JPH0685001A - Package and installation method for semiconductor device - Google Patents

Package and installation method for semiconductor device

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JPH0685001A
JPH0685001A JP23809892A JP23809892A JPH0685001A JP H0685001 A JPH0685001 A JP H0685001A JP 23809892 A JP23809892 A JP 23809892A JP 23809892 A JP23809892 A JP 23809892A JP H0685001 A JPH0685001 A JP H0685001A
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JP
Japan
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semiconductor device
package
pads
adjacent
insulating substrate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP23809892A
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Japanese (ja)
Inventor
Toru Itakura
徹 板倉
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0685001A publication Critical patent/JPH0685001A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H—ELECTRICITY
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    • H05K3/3452—Solder masks

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  • Wire Bonding (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To prevent short-circuit between adjacent pads by connecting outer leads by a bonding member and preparing an insulator on an insulative board between the adjacent pads. CONSTITUTION:Bonding pads 12a and 12b which are adjacent each other with a specified space are connected with the outer leads 14a and 14b of a package. Insulators 13a to 13c are prepared between the pads 12a and 12b. The leads 14a and 14b and the pads 12a and 12b are heated with a solder (bonding member) in between. Thus, the solder is melted and the pads 12a and 12b are bonded with the leads 14a and 14b. At that time, even if the solder flows out exceedingly, the insulator 13a to 13c can prevent them soldering of adjacent bonded parts 15a and 15b from being brought into contact with each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のパッケージ
及び半導体装置の設置方法に関し、更に詳しく言えば、
半導体装置の外部リードを介して半導体装置を設置する
パッケージ及び半導体装置の設置方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a package of a semiconductor device and a method of installing the semiconductor device.
The present invention relates to a package for installing a semiconductor device via an external lead of the semiconductor device and a method for installing the semiconductor device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路装置の大規模化，
多ピン化及び小型化のため、外部リードの間隔を狭くし
うるＴＡＢ方式による半導体装置が主流になっている。2. Description of the Related Art In recent years, the scale of semiconductor integrated circuit devices has increased,
Due to the increase in the number of pins and the miniaturization, a semiconductor device based on the TAB method, which can reduce the interval between external leads, has become the mainstream.

【０００３】ところで、ＴＡＢ方式による半導体装置
は、そのまま出荷することも可能であるが、組立後の抜
き取り試験を行う等の場合には、取扱を容易にするため
その半導体装置を更にパッケージに設置する必要があ
る。By the way, the TAB type semiconductor device can be shipped as it is, but in the case of conducting a sampling test after assembling, the semiconductor device is further installed in a package for easy handling. There is a need.

【０００４】図５（ａ），（ｂ）は、ＴＡＢ方式による
半導体装置の外部リードを設置するためのパッケージの
ボンディングパッドの上面図及びＡ−Ａ線断面図であ
る。図中符号１はアルミナ等からなる絶縁性基板、２
ａ、２ｂは銅やニッケル合金等の金属薄膜にＡｕメッキ
が施されているボンディングパッドで、所定の間隔を空
けて隣合うボンディングパッドが配置され、各ボンディ
ングパッドはパッケージの外部リードと接続されてい
る。３ａ，３ｂはＴＡＢ方式による半導体装置の外部リ
ードである。FIGS. 5A and 5B are a top view and a sectional view taken along the line AA of a bonding pad of a package for mounting external leads of a semiconductor device of the TAB method. In the figure, reference numeral 1 is an insulating substrate made of alumina or the like, 2
a and 2b are bonding pads in which a metal thin film such as copper or nickel alloy is plated with Au. Adjacent bonding pads are arranged at a predetermined interval, and each bonding pad is connected to an external lead of the package. There is. Reference numerals 3a and 3b are external leads of the semiconductor device by the TAB method.

