JPH0684459A - 蛍光膜基板の製造方法 - Google Patents
蛍光膜基板の製造方法Info
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- JPH0684459A JPH0684459A JP25908692A JP25908692A JPH0684459A JP H0684459 A JPH0684459 A JP H0684459A JP 25908692 A JP25908692 A JP 25908692A JP 25908692 A JP25908692 A JP 25908692A JP H0684459 A JPH0684459 A JP H0684459A
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 火膨れがなく反射効率のよい導電体層を形成
する。 【構成】 ポリエチレンテレフタレートからなる基材フ
ィルム１上に、剥離層２、蛍光体層３、接着層４を形成
し転写材Ａを得る。つぎに、転写材Ａの接着層４とガラ
ス基板６とを重ね合わせて加熱加圧し基材フィルム１を
剥離する。つぎに、剥離層２上に、アルミニウムからな
る第１導電体層７を膜厚が0.04μｍ〜0.06μｍになるよ
うに形成する。つぎに、加熱温度480℃で30分間ガラス
基板６を加熱し蛍光体粒子８以外の不要な有機成分を熱
分解ガス１０として除去する。つぎに、第１導電体層７
上に、アルミニウムからなる第２導電体層９を膜厚が0.
1μｍ〜0.15μｍになるように形成する。
する。 【構成】 ポリエチレンテレフタレートからなる基材フ
ィルム１上に、剥離層２、蛍光体層３、接着層４を形成
し転写材Ａを得る。つぎに、転写材Ａの接着層４とガラ
ス基板６とを重ね合わせて加熱加圧し基材フィルム１を
剥離する。つぎに、剥離層２上に、アルミニウムからな
る第１導電体層７を膜厚が0.04μｍ〜0.06μｍになるよ
うに形成する。つぎに、加熱温度480℃で30分間ガラス
基板６を加熱し蛍光体粒子８以外の不要な有機成分を熱
分解ガス１０として除去する。つぎに、第１導電体層７
上に、アルミニウムからなる第２導電体層９を膜厚が0.
1μｍ〜0.15μｍになるように形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、蛍光表示管やブラウ
ン管などに用いられる蛍光膜基板の製造方法に関する。
ン管などに用いられる蛍光膜基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基材フィルム上に剥離層、蛍光体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材を用い
た、蛍光膜基板の製造方法としては、次の２方法があっ
た。 (1)転写材の転写層をガラス基板上に転写し、つぎに蒸
着法により導電性と反射効率とが十分得られる導電体層
を形成し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解
ガスとして除去する。
層、接着層からなる転写層が形成された転写材を用い
た、蛍光膜基板の製造方法としては、次の２方法があっ
た。 (1)転写材の転写層をガラス基板上に転写し、つぎに蒸
着法により導電性と反射効率とが十分得られる導電体層
を形成し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解
ガスとして除去する。
【０００３】(2)転写材の転写層をガラス基板上に転写
し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスと
して除去して、蛍光体層中の無数の蛍光体粒子だけをガ
ラス基板上に残し、つぎに蒸着法によって導電体層を形
成する。
し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスと
して除去して、蛍光体層中の無数の蛍光体粒子だけをガ
ラス基板上に残し、つぎに蒸着法によって導電体層を形
成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、(1)では、転
写層が導電体層に覆われた状態で、加熱して転写層中の
有機成分を除去しなければならない。ところが、蛍光膜
基板の導電体層は、導電性と反射効率とが十分得られる
膜厚が要求される。しかし、このような膜厚の導電体層
で覆われた転写層を加熱すると、転写層中の有機成分の
熱分解ガスが外部にスムーズに逃げにくくなり、導電体
層を押し上げる現象いわゆる火膨れが発生する。
写層が導電体層に覆われた状態で、加熱して転写層中の
有機成分を除去しなければならない。ところが、蛍光膜
基板の導電体層は、導電性と反射効率とが十分得られる
膜厚が要求される。しかし、このような膜厚の導電体層
