
【００２１】図１及び図２に示す本発明による半導体ウ
ェハ加熱装置は、次に述べる構成を有する。
ェハ加熱装置は、次に述べる構成を有する。
【００２２】すなわち、半導体ウェハＷを載置する半導
体ウェハ載置板１２を有する。
体ウェハ載置板１２を有する。
【００２３】この半導体ウェハ載置板１２は、半導体ウ
ェハＷが円板状であるとして、その半導体ウェハＷの外
径とほぼ等しいまたはそれに近い外径を有し、例えば石
英によって、円環状に形成されている。
ェハＷが円板状であるとして、その半導体ウェハＷの外
径とほぼ等しいまたはそれに近い外径を有し、例えば石
英によって、円環状に形成されている。
【００２４】また、電極配列板Ｍを有する。
【００２５】この電極配列板Ｍは、例えば石英によっ
て、半導体ウェハ載置板１２とほぼ同じ大きさに円環状
に形成され、そして、一方の主面Ｍａ上に、複数ｎ個
（ただし、ｎは３以上の整数）、例えば８個（以下、簡
単のため８個であるとする）の、例えば折曲げ導体片で
なり且つ円弧状の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(=8) が、円
環状に、順次例えば等角間隔を保って、一端を螺子１４
を用いて固定して、配列されている。
て、半導体ウェハ載置板１２とほぼ同じ大きさに円環状
に形成され、そして、一方の主面Ｍａ上に、複数ｎ個
（ただし、ｎは３以上の整数）、例えば８個（以下、簡
単のため８個であるとする）の、例えば折曲げ導体片で
なり且つ円弧状の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(=8) が、円
環状に、順次例えば等角間隔を保って、一端を螺子１４
を用いて固定して、配列されている。
【００２６】さらに、電極配列板Ｍのｎ（＝８）個の電
極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(=8) を、順次２個づつ選択し
て、電源２に接続させる電源接続手段１５を有する。
極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(=8) を、順次２個づつ選択し
て、電源２に接続させる電源接続手段１５を有する。
【００２７】この電源接続手段１５は、電極Ｅ1 、Ｅ2
………Ｅn(=8) にそれぞれ接続され且つ円環状に電極Ｅ
1 、Ｅ2 ………Ｅn(=8) の配列順序で順次等角間隔を保
って配列されているｎ（＝８）個の固定接点Ｓ1 、Ｓ2
………Ｓn(=8) と、電源２の両端にそれぞれ接続され且
つｎ（＝８）個の固定接点Ｓ1 〜Ｓ8 中から２つづつ選
択された固定接点Ｓ1 及びＳ5 、Ｓ2 及びＳ6 、Ｓ3 及
びＳ7 、及びＳ4 及びＳ8 の組を順次選択するのを繰返
し、そして、その順次選択された各組の２つの固定接点
に接触する回転型の２つの可動接点Ｃ１及びＣ２とを有
する。
………Ｅn(=8) にそれぞれ接続され且つ円環状に電極Ｅ
1 、Ｅ2 ………Ｅn(=8) の配列順序で順次等角間隔を保
って配列されているｎ（＝８）個の固定接点Ｓ1 、Ｓ2
………Ｓn(=8) と、電源２の両端にそれぞれ接続され且
つｎ（＝８）個の固定接点Ｓ1 〜Ｓ8 中から２つづつ選
択された固定接点Ｓ1 及びＳ5 、Ｓ2 及びＳ6 、Ｓ3 及
びＳ7 、及びＳ4 及びＳ8 の組を順次選択するのを繰返
し、そして、その順次選択された各組の２つの固定接点
に接触する回転型の２つの可動接点Ｃ１及びＣ２とを有
する。
【００２８】以上が、本発明による半導体ウェハ加熱装
置の第１の実施例の構成である。
置の第１の実施例の構成である。
【００２９】このような構成を有する本発明による半導
体ウェハ加熱装置によれば、高真空雰囲気中において、