【０００５】このパッケージのボンディングパッドにＴ
ＡＢ方式による半導体装置の外部リードを接続する場
合、図６（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置の外
部リード３ａ，３ｂとパッケージのボンディングパッド
２ａ，２ｂとを半田を用いた溶着により接続する。The bonding pad of this package has a T
When connecting the external leads of the AB type semiconductor device, as shown in FIGS. 6A and 6B, the external leads 3a and 3b of the semiconductor device and the bonding pads 2a and 2b of the package are welded using solder. To connect.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例に
よると、図６（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置
の外部リード３ａ，３ｂとボンディングパッド２ａ，２
ｂとを溶着する際、隣合う溶着部分から半田が流れ出す
場合がある。このため、特に、隣合うボンディングパッ
ドの間隔が狭くなってくると、隣合うボンディングパッ
ド同士がショートする場合があり、問題となる。However, according to the above conventional example, as shown in FIGS. 6A and 6B, the external leads 3a and 3b and the bonding pads 2a and 2 of the semiconductor device are formed.
When welding with b, solder may flow out from the adjacent welding portion. For this reason, in particular, when the distance between the adjacent bonding pads becomes narrower, the adjacent bonding pads may be short-circuited, which becomes a problem.

【０００７】本発明はかかる従来例の問題点に鑑みて創
作されたものであり、半田等を用いた溶着により半導体
装置の外部リードをパッケージのボンディングパッドに
設置する際、流れ出した半田等により隣合うボンディン
グパッド同士がショートするのを防止することができる
半導体装置のパッケージ及び半導体装置の設置方法の提
供を目的とする。The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and when the external leads of the semiconductor device are installed on the bonding pads of the package by welding using solder or the like, they are adjacent to each other due to the solder or the like flowing out. An object of the present invention is to provide a semiconductor device package and a semiconductor device installation method capable of preventing short-circuiting between matching bonding pads.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、絶
縁性基板と、複数の外部リードを有する半導体装置の前
記外部リードが溶着部材により接続される、前記絶縁性
基板上の複数のパッドと、前記隣合うパッドの間の絶縁
性基板上に形成された絶縁性障壁とを有することを特徴
とする半導体装置のパッケージによって達成され、第２
に、前記絶縁性障壁は、加熱により膨張するものである
ことを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置のパッ
ケージによって達成され、第３に、前記半導体装置のパ
ッケージはキャップを有し、前記絶縁性障壁は、キャッ
プと一体的に形成され、キャップを被せた状態で前記隣
合うパッドの間の絶縁性基板と接触するように形成され
てなることを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置
のパッケージによって達成され、第４に、絶縁性基板
と、複数の外部リードを有する半導体装置の前記外部リ
ードが溶着部材により接続される、前記絶縁性基板上の
複数のパッドと、前記隣合うパッドの間の絶縁性基板上
に形成された第２の発明に記載の絶縁性障壁とを有する
半導体装置のパッケージに、前記半導体装置を設置する
方法であって、加熱により前記溶着部材を溶融して前記
パッドに前記半導体装置の外部リードを溶着するととも
に、前記絶縁性障壁を膨張させて隣合う溶着部から流出
する溶着部材の障壁とすることを特徴とする半導体装置
の設置方法によって達成され、第５に、絶縁性基板と、
複数の外部リードを有する半導体装置の前記外部リード
が溶着部材により接続される、前記絶縁性基板上の複数
のパッドと、前記請求項３記載のキャップとを有する半
導体装置のパッケージに、前記半導体装置を設置する方
法であって、前記隣合うパッドの間の絶縁性基板上に帯
状の粘着性部材をはりつけた後、溶着部材により前記パ
ッドに半導体装置の外部リードを溶着する工程と、前記
絶縁性基板上にはりつけられた帯状の粘着性部材を剥が
した後、前記キャップを被せることを特徴とする半導体
装置の設置方法によって達成される。The first object of the present invention is to provide a plurality of insulating substrates on the insulating substrate, wherein the insulating substrate and the external leads of a semiconductor device having a plurality of external leads are connected by a welding member. A semiconductor device package comprising a pad and an insulating barrier formed on an insulating substrate between the adjacent pads.
First, the insulating barrier is expanded by heating, and is achieved by the package of the semiconductor device according to the first invention. Thirdly, the package of the semiconductor device has a cap, The insulating barrier is formed integrally with a cap, and is formed so as to come into contact with an insulating substrate between the adjacent pads while the cap is covered. Fourthly, a plurality of pads on the insulating substrate, wherein the insulating substrate and the external leads of the semiconductor device having a plurality of external leads are connected by a welding member. A method of installing the semiconductor device in a package of the semiconductor device having the insulating barrier according to the second invention formed on the insulating substrate between the adjacent pads, the method comprising: The semiconductor device is characterized in that the welding member is melted to weld the external lead of the semiconductor device to the pad, and the insulating barrier is expanded to serve as a barrier of the welding member flowing out from the adjacent welding portion. And an insulating substrate,
A semiconductor device package having a plurality of pads on the insulating substrate, to which the external leads of a semiconductor device having a plurality of external leads are connected by a welding member, and the cap according to claim 3, in the semiconductor device. A method of installing an external lead of a semiconductor device to the pad by a welding member after applying a strip-shaped adhesive member on the insulating substrate between the adjacent pads, This can be achieved by a method of installing a semiconductor device, characterized in that the strip-shaped adhesive member attached to the substrate is peeled off, and then the cap is covered.