で覆われた転写層を加熱すると、転写層中の有機成分の
熱分解ガスが外部にスムーズに逃げにくくなり、導電体
層を押し上げる現象いわゆる火膨れが発生する。
【０００５】一方、(2)では、導電体層が、無数の蛍光
体粒子の積層物として形成されることになるので、導電
体層の表面が凹凸に形成されることになる。そのため、
導電体層の反射効率が下がる。また、導電体層は、蒸着
法で形成するので、表面に生じた蛍光体粒子間の段差や
隙間の所にきれいに蒸着されない。そのため、導電体層
は、亀裂や穴ができやすく、導電性や反射効率が下が
る。
体粒子の積層物として形成されることになるので、導電
体層の表面が凹凸に形成されることになる。そのため、
導電体層の反射効率が下がる。また、導電体層は、蒸着
法で形成するので、表面に生じた蛍光体粒子間の段差や
隙間の所にきれいに蒸着されない。そのため、導電体層
は、亀裂や穴ができやすく、導電性や反射効率が下が
る。
【０００６】この発明の目的は、導電体層の火膨れをな
くし、導電体層の反射効率をよくすることにある。
くし、導電体層の反射効率をよくすることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の蛍光膜基板の
製造方法は、以上の課題を解決するためにつぎのように
構成した。すなわち、基材フィルム上に剥離層、蛍光体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材Ａの転写
層側を、ガラス基板上に重ね合わせて、転写材Ａをガラ
ス基板上に接着させ、基材フィルムを剥離して転写層を
ガラス基板上に転写し、つぎに転写層上に膜厚が0.01μ
ｍ〜0.25μｍの第１導電体層を蒸着法により形成し、つ
ぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして除
去し、つぎに第１導電体層上に第２導電体層を蒸着法に
より形成するように構成した。
製造方法は、以上の課題を解決するためにつぎのように
構成した。すなわち、基材フィルム上に剥離層、蛍光体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材Ａの転写
層側を、ガラス基板上に重ね合わせて、転写材Ａをガラ
ス基板上に接着させ、基材フィルムを剥離して転写層を
ガラス基板上に転写し、つぎに転写層上に膜厚が0.01μ
ｍ〜0.25μｍの第１導電体層を蒸着法により形成し、つ
ぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして除
去し、つぎに第１導電体層上に第２導電体層を蒸着法に
より形成するように構成した。
【０００８】また、この発明では、基材フィルム上に剥
離層、膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍ以下の第１導電体層、
接着層からなる転写層が形成された転写材Ｂを用いて、
第１導電体層を形成するようにしてもよい。
離層、膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍ以下の第１導電体層、
接着層からなる転写層が形成された転写材Ｂを用いて、
第１導電体層を形成するようにしてもよい。
【０００９】また、この発明の蛍光膜基板の製造方法
は、基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μｍ〜0.25μ
ｍ以下の第１導電体層、蛍光体層、接着層からなる転写
層が形成された転写材Ｃの転写層側を、ガラス基板上に
重ね合わせて、転写材Ｃをガラス基板上に接着させ、基
材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上に転写し、
つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして
除去し、つぎに第１導電体層上に第２導電体層を蒸着法
により形成するように構成した。
は、基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μｍ〜0.25μ
ｍ以下の第１導電体層、蛍光体層、接着層からなる転写
層が形成された転写材Ｃの転写層側を、ガラス基板上に
重ね合わせて、転写材Ｃをガラス基板上に接着させ、基
材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上に転写し、
つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして
除去し、つぎに第１導電体層上に第２導電体層を蒸着法
により形成するように構成した。
【００１０】以下、この発明の実施例を図面を参照しな
がら説明する。まず、この発明において使用する転写材
Ａ、転写材Ｂおよび転写材Ｃについて説明する（図１
