JPH0684459A - 蛍光膜基板の製造方法 - Google Patents
蛍光膜基板の製造方法Info
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- JPH0684459A JPH0684459A JP25908692A JP25908692A JPH0684459A JP H0684459 A JPH0684459 A JP H0684459A JP 25908692 A JP25908692 A JP 25908692A JP 25908692 A JP25908692 A JP 25908692A JP H0684459 A JPH0684459 A JP H0684459A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 火膨れがなく反射効率のよい導電体層を形成
する。 【構成】 ポリエチレンテレフタレートからなる基材フ
ィルム1上に、剥離層2、蛍光体層3、接着層4を形成
し転写材Aを得る。つぎに、転写材Aの接着層4とガラ
ス基板6とを重ね合わせて加熱加圧し基材フィルム1を
剥離する。つぎに、剥離層2上に、アルミニウムからな
る第1導電体層7を膜厚が0.04μm〜0.06μmになるよ
うに形成する。つぎに、加熱温度480℃で30分間ガラス
基板6を加熱し蛍光体粒子8以外の不要な有機成分を熱
分解ガス10として除去する。つぎに、第1導電体層7
上に、アルミニウムからなる第2導電体層9を膜厚が0.
1μm〜0.15μmになるように形成する。
する。 【構成】 ポリエチレンテレフタレートからなる基材フ
ィルム1上に、剥離層2、蛍光体層3、接着層4を形成
し転写材Aを得る。つぎに、転写材Aの接着層4とガラ
ス基板6とを重ね合わせて加熱加圧し基材フィルム1を
剥離する。つぎに、剥離層2上に、アルミニウムからな
る第1導電体層7を膜厚が0.04μm〜0.06μmになるよ
うに形成する。つぎに、加熱温度480℃で30分間ガラス
基板6を加熱し蛍光体粒子8以外の不要な有機成分を熱
分解ガス10として除去する。つぎに、第1導電体層7
上に、アルミニウムからなる第2導電体層9を膜厚が0.
1μm〜0.15μmになるように形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、蛍光表示管やブラウ
ン管などに用いられる蛍光膜基板の製造方法に関する。
ン管などに用いられる蛍光膜基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、基材フィルム上に剥離層、蛍光体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材を用い
た、蛍光膜基板の製造方法としては、次の2方法があっ
た。 (1)転写材の転写層をガラス基板上に転写し、つぎに蒸
着法により導電性と反射効率とが十分得られる導電体層
を形成し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解
ガスとして除去する。
層、接着層からなる転写層が形成された転写材を用い
た、蛍光膜基板の製造方法としては、次の2方法があっ
た。 (1)転写材の転写層をガラス基板上に転写し、つぎに蒸
着法により導電性と反射効率とが十分得られる導電体層
を形成し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解
ガスとして除去する。
【0003】(2)転写材の転写層をガラス基板上に転写
し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスと
して除去して、蛍光体層中の無数の蛍光体粒子だけをガ
ラス基板上に残し、つぎに蒸着法によって導電体層を形
成する。
し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスと
して除去して、蛍光体層中の無数の蛍光体粒子だけをガ
ラス基板上に残し、つぎに蒸着法によって導電体層を形
成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、(1)では、転
写層が導電体層に覆われた状態で、加熱して転写層中の
有機成分を除去しなければならない。ところが、蛍光膜
基板の導電体層は、導電性と反射効率とが十分得られる
膜厚が要求される。しかし、このような膜厚の導電体層
で覆われた転写層を加熱すると、転写層中の有機成分の
熱分解ガスが外部にスムーズに逃げにくくなり、導電体
層を押し上げる現象いわゆる火膨れが発生する。
写層が導電体層に覆われた状態で、加熱して転写層中の
