JPH0685019A - Semiconductor wafer and its testing method - Google Patents

Semiconductor wafer and its testing method

Info

Publication number
JPH0685019A
JPH0685019A JP4238217A JP23821792A JPH0685019A JP H0685019 A JPH0685019 A JP H0685019A JP 4238217 A JP4238217 A JP 4238217A JP 23821792 A JP23821792 A JP 23821792A JP H0685019 A JPH0685019 A JP H0685019A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pads
inspection
semiconductor
wafer
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4238217A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tomoya Aizawa
智哉 相沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP4238217A priority Critical patent/JPH0685019A/en
Publication of JPH0685019A publication Critical patent/JPH0685019A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/1012Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/10122Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
    • H01L2224/10125Reinforcing structures
    • H01L2224/10126Bump collar

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a semiconductor wafer and a testing method therefor in which even a semiconductor chip with bonding pads in a short pitch can be tested without damaging respective bonding pads formed on the semiconductor chip. CONSTITUTION:A semiconductor wafer 1 is constructed in a manner that corresponding pads 3 with a scribe area 4 in between are connected individually and electrically by means of conductive layers 5 on respective semiconductor chips 2 arranged therein and the respective layers 5 are provided with testing pads 8 that are electrically connected with the respective layers 5 are arranged in zigzag. When the wafer 1 is subject to testing, respective testing probes is brought into contact with not the pads 3 on the objective chip 2 but respective testing pad 8 formed in the area 4 in the periphery thereof.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】多数の半導体チップを配列形成し
た半導体ウエハ、及びこの半導体ウエハの検査方法に関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer on which a large number of semiconductor chips are arranged and an inspection method for the semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体チップの製造において
は、1枚の半導体ウエハ上に多数の半導体チップを配列
形成し、この後、このウエハを個々の半導体チップに分
割する、いわゆるダイシングが行われる。通常、このダ
イシングの前にウエハ状態の半導体チップの機能検査を
行い、不良品にマーキングを施しておく。
2. Description of the Related Art Generally, in the manufacture of semiconductor chips, so-called dicing is performed in which a large number of semiconductor chips are arrayed on a single semiconductor wafer and then the wafer is divided into individual semiconductor chips. Usually, before this dicing, a semiconductor chip in a wafer state is functionally inspected, and defective products are marked.

【0003】図4にウエハ状態の半導体チップ12を示
す。この配列された各半導体チップ間にはスクライブ領
域14が形成されており、この領域部分を、高速回転す
るダイヤモンドブレードなどによって深く切り込み、ダ
イシングを行うものである。
FIG. 4 shows the semiconductor chip 12 in a wafer state. A scribe region 14 is formed between the arranged semiconductor chips, and this region is deeply cut by a diamond blade or the like rotating at high speed to perform dicing.

【0004】また、各半導体チップ12の上部には、チ
ップの各辺に沿ってボンディングパッド13が形成され
ている。機能検査の際には、開口部を有するプローブ保
持板から開口部中央に向かって放射状に向けられた多数
のウエハープローブピン15を、該当する各ボンディン
グパッド13に接触させて検査を行う(図2参照)。こ
のウエハープローブピン15を介して試験装置から電源
及び入力信号が供給されると共に、その出力信号が検出
される。
On the upper part of each semiconductor chip 12, a bonding pad 13 is formed along each side of the chip. In the functional test, a large number of wafer probe pins 15 radially oriented from the probe holding plate having the opening toward the center of the opening are brought into contact with the corresponding bonding pads 13 (FIG. 2). reference). A power supply and an input signal are supplied from the test apparatus through the wafer probe pin 15, and the output signal thereof is detected.

