JPH0688806B2 - 低損失単一モ−ド光フアイバの製造法 - Google Patents

低損失単一モ−ド光フアイバの製造法

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JPH0688806B2
JPH0688806B2 JP61127252A JP12725286A JPH0688806B2 JP H0688806 B2 JPH0688806 B2 JP H0688806B2 JP 61127252 A JP61127252 A JP 61127252A JP 12725286 A JP12725286 A JP 12725286A JP H0688806 B2 JPH0688806 B2 JP H0688806B2
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optical fiber
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勇悦 詫摩
博 梶岡
久典 中居
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Hitachi Cable Ltd
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は低損失単一モード光ファイバの製造法に係り、
特に波長1.5μm帯用の低損失光ファイバを製造する方
法に関するものである。
[従来の技術] 光通信技術及び光計測技術等における光伝送路として光
ファイバが広く用いられているが、この光ファイバは主
にコアの外周部に低屈折率のクラッドが設けられ、さら
にクラッドの外周部にジャケットが設けられた構造を有
している。一般に、コア及びクラッドは伝送損失を低下
させるためにVAD法等により合成した石英から形成され
るが、ジャケットは製造コストを低下させると共に製造
時間を短縮するために天然あるいは合成の石英管から形
成されることが多い。
すなわち、VAD法等により形成したコアロッドを目標の
カットオフ波長となるように延伸し、これをジャケット
用石英管内に挿入した後同時線引を行なって光ファイバ
を製造していた。
ところが、市販の石英管には一般に水酸基や水素等の不
純物が含まれており、この石英管によりジャケットを形
成するとファイバの線引時に石英管から拡散された不純
物がクラッドやコアに浸透し、その結果伝送損失の増加
要因となる。この現象は、電磁界分布が本質的にコアか
らクラッドにまで拡がる単一モード光ファイバにおいて
特に顕著なものとなる。
そこで、従来単一モード光ファイバを製造する際には、
ジャケットから拡散される不純物が電磁界分布に影響を
及ぼさないようにクラッドを厚くする方法が採られてい
た。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、水素等の不純物の拡散現象には線引速度
等も影響を及ぼすので、クラッドを厚くするだけでは十
分な低損失化を達成することができなかった。
また、例えば比屈折率差の大きいコアロッドを線引する
場合に線引温度が高過ぎると、ドーパントの輝散による
構造不整損が増加したりレーレ散乱損が大きくなるの
で、低損失化はさらに困難なものとなる。
かくして、本発明の目的は上記従来技術の問題点を解消
し、水素等の不純物の影響を受けない条件及びドーパン
トが輝散せず低レーレ散乱損となる条件を規定して低損
失の単一モード光ファイバを製造することができる製造
法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 本発明の低損失単一モード光ファイバの製造法は上記目
的を達成するために、コア部とクラッド部からなるコア
ロッドをジャケット用石英管内に挿入してこれを母材と
すると共にこの母材を加熱線引きしてコア,クラッド及
びジャケットからなる単一モード光ファイバを製造する
方法において、上記母材を線引きする際の母材送り速度
をV[mm/分]、上記クラッドの外径をd[μm]及び
モードフィールド径を2ω[μm]として を14以上とすると共に線引張力を20[g]以上としたも
のである。
[作 用] 単一モード光ファイバの損失要因として、材料固有
損、水酸基吸収損、構造不整損、ジャケット石英
管から拡散される水素による損失を挙げることができ
る。
の材料固有損はレーレ散乱損,赤外吸収損,紫外吸収
損の和で求められるが、これらの中でレーレ散乱損が線
引時におけるガラスの固化温度に比例するため、特に低
レーレ散乱損となる線引条件を検討する必要がある。そ
こで、本発明においては線引速度及び線引テンションの
規制を行なった。
また、の水酸基吸収損は近年の製造技術の向上により
ほとんど無視し得るレベルとなっている。さらに、の
構造不整損は線引温度が高い場合にドーパントが輝散す
ることにより生じるので、線引温度を所定値以上に上げ
ないように規制すればよい。
次に、の水素による損失については水素の拡散モデル
を考えて説明する。