半導体ウェハ載置板１２上に半導体ウェハＷを配し、ま
た、その半導体ウェハＷ上に、電極配列板Ｍを、電極Ｅ
1 〜Ｅn(=8) が半導体ウェハＷの外周部に接触するよう
に配した状態で、可動接点Ｃ１及びＣ２を比較的短い時
間で間欠的に連続的に回転させれば、半導体ウェハＷ
に、順次２つの電極Ｅ1及びＥ5 、Ｅ2 及びＥ6 、Ｅ3
及びＥ7 、及びＥ4 及びＥ8 の組を通じて通電させるこ
とを繰返し行わせることができ、よって、半導体ウェハ
Ｗを前述した従来の場合と同様に通電によって加熱させ
ることができる。
体ウェハ加熱装置によれば、高真空雰囲気中において、
半導体ウェハ載置板１２上に半導体ウェハＷを配し、ま
た、その半導体ウェハＷ上に、電極配列板Ｍを、電極Ｅ
1 〜Ｅn(=8) が半導体ウェハＷの外周部に接触するよう
に配した状態で、可動接点Ｃ１及びＣ２を比較的短い時
間で間欠的に連続的に回転させれば、半導体ウェハＷ
に、順次２つの電極Ｅ1及びＥ5 、Ｅ2 及びＥ6 、Ｅ3
及びＥ7 、及びＥ4 及びＥ8 の組を通じて通電させるこ
とを繰返し行わせることができ、よって、半導体ウェハ
Ｗを前述した従来の場合と同様に通電によって加熱させ
ることができる。
【００３０】また、この場合の２つの電極Ｅ1 及び
Ｅ5 、Ｅ2 及びＥ6 、Ｅ3 及びＥ7 及びＥ4 及びＥ8 の
組への通電電流を、前述した従来の場合に準じて制御さ
せることによって、半導体ウェハＷを、前述した従来の
場合と同様に、高温に、加熱させることができる。
Ｅ5 、Ｅ2 及びＥ6 、Ｅ3 及びＥ7 及びＥ4 及びＥ8 の
組への通電電流を、前述した従来の場合に準じて制御さ
せることによって、半導体ウェハＷを、前述した従来の
場合と同様に、高温に、加熱させることができる。
【００３１】このため、半導体ウェハＷの表面を、前述
した従来の場合と同様に、原子層の一層分の凹凸オ―ダ
に平坦化させることができる。
した従来の場合と同様に、原子層の一層分の凹凸オ―ダ
に平坦化させることができる。
【００３２】しかしながら、図１及び図２に示す本発明
による半導体ウェハ加熱装置を用いる場合、半導体ウェ
ハＷに接触するｎ（＝８）個の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅ
n(=8 ) を有し、そして、それらｎ（＝８）個の電極
Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(=8) が、２個の電極Ｅ1 及び
Ｅ5 、Ｅ2 及びＥ6 、Ｅ3 及びＥ7 、及びＥ4 及びＥ8
づつが順次選択されて電源２に接続されるのを繰返し行
わせることができるので、半導体ウェハＷへの通電を、
順次方向を変えて繰返し行わせることができる。このた
め、半導体ウェハＷが円板状であって、大口径を有して
いても、半導体ウェハＷを、前述した従来の場合に比
し、より各部均一の温度分布に、加熱させることができ
る。
による半導体ウェハ加熱装置を用いる場合、半導体ウェ
ハＷに接触するｎ（＝８）個の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅ
n(=8 ) を有し、そして、それらｎ（＝８）個の電極
Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(=8) が、２個の電極Ｅ1 及び
Ｅ5 、Ｅ2 及びＥ6 、Ｅ3 及びＥ7 、及びＥ4 及びＥ8
づつが順次選択されて電源２に接続されるのを繰返し行
わせることができるので、半導体ウェハＷへの通電を、
順次方向を変えて繰返し行わせることができる。このた
め、半導体ウェハＷが円板状であって、大口径を有して
いても、半導体ウェハＷを、前述した従来の場合に比
し、より各部均一の温度分布に、加熱させることができ