【０００９】[0009]

【作 用】本発明に係る半導体装置のパッケージによれ
ば、半導体装置の外部リードが溶着部材により接続され
る、隣合うパッドの間の絶縁性基板上に絶縁性障壁を有
しているので、溶着部材を溶融して半導体装置の外部リ
ードをパッドに溶着する際、溶着部材が流出した場合で
も、隣合うパッド間がショートするの防止することがで
きる。[Operation] According to the package of the semiconductor device of the present invention, since the external lead of the semiconductor device has the insulating barrier on the insulating substrate between the adjacent pads connected by the welding member, When the welding member is melted and the external leads of the semiconductor device are welded to the pad, even if the welding member flows out, it is possible to prevent a short circuit between adjacent pads.

【００１０】また、絶縁性障壁は加熱により膨張するも
のであるので、溶着部材の溶融時の加熱により膨張させ
て、絶縁性障壁をより高くして隣合う溶着部から流出す
る溶着部材同士の接触を防止することができる。Further, since the insulating barrier is expanded by heating, the insulating members are expanded by heating when the welding members are melted, the insulating barriers are made higher, and the welding members flowing out from the adjoining welding portions contact each other. Can be prevented.

【００１１】更に、半導体装置のパッケージはキャップ
を有し、絶縁性障壁は、キャップと一体的に形成され、
キャップを被せた状態で前記隣合うパッドの間の絶縁性
基板と接触するように形成されてなるので、隣合うパッ
ドの間の絶縁性基板上に帯状の粘着性部材をはりつけた
後、溶着部材によりパッドに半導体装置の外部リードを
溶着し、その後、絶縁性基板上にはりつけられた帯状の
粘着性部材を剥がし、更にキャップを被せることによ
り、溶着部材の溶融時の加熱により隣合う溶着部から流
出した溶着部材が粘着性部材上で接触するが、粘着性部
材とともに剥がされてパッド間が絶縁され、更に、キャ
ップの絶縁性障壁により、パッド間の絶縁を保持するこ
とができる。Further, the semiconductor device package has a cap, and the insulating barrier is integrally formed with the cap.
Since it is formed so as to come into contact with the insulating substrate between the adjacent pads in a state of being covered with the cap, after the strip-shaped adhesive member is attached onto the insulating substrate between the adjacent pads, the welding member The external leads of the semiconductor device are welded to the pads by using, and then the strip-shaped adhesive member attached to the insulative substrate is peeled off, and a cap is placed on the pads, so that the adjacent welding parts can be heated by the heat when the welding members melt. The outflowing welding member comes into contact with the adhesive member, but is peeled off together with the adhesive member to insulate between the pads, and the insulating barrier of the cap can maintain the insulation between the pads.

【００１２】[0012]

【実施例】以下に、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。 （１）第１の実施例 図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施例の、ＴＡ
Ｂ方式による半導体装置の外部リードを設置するための
パッケージのボンディングパッドの上面図及びＢ−Ｂ線
断面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (1) First Embodiment FIGS. 1A and 1B show the TA of the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a top view and a cross-sectional view taken along line BB of a bonding pad of a package for installing an external lead of a semiconductor device according to the B method.

