JPH0685459A - 低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法 - Google Patents
低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法Info
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- JPH0685459A JPH0685459A JP4233360A JP23336092A JPH0685459A JP H0685459 A JPH0685459 A JP H0685459A JP 4233360 A JP4233360 A JP 4233360A JP 23336092 A JP23336092 A JP 23336092A JP H0685459 A JPH0685459 A JP H0685459A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法
において、Ａｕめっき工程が表面導体とセラミック基板
との密着強度を低下させるという課題を解決し、Ｃｕ導
体の密着強度を劣化させることなく、安価に、かつ高い
信頼性を有する低温焼成セラミック多層回路基板の製造
方法を提供する。 【構成】 Ｃｕビアホール３とＣｕ回路パターン４とを
有する第１のグリーンシート１と、その第１のグリーン
シート１上にＣｕビアホール３やＣｕ回路パターン４と
接触しないようにＡｕ回路パターン５を形成させた第２
のグリーンシート２を必要枚数積層して酸化雰囲気で脱
脂する工程と、還元雰囲気でＣｕＯをＣｕにする工程
と、中性雰囲気で焼成する工程とからなる。 【効果】 表面導体の密着強度を劣化させず、安価に信
頼性の高い低温焼成セラミック多層回路基板を得ること
ができる。
において、Ａｕめっき工程が表面導体とセラミック基板
との密着強度を低下させるという課題を解決し、Ｃｕ導
体の密着強度を劣化させることなく、安価に、かつ高い
信頼性を有する低温焼成セラミック多層回路基板の製造
方法を提供する。 【構成】 Ｃｕビアホール３とＣｕ回路パターン４とを
有する第１のグリーンシート１と、その第１のグリーン
シート１上にＣｕビアホール３やＣｕ回路パターン４と
接触しないようにＡｕ回路パターン５を形成させた第２
のグリーンシート２を必要枚数積層して酸化雰囲気で脱
脂する工程と、還元雰囲気でＣｕＯをＣｕにする工程
と、中性雰囲気で焼成する工程とからなる。 【効果】 表面導体の密着強度を劣化させず、安価に信
頼性の高い低温焼成セラミック多層回路基板を得ること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器などの回路形
成に用いられる高精度配線が可能な低温焼成セラミック
多層回路基板の製造方法に関する。
成に用いられる高精度配線が可能な低温焼成セラミック
多層回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、低温焼成セラミック多層回路基板
は熱伝導性や耐熱性、化学的耐久性が有機材料基板より
優れていることから、有機材料基板に代わるものとして
その利用が拡大してきている。また電子機器の小型化、
多様化に伴い高密度配線、高密度実装が可能な基板とし
て広く使用されるようになってきた。さらに今後は半導
体ベアチップ実装基板としてその需要は高まると予想さ
れ、微細な配線が容易で、かつ信頼性が高い、という特
徴を有することから特に低温焼成セラミック多層回路基
板の製造方法が必要になってくると考えられる。
は熱伝導性や耐熱性、化学的耐久性が有機材料基板より
優れていることから、有機材料基板に代わるものとして
その利用が拡大してきている。また電子機器の小型化、
多様化に伴い高密度配線、高密度実装が可能な基板とし
て広く使用されるようになってきた。さらに今後は半導
体ベアチップ実装基板としてその需要は高まると予想さ
れ、微細な配線が容易で、かつ信頼性が高い、という特
徴を有することから特に低温焼成セラミック多層回路基
板の製造方法が必要になってくると考えられる。
【０００３】以下に図面を参照しながら、従来の低温焼
成セラミック多層回路基板の一例について説明する。
成セラミック多層回路基板の一例について説明する。
【０００４】図６に従来の低温焼成セラミック多層回路
基板の主構成を示す。図７は従来の製造方法による電子