る。
【００３３】従って、図１及び図２に示す本発明による
半導体ウェハ加熱装置によれば、それを用いて、半導体
ウェハＷの表面を、半導体ウェハＷが円板状であって、
大口径を有していても、原子層の一層分の凹凸レベル
で、前述した従来の場合に比し、より各部均一に、平坦
化させることができる。
半導体ウェハ加熱装置によれば、それを用いて、半導体
ウェハＷの表面を、半導体ウェハＷが円板状であって、
大口径を有していても、原子層の一層分の凹凸レベル
で、前述した従来の場合に比し、より各部均一に、平坦
化させることができる。
【００３４】
【実施例２】次に、図３〜図５を伴って、本発明による
半導体ウェハ加熱装置の第２の実施例を述べよう。
半導体ウェハ加熱装置の第２の実施例を述べよう。
【００３５】図３〜図５において、図１及び図２との対
応部分には同一符号を付し、詳細説明を省略する。
応部分には同一符号を付し、詳細説明を省略する。
【００３６】図３及び図４に示す本発明による半導体ウ
ェハ加熱装置は、複数ｑ枚、例えば４枚（以下、簡単の
ため４枚であるとする）の半導体ウェハＷ1 、Ｗ2 ……
…Ｗq(=4) をそれらの順に積層して載置する、図１及び
図２で上述したと同様の構成を有する半導体ウェハ載置
板１２を有する。
ェハ加熱装置は、複数ｑ枚、例えば４枚（以下、簡単の
ため４枚であるとする）の半導体ウェハＷ1 、Ｗ2 ……
…Ｗq(=4) をそれらの順に積層して載置する、図１及び
図２で上述したと同様の構成を有する半導体ウェハ載置
板１２を有する。
【００３７】また、（ｑ−１）枚の電極配列板Ｍ1 、Ｍ
2 ………Ｍ(q-1)(=3) と、他の１枚の電極配列板Ｍ
q(=4) とを有する。
2 ………Ｍ(q-1)(=3) と、他の１枚の電極配列板Ｍ
q(=4) とを有する。
【００３８】この場合、電極配列板Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ
(q-1)(=3) のそれぞれは、図１及び図２で上述した電極
配列板Ｍと同様に、例えば石英によって、半導体ウェハ
載置板１２とほぼ同じ大きさに円環状に形成され、そし
て、一方の主面Ｍa 上に、図１及び図２で上述したと同
様の構成を有する複数ｎ個、例えば１２個（以下、簡単
のため、１２個であるとする）の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………
Ｅn(=12)が、一端を図１及び図２で上述したと同様に螺
子１４を用いて固定して、環状に配列され、また、主面
Ｍa と対向している他の主面Ｍb 上に、複数ｍ個、例え
ば１２個（以下、簡単のため、１２個であるとし、従っ
て、ｍ＝ｎであるとする）の電極Ｅ1 ′、Ｅ2 ′………
Ｅm(=12)′が、同様に螺子１４を用いて固定して環状に
配列されている。
(q-1)(=3) のそれぞれは、図１及び図２で上述した電極
配列板Ｍと同様に、例えば石英によって、半導体ウェハ
載置板１２とほぼ同じ大きさに円環状に形成され、そし
て、一方の主面Ｍa 上に、図１及び図２で上述したと同
様の構成を有する複数ｎ個、例えば１２個（以下、簡単
のため、１２個であるとする）の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………
Ｅn(=12)が、一端を図１及び図２で上述したと同様に螺
子１４を用いて固定して、環状に配列され、また、主面
Ｍa と対向している他の主面Ｍb 上に、複数ｍ個、例え
ば１２個（以下、簡単のため、１２個であるとし、従っ
て、ｍ＝ｎであるとする）の電極Ｅ1 ′、Ｅ2 ′………
Ｅm(=12)′が、同様に螺子１４を用いて固定して環状に
配列されている。
【００３９】この場合、電極Ｅ1 〜Ｅn(=12)は、図示の