【００１３】図中符号１１はアルミナ等からなる絶縁性
基板、12ａ、12ｂは銅やニッケル合金等の帯状の金属薄
膜にＡｕメッキが施されているボンディングパッド（パ
ッド）で、所定の間隔を空けて隣接するボンディングパ
ッドが配置され、各ボンディングパッド12ａ、12ｂはパ
ッケージの外部リードと接続されている。13ａ〜13ｃは
それぞれ各ボンディングパッド12ａ、12ｂ間に形成され
た、例えばアルミナからなる絶縁性障壁である。なお、
14ａ，14ｂは各ボンディングパッド12ａ、12ｂに接続さ
れるＴＡＢ方式による半導体装置の外部リードである。
また、ＴＡＢ方式による半導体装置は方形状の本体部を
有し、外部リードは本体部の４つの側面から複数ずつ出
ている。図示する外部リード14ａ，14ｂは４つの面のう
ちの一つの側面からでているものの一部である。更に、
パッケージのボンディングパッドは接続される半導体装
置の外部リードと対応する位置に形成されている。図示
するボンディングパッド12ａ，12ｂはそのうちの一部で
ある。In the figure, reference numeral 11 is an insulating substrate made of alumina or the like, and reference numerals 12a and 12b are bonding pads (pads) formed by subjecting a strip-shaped metal thin film of copper, nickel alloy or the like to Au plating, at predetermined intervals. Adjacent bonding pads are arranged, and the bonding pads 12a and 12b are connected to the external leads of the package. Reference numerals 13a to 13c are insulating barriers made of, for example, alumina formed between the bonding pads 12a and 12b. In addition,
Reference numerals 14a and 14b are external leads of the TAB semiconductor device connected to the bonding pads 12a and 12b.
In addition, the TAB semiconductor device has a rectangular main body, and a plurality of external leads project from the four side surfaces of the main body. The external leads 14a, 14b shown are a part of those extending from one of the four sides. Furthermore,
The bonding pad of the package is formed at a position corresponding to the external lead of the semiconductor device to be connected. The illustrated bonding pads 12a and 12b are a part of them.

【００１４】次に、このパッケージのボンディングパッ
ドにＴＡＢ方式による半導体装置の外部リードを接続す
る方法について説明する。即ち、図１（ａ），（ｂ）に
示すように、半導体装置の外部リード14ａ，14ｂとパッ
ケージのボンディングパッド12ａ，12ｂとを半田（溶着
部材）を挟んで温度約２００℃に加熱する。これによ
り、半田が溶融してボンディングパッド12ａ，12ｂに外
部リード14ａ，14ｂが溶着する。このとき、半田が流出
した場合でも、絶縁性障壁13ａ〜13ｃにより隣接する溶
着部15ａ，15ｂからの半田同士が接触するのを防止する
ことが出来る。Next, a method of connecting the external leads of the semiconductor device by the TAB method to the bonding pads of this package will be described. That is, as shown in FIGS. 1A and 1B, the external leads 14a and 14b of the semiconductor device and the bonding pads 12a and 12b of the package are heated to a temperature of about 200 ° C. with the solder (welding member) interposed therebetween. As a result, the solder is melted and the external leads 14a and 14b are welded to the bonding pads 12a and 12b. At this time, even if the solder flows out, the insulating barriers 13a to 13c can prevent the solders from the adjacent welded portions 15a and 15b from contacting each other.

【００１５】（２）第２の実施例 図２（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施例の、ＴＡ
Ｂ方式による半導体装置の外部リードを設置するための
パッケージのボンディングパッドの上面図及びＣ−Ｃ線
断面図である。(2) Second Embodiment FIGS. 2 (a) and 2 (b) show the TA of the second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a top view and a cross-sectional view taken along line CC of a package for mounting an external lead of a semiconductor device according to the B method.