【0005】このウエハープローブピン15の先端部
は、各ボンディングパッド13の配列位置に対応して予
め位置決めされており、プローブ保持板に対して半導体
ウエハ10が上昇及び下降することにより、ボンディン
グパッド13とウエハープローブピン15との接離が行
われる。1つの半導体チップ12の検査が終了した後、
隣接する別の半導体チップ12に対象を移し、同様な検
査が繰り返され、ウエハ上の全ての半導体チップに対し
て順に検査が行われる。
The tip portion of the wafer probe pin 15 is preliminarily positioned corresponding to the arrangement position of the bonding pads 13, and the semiconductor wafer 10 is raised and lowered with respect to the probe holding plate, whereby the bonding pad 13 is moved. And the wafer probe pin 15 are contacted and separated. After the inspection of one semiconductor chip 12 is completed,
The target is moved to another adjacent semiconductor chip 12, the same inspection is repeated, and the inspection is sequentially performed on all the semiconductor chips on the wafer.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】この検査の際には、図
5(a)に示すように、ウエハープローブピン15がボ
ンディングパッド13に対して一定の力で押圧されて互
いに接触するが、従来のウエハープローブピン15は比
較的弾性に乏しいため、図5(b)に示すように、半導
体チップ12上のボンディングパッド13は、ウエハー
プローブピン15の先端部に押圧されて変形する場合が
あった。このようなボンディングパッド15の変形は、
後に施すワイヤボンディング工程において接触不良を引
き起こし、半導体チップの不良品発生の1つの原因にも
なっていた。
In this inspection, as shown in FIG. 5 (a), the wafer probe pins 15 are pressed against the bonding pad 13 with a constant force and come into contact with each other. Since the wafer probe pin 15 has relatively poor elasticity, the bonding pad 13 on the semiconductor chip 12 may be deformed by being pressed by the tip of the wafer probe pin 15 as shown in FIG. 5B. . Such a deformation of the bonding pad 15 is
In the wire bonding process to be performed later, contact failure was caused, which was one of the causes of defective semiconductor chips.

【0007】一方、この半導体チップの高密度集積化を
進める上では、一定の範囲内に多数のボンディングパッ
ドが配列できることが望ましい。しかし、この半導体チ
ップを検査するウエハープローブピン同士の先端部の最
小ピッチは、各プローブピンの太さなどの制約から、数
10μm程度である。即ち、ボンディングパッドのピッ
チが、この間隔よりも短い場合には従来の装置では測定
できず、これがボンディングパッドのピッチを短くする
上での一つの課題となっていた。
On the other hand, in order to promote high-density integration of this semiconductor chip, it is desirable that a large number of bonding pads can be arranged within a certain range. However, the minimum pitch of the tip portions of the wafer probe pins for inspecting this semiconductor chip is about several tens of μm due to restrictions such as the thickness of each probe pin. That is, when the pitch of the bonding pads is shorter than this interval, it cannot be measured by the conventional device, which is one of the problems in shortening the pitch of the bonding pads.

【0008】本発明は、これらの課題を解決すべくなさ
れたものであり、半導体チップに形成された各ボンディ
ングパッドに損傷を与えることなく、検査を実施するこ
とができる半導体ウエハ及び半導体ウエハの検査方法を
提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve these problems, and a semiconductor wafer and a semiconductor wafer inspection capable of performing an inspection without damaging each bonding pad formed on a semiconductor chip. The purpose is to provide a method.

【0009】また、他の目的は、このような従来のウエ
ハープローブピンを用いた検査方法によっても、従来よ
りも短いピッチでボンディングパッドを形成した半導体
チップに対しても検査できる半導体ウエハ及び半導体ウ
エハの検査方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor wafer and a semiconductor wafer which can be inspected by such a conventional inspection method using a wafer probe pin as well as a semiconductor chip having bonding pads formed at a pitch shorter than the conventional one. To provide the inspection method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体ウ
エハは、多数の半導体チップを配列形成した半導体ウエ
ハにおいて、配列された各半導体チップはそれぞれ複数
のパッドを有しており、隣接するこの半導体チップのう
ち、スクライブ領域を挟んで相対するパッド同士を、こ
のスクライブ領域に形成された導電層によって個々に電
気的に接続し、かつ、この各導電層と個々に電気的に接
続された検査用パッドを、スクライブ領域に千鳥状に配
列させて構成する。
A semiconductor wafer according to the present invention is a semiconductor wafer in which a large number of semiconductor chips are arrayed and formed. Each arrayed semiconductor chip has a plurality of pads, and the adjacent semiconductor chips are adjacent to each other. Pads facing each other across the scribe region of the chip are electrically connected to each other by a conductive layer formed in the scribe region, and are electrically connected to each conductive layer for inspection. The pads are arranged in a staggered arrangement in the scribe area.