ように、電極Ｅ1 〜Ｅ6 、及びＥ7〜Ｅ12について、順
次等角間隔を保ち、そして、電極Ｅ6 及びＥ7 間、及び
Ｅ12及びＥ1 間に、電極Ｅ1 〜Ｅ6 及びＥ7 〜Ｅ12のそ
れぞれについての順次の角間隔に比し大きな角間隔を保
って配列し得る。また、電極Ｅ1 ′〜Ｅm(=12)′につい
ても、電極Ｅ1 〜Ｅn(=12)と同様に配列し得る。
ように、電極Ｅ1 〜Ｅ6 、及びＥ7〜Ｅ12について、順
次等角間隔を保ち、そして、電極Ｅ6 及びＥ7 間、及び
Ｅ12及びＥ1 間に、電極Ｅ1 〜Ｅ6 及びＥ7 〜Ｅ12のそ
れぞれについての順次の角間隔に比し大きな角間隔を保
って配列し得る。また、電極Ｅ1 ′〜Ｅm(=12)′につい
ても、電極Ｅ1 〜Ｅn(=12)と同様に配列し得る。
【００４０】また、電極配列板Ｍq(=4) は、電極配列板
Ｍ1 〜Ｍ(q-1)(=3) と同様に形成され、そして、一方の
主面Ｍa 上に、複数Ｐ個、例えば１２個（以下、簡単の
ため１２個であるとし、従って、ｐ＝ｍ＝ｎであるとす
る）の電極Ｅ1 ″、Ｅ2 ″………Ｅ″p(=12)が、電極配
列板Ｍ1 〜Ｍ(q-1)(=3) の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(
=12)と同様に配列されている。
Ｍ1 〜Ｍ(q-1)(=3) と同様に形成され、そして、一方の
主面Ｍa 上に、複数Ｐ個、例えば１２個（以下、簡単の
ため１２個であるとし、従って、ｐ＝ｍ＝ｎであるとす
る）の電極Ｅ1 ″、Ｅ2 ″………Ｅ″p(=12)が、電極配
列板Ｍ1 〜Ｍ(q-1)(=3) の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(
=12)と同様に配列されている。
【００４１】さらに、電極配列板Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ
(q-1)(=3) のそれぞれについて、主面Ｍa 上に配列され
ているｎ（＝１２）個の電極Ｅ1 〜Ｅn(=12)を、順次２
個づつ選択して、電源２に接続させ、且つ他の主面Ｍb
上に配列されているｍ（＝１２）個の電極Ｅ1 ′〜Ｅ′
m(=12)を、同様に順次２個づつ選択して、電源２に接続
させ、また、電極配列板Ｍq(=4) について、主面Ｍa 上
に配列されているｐ（＝１２）個の電極Ｅ1 ″〜Ｅ″
p(=12)を、同様に順次２個づつ選択して、電源２に接続
させる電源接続手段１５を有する。
(q-1)(=3) のそれぞれについて、主面Ｍa 上に配列され
ているｎ（＝１２）個の電極Ｅ1 〜Ｅn(=12)を、順次２
個づつ選択して、電源２に接続させ、且つ他の主面Ｍb
上に配列されているｍ（＝１２）個の電極Ｅ1 ′〜Ｅ′
m(=12)を、同様に順次２個づつ選択して、電源２に接続
させ、また、電極配列板Ｍq(=4) について、主面Ｍa 上
に配列されているｐ（＝１２）個の電極Ｅ1 ″〜Ｅ″
p(=12)を、同様に順次２個づつ選択して、電源２に接続
させる電源接続手段１５を有する。
【００４２】この電源接続手段１５は、図５に示すよう
に、電極配列板Ｍ1 〜Ｍ(q-1)(=3)の一方の主面Ｍa 上
のｎ（＝１２）個の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(=12)にそ
れぞれ接続され且つ電極配列板Ｍq(=4) の主面Ｍa 上の
ｐ（＝１２）個の電極Ｅ1 ″、Ｅ2 ″………Ｅ″p(=12)
にもそれぞれ接続されて、環状に配列されているｎ＝ｐ
（＝１２）個の固定接点Ｓ1 、Ｓ2 ………Ｓ
n=p(=12)と、それら固定接点Ｓ1〜Ｓn=p(=12)に対す
る、電源２の両端にそれぞれ接続されている２つの可動