有機成分を除去しなければならない。ところが、蛍光膜
基板の導電体層は、導電性と反射効率とが十分得られる
膜厚が要求される。しかし、このような膜厚の導電体層
で覆われた転写層を加熱すると、転写層中の有機成分の
熱分解ガスが外部にスムーズに逃げにくくなり、導電体
層を押し上げる現象いわゆる火膨れが発生する。
【0005】一方、(2)では、導電体層が、無数の蛍光
体粒子の積層物として形成されることになるので、導電
体層の表面が凹凸に形成されることになる。そのため、
導電体層の反射効率が下がる。また、導電体層は、蒸着
法で形成するので、表面に生じた蛍光体粒子間の段差や
隙間の所にきれいに蒸着されない。そのため、導電体層
は、亀裂や穴ができやすく、導電性や反射効率が下が
る。
体粒子の積層物として形成されることになるので、導電
体層の表面が凹凸に形成されることになる。そのため、
導電体層の反射効率が下がる。また、導電体層は、蒸着
法で形成するので、表面に生じた蛍光体粒子間の段差や
隙間の所にきれいに蒸着されない。そのため、導電体層
は、亀裂や穴ができやすく、導電性や反射効率が下が
る。
【0006】この発明の目的は、導電体層の火膨れをな
くし、導電体層の反射効率をよくすることにある。
くし、導電体層の反射効率をよくすることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明の蛍光膜基板の
製造方法は、以上の課題を解決するためにつぎのように
構成した。すなわち、基材フィルム上に剥離層、蛍光体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材Aの転写
層側を、ガラス基板上に重ね合わせて、転写材Aをガラ
ス基板上に接着させ、基材フィルムを剥離して転写層を
ガラス基板上に転写し、つぎに転写層上に膜厚が0.01μ
m〜0.25μmの第1導電体層を蒸着法により形成し、つ
ぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして除
去し、つぎに第1導電体層上に第2導電体層を蒸着法に
より形成するように構成した。
製造方法は、以上の課題を解決するためにつぎのように
構成した。すなわち、基材フィルム上に剥離層、蛍光体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材Aの転写
層側を、ガラス基板上に重ね合わせて、転写材Aをガラ
ス基板上に接着させ、基材フィルムを剥離して転写層を
ガラス基板上に転写し、つぎに転写層上に膜厚が0.01μ
m〜0.25μmの第1導電体層を蒸着法により形成し、つ
ぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして除
去し、つぎに第1導電体層上に第2導電体層を蒸着法に
より形成するように構成した。
【0008】また、この発明では、基材フィルム上に剥
離層、膜厚が0.01μm〜0.25μm以下の第1導電体層、
接着層からなる転写層が形成された転写材Bを用いて、
第1導電体層を形成するようにしてもよい。
離層、膜厚が0.01μm〜0.25μm以下の第1導電体層、
接着層からなる転写層が形成された転写材Bを用いて、
第1導電体層を形成するようにしてもよい。
【0009】また、この発明の蛍光膜基板の製造方法
は、基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μm〜0.25μ
m以下の第1導電体層、蛍光体層、接着層からなる転写
層が形成された転写材Cの転写層側を、ガラス基板上に
重ね合わせて、転写材Cをガラス基板上に接着させ、基
材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上に転写し、
つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして
除去し、つぎに第1導電体層上に第2導電体層を蒸着法
により形成するように構成した。
は、基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μm〜0.25μ
m以下の第1導電体層、蛍光体層、接着層からなる転写
層が形成された転写材Cの転写層側を、ガラス基板上に
重ね合わせて、転写材Cをガラス基板上に接着させ、基
材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上に転写し、
つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして
除去し、つぎに第1導電体層上に第2導電体層を蒸着法
により形成するように構成した。
【0010】以下、この発明の実施例を図面を参照しな
がら説明する。まず、この発明において使用する転写材
A、転写材Bおよび転写材Cについて説明する(図1
(a)、図2(a)、図3(a)参照)。転写材Aは、
基材フィルム1上に剥離層2、蛍光体層3、接着層4か
らなる転写層5が形成されたものである。転写材Bは、
基材フィルム1上に剥離層2、膜厚が0.25μm以下の第
1導電体層7、接着層4からなる転写層51が形成され
たものである。転写材Cは、基材フィルム1上に剥離層
2、膜厚が0.25μm以下の第1導電体層7、蛍光体層
3、接着層4からなる転写層52が形成されたものであ
る。
がら説明する。まず、この発明において使用する転写材
A、転写材Bおよび転写材Cについて説明する(図1
(a)、図2(a)、図3(a)参照)。転写材Aは、
基材フィルム1上に剥離層2、蛍光体層3、接着層4か
らなる転写層5が形成されたものである。転写材Bは、
基材フィルム1上に剥離層2、膜厚が0.25μm以下の第
1導電体層7、接着層4からなる転写層51が形成され
たものである。転写材Cは、基材フィルム1上に剥離層
2、膜厚が0.25μm以下の第1導電体層7、蛍光体層
3、接着層4からなる転写層52が形成されたものであ
る。
【0011】上記各転写材を構成する基材フィルム1
は、ポリエステルなど通常の転写材の基材フィルムとし
て用いられているものである。基材フィルム1は、ヘア
ライン加工やサンドブラスト加工、プレス加工などによ
り、片面に凹凸が形成されたものでもよい。
は、ポリエステルなど通常の転写材の基材フィルムとし
て用いられているものである。基材フィルム1は、ヘア
ライン加工やサンドブラスト加工、プレス加工などによ
り、片面に凹凸が形成されたものでもよい。
【0012】剥離層2は、熱可塑性樹脂や天然ゴムや合
成ゴムなどからなるインキ化された樹脂を用いてグラビ
ア印刷法やスクリーン印刷法など通常の形成手段で形成
された層である。
成ゴムなどからなるインキ化された樹脂を用いてグラビ
ア印刷法やスクリーン印刷法など通常の形成手段で形成
された層である。
【0013】蛍光体層3は、蛍光体粒子と樹脂および溶
剤とから構成された蛍光体インキからなるものである。
蛍光体層3は、ZnO:Zn、ZnS:Cl+In2O3、ZnS:Cu,A
l、ZnS:Ag,Al、Y2O3S:Eu、Y2O2S:Tb等の硫化物系あ
るいは酸化物系の蛍光体粒子の粉末を用い、グラビア印
刷法やスクリーン印刷法など蛍光体層3の通常の形成手
段で形成する。
剤とから構成された蛍光体インキからなるものである。
蛍光体層3は、ZnO:Zn、ZnS:Cl+In2O3、ZnS:Cu,A
l、ZnS:Ag,Al、Y2O3S:Eu、Y2O2S:Tb等の硫化物系あ
るいは酸化物系の蛍光体粒子の粉末を用い、グラビア印
刷法やスクリーン印刷法など蛍光体層3の通常の形成手
段で形成する。
【0014】接着層4は、ポリアミドやアクリルなど感
熱接着型あるいは感圧接着型の熱可塑性樹脂を用い、グ
ラビア印刷法やスクリーン印刷法など通常の形成手段で
形成された層である。
熱接着型あるいは感圧接着型の熱可塑性樹脂を用い、グ
ラビア印刷法やスクリーン印刷法など通常の形成手段で
形成された層である。
【0015】第1導電体層7は、アルミニウムなどの導
電体からなり膜厚が0.01μm〜0.25μmの蒸着膜であ
る。第1導電体層7の膜厚をこのように規定する理由
は、後述する転写層の熱分解ガスが、第1導電体層7を
スムーズに突き抜けることができるようにするためであ
る。第1導電体層7は、蒸着時間や蒸着温度などの蒸着
条件を適宜調節しながら蛍光体層3上に形成するとよ
い。
電体からなり膜厚が0.01μm〜0.25μmの蒸着膜であ
る。第1導電体層7の膜厚をこのように規定する理由
は、後述する転写層の熱分解ガスが、第1導電体層7を
スムーズに突き抜けることができるようにするためであ
る。第1導電体層7は、蒸着時間や蒸着温度などの蒸着
条件を適宜調節しながら蛍光体層3上に形成するとよ
い。
【0016】つぎに、上記転写材A、転写材Bおよび転
写材Cを用いた蛍光膜基板の製造方法について説明す
る。
写材Cを用いた蛍光膜基板の製造方法について説明す
る。
【0017】転写材Aを用いる方法では、まず、転写材
Aの転写層5側を、ソーダ石灰ガラスなどからなるガラ
ス基板6上に重ね合わせる。つぎに、シリコンパッドな
どによって加熱、加圧し、接着層4をガラス基板6表面
に接着させる。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200