【0011】また、本発明にかかる半導体ウエハの検査
方法は、半導体ウエハ上に配列形成された半導体チップ
の各パッドに対し、この各パッドの配列位置に対応して
設けられた各検査プローブをそれぞれ接触させて検査を
行う半導体ウエハの検査方法において、この半導体ウエ
ハは、隣接する半導体チップのうち、スクライブ領域を
挟んで相対するパッド同士を、このスクライブ領域に形
成された導電層によって個々に電気的に接続し、かつ、
この各導電層と個々に電気的に接続された検査用パッド
を、スクライブ領域に千鳥状に形成しており、検査対象
となる半導体チップのパッドと電気的に接続された各検
査用パッドに対し、各検査用プローブを接触させて検査
を行う。
Further, in the semiconductor wafer inspection method according to the present invention, for each pad of a semiconductor chip arrayed and formed on the semiconductor wafer, each inspection probe provided corresponding to each pad array position is provided. In the method of inspecting a semiconductor wafer in which the semiconductor wafers are in contact with each other, in the semiconductor wafer, adjacent pads of a semiconductor chip, which are opposed to each other with a scribe region therebetween, are electrically connected to each other by a conductive layer formed in the scribe region. Connected to, and
The inspection pads electrically connected to each of the conductive layers are formed in a zigzag pattern in the scribe area, and the inspection pads electrically connected to the pads of the semiconductor chip to be inspected are , The inspection probes are brought into contact with each other to perform the inspection.

【0012】[0012]

【作用】半導体ウエハのスクライブ領域に形成した検査
用バッドは、導電層を介してその両側に位置する各半導
体チップのパッドと電気的に接続された状態であり、検
査時には互いに共通のパッドとして利用できる。従っ
て、この検査用パッドに検査用プローブを接触させれ
ば、この検査用プローブは、半導体チップのパッドに対
して接続された状態となる。また、この検査用パッドを
千鳥状に配列したので、隣接する検査用パッド同士の間
隔が広くなるように作用する。
The inspection pad formed in the scribe area of the semiconductor wafer is in a state of being electrically connected to the pads of the semiconductor chips located on both sides of the inspection pad through the conductive layer, and is used as a common pad during the inspection. it can. Therefore, when the inspection probe is brought into contact with the inspection pad, the inspection probe is connected to the pad of the semiconductor chip. Further, since the inspection pads are arranged in a zigzag pattern, they act so that the intervals between the adjacent inspection pads become wide.

【0013】一方、半導体ウエハの検査方法では、この
ように半導体ウエハを構成したので、検査を実施する際
には、該当する半導体チップ上のパッドに対してではな
く、その周囲のスクライブ領域に形成された各検査用パ
ッドに対して各検査用プロープを接触させれば、該当す
る半導体チップの各パッドに各検査用プローブが接続さ
れた状態となる。
On the other hand, in the method of inspecting a semiconductor wafer, since the semiconductor wafer is configured in this way, when performing the inspection, the semiconductor wafer is formed not in the pad on the corresponding semiconductor chip but in the scribe region around it. When each inspection probe is brought into contact with each of the inspection pads thus formed, each inspection probe is connected to each pad of the corresponding semiconductor chip.

【0014】[0014]

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。図1は、半導体ウエハ1の一部を拡大して示
すものであり、多数の半導体チップ2が規則正しく配列
形成されている。各半導体チップ2上部の周縁には、各
辺に沿って、それぞれ4つのボンディングパッド3が一
定の間隔で形成されている。この各辺に沿って形成され
たボンディングパッド3は、図において斜線で示すスク
ライブ領域4を挟んで、導電層5を介して相対する辺に
沿って形成されたボンディングパッド3と電気的に接続
されている。また、スクライブ領域4の各導電層5上に
は、千鳥状に配列された検査用パッド8が個々に形成さ
れており、各導電層5と検査用パッド8とは電気的に接
続された状態である。なお、この導電層5は、ウエハ上
のアルミ配線層を利用して形成しているが、この他に
も、ポリシリコン層、イオン注入によって形成した半導
体導電層など、スクライブ領域4を渡るいずれのレイヤ
ーも利用することができ、相対するボンディングパッド
と検査用パッドとが互いに電気的に接続できればどのレ
イヤーを利用しても良い。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an enlarged view of a part of the semiconductor wafer 1, in which a large number of semiconductor chips 2 are regularly arranged. Four bonding pads 3 are formed on the periphery of the upper portion of each semiconductor chip 2 along each side at regular intervals. The bonding pads 3 formed along the respective sides are electrically connected to the bonding pads 3 formed along the opposite sides via the conductive layer 5 with the scribe region 4 shown by hatching in the drawing interposed therebetween. ing. In addition, the inspection pads 8 arranged in a zigzag pattern are individually formed on each conductive layer 5 in the scribe region 4, and the conductive layers 5 and the inspection pads 8 are electrically connected to each other. Is. The conductive layer 5 is formed by using an aluminum wiring layer on the wafer, but in addition to this, a polysilicon layer, a semiconductor conductive layer formed by ion implantation, or the like which extends over the scribe region 4 is used. Layers can also be used, and any layer can be used as long as the opposing bonding pad and inspection pad can be electrically connected to each other.