接点Ｃ１及びＣ２とを有するとともに、電極配列板Ｍ1
〜Ｍ(q-1)(=3) の他方の主面Ｍb 上のｍ（＝１２）個の
電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅm(=12)にそれぞれ接続されて、
環状に配列されているｍ（＝１２）個の固定接点
Ｓ1 ′、Ｓ2 ′………Ｓ′m( =12)と、それら固定接点Ｓ
1 〜Ｓm(=12)に対する、電源２の両端にそれぞれ接続さ
れている２つの可動接点Ｃ１′及びＣ２′とを有する。
に、電極配列板Ｍ1 〜Ｍ(q-1)(=3)の一方の主面Ｍa 上
のｎ（＝１２）個の電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅn(=12)にそ
れぞれ接続され且つ電極配列板Ｍq(=4) の主面Ｍa 上の
ｐ（＝１２）個の電極Ｅ1 ″、Ｅ2 ″………Ｅ″p(=12)
にもそれぞれ接続されて、環状に配列されているｎ＝ｐ
（＝１２）個の固定接点Ｓ1 、Ｓ2 ………Ｓ
n=p(=12)と、それら固定接点Ｓ1〜Ｓn=p(=12)に対す
る、電源２の両端にそれぞれ接続されている２つの可動
接点Ｃ１及びＣ２とを有するとともに、電極配列板Ｍ1
〜Ｍ(q-1)(=3) の他方の主面Ｍb 上のｍ（＝１２）個の
電極Ｅ1 、Ｅ2 ………Ｅm(=12)にそれぞれ接続されて、
環状に配列されているｍ（＝１２）個の固定接点
Ｓ1 ′、Ｓ2 ′………Ｓ′m( =12)と、それら固定接点Ｓ
1 〜Ｓm(=12)に対する、電源２の両端にそれぞれ接続さ
れている２つの可動接点Ｃ１′及びＣ２′とを有する。
【００４３】この場合、固定接点Ｓ1 〜Ｓn=p(=12)は、
円環状に、固定接点Ｓ1 、Ｓ2 ………Ｓ6 、Ｓ7 、Ｓ8
………Ｓ12の配列順序で、順次等角間隔を保って配列さ
れ、また、可動接点Ｃ１及びＣ２は、回転型に構成さ
れ、ｎ＝ｐ（＝１２）個の固定接点Ｓ1 〜Ｓn=p(=12)中
から２つづつ選択された固定接点Ｓ1 及びＳ12、Ｓ2 及
びＳ11、Ｓ3 及びＳ10、Ｓ4 及びＳ9 、Ｓ5 及びＳ8 、
及びＳ6 及びＳ7 の組をそれらの順序の順に順次選択す
るのを繰返し、そして、その順次選択された各組の２つ
の固定接点に接触するようになされている。また、固定
接点Ｓ1 ′〜Ｓ′m(=12)も、円環状に、固定接点
Ｓ1 ′、Ｓ2 ′………Ｓ6 ′、Ｓ7 ′、Ｓ8 ′………Ｓ
12′の配列順序で順次等角間隔を保って配列され、また
可動接点Ｃ１′及びＣ２′は、回転型に構成され、ｍ
（＝１２）個の固定接点Ｓ1 〜Ｓm(=12)中から２つづつ
選択された固定接点Ｓ1 ′及びＳ12′、Ｓ2 ′及び
Ｓ11′、Ｓ3 ′及びＳ10′、Ｓ4 ′及びＳ9 ′、Ｓ5 ′
及びＳ8 ′、及びＳ6 ′及びＳ7 ′の組をそれらの順序
とは逆の順序で順次選択するのを繰返し、そして、その
順次選択された各組の２つの固定接点に接触するように
なされている。
円環状に、固定接点Ｓ1 、Ｓ2 ………Ｓ6 、Ｓ7 、Ｓ8
………Ｓ12の配列順序で、順次等角間隔を保って配列さ
れ、また、可動接点Ｃ１及びＣ２は、回転型に構成さ
れ、ｎ＝ｐ（＝１２）個の固定接点Ｓ1 〜Ｓn=p(=12)中
から２つづつ選択された固定接点Ｓ1 及びＳ12、Ｓ2 及
びＳ11、Ｓ3 及びＳ10、Ｓ4 及びＳ9 、Ｓ5 及びＳ8 、
及びＳ6 及びＳ7 の組をそれらの順序の順に順次選択す
るのを繰返し、そして、その順次選択された各組の２つ
の固定接点に接触するようになされている。また、固定
接点Ｓ1 ′〜Ｓ′m(=12)も、円環状に、固定接点
Ｓ1 ′、Ｓ2 ′………Ｓ6 ′、Ｓ7 ′、Ｓ8 ′………Ｓ
12′の配列順序で順次等角間隔を保って配列され、また
可動接点Ｃ１′及びＣ２′は、回転型に構成され、ｍ