部品を実装した低温焼成セラミック多層回路基板の構成
を示す。
基板の主構成を示す。図７は従来の製造方法による電子
部品を実装した低温焼成セラミック多層回路基板の構成
を示す。
【０００５】図６に示すように、従来の低温焼成セラミ
ック多層回路基板はセラミックパウダーと熱可塑性樹脂
を主成分とするグリーンシート１１にパンチ等で開孔
し、ＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペースト
を充填してビアホール導体１２を形成し、さらに同じ電
極ペーストにて回路パターン１３をスクリーン印刷等で
形成する。このようにしたグリーンシート１１を必要枚
数積層して加熱加圧し、得られた積層体を酸化雰囲気で
脱脂し、その後還元雰囲気にてＣｕＯをＣｕにし、８５
０℃〜１０００℃の中性雰囲気にて焼成し、さらにその
表面の回路パターン１３上に酸、アルカリ処理を経てＡ
ｕめっき処理を行い、Ａｕ皮膜１４を形成する。
ック多層回路基板はセラミックパウダーと熱可塑性樹脂
を主成分とするグリーンシート１１にパンチ等で開孔
し、ＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペースト
を充填してビアホール導体１２を形成し、さらに同じ電
極ペーストにて回路パターン１３をスクリーン印刷等で
形成する。このようにしたグリーンシート１１を必要枚
数積層して加熱加圧し、得られた積層体を酸化雰囲気で
脱脂し、その後還元雰囲気にてＣｕＯをＣｕにし、８５
０℃〜１０００℃の中性雰囲気にて焼成し、さらにその
表面の回路パターン１３上に酸、アルカリ処理を経てＡ
ｕめっき処理を行い、Ａｕ皮膜１４を形成する。
【０００６】つぎに、上記のように形成された低温焼成
セラミック多層回路基板に回路部品を実装し電子機器の
回路基板として使用する。
セラミック多層回路基板に回路部品を実装し電子機器の
回路基板として使用する。
【０００７】図７に示すように、Ｃｕで形成されたビア
ホール導体１２や回路パターン１３を備えた低温焼成セ
ラミック多層回路基板１５にＡｕめっき処理により回路
パターン１３上に約１μｍ程度のＡｕ層１６を形成し、
半導体ベアチップ１７をＡｕワイヤー１８にてＡｕ層１
６にボンディングして接続しているのが一般的である。
ホール導体１２や回路パターン１３を備えた低温焼成セ
ラミック多層回路基板１５にＡｕめっき処理により回路
パターン１３上に約１μｍ程度のＡｕ層１６を形成し、
半導体ベアチップ１７をＡｕワイヤー１８にてＡｕ層１
６にボンディングして接続しているのが一般的である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の構成では、Ａｕワイヤー１８を品質よくボン
ディングするために必要なＣｕよりなる回路パターン１
３上へＡｕめっき処理を施す際、低温焼成セラミック多
層回路基板１５を酸、アルカリ溶液中で処理しなければ
ならない。この処理により、本来表面導体の低温焼成セ
ラミック多層回路基板上への密着に寄与しているガラス
フリットが溶解消失するなどして表面導体の密着強度が
落ちるという問題が発生した。さらに部品実装後の信頼
性確保という問題に対して、酸やアルカリの残渣は極め
て重要な課題となる。またＡｕめっき工程は不要部への
高価なＡｕの付着や工程の複雑さでコストも高くなると
いう課題を有していた。
うな従来の構成では、Ａｕワイヤー１８を品質よくボン
ディングするために必要なＣｕよりなる回路パターン１
３上へＡｕめっき処理を施す際、低温焼成セラミック多
層回路基板１５を酸、アルカリ溶液中で処理しなければ
ならない。この処理により、本来表面導体の低温焼成セ
ラミック多層回路基板上への密着に寄与しているガラス
フリットが溶解消失するなどして表面導体の密着強度が
落ちるという問題が発生した。さらに部品実装後の信頼
性確保という問題に対して、酸やアルカリの残渣は極め
て重要な課題となる。またＡｕめっき工程は不要部への
高価なＡｕの付着や工程の複雑さでコストも高くなると
いう課題を有していた。
【０００９】本発明は上記課題を解決するものであり、
Ａｕワイヤーボンディングを品質よく形成することがで
き、Ｃｕ導体の密着強度も劣化させることなく、安価に
高い信頼性を有する低温焼成セラミック多層回路基板の
製造方法を提供することを目的とする。
Ａｕワイヤーボンディングを品質よく形成することがで
き、Ｃｕ導体の密着強度も劣化させることなく、安価に