【0015】次に、このように形成した半導体ウエハ1
の検査方法について説明する。この検査は、図2に示す
ように、開口部の中央に向かって放射状に向けられた多
数のウエハープローブピン6を有するプローブ保持板7
を用いて行う。このウエハープローブピン6の先端部
は、検査すべきパッドの配列位置に対応して予め位置決
めされており、このプローブ保持板7に対して半導体ウ
エハ1が上昇及び下降することにより、各半導体チップ
2のパッドとウエハープローブピン6との接離が行われ
る。
Next, the semiconductor wafer 1 thus formed
The inspection method will be described. As shown in FIG. 2, this inspection is performed by a probe holding plate 7 having a large number of wafer probe pins 6 radially oriented toward the center of the opening.
Using. The tip portion of the wafer probe pin 6 is prepositioned corresponding to the array position of the pads to be inspected, and the semiconductor wafer 1 is raised and lowered with respect to the probe holding plate 7 so that each semiconductor chip 2 The pad and the wafer probe pin 6 are contacted and separated.

【0016】図3は、この半導体ウエハ1に配列された
半導体チップ2のうち、検査すべき1つの半導体チップ
を拡大して示したものである。前述したように、プロー
ブ保持板7から放射状に向けられた多数のウエハープロ
ーブピン6の先端部を、該当する各パッドに接触させて
検査を行うが、本検査方法では、ボンディングパッド3
に直接、ウエハープローブピン6を接触させるのではな
く、この各ボンディングパッド3に対し、導電層5を介
して電気的に接続された各検査用パッド8にウエハープ
ローブピン6を接触させる。従って、ウエハープローブ
ピン6の先端部は、各検査用パッド8の配列位置に対応
させて予め位置決めして形成してある。このように配列
された各ウエハープローブピン6の先端部と、該当する
各検査用パッド8とを接触させれば、検査対象となる半
導体チップの全てのボンディングパッド3に対して、ウ
エハープローブピン6は電気的に接続された状態とな
る。従って、各ウエハープローブピン6を介して試験装
置から電源及び入力信号を供給すると共に、その出力信
号を検出して、従来と同様に機能検査を行うことができ
る。
FIG. 3 is an enlarged view of one semiconductor chip to be inspected among the semiconductor chips 2 arranged on the semiconductor wafer 1. As described above, the tip of the many wafer probe pins 6 radially directed from the probe holding plate 7 is brought into contact with each corresponding pad to perform the inspection. In the present inspection method, the bonding pad 3 is used.
Instead of directly contacting the wafer probe pin 6 with the wafer probe pin 6, the wafer probe pin 6 is brought into contact with each bonding pad 3 and each inspection pad 8 electrically connected through the conductive layer 5. Therefore, the tip portion of the wafer probe pin 6 is formed in advance by being positioned corresponding to the arrangement position of each inspection pad 8. When the tip portions of the respective wafer probe pins 6 arranged in this manner are brought into contact with the corresponding inspection pads 8, the wafer probe pins 6 are attached to all the bonding pads 3 of the semiconductor chip to be inspected. Is in an electrically connected state. Therefore, the power supply and the input signal can be supplied from the test device through each wafer probe pin 6, and the output signal thereof can be detected to perform the function test as in the conventional case.