（＝１２）個の固定接点Ｓ1 〜Ｓm(=12)中から２つづつ
選択された固定接点Ｓ1 ′及びＳ12′、Ｓ2 ′及び
Ｓ11′、Ｓ3 ′及びＳ10′、Ｓ4 ′及びＳ9 ′、Ｓ5 ′
及びＳ8 ′、及びＳ6 ′及びＳ7 ′の組をそれらの順序
とは逆の順序で順次選択するのを繰返し、そして、その
順次選択された各組の２つの固定接点に接触するように
なされている。
【００４４】以上が、本発明による半導体ウェハ加熱装
置の第２の実施例の構成である。
置の第２の実施例の構成である。
【００４５】このような構成を有する本発明による半導
体ウェハ加熱装置によれば、高真空雰囲気中において、
半導体ウェハ載置板１２上に、８枚の半導体ウェハ
Ｗ1 、Ｗ2 ………Ｗq を、それらの順に且つ半導体ウェ
ハＷa （ａ＝１、２………（ｑ−１））及びＷb （ｂ＝
２、３………Ｑ））間に電極配列板Ｍa を、その電極Ｅ
1〜Ｅn(=12)及びＥ1 ′〜Ｅ′m(=12)が半導体ウェハＷ
a 及びＷb の外周部に接触するように且つ半導体ウェハ
Ｗq の電極Ｅ1 ″〜Ｅp ″が接触するように配し積層し
ている状態で、可動接点Ｃ１及びＣ２、及びＣ１′及び
Ｃ２′を互に逆関係に同期して比較的短い時間で間欠的
に連続的に回転させれば、各半導体ウェハを、図１及び
図２で上述した本発明による半導体ウェハ加熱装置の場
合と同様に、通電によって、高温に加熱させることがで
きる。
体ウェハ加熱装置によれば、高真空雰囲気中において、
半導体ウェハ載置板１２上に、８枚の半導体ウェハ
Ｗ1 、Ｗ2 ………Ｗq を、それらの順に且つ半導体ウェ
ハＷa （ａ＝１、２………（ｑ−１））及びＷb （ｂ＝
２、３………Ｑ））間に電極配列板Ｍa を、その電極Ｅ
1〜Ｅn(=12)及びＥ1 ′〜Ｅ′m(=12)が半導体ウェハＷ
a 及びＷb の外周部に接触するように且つ半導体ウェハ
Ｗq の電極Ｅ1 ″〜Ｅp ″が接触するように配し積層し
ている状態で、可動接点Ｃ１及びＣ２、及びＣ１′及び
Ｃ２′を互に逆関係に同期して比較的短い時間で間欠的
に連続的に回転させれば、各半導体ウェハを、図１及び
図２で上述した本発明による半導体ウェハ加熱装置の場
合と同様に、通電によって、高温に加熱させることがで
きる。
【００４５】このため、半導体ウェハＷ1 〜Ｗq の表面
を、図１及び図２で前述した本発明による半導体ウェハ
加熱装置の場合と同様に、原子層の一層分の凹凸オ―ダ
に平坦化させることができる。
を、図１及び図２で前述した本発明による半導体ウェハ
加熱装置の場合と同様に、原子層の一層分の凹凸オ―ダ
に平坦化させることができる。
【００４６】また、詳細説明は省略するが、図１及び図
２に示す本発明による半導体ウェハ加熱装置を用いる場
合に準じて、各半導体ウェハへの通電を、順次方向を変
えて繰返し行わせることができるので、図１〜図２で前
述した本発明による半導体ウェハ加熱装置の場合と同様
に、各半導体ウェハが円板状であって、大口径を有して
いても、各半導体ウェハＷを各部均一の温度分布に加熱
させることができる。
２に示す本発明による半導体ウェハ加熱装置を用いる場
合に準じて、各半導体ウェハへの通電を、順次方向を変
えて繰返し行わせることができるので、図１〜図２で前
述した本発明による半導体ウェハ加熱装置の場合と同様
に、各半導体ウェハが円板状であって、大口径を有して
いても、各半導体ウェハＷを各部均一の温度分布に加熱
させることができる。
【００４７】従って、図３及び図５に示す本発明による
半導体ウェハ加熱装置によっても、それを用いて、各半
導体ウェハの表面を、各半導体ウェハが円板状であっ
て、大口径を有していても、原子層の一層分の凹凸レベ
ルで、より各部均一に、平坦化させることができる。
半導体ウェハ加熱装置によっても、それを用いて、各半
導体ウェハの表面を、各半導体ウェハが円板状であっ