kg程度で適宜調節するとよい。最後に基材フィルム1を
剥離する(図1(a)参照)。
Aの転写層5側を、ソーダ石灰ガラスなどからなるガラ
ス基板6上に重ね合わせる。つぎに、シリコンパッドな
どによって加熱、加圧し、接着層4をガラス基板6表面
に接着させる。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200
kg程度で適宜調節するとよい。最後に基材フィルム1を
剥離する(図1(a)参照)。
【0018】つぎに、ガラス基板6に形成された転写層
5上に、膜厚が0.01μm〜0.25μmの第1導電体層7を
形成する。
5上に、膜厚が0.01μm〜0.25μmの第1導電体層7を
形成する。
【0019】第1導電体層7の形成方法として、直接蒸
着する方法と転写材Bを用いる方法とがある。直接蒸着
する方法によって第1導電体層7を形成するには、アル
ミニウムなどの導電体を用いて蒸着時間や蒸着温度など
の蒸着条件を適宜調節して、膜厚が0.01μm〜0.25μm
の蒸着膜を形成するとよい(図1(b)参照)。転写材
Bを用いる方法によって第1導電体層7を形成するに
は、次のようにする(図2(b)参照)。まず、転写材
Bの転写層51と、ガラス基板6上の転写層5とを重ね
合わせ、つぎに、シリコンパッドなどによって加熱、加
圧し、転写層51の接着層3を転写層5上に接着させ
る。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200kg程度で適
宜調節するとよい。最後に、転写材Bの基材フィルム1
を剥離する。
着する方法と転写材Bを用いる方法とがある。直接蒸着
する方法によって第1導電体層7を形成するには、アル
ミニウムなどの導電体を用いて蒸着時間や蒸着温度など
の蒸着条件を適宜調節して、膜厚が0.01μm〜0.25μm
の蒸着膜を形成するとよい(図1(b)参照)。転写材
Bを用いる方法によって第1導電体層7を形成するに
は、次のようにする(図2(b)参照)。まず、転写材
Bの転写層51と、ガラス基板6上の転写層5とを重ね
合わせ、つぎに、シリコンパッドなどによって加熱、加
圧し、転写層51の接着層3を転写層5上に接着させ
る。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200kg程度で適
宜調節するとよい。最後に、転写材Bの基材フィルム1
を剥離する。
【0020】また、転写材Cを用いる方法では、まず、
転写材Cの転写層52側を、ソーダ石灰ガラスなどから
なるガラス基板6上に重ね合わせ、シリコンパッドなど
によって加熱、加圧し、接着層4をガラス基板6表面に
接着させる。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200kg
程度で適宜調節するとよい。最後に、基材フィルム1を
剥離する(図3(a)参照)。
転写材Cの転写層52側を、ソーダ石灰ガラスなどから
なるガラス基板6上に重ね合わせ、シリコンパッドなど
によって加熱、加圧し、接着層4をガラス基板6表面に
接着させる。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200kg
程度で適宜調節するとよい。最後に、基材フィルム1を
剥離する(図3(a)参照)。
【0021】以上のようにして、転写材A、転写材Bお
よび転写材Cを用いてガラス基板6上に、蛍光体層3と
第1導電体層7とを形成した後、加熱して、ガラス基板
6上の有機成分を熱分解ガス10として除去する(図1
(c)、図2(c)、図3(b)参照)。加熱温度は20
0〜500℃、加熱時間は1〜4時間で適宜調節するとよい。
よび転写材Cを用いてガラス基板6上に、蛍光体層3と
第1導電体層7とを形成した後、加熱して、ガラス基板
6上の有機成分を熱分解ガス10として除去する(図1
(c)、図2(c)、図3(b)参照)。加熱温度は20
0〜500℃、加熱時間は1〜4時間で適宜調節するとよい。
【0022】蛍光体粒子8以外の有機成分は、第1導電
体層7とガラス基板6との間に挟まれた剥離層2や接着
層4および蛍光体層3の樹脂バインダーや溶剤である。
第1導電体層7の膜厚は0.01μm〜0.25μmと小さいた
め、熱分解ガス10は、第1導電体層7表面にピンホー
ルやクラックを簡単につくりながら、外部に逃げてゆ
く。
体層7とガラス基板6との間に挟まれた剥離層2や接着
層4および蛍光体層3の樹脂バインダーや溶剤である。
第1導電体層7の膜厚は0.01μm〜0.25μmと小さいた
め、熱分解ガス10は、第1導電体層7表面にピンホー
ルやクラックを簡単につくりながら、外部に逃げてゆ