（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）参照）。転写材Ａは、
基材フィルム１上に剥離層２、蛍光体層３、接着層４か
らなる転写層５が形成されたものである。転写材Ｂは、
基材フィルム１上に剥離層２、膜厚が0.25μｍ以下の第
１導電体層７、接着層４からなる転写層５１が形成され
たものである。転写材Ｃは、基材フィルム１上に剥離層
２、膜厚が0.25μｍ以下の第１導電体層７、蛍光体層
３、接着層４からなる転写層５２が形成されたものであ
る。
がら説明する。まず、この発明において使用する転写材
Ａ、転写材Ｂおよび転写材Ｃについて説明する（図１
（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）参照）。転写材Ａは、
基材フィルム１上に剥離層２、蛍光体層３、接着層４か
らなる転写層５が形成されたものである。転写材Ｂは、
基材フィルム１上に剥離層２、膜厚が0.25μｍ以下の第
１導電体層７、接着層４からなる転写層５１が形成され
たものである。転写材Ｃは、基材フィルム１上に剥離層
２、膜厚が0.25μｍ以下の第１導電体層７、蛍光体層
３、接着層４からなる転写層５２が形成されたものであ
る。
【００１１】上記各転写材を構成する基材フィルム１
は、ポリエステルなど通常の転写材の基材フィルムとし
て用いられているものである。基材フィルム１は、ヘア
ライン加工やサンドブラスト加工、プレス加工などによ
り、片面に凹凸が形成されたものでもよい。
は、ポリエステルなど通常の転写材の基材フィルムとし
て用いられているものである。基材フィルム１は、ヘア
ライン加工やサンドブラスト加工、プレス加工などによ
り、片面に凹凸が形成されたものでもよい。
【００１２】剥離層２は、熱可塑性樹脂や天然ゴムや合
成ゴムなどからなるインキ化された樹脂を用いてグラビ
ア印刷法やスクリーン印刷法など通常の形成手段で形成
された層である。
成ゴムなどからなるインキ化された樹脂を用いてグラビ
ア印刷法やスクリーン印刷法など通常の形成手段で形成
された層である。
【００１３】蛍光体層３は、蛍光体粒子と樹脂および溶
剤とから構成された蛍光体インキからなるものである。
蛍光体層３は、ZnO：Zn、ZnS：Cl＋In2O3、ZnS：Cu,A
l、ZnS：Ag,Al、Y2O3S：Eu、Y2O2S：Tb等の硫化物系あ
るいは酸化物系の蛍光体粒子の粉末を用い、グラビア印
刷法やスクリーン印刷法など蛍光体層３の通常の形成手
段で形成する。
剤とから構成された蛍光体インキからなるものである。
蛍光体層３は、ZnO：Zn、ZnS：Cl＋In2O3、ZnS：Cu,A
l、ZnS：Ag,Al、Y2O3S：Eu、Y2O2S：Tb等の硫化物系あ
るいは酸化物系の蛍光体粒子の粉末を用い、グラビア印
刷法やスクリーン印刷法など蛍光体層３の通常の形成手
段で形成する。
【００１４】接着層４は、ポリアミドやアクリルなど感
熱接着型あるいは感圧接着型の熱可塑性樹脂を用い、グ
ラビア印刷法やスクリーン印刷法など通常の形成手段で
形成された層である。
熱接着型あるいは感圧接着型の熱可塑性樹脂を用い、グ
ラビア印刷法やスクリーン印刷法など通常の形成手段で
形成された層である。
【００１５】第１導電体層７は、アルミニウムなどの導
電体からなり膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍの蒸着膜であ
る。第１導電体層７の膜厚をこのように規定する理由
は、後述する転写層の熱分解ガスが、第１導電体層７を
スムーズに突き抜けることができるようにするためであ
る。第１導電体層７は、蒸着時間や蒸着温度などの蒸着
条件を適宜調節しながら蛍光体層３上に形成するとよ
い。
電体からなり膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍの蒸着膜であ
る。第１導電体層７の膜厚をこのように規定する理由
は、後述する転写層の熱分解ガスが、第１導電体層７を
スムーズに突き抜けることができるようにするためであ
る。第１導電体層７は、蒸着時間や蒸着温度などの蒸着
条件を適宜調節しながら蛍光体層３上に形成するとよ
い。
【００１６】つぎに、上記転写材Ａ、転写材Ｂおよび転
写材Ｃを用いた蛍光膜基板の製造方法について説明す
る。
写材Ｃを用いた蛍光膜基板の製造方法について説明す
る。
【００１７】転写材Ａを用いる方法では、まず、転写材
Ａの転写層５側を、ソーダ石灰ガラスなどからなるガラ
ス基板６上に重ね合わせる。つぎに、シリコンパッドな
どによって加熱、加圧し、接着層４をガラス基板６表面
に接着させる。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200
kg程度で適宜調節するとよい。最後に基材フィルム１を
剥離する（図１（ａ）参照）。
Ａの転写層５側を、ソーダ石灰ガラスなどからなるガラ