て、大口径を有していても、原子層の一層分の凹凸レベ
ルで、より各部均一に、平坦化させることができる。
【００４８】なお、上述においては、本発明の２つの実
施例を示したに留まり、例えば実施例２において、電極
配列板Ｍ1 〜〜Ｍq-1 の主面Ｍa 及びＭb 上の電極の数
ｎ及びも、及び電極配列板Ｍq の主面Ｍa 上の電極の数
ｐに関し、ｍ＝ｍ＝ｐである場合につき述べたが、ｍ、
ｎ及びｐを互に異なる値として、上述したと同様の作用
効果を得るようにすることもでき、その他、本発明の精
神を脱することなしに、種々の変型、変更をなし得るで
あろう。
施例を示したに留まり、例えば実施例２において、電極
配列板Ｍ1 〜〜Ｍq-1 の主面Ｍa 及びＭb 上の電極の数
ｎ及びも、及び電極配列板Ｍq の主面Ｍa 上の電極の数
ｐに関し、ｍ＝ｍ＝ｐである場合につき述べたが、ｍ、
ｎ及びｐを互に異なる値として、上述したと同様の作用
効果を得るようにすることもでき、その他、本発明の精
神を脱することなしに、種々の変型、変更をなし得るで
あろう。
【図１】本発明による半導体ウェハ加熱装置の第１の実
施例を示す、使用状態での略線的平面図である。
施例を示す、使用状態での略線的平面図である。
【図２】本発明による半導体ウェハ加熱装置の第１の実
施例を示す、図１の２−２線上の断面図である。
施例を示す、図１の２−２線上の断面図である。
【図３】本発明による半導体ウェハ加熱装置の第２の実
施例を示す、使用状態での略線的平面図である。
施例を示す、使用状態での略線的平面図である。
【図４】本発明による半導体ウェハ加熱装置の第２の実
施例を示す、図３の４−４線上の断面図である。
施例を示す、図３の４−４線上の断面図である。
【図５】本発明による半導体ウェハ加熱装置の第２の実
施例を示す、電源接続手段による接続関係を示す図であ
る。
施例を示す、電源接続手段による接続関係を示す図であ
る。
【図６】従来の半導体ウェハの加熱法によって半導体ウ
ェハが加熱された場合の半導体ウェハ上の温度分布を示
す図である。
ェハが加熱された場合の半導体ウェハ上の温度分布を示
す図である。
【図７】従来の半導体ウェハの加熱法によって半導体ウ
ェハが加熱された場合の半導体ウェハ上の温度分布を示
す図である。
ェハが加熱された場合の半導体ウェハ上の温度分布を示
す図である。
Ｍ 電極配列板 Ｗ 半導体ウェハ ２ 電源 １２ 半導体ウェハ載置板 １４ 螺子 １５ 電源接続手段
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハを載置する半導体ウェハ載
置用板と、 主面上に複数ｎ個（ただし、ｎは３以上の整数）の電極
を環状に順次配列している電極配列板と、 上記電極配列板の上記ｎ個の電極を、順次２個づつ選択
して、電源に接続させる電源接続手段とを有し、 上記電極配列板が、上記半導体ウェハ載置用板上に載置
される半導体ウェハ上に、その外周部において上記ｎ個
の電極が接触するように配される構成を有することを特
徴とする半導体ウェハ加熱装置。 - 【請求項２】 複数ｑ枚の半導体ウェハＷ1 、Ｗ2 ……
…Ｗq をそれらの順に順次積層して載置する半導体ウェ
ハ載置用板と、 第１の主面上に複数ｎ個（ただし、ｎは３以上の整数）
の第１の電極を環状に順次配列し、上記第１の主面と対
向する第２の主面上に複数ｍ個（ただし、ｍは３以上の
整数）の第２の電極を環状に順次配列している（ｑ−
１）枚の電極配列板Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ(q-1) と、 主面上に環状に順次配列された複数ｐ個（ただし、ｐは
３以上の整数）の第３の電極を環状に順次配列している
電極配列板Ｍq と、 上記電極配列板Ｍ1 、Ｍ2 ………Ｍ(q-1) のそれぞれに