く。
【0023】つぎに、第1導電体層7上に第2導電体層
9を蒸着法により形成する(図1(d)、図2(d)、
図3(c)参照)。導電体層7の形成方法には、真空蒸
着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法など
があり、導電体層7の材質には、代表的なものとしてア
ルミニウムがある。第1導電体層7表面はフラットであ
るので、第2導電体層9もフラットに形成される。第1
導電体層7の膜厚および第2導電体層9の膜厚とは、第
1導電体層7の膜厚と第2導電体層9の膜厚とを加えて
0.15μm以上となるように、それぞれの膜厚を設定する
とよい。
9を蒸着法により形成する(図1(d)、図2(d)、
図3(c)参照)。導電体層7の形成方法には、真空蒸
着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法など
があり、導電体層7の材質には、代表的なものとしてア
ルミニウムがある。第1導電体層7表面はフラットであ
るので、第2導電体層9もフラットに形成される。第1
導電体層7の膜厚および第2導電体層9の膜厚とは、第
1導電体層7の膜厚と第2導電体層9の膜厚とを加えて
0.15μm以上となるように、それぞれの膜厚を設定する
とよい。
【0024】
【作用】この発明では、ガラス基板上に、蛍光体層、お
よび膜厚が0.01μm〜0.25μmの第1導電体層が形成さ
れた状態で、加熱するので、加熱によって生ずる有機成
分の熱分解ガスは、第1導電体層を突き破ってスムーズ
に外部に逃げることができる。
よび膜厚が0.01μm〜0.25μmの第1導電体層が形成さ
れた状態で、加熱するので、加熱によって生ずる有機成
分の熱分解ガスは、第1導電体層を突き破ってスムーズ
に外部に逃げることができる。
【0025】また、この発明では、蛍光体粒子上に第1
導電体層を形成した後に、第2導電体層を形成するの
で、無数の蛍光体粒子によって生じる凹凸が、第1導電
体層により覆われて小さい凹凸となり、さらに第2導電
体層により覆われ、導電体層が平滑になる。
導電体層を形成した後に、第2導電体層を形成するの
で、無数の蛍光体粒子によって生じる凹凸が、第1導電
体層により覆われて小さい凹凸となり、さらに第2導電
体層により覆われ、導電体層が平滑になる。
【0026】
【実施例】まず、ポリエチレンテレフタレートからなる
基材フィルム1上に、アクリル系樹脂からなる剥離層2
をグラビア印刷で形成し、アクリル系樹脂バインダーと
蛍光体粒子からなる蛍光体層3をスクリーン印刷で形成
し、アクリル系樹脂からなる接着層4をグラビア印刷で
形成し転写材を得る。つぎに、転写材の接着層4とガラ
ス基板6とを重ね合わせる。つぎに、シリコンパッドを
用いて加熱加圧し基材フィルム1を剥離する。つぎに、
剥離層2上に、アルミニウムからなる第1導電体層7を
膜厚が0.04μm〜0.06μmになるように真空蒸着する。
つぎに、加熱温度480℃で30分間ガラス基板6を加熱し
蛍光体粒子8以外の不要な有機成分を熱分解ガス10と
して除去する。つぎに、第1導電体層7上に、アルミニ
ウムからなる第2導電体層9を膜厚が0.1μm〜0.15μ
mになるように真空蒸着する。
基材フィルム1上に、アクリル系樹脂からなる剥離層2
をグラビア印刷で形成し、アクリル系樹脂バインダーと
蛍光体粒子からなる蛍光体層3をスクリーン印刷で形成
し、アクリル系樹脂からなる接着層4をグラビア印刷で
形成し転写材を得る。つぎに、転写材の接着層4とガラ
ス基板6とを重ね合わせる。つぎに、シリコンパッドを
用いて加熱加圧し基材フィルム1を剥離する。つぎに、
剥離層2上に、アルミニウムからなる第1導電体層7を
膜厚が0.04μm〜0.06μmになるように真空蒸着する。
つぎに、加熱温度480℃で30分間ガラス基板6を加熱し
蛍光体粒子8以外の不要な有機成分を熱分解ガス10と
して除去する。つぎに、第1導電体層7上に、アルミニ
ウムからなる第2導電体層9を膜厚が0.1μm〜0.15μ
mになるように真空蒸着する。
【0027】
【発明の効果】この発明の蛍光膜基板の製造方法は、蛍
光体層を有するガラス基板に膜厚の小さい第1導電体層
を形成した後に、加熱して熱分解ガスを発生させ有機成
分を除去し、第1導電体層上に、さらに第2導電体層を
形成するようにした。
光体層を有するガラス基板に膜厚の小さい第1導電体層
を形成した後に、加熱して熱分解ガスを発生させ有機成
分を除去し、第1導電体層上に、さらに第2導電体層を
形成するようにした。
【0028】したがって、転写層中の熱分解ガスを外部
に逃がした後に、第2導電体層を形成しているので、火