ス基板６上に重ね合わせる。つぎに、シリコンパッドな
どによって加熱、加圧し、接着層４をガラス基板６表面
に接着させる。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200
kg程度で適宜調節するとよい。最後に基材フィルム１を
剥離する（図１（ａ）参照）。
【００１８】つぎに、ガラス基板６に形成された転写層
５上に、膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍの第１導電体層７を
形成する。
５上に、膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍの第１導電体層７を
形成する。
【００１９】第１導電体層７の形成方法として、直接蒸
着する方法と転写材Ｂを用いる方法とがある。直接蒸着
する方法によって第１導電体層７を形成するには、アル
ミニウムなどの導電体を用いて蒸着時間や蒸着温度など
の蒸着条件を適宜調節して、膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍ
の蒸着膜を形成するとよい（図１（ｂ）参照）。転写材
Ｂを用いる方法によって第１導電体層７を形成するに
は、次のようにする（図２（ｂ）参照）。まず、転写材
Ｂの転写層５１と、ガラス基板６上の転写層５とを重ね
合わせ、つぎに、シリコンパッドなどによって加熱、加
圧し、転写層５１の接着層３を転写層５上に接着させ
る。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200kg程度で適
宜調節するとよい。最後に、転写材Ｂの基材フィルム１
を剥離する。
着する方法と転写材Ｂを用いる方法とがある。直接蒸着
する方法によって第１導電体層７を形成するには、アル
ミニウムなどの導電体を用いて蒸着時間や蒸着温度など
の蒸着条件を適宜調節して、膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍ
の蒸着膜を形成するとよい（図１（ｂ）参照）。転写材
Ｂを用いる方法によって第１導電体層７を形成するに
は、次のようにする（図２（ｂ）参照）。まず、転写材
Ｂの転写層５１と、ガラス基板６上の転写層５とを重ね
合わせ、つぎに、シリコンパッドなどによって加熱、加
圧し、転写層５１の接着層３を転写層５上に接着させ
る。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200kg程度で適
宜調節するとよい。最後に、転写材Ｂの基材フィルム１
を剥離する。
【００２０】また、転写材Ｃを用いる方法では、まず、
転写材Ｃの転写層５２側を、ソーダ石灰ガラスなどから
なるガラス基板６上に重ね合わせ、シリコンパッドなど
によって加熱、加圧し、接着層４をガラス基板６表面に
接着させる。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200kg
程度で適宜調節するとよい。最後に、基材フィルム１を
剥離する（図３（ａ）参照）。
転写材Ｃの転写層５２側を、ソーダ石灰ガラスなどから
なるガラス基板６上に重ね合わせ、シリコンパッドなど
によって加熱、加圧し、接着層４をガラス基板６表面に
接着させる。加熱温度は130〜230℃、加圧力は3〜200kg
程度で適宜調節するとよい。最後に、基材フィルム１を
剥離する（図３（ａ）参照）。
【００２１】以上のようにして、転写材Ａ、転写材Ｂお
よび転写材Ｃを用いてガラス基板６上に、蛍光体層３と
第１導電体層７とを形成した後、加熱して、ガラス基板
６上の有機成分を熱分解ガス１０として除去する（図１
（ｃ）、図２（ｃ）、図３（ｂ）参照）。加熱温度は20
0〜500℃、加熱時間は1〜4時間で適宜調節するとよい。
よび転写材Ｃを用いてガラス基板６上に、蛍光体層３と
第１導電体層７とを形成した後、加熱して、ガラス基板
６上の有機成分を熱分解ガス１０として除去する（図１
（ｃ）、図２（ｃ）、図３（ｂ）参照）。加熱温度は20
0〜500℃、加熱時間は1〜4時間で適宜調節するとよい。
【００２２】蛍光体粒子８以外の有機成分は、第１導電
体層７とガラス基板６との間に挟まれた剥離層２や接着
層４および蛍光体層３の樹脂バインダーや溶剤である。
第１導電体層７の膜厚は0.01μｍ〜0.25μｍと小さいた
め、熱分解ガス１０は、第１導電体層７表面にピンホー
ルやクラックを簡単につくりながら、外部に逃げてゆ
く。
体層７とガラス基板６との間に挟まれた剥離層２や接着
層４および蛍光体層３の樹脂バインダーや溶剤である。
第１導電体層７の膜厚は0.01μｍ〜0.25μｍと小さいた
め、熱分解ガス１０は、第１導電体層７表面にピンホー
ルやクラックを簡単につくりながら、外部に逃げてゆ
く。
【００２３】つぎに、第１導電体層７上に第２導電体層