ついて、上記ｎ個の第１の電極を、順次２個づつ選択し
て、第１の電源に接続させ、且つ上記ｍ個の第２の電極
を、順次２個づつ選択して、上記第１の電源または他の
第２の電源に接続させ、上記電極配列板Ｍq について、
上記ｐ個の電極を、順次２個づつ選択して上記第１また
は第２の電源もしくは他の第３の電源に接続させる電源
接続手段とを有し、 上記電極配列板Ｍa （ａ＝１、２………（ｑ−１））
が、上記半導体ウェハＷa 及びＷb （ｂ＝２、３………
ｑ）間に、上記半導体ウェハＷa 及びＷb の外周部にお
いて上記ｎ個の第１の電極及び上記ｍ個の第２の電極が
それぞれ接触するように配される構成を有し、 上記電極配列板Ｍq が、上記半導体ウェハＷq 上に、そ
の外周部において上記ｐ個の第３の電極が接触するよう
に配される構成を有することを特徴とする半導体ウェハ
加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25692991A JPH0689899A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体ウェハ加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25692991A JPH0689899A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体ウェハ加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689899A true JPH0689899A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17299339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25692991A Pending JPH0689899A (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体ウェハ加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689899A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990016069A1 (en) * | 1989-06-12 | 1990-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
| WO2010027054A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 | カンチレバー加熱機構、それを用いたカンチレバーホルダ、及び、カンチレバー加熱方法 |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP25692991A patent/JPH0689899A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990016069A1 (en) * | 1989-06-12 | 1990-12-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
| WO2010027054A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 | カンチレバー加熱機構、それを用いたカンチレバーホルダ、及び、カンチレバー加熱方法 |
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