膨れのない導電体層を形成することができる。
に逃がした後に、第2導電体層を形成しているので、火
膨れのない導電体層を形成することができる。
【0029】また、第1導電体層上に第2導電体層を形
成するので、第1導電体層の小さい凹凸や第1導電体層
の亀裂や穴が覆われる。このため、導電体層は非常に平
滑となり導電性や反射効率が良好になる。
成するので、第1導電体層の小さい凹凸や第1導電体層
の亀裂や穴が覆われる。このため、導電体層は非常に平
滑となり導電性や反射効率が良好になる。
【図1】 この発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】 この発明の別の実施例を示す断面図である。
【図3】 この発明の別の実施例を示す断面図である。
A 転写材 B 転写材 C 転写材 1 基材フィルム 2 剥離層 3 蛍光体層 4 接着層 5 転写層 51 転写層 52 転写層 6 ガラス基板 7 第1導電体層 8 蛍光体粒子 9 第2導電体層 10 熱分解ガス
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年7月16日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項2
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項3
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】また、この発明では、基材フィルム上に剥
離層、膜厚が0.01μm〜0.25μmの第1導電体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材Bを用い
て、第1導電体層を形成するようにしてもよい。
離層、膜厚が0.01μm〜0.25μmの第1導電体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材Bを用い
て、第1導電体層を形成するようにしてもよい。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】また、この発明の蛍光膜基板の製造方法
は、基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μm〜
0.25μmの第1導電体層、蛍光体層、接着層からな
る転写層が形成された転写材Cの転写層側を、ガラス基
板上に重ね合わせて、転写材Cをガラス基板上に接着さ
せ、基材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上に転
写し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガス
として除去し、つぎに第1導電体層上に第2導電体層を
蒸着法により形成するように構成した。
は、基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μm〜
0.25μmの第1導電体層、蛍光体層、接着層からな
る転写層が形成された転写材Cの転写層側を、ガラス基
板上に重ね合わせて、転写材Cをガラス基板上に接着さ
せ、基材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上に転
写し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガス
として除去し、つぎに第1導電体層上に第2導電体層を
蒸着法により形成するように構成した。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】以下、この発明の実施例を図面を参照しな
がら説明する。まず、この発明において使用する転写材
A、転写材Bおよび転写材Cについて説明する(図1
(a)、図2(a)、図3(a)参照)。転写材Aは、
基材フィルム1上に剥離層2、蛍光体層3、接着層4か
らなる転写層5が形成されたものである。転写材Bは、
基材フィルム1上に剥離層2、膜厚が0.01μm〜
0.25μmの第1導電体層7、接着層4からなる転写
層51が形成されたものである。転写材Cは、基材フィ
ルム1上に剥離層2、膜厚が0.01μm〜0.25μ
mの第1導電体層7、蛍光体層3、接着層4からなる転
写層52が形成されたものである。
がら説明する。まず、この発明において使用する転写材
A、転写材Bおよび転写材Cについて説明する(図1
(a)、図2(a)、図3(a)参照)。転写材Aは、
基材フィルム1上に剥離層2、蛍光体層3、接着層4か
らなる転写層5が形成されたものである。転写材Bは、