【００１６】図中符号２１はアルミナ等からなる絶縁性
基板、22ａ、22ｂは銅やニッケル合金等の帯状の金属薄
膜にＡｕメッキが施されているボンディングパッド（パ
ッド）で、所定の間隔を空けて隣合うボンディングパッ
ドが配置され、各ボンディングパッド22ａ、22ｂはパッ
ケージの外部リードと接続されている。23ａ〜23ｃはそ
れぞれ各ボンディングパッド22ａ、22ｂ間の絶縁性基板
２１上に形成された、加熱により膨張する熱発泡性部材
からなる絶縁性障壁、24ａ〜24ｃはそれぞれ各絶縁性障
壁23ａ〜23ｃ上に形成された、熱発泡性部材からなる絶
縁性障壁23ａ〜23ｃを強化するための補強膜である。な
お、パッケージに接続される25ａ，25ｂはＴＡＢ方式に
よる半導体装置の外部リードである。In the figure, reference numeral 21 is an insulating substrate made of alumina or the like, and 22a and 22b are bonding pads (pads) formed by plating a strip-shaped metal thin film such as copper or nickel alloy with Au. Adjacent bonding pads are arranged, and the bonding pads 22a and 22b are connected to the external leads of the package. Reference numerals 23a to 23c denote insulating barriers formed on the insulating substrate 21 between the bonding pads 22a and 22b, respectively, and made of a heat-foamable member that expands by heating. Reference numerals 24a to 24c denote insulating barriers 23a to 23c, respectively. Is a reinforcing film for strengthening the insulating barriers 23a to 23c formed of the heat-foamable member. Note that 25a and 25b connected to the package are external leads of the semiconductor device of the TAB method.

【００１７】次に、このパッケージのボンディングパッ
ドにＴＡＢ方式による半導体装置の外部リードを接続す
る方法について説明する。即ち、図２（ａ），（ｂ）に
示すように、半導体装置の外部リード25ａ，25ｂとパッ
ケージのボンディングパッド22ａ，22ｂとを半田（溶着
部材）を挟んで温度約２００℃に加熱する。これによ
り、半田が溶融してボンディングパッド22ａ，22ｂに外
部リード25ａ，25ｂが溶着する。このとき、絶縁性障壁
23ａ〜23ｃは発泡して膨張し、障壁がより高くなる。従
って、半田が流出した場合でも、絶縁性障壁23ａ〜23ｃ
により隣合う溶着部26ａ，26ｂからの半田同士が接触す
るのを防止することが出来る。Next, a method of connecting the external leads of the semiconductor device by the TAB method to the bonding pads of this package will be described. That is, as shown in FIGS. 2A and 2B, the external leads 25a and 25b of the semiconductor device and the bonding pads 22a and 22b of the package are heated to a temperature of about 200 ° C. with the solder (welding member) interposed therebetween. As a result, the solder is melted and the external leads 25a and 25b are welded to the bonding pads 22a and 22b. At this time, the insulating barrier
23a-23c foam and expand, resulting in a higher barrier. Therefore, even if the solder flows out, the insulating barriers 23a to 23c
Thus, it is possible to prevent the solders from the adjacent welded portions 26a and 26b from coming into contact with each other.

【００１８】（３）第３及び第４の実施例 図４（ｄ）は、本発明の第３の実施例の、ＴＡＢ方式に
よる半導体装置の外部リードを設置するためのパッケー
ジの断面図で、第１及び第２の実施例と異なるところ
は、絶縁性障壁が一体的に形成されたキャップを有し、
キャップを被せることにより半導体装置の隣合う外部リ
ード間の絶縁性を保持することができるようになってい
ることである。(3) Third and Fourth Embodiments FIG. 4D is a sectional view of a package for mounting external leads of a TAB type semiconductor device according to a third embodiment of the present invention. The difference from the first and second embodiments is that the insulating barrier has a cap integrally formed,
By covering with the cap, the insulation between the adjacent external leads of the semiconductor device can be maintained.

【００１９】図中符号３１はアルミナ等からなる絶縁性
基板、32ａ、32ｂは銅やニッケル合金等の帯状の金属薄
膜にＡｕメッキが施されているボンディングパッド（パ
ッド）で、所定の間隔を空けて隣合うボンディングパッ
ドが配置され、各ボンディングパッド32ａ、32ｂはパッ
ケージの外部リードと接続されている。３３はパッケー
ジのキャップ、34ａ〜34ｃはそれぞれ各ボンディングパ
ッド32ａ、32ｂ間の絶縁性基板と接触するように、キャ
ップと一体的に形成された絶縁性障壁である。なお、35
ａ，35ｂはパッケージに接続されるＴＡＢ方式による半
導体装置の外部リードである。In the figure, reference numeral 31 is an insulating substrate made of alumina or the like, and 32a and 32b are bonding pads (pads) formed by applying Au plating to a strip-shaped metal thin film of copper, nickel alloy or the like, which are provided at predetermined intervals. Adjacent bonding pads are arranged, and the bonding pads 32a and 32b are connected to the external leads of the package. Reference numeral 33 is a cap of the package, and 34a to 34c are insulating barriers formed integrally with the cap so as to contact the insulating substrate between the bonding pads 32a and 32b, respectively. 35
Reference numerals a and 35b are external leads of the TAB semiconductor device connected to the package.