高い信頼性を有する低温焼成セラミック多層回路基板の
製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の低温焼成セラミック多層回路基板の製造方
法は、セラミックパウダーと熱可塑性樹脂を主成分とし
ＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストにて
形成されたビアホール導体と回路パターンとを有する第
１のグリーンシートとこの第１のグリーンシート上にＡ
ｕと有機ビヒクルを主成分としてなる電極ペーストによ
りビアホール導体および回路パターンと接触しないよう
に形成された回路パターンを有する第２のグリーンシー
トとを第２のグリーンシートが最表面にくるようにそれ
ぞれ必要枚数積層する工程と、その積層体を酸化雰囲気
にて脱脂する工程と、還元雰囲気にてＣｕＯをＣｕにす
る工程と、８５０℃〜１０００℃の中性雰囲気にて焼成
する工程とから構成されるものであり、また焼成後のＡ
ｕパターンとＣｕパターン間またはＡｕパターンとＣｕ
ビアホール導体間をＡｕとＣｕの共融点以下の温度で焼
成可能な金属と有機ビヒクルを主成分とする電極ペース
トにて接続させ、中性雰囲気にて焼成する工程を備えた
ものである。
に、本発明の低温焼成セラミック多層回路基板の製造方
法は、セラミックパウダーと熱可塑性樹脂を主成分とし
ＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストにて
形成されたビアホール導体と回路パターンとを有する第
１のグリーンシートとこの第１のグリーンシート上にＡ
ｕと有機ビヒクルを主成分としてなる電極ペーストによ
りビアホール導体および回路パターンと接触しないよう
に形成された回路パターンを有する第２のグリーンシー
トとを第２のグリーンシートが最表面にくるようにそれ
ぞれ必要枚数積層する工程と、その積層体を酸化雰囲気
にて脱脂する工程と、還元雰囲気にてＣｕＯをＣｕにす
る工程と、８５０℃〜１０００℃の中性雰囲気にて焼成
する工程とから構成されるものであり、また焼成後のＡ
ｕパターンとＣｕパターン間またはＡｕパターンとＣｕ
ビアホール導体間をＡｕとＣｕの共融点以下の温度で焼
成可能な金属と有機ビヒクルを主成分とする電極ペース
トにて接続させ、中性雰囲気にて焼成する工程を備えた
ものである。
【００１１】
【作用】したがって本発明によれば、グリーンシート上
に形成されたＡｕペーストを酸化雰囲気中で脱脂できる
ので、焼成工程でＡｕ導体の密着性を低下させるところ
のカーボンが残ることがなく、またＡｕとＣｕが共融す
ることなく同時焼成でき、また、ＡｕとＣｕの共融点以
下の温度で焼成することが可能な金属を用いて接続する
こともできるので、酸、アルカリ処理を必要とするＡｕ
めっきを用いなくても、ワイヤーボンド実装することが
可能となる。さらに、酸、アルカリ処理しないので、表
面導体の密着強度も落ちず、安価で高い信頼性を得るこ
とができる。
に形成されたＡｕペーストを酸化雰囲気中で脱脂できる
ので、焼成工程でＡｕ導体の密着性を低下させるところ
のカーボンが残ることがなく、またＡｕとＣｕが共融す
ることなく同時焼成でき、また、ＡｕとＣｕの共融点以
下の温度で焼成することが可能な金属を用いて接続する
こともできるので、酸、アルカリ処理を必要とするＡｕ
めっきを用いなくても、ワイヤーボンド実装することが
可能となる。さらに、酸、アルカリ処理しないので、表
面導体の密着強度も落ちず、安価で高い信頼性を得るこ
とができる。
【００１２】
【実施例】（実施例１）以下に本発明の第１の実施例の
低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法について図
面を参照しながら説明する。
低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法について図
面を参照しながら説明する。
【００１３】図１に本発明の第１の実施例の低温焼成セ
ラミック多層回路基板の製造方法により得られた低温焼
成セラミック多層回路基板の構成を示す。図１に示すよ
うに、アルミナとほうけい酸鉛ガラスからなる低温焼成
セラミックの内層１、表層２には、ＣｕＯが還元されて
形成されたＣｕビアホール３を含み、さらに表層２の表
面には、ＣｕＯが還元されて形成されたＣｕ回路パター
ン４と、Ａｕ回路パターン５が互いに接することなく配
置されており、その２つのパターン間にチップ部品６を