【0017】また、このような状態にウエハープローブ
ピン6を配置することにより、ウエハープローブピン同
士の先端部の間隔は、千鳥状に配列した各検査用パッド
8の間隔に等しいl1 となる(図3参照)。従って、例
えばこの検査用パッド8の間隔l1 を、ウエハープロー
ブピン6の先端部同士の最小ピッチに設定した場合に
も、半導体チップ2上には、このピッチl1 よりも短い
ピッチl2 でボンディングパッド3を配列することがで
きる。この作用は、隣接する検査用パッド同士を互いに
離隔させて配置するほど、半導体チップ2上のボンディ
ングパッド同士の間隔を、より一層短く設定することが
可能である。
By arranging the wafer probe pins 6 in such a state, the distance between the tip portions of the wafer probe pins becomes equal to the distance between the inspection pads 8 arranged in a staggered manner (1 1) ( (See FIG. 3). Thus, for example, the distance l 1 of the test pads 8, when set to the minimum pitch of the distal ends of the wafer probe pins 6 also, on the semiconductor chip 2, a short pitch l 2 than the pitch l 1 The bonding pads 3 can be arranged. This action makes it possible to set the gap between the bonding pads on the semiconductor chip 2 to be further shorter as the adjacent inspection pads are arranged apart from each other.

【0018】従って、このように形成した半導体ウエハ
を用いて検査を実施することにより、ウエハープローブ
ピン6の先端部同士の最小ピッチ以下で配列するボンデ
ィングパッドに対しても、ウエハープローブピンを用い
て検査することが可能となる。
Therefore, by carrying out the inspection using the semiconductor wafer thus formed, the wafer probe pins are also used for the bonding pads arranged at the minimum pitch between the tips of the wafer probe pins 6. It becomes possible to inspect.

【0019】全ての半導体チップ2に対して機能検査を
行って不良品にマーキングを施すなどした後、スクライ
ブ領域3にダイシングを施して、個々の半導体チップ2
に分割する。このダイシングによって、スクライブ領域
3に形成された検査用パッド8は切削除去されると共に
導電層5も切断され、各ボンディングパッド同士の電気
的接続も解消される。このとき、分割された各半導体チ
ップ2の外周部には、スクライブ領域4の切削残部と共
に、ボンディングパッドと接続状態の導電層5も一部残
ることになるが、この後のダイボンディング工程、ワイ
ヤボンディング工程でも、何等支障となることはなく、
従来の半導体チップと同様に取り扱うことができる。
After performing a functional inspection on all the semiconductor chips 2 and marking defective products, the scribe area 3 is diced to obtain the individual semiconductor chips 2.
Split into. By this dicing, the inspection pad 8 formed in the scribe region 3 is cut and removed, the conductive layer 5 is also cut, and the electrical connection between the bonding pads is also eliminated. At this time, in the outer peripheral portion of each of the divided semiconductor chips 2, a part of the conductive layer 5 connected to the bonding pad is left together with the uncut portion of the scribe region 4. Even in the bonding process, there will be no hindrance.
It can be handled like a conventional semiconductor chip.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる半
導体ウエハは、スクライブ領域を挟んで相対するパッド
同士を互いに電気的に接続すると共に、この各導電層と
個々に電気的に接続された検査用パッドを形成したの
で、半導体チップ上の各パッドと各検査用パッドとは、
機能検査時に、互いに共通のパッドとして利用すること
ができ、また、検査用パッドを千鳥状に配列させたの
で、半導体チップ状のパッドに比べ、隣接する検査用パ
ッド同士の間隔を広げることができる。さらに、スクラ
イブ領域に形成された検査用パッド及び導電層は、この
後のダイシング工程で切削除去されるので、さらにその
後のダイボンディング工程、或いはワイヤボンディング
工程でも、何等支障となることはなく、従来の半導体チ
ップと同様に取り扱うことができる。
As described above, in the semiconductor wafer according to the present invention, the pads facing each other across the scribe region are electrically connected to each other, and are electrically connected to the respective conductive layers individually. Since the inspection pads are formed, the pads on the semiconductor chip and the inspection pads are
It can be used as a common pad at the time of function inspection, and since the inspection pads are arranged in a zigzag pattern, the distance between the adjacent inspection pads can be widened as compared with the semiconductor chip-shaped pads. . Furthermore, since the inspection pad and the conductive layer formed in the scribe area are cut and removed in the subsequent dicing step, there is no hindrance in the subsequent die bonding step or wire bonding step. It can be handled in the same manner as the semiconductor chip of.