【００２０】次に、このパッケージのボンディングパッ
ドにＴＡＢ方式による半導体装置の外部リードを接続す
る、第４の実施例の半導体装置の設置方法について図３
（ａ）〜（ｃ），図４（ｄ）を参照しながら説明する。Next, the method of installing the semiconductor device of the fourth embodiment in which the external leads of the semiconductor device of the TAB method are connected to the bonding pads of this package will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to (a) to (c) and FIG. 4 (d).

【００２１】まず、図３（ａ）に示すように、隣合うボ
ンディングパッド32ａ、32ｂ間の絶縁性基板３１上に粘
着テープ36ａ〜36ｃを張りつける。次いで、半導体装置
の外部リード35ａ，35ｂとパッケージのボンディングパ
ッド32ａ，32ｂとを半田（溶着部材）を挟んで温度約２
００℃に加熱する。これにより、半田が溶融してボンデ
ィングパッド32ａ，32ｂに外部リード35ａ，35ｂが溶着
する。このとき、半田の溶融時の加熱により隣合う溶着
部37ａ，37ｂから流出した半田38ａ〜38ｃが粘着テープ
36ａ〜36ｃ上で接触する（図３（ｂ））。First, as shown in FIG. 3A, adhesive tapes 36a to 36c are attached to the insulating substrate 31 between the adjacent bonding pads 32a and 32b. Next, the external leads 35a, 35b of the semiconductor device and the bonding pads 32a, 32b of the package are sandwiched with solder (welding member) and the temperature is about 2
Heat to 00 ° C. As a result, the solder melts and the external leads 35a and 35b are welded to the bonding pads 32a and 32b. At this time, the solders 38a to 38c flowing out from the adjacent welded portions 37a and 37b due to heating when the solder is melted are adhesive tapes.
It contacts on 36a-36c (FIG.3 (b)).

【００２２】次に、粘着テープ36ａ〜36ｃを剥がすと、
粘着テープ36ａ〜36ｃ上で接触している半田38ａ〜38ｃ
は粘着テープ36ａ〜36ｃとともに剥がされて外部リード
35ａ，35ｂ間が絶縁される（図３（ｃ））。Next, when the adhesive tapes 36a to 36c are peeled off,
Solder 38a-38c in contact with the adhesive tape 36a-36c
Is peeled off together with the adhesive tapes 36a to 36c
There is insulation between 35a and 35b (FIG. 3 (c)).

【００２３】次いで、絶縁性障壁34ａ〜34ｃが一体的に
形成されたキャップ３３を被せる（図４（ｄ））と、半
導体装置の設置が完了する。これにより、キャップ３３
と一体的に形成された絶縁性障壁34ａ〜34ｃが外部リー
ド35ａ，35ｂ間に挿入されて外部リード35ａ，35ｂ間及
びボンディングパッド32ａ，32ｂ間が遮断され、粘着テ
ープ36ａ〜36ｃにより形成された外部リード35ａ，35ｂ
間及びボンディングパッド32ａ，32ｂ間の絶縁を保持す
ることができる。Next, the cap 33 having the insulating barriers 34a to 34c integrally formed thereon is put thereon (FIG. 4 (d)) to complete the installation of the semiconductor device. This allows the cap 33
Insulating barriers 34a-34c integrally formed with the external leads 35a, 35b are inserted to interrupt the external leads 35a, 35b and the bonding pads 32a, 32b, and are formed by adhesive tapes 36a-36c. External leads 35a, 35b
Insulation between the bonding pads 32a and 32b can be maintained.