載置し、半田７によって接合している。またＡｕ回路パ
ターン５には、ベアＩＣチップ８がＡｕワイヤー９によ
ってボンディングされ接続されている。
ラミック多層回路基板の製造方法により得られた低温焼
成セラミック多層回路基板の構成を示す。図１に示すよ
うに、アルミナとほうけい酸鉛ガラスからなる低温焼成
セラミックの内層１、表層２には、ＣｕＯが還元されて
形成されたＣｕビアホール３を含み、さらに表層２の表
面には、ＣｕＯが還元されて形成されたＣｕ回路パター
ン４と、Ａｕ回路パターン５が互いに接することなく配
置されており、その２つのパターン間にチップ部品６を
載置し、半田７によって接合している。またＡｕ回路パ
ターン５には、ベアＩＣチップ８がＡｕワイヤー９によ
ってボンディングされ接続されている。
【００１４】前記構成を有する低温焼成セラミック多層
回路基板は、アルミナ、ほうけい酸鉛ガラスと熱可塑剤
樹脂を主成分とするグリーンシートにビアホール穴を開
孔し、ＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペース
トを上記ビアホール穴にスクリーン印刷等で充填し、さ
らにＣｕＯ電極ペーストにより所定回路パターンを印刷
等で形成する。これを第１のグリーンシートとする。さ
らにＡｕと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストを
上記第１のグリーンシート上に印刷して所定回路パター
ンを形成する。これを第２のグリーンシートとする。こ
のときＣｕＯとＡｕは接続されていない。第１のグリー
ンシートを内層１とし、第２のグリーンシートを表層２
として所定枚数積層し、加熱加圧して一体化する。この
積層体を空気中で５００℃に加熱、脱脂を行う。さら
に、Ｎ2＋Ｈ2雰囲気下で２００℃〜３００℃においてＣ
ｕＯをＣｕに還元し、その後Ｎ2中にて９００℃で焼成
する。
回路基板は、アルミナ、ほうけい酸鉛ガラスと熱可塑剤
樹脂を主成分とするグリーンシートにビアホール穴を開
孔し、ＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペース
トを上記ビアホール穴にスクリーン印刷等で充填し、さ
らにＣｕＯ電極ペーストにより所定回路パターンを印刷
等で形成する。これを第１のグリーンシートとする。さ
らにＡｕと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストを
上記第１のグリーンシート上に印刷して所定回路パター
ンを形成する。これを第２のグリーンシートとする。こ
のときＣｕＯとＡｕは接続されていない。第１のグリー
ンシートを内層１とし、第２のグリーンシートを表層２
として所定枚数積層し、加熱加圧して一体化する。この
積層体を空気中で５００℃に加熱、脱脂を行う。さら
に、Ｎ2＋Ｈ2雰囲気下で２００℃〜３００℃においてＣ
ｕＯをＣｕに還元し、その後Ｎ2中にて９００℃で焼成
する。
【００１５】以上の製造方法によって得られる低温焼成
セラミック多層回路基板について、以下にその製造工程
をさらに具体的に説明する。
セラミック多層回路基板について、以下にその製造工程
をさらに具体的に説明する。
【００１６】図２に示すように、第２のグリーンシート
で構成される表層２はアルミナ、ほうけい酸鉛ガラスか
らなり、その表面にＣｕビアホール３とＣｕ回路パター
ン４が形成され、さらにＡｕ回路パターン５が形成され
る。空気中での脱脂工程で、グリーンシートおよび電極
に含まれる樹脂成分等よりなる有機物は燃焼、除去さ
れ、還元工程においてＣｕＯはＣｕとなり、さらに中性
雰囲気中、９００℃で焼成される。このとき、ＣｕとＡ
ｕは接していないので、合金となって溶解することはな
い。
で構成される表層２はアルミナ、ほうけい酸鉛ガラスか
らなり、その表面にＣｕビアホール３とＣｕ回路パター
ン４が形成され、さらにＡｕ回路パターン５が形成され
る。空気中での脱脂工程で、グリーンシートおよび電極
に含まれる樹脂成分等よりなる有機物は燃焼、除去さ
れ、還元工程においてＣｕＯはＣｕとなり、さらに中性
雰囲気中、９００℃で焼成される。このとき、ＣｕとＡ
ｕは接していないので、合金となって溶解することはな
い。
【００１７】以上のように本実施例によれば、ＣｕＯと
Ａｕとを用いて互いに接することのないように回路を形
成した後、酸化雰囲気で脱脂し、還元、同時焼成する工