【0021】また、半導体ウエハの検査方法では、該当
する半導体チップ上のパッドに対してではなく、その周
囲のスクライブ領域に形成された各検査用パッドに対し
て各検査用プロープを接触させるので、半導体チップ上
に形成された各ボンディングパッドに損傷を与えること
なく、機能検査を実施することが可能となる。
Further, in the method of inspecting a semiconductor wafer, each inspection probe is brought into contact with each inspection pad formed in the scribe region around the semiconductor chip, not with the pad on the corresponding semiconductor chip. It is possible to carry out a functional test without damaging each bonding pad formed on the semiconductor chip.

【0022】さらに、検査用プローブを接触させる検査
用パッドを千鳥状に配列させたので、半導体チップ上の
パッドの間隔に比べ、広い間隔で検査用パッドを配列で
き、これによって検査用プローブの最小ピッチに比べ、
短いピッチでパッドが配列する半導体チップに対して
も、検査用プローブを用いる方法によって確実に検査す
ることが可能となる。
Further, since the inspection pads to be in contact with the inspection probes are arranged in a staggered pattern, the inspection pads can be arranged at a wider interval than the intervals of the pads on the semiconductor chip, which makes it possible to minimize the inspection probes. Compared to the pitch
A semiconductor chip in which pads are arranged at a short pitch can be reliably inspected by a method using an inspection probe.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかる半導体ウエハの一部を拡大して
示す概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view showing an enlarged part of a semiconductor wafer according to the present invention.

【図2】検査状態を示す概略斜視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view showing an inspection state.

【図3】半導体チップの検査方法を示す概略平面図であ
る。
FIG. 3 is a schematic plan view showing a method of inspecting a semiconductor chip.

【図4】従来の半導体ウエハ及びその検査方法を示すた
め、半導体ウエハの一部を拡大して示す概略平面図であ
る。
FIG. 4 is a schematic plan view showing a part of a semiconductor wafer in an enlarged manner to show a conventional semiconductor wafer and its inspection method.

【図5】(a),(b)は、ウエハープローブピンと接
触するボンディングパッドを示す概略側面図である。
5 (a) and 5 (b) are schematic side views showing a bonding pad in contact with a wafer probe pin.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体ウエハ、2…半導体チップ、3…ボンディン
グパッド、4…スクライブ領域、5…導電層、6…ウエ
ハープローブピン、8…検査用パッド。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor wafer, 2 ... Semiconductor chip, 3 ... Bonding pad, 4 ... Scribe area, 5 ... Conductive layer, 6 ... Wafer probe pin, 8 ... Inspection pad.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 多数の半導体チップを配列形成した半導
体ウエハにおいて、前記配列された各半導体チップはそ
れぞれ複数のパッドを有しており、隣接する前記半導体
チップのうち、スクライブ領域を挟んで相対するパッド
同士を、このスクライブ領域に形成された導電層によっ
て個々に電気的に接続し、かつ、この各導電層と個々に
電気的に接続された検査用パッドを、スクライブ領域に
千鳥状に配列させて形成してなる半導体ウエハ。
1. In a semiconductor wafer in which a large number of semiconductor chips are formed in an array, each of the arrayed semiconductor chips has a plurality of pads, and the adjacent semiconductor chips face each other across a scribe region. The pads are electrically connected to each other by the conductive layer formed in the scribe area, and the inspection pads electrically connected to the conductive layers are arranged in a zigzag pattern in the scribe area. A semiconductor wafer formed by
【請求項2】 半導体ウエハ上に配列形成された半導体
チップの各パッドに対し、この各パッドの配列位置に対
応して設けられた各検査プローブをそれぞれ接触させて
検査を行う半導体ウエハの検査方法において、 この半導体ウエハは、隣接する前記半導体チップのう
ち、スクライブ領域を挟んで相対する前記パッド同士
を、このスクライブ領域に形成された導電層によって個
々に電気的に接続し、かつ、この各導電層と個々に電気
的に接続された検査用パッドを、スクライブ領域に千鳥
状に配列させて形成しており、 検査対象となる前記半導体チップのパッドと電気的に接
続された前記各検査用パッドに対し、前記各検査用プロ
ーブを接触させて検査を行うことを特徴とする半導体ウ
エハの検査方法。
2. A method of inspecting a semiconductor wafer, which comprises inspecting each pad of a semiconductor chip arrayed and formed on a semiconductor wafer by contacting each test probe provided corresponding to the array position of each pad. In this semiconductor wafer, in the adjacent semiconductor chips, the pads facing each other across the scribe region are electrically connected individually by the conductive layer formed in the scribe region, and The inspection pads electrically connected to the layers are formed in a staggered arrangement in the scribe region, and the inspection pads electrically connected to the pads of the semiconductor chip to be inspected. On the other hand, a method of inspecting a semiconductor wafer is characterized in that the inspection probes are brought into contact with each other to perform inspection.
JP4238217A 1992-09-07 1992-09-07 Semiconductor wafer and its testing method Pending JPH0685019A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4238217A JPH0685019A (en) 1992-09-07 1992-09-07 Semiconductor wafer and its testing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4238217A JPH0685019A (en) 1992-09-07 1992-09-07 Semiconductor wafer and its testing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0685019A true JPH0685019A (en) 1994-03-25