【００２４】[0024]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置のパッケージによれば、半導体装置の外部リード
が溶着部材により接続される、隣接するパッドの間の絶
縁性基板上に絶縁性障壁を有しているので、溶着部材を
溶融して半導体装置の外部リードをパッドに溶着する
際、溶着部材が流出した場合でも、隣接するパッド間が
ショートするの防止することができる。As described above, according to the package of the semiconductor device of the present invention, the insulating barrier is provided on the insulating substrate between the adjacent pads to which the external leads of the semiconductor device are connected by the welding member. Therefore, when the welding member is melted and the external leads of the semiconductor device are welded to the pad, even if the welding member flows out, it is possible to prevent a short circuit between adjacent pads.

【００２５】また、絶縁性障壁は加熱により膨張するも
のであるので、溶着部材の溶融時の加熱により膨張させ
て絶縁性障壁をより高くし、隣接する溶着部から流出す
る溶着部材同士の接触を防止することができる。Further, since the insulating barrier is expanded by heating, the insulating barrier is made higher by being expanded by heating at the time of melting of the welding members, so that the welding members flowing out from the adjacent welding portions are brought into contact with each other. Can be prevented.

【００２６】更に、半導体装置のパッケージは、絶縁性
障壁が一体的に形成されたキャップを有し、キャップを
被せた状態で隣接するパッドの間の絶縁性基板と接触す
るように形成されてなるので、隣合うパッドの間の絶縁
性基板上に粘着性部材をはりつけた後、溶着部材により
パッドに半導体装置の外部リードを溶着し、その後、絶
縁性基板上にはりつけられた帯状の粘着性部材を剥が
し、更にキャップを被せることにより、溶着部材の溶融
時の加熱により隣接する溶着部から流出した溶着部材が
粘着性部材上で接触するが、粘着性部材とともに剥がさ
れてパッド間が絶縁され、更に、キャップの絶縁性障壁
により、パッド間の絶縁を保持することができる。Further, the package of the semiconductor device has a cap integrally formed with an insulating barrier, and is formed so as to come into contact with the insulating substrate between the adjacent pads with the cap covered. Therefore, after sticking the adhesive member on the insulating substrate between the adjacent pads, the external lead of the semiconductor device is welded to the pad by the welding member, and then the band-shaped adhesive member stuck on the insulating substrate. By peeling off, and by further covering with a cap, the welding member flowing out from the adjacent welding portion due to heating during melting of the welding member contacts on the adhesive member, but is peeled off together with the adhesive member to insulate between the pads, In addition, the insulating barrier of the cap can maintain the insulation between the pads.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体装置のパッ
ケージについての説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a package of a semiconductor device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

【図２】本発明の第２の実施例に係る半導体装置のパッ
ケージについての説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a package of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図３】本発明の第３の実施例に係る半導体装置のパッ
ケージ及び第４の実施例に係る半導体装置の設置方法に
ついての説明図（その１）である。FIG. 3 is an explanatory diagram (part 1) of a semiconductor device package according to a third embodiment of the present invention and a method of installing the semiconductor device according to the fourth embodiment.

【図４】本発明の第３の実施例に係る半導体装置のパッ
ケージ及び第４の実施例に係る半導体装置の設置方法に
ついての説明図（その２）である。FIG. 4 is an explanatory view (No. 2) of the semiconductor device package according to the third embodiment of the present invention and the method for installing the semiconductor device according to the fourth embodiment.

【図５】従来例に係る半導体装置のパッケージのボンデ
ィングパッドについての説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a bonding pad of a package of a semiconductor device according to a conventional example.