程からなるので、ＡｕとＣｕが共融することなく、Ｃｕ
回路パターン４とＡｕ回路パターン５とを形成すること
ができるので、酸、アルカリ処理を必要とするＡｕめっ
きが不要となる。これによって、表面に形成されている
回路パターンの基板に対する密着成分であるガラスフリ
ットが溶解することもなく、高い密着強度を保つことが
でき、さらに酸、アルカリ残渣による信頼性上の不安も
なくなり、安価に低温焼成セラミック多層回路基板を製
造することができる。
Ａｕとを用いて互いに接することのないように回路を形
成した後、酸化雰囲気で脱脂し、還元、同時焼成する工
程からなるので、ＡｕとＣｕが共融することなく、Ｃｕ
回路パターン４とＡｕ回路パターン５とを形成すること
ができるので、酸、アルカリ処理を必要とするＡｕめっ
きが不要となる。これによって、表面に形成されている
回路パターンの基板に対する密着成分であるガラスフリ
ットが溶解することもなく、高い密着強度を保つことが
でき、さらに酸、アルカリ残渣による信頼性上の不安も
なくなり、安価に低温焼成セラミック多層回路基板を製
造することができる。
【００１８】（実施例２）つぎに本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００１９】図３は本発明の第２の実施例の製造方法に
より得られた低温焼成セラミック多層回路基板の構成を
示すものであり、図１に示す第１の実施例と同一部分に
は同一番号を付して説明する。
より得られた低温焼成セラミック多層回路基板の構成を
示すものであり、図１に示す第１の実施例と同一部分に
は同一番号を付して説明する。
【００２０】図３に示すようにアルミナとほうけい酸鉛
ガラスからなる低温焼成セラミックの内層１、表層２に
はＣｕＯが還元されてできるＣｕビアホール３、Ｃｕ回
路パターン４が形成されている。また表層２の表面には
Ａｕ回路パターン５も形成されており、ベアＩＣチップ
８がＡｕワイヤー９によって接続されている。以上は図
１の構成と同様なものであるが、図１の構成と異なるの
はＡｕ回路パターン５が、６００℃焼成可能なＣｕ導体
１０によって、Ｃｕビアホール３やＣｕ回路パターン４
と接続されている点である。
ガラスからなる低温焼成セラミックの内層１、表層２に
はＣｕＯが還元されてできるＣｕビアホール３、Ｃｕ回
路パターン４が形成されている。また表層２の表面には
Ａｕ回路パターン５も形成されており、ベアＩＣチップ
８がＡｕワイヤー９によって接続されている。以上は図
１の構成と同様なものであるが、図１の構成と異なるの
はＡｕ回路パターン５が、６００℃焼成可能なＣｕ導体
１０によって、Ｃｕビアホール３やＣｕ回路パターン４
と接続されている点である。
【００２１】上記構成の第２の実施例における低温焼成
セラミック多層回路基板の製造方法は第１の実施例にお
ける製造工程と同様なものであるが、さらに低温焼成セ
ラミック多層回路基板をＮ2中で９００℃同時焼成した
後にＡｕとＣｕの共融点より低い温度で焼成可能な金属
ペーストであるところの６００℃焼成用Ｃｕペーストで
すでに形成されているＡｕ回路パターン５とＣｕ回路パ
ターン４間を接続し、Ｎ2中、６００℃で焼成するもの
である。
セラミック多層回路基板の製造方法は第１の実施例にお
ける製造工程と同様なものであるが、さらに低温焼成セ
ラミック多層回路基板をＮ2中で９００℃同時焼成した
後にＡｕとＣｕの共融点より低い温度で焼成可能な金属
ペーストであるところの６００℃焼成用Ｃｕペーストで
すでに形成されているＡｕ回路パターン５とＣｕ回路パ
ターン４間を接続し、Ｎ2中、６００℃で焼成するもの
である。
【００２２】以下、その製造方法の工程をさらに具体的
に説明する。図４に示すように、アルミナ、ほうけい酸
鉛ガラスよりなる第２のグリーンシート２上に形成され
たＣｕ回路パターン４はＣｕＯの還元によりＣｕとな
り、Ａｕ回路パターン５は空気中脱脂の後、９００℃、
Ｎ2中で同時焼成によって形成される。その後、６００
℃、Ｎ2中で焼成して形成されたＣｕ導体１０によって
Ｃｕ回路パターン４とＡｕ回路パターン５が接続され
る。
に説明する。図４に示すように、アルミナ、ほうけい酸
鉛ガラスよりなる第２のグリーンシート２上に形成され
たＣｕ回路パターン４はＣｕＯの還元によりＣｕとな
り、Ａｕ回路パターン５は空気中脱脂の後、９００℃、
Ｎ2中で同時焼成によって形成される。その後、６００
℃、Ｎ2中で焼成して形成されたＣｕ導体１０によって
Ｃｕ回路パターン４とＡｕ回路パターン５が接続され