まず、石英管からの水素の拡散を考えると、光ファイバ
の中心から半径rの位置における水素濃度c(r)は次
式で表わされる。
c(r)=C0[1−erf{(r0 2−r2)/aL}] ただし、C0:石英管に含有されている水素濃度 r0:溶着後のクラッド半径 L:水素の拡散距離 a:定数 であり、水素の拡散距離Lは拡散係数をDH、拡散時間を
tとして と表わされる。
さらに、温度T[K]における水素の拡散係数DH[cm2/
sec]は DH=D0Texp(−E/RT) ただし、E:8.83[Kcal/mol] D0:2.03×10-7[cm2/sec] R:1.99[cal/mol/K] で与えられる。
ところで、線引温度が一定であり線引速度のみを変化さ
せて光ファイバを製造する場合、拡散時間tは炉内への
母材の送り速度Vの逆数1/Vに比例するものと考えるこ
とができる。すると、(1)式より となる。
ここで、水素の拡散による損失を考えるに当たり、拡散
距離Lとファイバのクラッド径d及びモードフィールド
径2ωの大小関係が問題となるので、 なる量ηを定義する。
(2)式より、 となるので、 が大きい程正規化拡散距離L/dは小さいことがわかる。
すなわち、量ηが大きい程モードフィールド径2ωに対
する正規化拡散距離L/dは小さく、水素による損失の影
響が小さいものとなる。
[実施例] 以下、本発明の実施例を添付図面に従って説明する。
上記の量ηは使用するジャケット石英管の断面積s,コア
ロッドの延伸径D,線引速度v,光ファイバの構造パラメー
タ特にクラッド厚/コア半径δ及びカットオフ波長λc
に関係しており、クラッド厚/コア半径δとカットオフ
波長λcが与えられたときに断面積s,延伸径D及び線引
速度vを決定するものである。
これら各量を以下の表−1に示すように設定して複数の
単一モード光ファイバF1〜F9を製造した。
そして、これらファイバF1〜F9の波長1.55μm帯におけ
る伝送損失αを測定し、その測定結果を上記表−1に記
載した。
さらに、各ファイバの量ηと伝送損失αとの関係を第1
図に示した。この第1図からわかるように、量ηが大き
い程ファイバの損失αが小さく、量ηを約14(mm/分)
1/2以上とすることにより波長1.55μm帯における伝送
損失αを0.3dB/Km以下とすることができる。
そこで、今度はη>14(mm/分)1/2で且つ線引速度v=
40m/分に設定し、線引テンションを変化させて複数の単
一モード光ファイバを製造した。そして、これらファイ
バの波長1.55μm帯における伝送損失αを測定したとこ
ろ、第2図のような結果が得られた。
すなわち、線引テンションを約20g以上とすることによ
り、ドーパントの輝散を無くしてレーレ散乱損を減少さ
せ、伝送損失αを0.25dB/Km以下にまで低減させ得るこ
とがわかった。
第3図に上記表−1ファイバF3の製造条件で且つ線引テ
ンションを20g以上として製造した単一モード光ファイ
バの損失波長特性を示す。このファイバでは波長1.55μ
mにおける損失αが0.227dB/Kmと極めて小さく、低損失
化が良好になされていることが確認された。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、次の如き優れた効
果を発揮する。
(1) 及び線引テンションをそれぞれ所定値以上に規定するこ
とにより、極めて低損失の単一モード光ファイバを製造
することができる。
(2) 従って、本発明は長距離光伝送システムや高精
度光計測システム等において極めて有用なものとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の作用を調べるために製造した複数の単
一モード光ファイバの量ηと波長1.55μm帯における損
失αとの関係を示すグラフ、第2図は量ηを14(mm/
分)1/2以上に設定して製造した複数の単一モード光フ
ァイバの線引テンションと波長1.55μm帯における損失
αとの関係を示すグラフ、第3図は本発明の一実施例に
係る製造方法で製造した低損失単一モード光ファイバの
損失波長特性図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】コア部とクラッド部からなるコアロッドを
    ジャケット用石英管内に挿入してこれを母材とすると共
    にこの母材を加熱線引きしてコア,クラッド及びジャケ
    ットからなる単一モード光ファイバを製造する方法にお
    いて、上記母材を線引きする際の母材送り速度をV[mm
    /分]、上記クラッドの外径をd[μm]及びモードフ
    ィールド径を2ω[μm]として を14以上とすると共に線引張力を20[g]以上としたこ
    とを特徴とする低損失単一モード光ファイバの製造法。
JP61127252A 1986-06-03 1986-06-03 低損失単一モ−ド光フアイバの製造法 Expired - Lifetime JPH0688806B2 (ja)

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