【図６】従来例の半導体装置の外部リードをパッケージ
のボンディングパッドに接続する方法についての説明図
である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a method of connecting external leads of a semiconductor device of a conventional example to a bonding pad of a package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１，２１，３１ 絶縁性基板、 12ａ，12ｂ，22ａ，22ｂ，32ａ，32ｂ ボンディングパ
ッド（パッド）、 13ａ〜13ｃ，23ａ〜23ｃ，34ａ〜34ｃ 絶縁性障壁、 14ａ，14ｂ，25ａ，25ｂ，35ａ，35ｂ 外部リード、 15ａ，15ｂ，26ａ，26ｂ，37ａ，37ｂ 溶着部、 24ａ〜24ｃ 補強膜、 ３３ キャップ、 36ａ〜36ｃ 粘着テープ（粘着性部材）、 38ａ〜38ｃ 流出した半田。11, 21, 31 Insulating substrate, 12a, 12b, 22a, 22b, 32a, 32b Bonding pad (pad), 13a-13c, 23a-23c, 34a-34c Insulating barrier, 14a, 14b, 25a, 25b, 35a , 35b External lead, 15a, 15b, 26a, 26b, 37a, 37b Welding part, 24a to 24c Reinforcing film, 33 Cap, 36a to 36c Adhesive tape (adhesive member), 38a to 38c Solder that has flowed out.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 絶縁性基板と、複数の外部リードを有す
る半導体装置の前記外部リードが溶着部材により接続さ
れる、前記絶縁性基板上の複数のパッドと、前記隣合う
パッドの間の絶縁性基板上に形成された絶縁性障壁とを
有することを特徴とする半導体装置のパッケージ。1. An insulating substrate between a plurality of pads on the insulating substrate and an adjacent pad, wherein the insulating substrate and the external lead of a semiconductor device having a plurality of external leads are connected by a welding member. A semiconductor device package, comprising: an insulating barrier formed on a substrate. 【請求項２】 前記絶縁性障壁は、加熱により膨張する
ものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置
のパッケージ。2. The package of the semiconductor device according to claim 1, wherein the insulating barrier is expanded by heating. 【請求項３】 前記半導体装置のパッケージはキャップ
を有し、前記絶縁性障壁は、キャップと一体的に形成さ
れ、キャップを被せた状態で前記隣合うパッドの間の絶
縁性基板と接触するように形成されてなることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置のパッケージ。3. The package of the semiconductor device has a cap, the insulating barrier is formed integrally with the cap, and contacts the insulating substrate between the adjacent pads while the cap is covered. The package for a semiconductor device according to claim 1, wherein the package is formed in a package. 【請求項４】 絶縁性基板と、複数の外部リードを有す
る半導体装置の前記外部リードが溶着部材により接続さ
れる、前記絶縁性基板上の複数のパッドと、前記隣合う
パッドの間の絶縁性基板上に形成された請求項２記載の
絶縁性障壁とを有する半導体装置のパッケージに、前記
半導体装置を設置する方法であって、 加熱により前記溶着部材を溶融して前記パッドに前記半
導体装置の外部リードを溶着するとともに、前記絶縁性
障壁を膨張させて隣合う溶着部から流出する溶着部材の
障壁とすることを特徴とする半導体装置の設置方法。4. The insulating property between a plurality of pads on the insulating substrate and the adjacent pads, wherein the insulating substrate and the external leads of a semiconductor device having a plurality of external leads are connected by a welding member. A method of installing the semiconductor device in a package of the semiconductor device having the insulating barrier according to claim 2 formed on a substrate, wherein the welding member is melted by heating and the pad of the semiconductor device is formed. A method of installing a semiconductor device, wherein the external lead is welded, and the insulating barrier is expanded to serve as a barrier for a welding member flowing out from an adjacent welding portion. 【請求項５】 絶縁性基板と、複数の外部リードを有す
る半導体装置の前記外部リードが溶着部材により接続さ
れる、前記絶縁性基板上の複数のパッドと、前記請求項
３記載のキャップとを有する半導体装置のパッケージ
に、前記半導体装置を設置する方法であって、 前記隣合うパッドの間の絶縁性基板上に帯状の粘着性部
材をはりつけた後、溶着部材により前記パッドに半導体
装置の外部リードを溶着する工程と、 前記絶縁性基板上にはりつけられた帯状の粘着性部材を
剥がした後、前記キャップを被せることを特徴とする半
導体装置の設置方法。5. An insulating substrate, a plurality of pads on the insulating substrate to which the external leads of a semiconductor device having a plurality of external leads are connected by a welding member, and the cap according to claim 3. A method of installing the semiconductor device in a package of a semiconductor device, comprising: attaching a strip-shaped adhesive member on an insulating substrate between the adjacent pads, and then externally attaching the semiconductor device to the pad by a welding member. A method of installing a semiconductor device, comprising the steps of welding leads, and peeling the strip-shaped adhesive member attached to the insulating substrate, and then covering the cap.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6570100B1 (en) * 1999-07-20 2003-05-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Pad structure of semiconductor package

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