Family

ID=17026892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4238217A Pending JPH0685019A (en) 1992-09-07 1992-09-07 Semiconductor wafer and its testing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0685019A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5982042A (en) * 1996-03-18 1999-11-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor wafer including semiconductor device
US6972583B2 (en) * 2001-11-16 2005-12-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for testing electrical characteristics of bumps
JP2007042865A (en) * 2005-08-03 2007-02-15 Seiko Epson Corp Semiconductor device, method of inspecting same, and semiconductor wafer
US7616389B2 (en) 2006-01-12 2009-11-10 Olympus Corporation Optical system
US7748851B2 (en) 2005-11-01 2010-07-06 Olympus Corporation Optical system
US7800826B2 (en) 2006-01-04 2010-09-21 Olympus Corporation Optical system
WO2011090146A1 (en) * 2010-01-22 2011-07-28 日本電気株式会社 Probe card, semiconductor wafer, inspection device and inspection method
CN105321910A (en) * 2014-07-11 2016-02-10 华邦电子股份有限公司 Wafer and test method thereof
CN111257715A (en) * 2020-02-19 2020-06-09 上海韦尔半导体股份有限公司 Wafer testing method and device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5982042A (en) * 1996-03-18 1999-11-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor wafer including semiconductor device
US6972583B2 (en) * 2001-11-16 2005-12-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for testing electrical characteristics of bumps
JP2007042865A (en) * 2005-08-03 2007-02-15 Seiko Epson Corp Semiconductor device, method of inspecting same, and semiconductor wafer
US7748851B2 (en) 2005-11-01 2010-07-06 Olympus Corporation Optical system
US7800826B2 (en) 2006-01-04 2010-09-21 Olympus Corporation Optical system
US7616389B2 (en) 2006-01-12 2009-11-10 Olympus Corporation Optical system
WO2011090146A1 (en) * 2010-01-22 2011-07-28 日本電気株式会社 Probe card, semiconductor wafer, inspection device and inspection method
CN105321910A (en) * 2014-07-11 2016-02-10 华邦电子股份有限公司 Wafer and test method thereof
CN111257715A (en) * 2020-02-19 2020-06-09 上海韦尔半导体股份有限公司 Wafer testing method and device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5153507A (en) Multi-purpose bond pad test die
EP0577333B1 (en) Temporary connections for fast electrical access to electronic devices
JPH10319044A (en) Probe card
JP2008527328A (en) Probe head array
JPH0685019A (en) Semiconductor wafer and its testing method
JPH06168991A (en) Inspecting method for multi-probing semiconductor
JPH06151535A (en) Semiconductor wafer and its testing method
JPH0637157A (en) Semiconductor wafer and inspecting method therefor
JPS6222448A (en) Wafer to which ic is formed
JPH08330368A (en) Semiconductor circuit device group and its probe test
JPS63153880A (en) Method for inspecting semiconductor laser device
JPH05299484A (en) Semiconductor wafer
JP2767292B2 (en) Semiconductor inspection method
JPH05206383A (en) Semiconductor wafer and method for inspecting the same
JP3853989B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3365879B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JPH0638439B2 (en) Semiconductor device testing method
JPS63170933A (en) Wafer prober
JPH02235356A (en) Semiconductor device
KR200156141Y1 (en) Wafer having probing test chip
JPS6118859B2 (en)
JPS6218037Y2 (en)
JP2996219B2 (en) Test method and test jig for semiconductor device
JPS62163336A (en) Semiconductor device
JPH01218035A (en) Inspection of semiconductor device