基材フィルム1上に剥離層2、膜厚が0.01μm〜
0.25μmの第1導電体層7、接着層4からなる転写
層51が形成されたものである。転写材Cは、基材フィ
ルム1上に剥離層2、膜厚が0.01μm〜0.25μ
mの第1導電体層7、蛍光体層3、接着層4からなる転
写層52が形成されたものである。
Claims (3)
- 【請求項1】 基材フィルム上に剥離層、蛍光体層、接
着層からなる転写層が形成された転写材Aの転写層側
を、ガラス基板上に重ね合わせて、転写材Aをガラス基
板上に接着させ、基材フィルムを剥離して転写層をガラ
ス基板上に転写し、つぎに転写層上に膜厚が0.01μm〜
0.25μmの第1導電体層を蒸着法により形成し、つぎに
加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして除去
し、つぎに第1導電体層上に第2導電体層を蒸着法によ
り形成することを特徴とする蛍光膜基板の製造方法。 - 【請求項2】 基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μ
m〜0.25μm以下の第1導電体層、接着層からなる転写
層が形成された転写材Bを用いて、第1導電体層を形成
する請求項1記載の蛍光膜基板の製造方法。 - 【請求項3】 基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μ
m〜0.25μm以下の第1導電体層、蛍光体層、接着層か
らなる転写層が形成された転写材Cの転写層側を、ガラ
ス基板上に重ね合わせて、転写材Cをガラス基板上に接
着させ、基材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上
に転写し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解
ガスとして除去し、つぎに第1導電体層上に第2導電体
層を蒸着法により形成することを特徴とする蛍光膜基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25908692A JPH0684459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 蛍光膜基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25908692A JPH0684459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 蛍光膜基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0684459A true JPH0684459A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17329127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25908692A Pending JPH0684459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 蛍光膜基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0684459A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100831003B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2008-05-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 열전사 장치 및 이를 이용한 모노크롬 음극선관의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP25908692A patent/JPH0684459A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100831003B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2008-05-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 열전사 장치 및 이를 이용한 모노크롬 음극선관의 제조 방법 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020206 |