９を蒸着法により形成する（図１（ｄ）、図２（ｄ）、
図３（ｃ）参照）。導電体層７の形成方法には、真空蒸
着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法など
があり、導電体層７の材質には、代表的なものとしてア
ルミニウムがある。第１導電体層７表面はフラットであ
るので、第２導電体層９もフラットに形成される。第１
導電体層７の膜厚および第２導電体層９の膜厚とは、第
１導電体層７の膜厚と第２導電体層９の膜厚とを加えて
0.15μｍ以上となるように、それぞれの膜厚を設定する
とよい。
９を蒸着法により形成する（図１（ｄ）、図２（ｄ）、
図３（ｃ）参照）。導電体層７の形成方法には、真空蒸
着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法など
があり、導電体層７の材質には、代表的なものとしてア
ルミニウムがある。第１導電体層７表面はフラットであ
るので、第２導電体層９もフラットに形成される。第１
導電体層７の膜厚および第２導電体層９の膜厚とは、第
１導電体層７の膜厚と第２導電体層９の膜厚とを加えて
0.15μｍ以上となるように、それぞれの膜厚を設定する
とよい。
【００２４】
【作用】この発明では、ガラス基板上に、蛍光体層、お
よび膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍの第１導電体層が形成さ
れた状態で、加熱するので、加熱によって生ずる有機成
分の熱分解ガスは、第１導電体層を突き破ってスムーズ
に外部に逃げることができる。
よび膜厚が0.01μｍ〜0.25μｍの第１導電体層が形成さ
れた状態で、加熱するので、加熱によって生ずる有機成
分の熱分解ガスは、第１導電体層を突き破ってスムーズ
に外部に逃げることができる。
【００２５】また、この発明では、蛍光体粒子上に第１
導電体層を形成した後に、第２導電体層を形成するの
で、無数の蛍光体粒子によって生じる凹凸が、第１導電
体層により覆われて小さい凹凸となり、さらに第２導電
体層により覆われ、導電体層が平滑になる。
導電体層を形成した後に、第２導電体層を形成するの
で、無数の蛍光体粒子によって生じる凹凸が、第１導電
体層により覆われて小さい凹凸となり、さらに第２導電
体層により覆われ、導電体層が平滑になる。
【００２６】
【実施例】まず、ポリエチレンテレフタレートからなる
基材フィルム１上に、アクリル系樹脂からなる剥離層２
をグラビア印刷で形成し、アクリル系樹脂バインダーと
蛍光体粒子からなる蛍光体層３をスクリーン印刷で形成
し、アクリル系樹脂からなる接着層４をグラビア印刷で
形成し転写材を得る。つぎに、転写材の接着層４とガラ
ス基板６とを重ね合わせる。つぎに、シリコンパッドを
用いて加熱加圧し基材フィルム１を剥離する。つぎに、
剥離層２上に、アルミニウムからなる第１導電体層７を
膜厚が0.04μｍ〜0.06μｍになるように真空蒸着する。
つぎに、加熱温度480℃で30分間ガラス基板６を加熱し
蛍光体粒子８以外の不要な有機成分を熱分解ガス１０と
して除去する。つぎに、第１導電体層７上に、アルミニ
ウムからなる第２導電体層９を膜厚が0.1μｍ〜0.15μ
ｍになるように真空蒸着する。
基材フィルム１上に、アクリル系樹脂からなる剥離層２
をグラビア印刷で形成し、アクリル系樹脂バインダーと
蛍光体粒子からなる蛍光体層３をスクリーン印刷で形成
し、アクリル系樹脂からなる接着層４をグラビア印刷で
形成し転写材を得る。つぎに、転写材の接着層４とガラ
ス基板６とを重ね合わせる。つぎに、シリコンパッドを
用いて加熱加圧し基材フィルム１を剥離する。つぎに、
剥離層２上に、アルミニウムからなる第１導電体層７を
膜厚が0.04μｍ〜0.06μｍになるように真空蒸着する。
つぎに、加熱温度480℃で30分間ガラス基板６を加熱し
蛍光体粒子８以外の不要な有機成分を熱分解ガス１０と
して除去する。つぎに、第１導電体層７上に、アルミニ
ウムからなる第２導電体層９を膜厚が0.1μｍ〜0.15μ
ｍになるように真空蒸着する。
【００２７】
【発明の効果】この発明の蛍光膜基板の製造方法は、蛍
光体層を有するガラス基板に膜厚の小さい第１導電体層
を形成した後に、加熱して熱分解ガスを発生させ有機成
分を除去し、第１導電体層上に、さらに第２導電体層を
形成するようにした。
光体層を有するガラス基板に膜厚の小さい第１導電体層
を形成した後に、加熱して熱分解ガスを発生させ有機成
分を除去し、第１導電体層上に、さらに第２導電体層を
形成するようにした。
【００２８】したがって、転写層中の熱分解ガスを外部
に逃がした後に、第２導電体層を形成しているので、火
膨れのない導電体層を形成することができる。
に逃がした後に、第２導電体層を形成しているので、火
膨れのない導電体層を形成することができる。
【００２９】また、第１導電体層上に第２導電体層を形