る。
【００２３】また、図５に示すように、アルミナ、ほう
けい酸鉛ガラスよりなる第２のグリーンシート２に形成
されたＣｕビアホール３は、ＣｕＯの還元によりＣｕと
なり、Ａｕ回路パターン５は空気中で脱脂した後、９０
０℃、Ｎ2中で同時焼成によって形成される。さらに６
００℃Ｎ2中で焼成して形成されたＣｕ導体１０によっ
てＡｕ回路パターン５とＣｕビアホール３が接続され
る。
けい酸鉛ガラスよりなる第２のグリーンシート２に形成
されたＣｕビアホール３は、ＣｕＯの還元によりＣｕと
なり、Ａｕ回路パターン５は空気中で脱脂した後、９０
０℃、Ｎ2中で同時焼成によって形成される。さらに６
００℃Ｎ2中で焼成して形成されたＣｕ導体１０によっ
てＡｕ回路パターン５とＣｕビアホール３が接続され
る。
【００２４】このように第２の実施例によれば、Ｃｕビ
アホール３とＡｕ回路パターン５とを互いに接すること
のないように形成した後、酸化雰囲気で脱脂し、その後
還元雰囲気中で同時焼成しているので、ＡｕとＣｕが共
融することなく、Ａｕ回路パターン５が形成でき、酸、
アルカリ処理を必要とするＡｕめっきをする必要がな
く、表面導体の密着強度を向上させることができ、高い
信頼性を得ることができる。さらにＡｕとＣｕとが共融
することなくＣｕ導体１０によって接続することができ
る。
アホール３とＡｕ回路パターン５とを互いに接すること
のないように形成した後、酸化雰囲気で脱脂し、その後
還元雰囲気中で同時焼成しているので、ＡｕとＣｕが共
融することなく、Ａｕ回路パターン５が形成でき、酸、
アルカリ処理を必要とするＡｕめっきをする必要がな
く、表面導体の密着強度を向上させることができ、高い
信頼性を得ることができる。さらにＡｕとＣｕとが共融
することなくＣｕ導体１０によって接続することができ
る。
【００２５】
【発明の効果】上記実施例の説明から明らかなように本
発明は、セラミックパウダーと熱可塑性樹脂を主成分と
しＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストで
形成されたＣｕビアホールとＣｕ回路パターンとを有す
る第１のグリーンシートとその第１のグリーンシート上
にＡｕと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストによ
り、ＣｕビアホールおよびＣｕ回路パターンと接触しな
いように形成させたＡｕ回路パターンを有する第２のグ
リーンシートとを第２のグリーンシートが表面にくるよ
うに必要枚数積層する工程と、酸化雰囲気にて脱脂する
工程と、還元雰囲気にてＣｕＯをＣｕにする工程と、８
５０℃〜１０００℃の中性雰囲気にて焼成する工程とを
含み、さらにＡｕ回路パターンとＣｕ回路パターン間ま
たはＡｕ回路パターンとＣｕビアホール間を、それぞれ
ＡｕとＣｕの共融点以下で焼成可能な金属ペーストで接
触後、中性雰囲気にて焼成する工程からなるものであ
り、従来のようにＡｕめっきをする必要がないので、表
面導体の密着強度を損なわず、安価な信頼性の高い低温
焼成セラミック多層回路基板を得ることができる。
発明は、セラミックパウダーと熱可塑性樹脂を主成分と
しＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストで
形成されたＣｕビアホールとＣｕ回路パターンとを有す
る第１のグリーンシートとその第１のグリーンシート上
にＡｕと有機ビヒクルを主成分とする電極ペーストによ
り、ＣｕビアホールおよびＣｕ回路パターンと接触しな
いように形成させたＡｕ回路パターンを有する第２のグ
リーンシートとを第２のグリーンシートが表面にくるよ
うに必要枚数積層する工程と、酸化雰囲気にて脱脂する
工程と、還元雰囲気にてＣｕＯをＣｕにする工程と、８
５０℃〜１０００℃の中性雰囲気にて焼成する工程とを
含み、さらにＡｕ回路パターンとＣｕ回路パターン間ま
たはＡｕ回路パターンとＣｕビアホール間を、それぞれ
ＡｕとＣｕの共融点以下で焼成可能な金属ペーストで接
触後、中性雰囲気にて焼成する工程からなるものであ
り、従来のようにＡｕめっきをする必要がないので、表
面導体の密着強度を損なわず、安価な信頼性の高い低温
焼成セラミック多層回路基板を得ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例の低温焼成セラミック多
層回路基板の製造方法により得られた低温焼成セラミッ
ク多層回路基板の要部断面図
層回路基板の製造方法により得られた低温焼成セラミッ
ク多層回路基板の要部断面図
【図２】同製造方法における第２のグリーンシートの要
部断面図
部断面図
【図３】本発明の第２の実施例の低温焼成セラミック多
層回路基板の製造方法により得られた低温焼成セラミッ
ク多層回路基板の要部断面図
層回路基板の製造方法により得られた低温焼成セラミッ
ク多層回路基板の要部断面図
【図４】同製造方法における第２のグリーンシートの要
部断面図
部断面図
【図５】同製造方法における他の第２のグリーンシート
の要部断面図
の要部断面図
【図６】従来の低温焼成セラミック多層回路基板の要部
断面図
断面図
【図７】同低温焼成セラミック多層回路基板に部品を実
装した状態を示す要部断面図
装した状態を示す要部断面図
１ 内層（第１のグリーンシート） ２ 表層（第２のグリーンシート） ３ Ｃｕビアホール ４ Ｃｕ回路パターン ５ Ａｕ回路パターン
Claims (3)
- 【請求項１】セラミックパウダーと熱可塑性樹脂を主成
分としＣｕＯと有機ビヒクルを主成分とする電極ペース
トで形成されたＣｕビアホールとＣｕ回路パターンとを
有する第１のグリーンシートとその第１のグリーンシー
ト上にＡｕと有機ビヒクルを主成分とする電極ペースト
により前記ＣｕビアホールおよびＣｕ回路パターンと接
触しないように形成されたＡｕ回路パターンを有する第
２のグリーンシートとを、第２のグリーンシートが最表
面にくるようにそれぞれ必要枚数積層する工程と、前記
積層してなる積層体を酸化雰囲気にて脱脂する工程と、
還元雰囲気にてＣｕＯをＣｕにする工程と、８５０℃〜
１０００℃の中性雰囲気にて焼成する工程とを含む低温
焼成セラミック多層回路基板の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の積層体の焼成後のＡｕ回路
パターンとＣｕ回路パターン間またはＡｕ回路パターン
とＣｕビアホール間をＡｕとＣｕの共融点以下の温度で
焼成可能な金属と有機ビヒクルを主成分とする電極ペー
ストにて接続させ、中性雰囲気にて焼成する低温焼成セ
ラミック多層回路基板の製造方法。 - 【請求項３】ＡｕとＣｕの共融点以下の温度で焼成可能
な金属がＣｕである請求項２記載の低温焼成セラミック
多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233360A JPH0685459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233360A JPH0685459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685459A true JPH0685459A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16953934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4233360A Pending JPH0685459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 低温焼成セラミック多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685459A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107535048A (zh) * | 2015-04-27 | 2018-01-02 | 京瓷株式会社 | 电路基板以及具备该电路基板的电子装置 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP4233360A patent/JPH0685459A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107535048A (zh) * | 2015-04-27 | 2018-01-02 | 京瓷株式会社 | 电路基板以及具备该电路基板的电子装置 |
| CN107535048B (zh) * | 2015-04-27 | 2019-10-18 | 京瓷株式会社 | 电路基板以及具备该电路基板的电子装置 |
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