成するので、第１導電体層の小さい凹凸や第１導電体層
の亀裂や穴が覆われる。このため、導電体層は非常に平
滑となり導電性や反射効率が良好になる。
成するので、第１導電体層の小さい凹凸や第１導電体層
の亀裂や穴が覆われる。このため、導電体層は非常に平
滑となり導電性や反射効率が良好になる。
【図１】 この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】 この発明の別の実施例を示す断面図である。
【図３】 この発明の別の実施例を示す断面図である。
Ａ 転写材 Ｂ 転写材 Ｃ 転写材 １ 基材フィルム ２ 剥離層 ３ 蛍光体層 ４ 接着層 ５ 転写層 ５１ 転写層 ５２ 転写層 ６ ガラス基板 ７ 第１導電体層 ８ 蛍光体粒子 ９ 第２導電体層 １０ 熱分解ガス
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年７月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】また、この発明では、基材フィルム上に剥
離層、膜厚が０．０１μｍ〜０．２５μｍの第１導電体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材Ｂを用い
て、第１導電体層を形成するようにしてもよい。
離層、膜厚が０．０１μｍ〜０．２５μｍの第１導電体
層、接着層からなる転写層が形成された転写材Ｂを用い
て、第１導電体層を形成するようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】また、この発明の蛍光膜基板の製造方法
は、基材フィルム上に剥離層、膜厚が０．０１μｍ〜
０．２５μｍの第１導電体層、蛍光体層、接着層からな
る転写層が形成された転写材Ｃの転写層側を、ガラス基
板上に重ね合わせて、転写材Ｃをガラス基板上に接着さ
せ、基材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上に転
写し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガス
として除去し、つぎに第１導電体層上に第２導電体層を
蒸着法により形成するように構成した。
は、基材フィルム上に剥離層、膜厚が０．０１μｍ〜
０．２５μｍの第１導電体層、蛍光体層、接着層からな
る転写層が形成された転写材Ｃの転写層側を、ガラス基
板上に重ね合わせて、転写材Ｃをガラス基板上に接着さ
せ、基材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上に転
写し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガス
として除去し、つぎに第１導電体層上に第２導電体層を
蒸着法により形成するように構成した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】以下、この発明の実施例を図面を参照しな
がら説明する。まず、この発明において使用する転写材
Ａ、転写材Ｂおよび転写材Ｃについて説明する（図１
（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）参照）。転写材Ａは、
基材フィルム１上に剥離層２、蛍光体層３、接着層４か
らなる転写層５が形成されたものである。転写材Ｂは、
基材フィルム１上に剥離層２、膜厚が０．０１μｍ〜
０．２５μｍの第１導電体層７、接着層４からなる転写
層５１が形成されたものである。転写材Ｃは、基材フィ
ルム１上に剥離層２、膜厚が０．０１μｍ〜０．２５μ
ｍの第１導電体層７、蛍光体層３、接着層４からなる転
写層５２が形成されたものである。
がら説明する。まず、この発明において使用する転写材
Ａ、転写材Ｂおよび転写材Ｃについて説明する（図１
（ａ）、図２（ａ）、図３（ａ）参照）。転写材Ａは、
基材フィルム１上に剥離層２、蛍光体層３、接着層４か
らなる転写層５が形成されたものである。転写材Ｂは、
基材フィルム１上に剥離層２、膜厚が０．０１μｍ〜
０．２５μｍの第１導電体層７、接着層４からなる転写
層５１が形成されたものである。転写材Ｃは、基材フィ
ルム１上に剥離層２、膜厚が０．０１μｍ〜０．２５μ
ｍの第１導電体層７、蛍光体層３、接着層４からなる転
写層５２が形成されたものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 基材フィルム上に剥離層、蛍光体層、接
着層からなる転写層が形成された転写材Ａの転写層側
を、ガラス基板上に重ね合わせて、転写材Ａをガラス基
板上に接着させ、基材フィルムを剥離して転写層をガラ
ス基板上に転写し、つぎに転写層上に膜厚が0.01μｍ〜
0.25μｍの第１導電体層を蒸着法により形成し、つぎに
加熱して転写層中の有機成分を熱分解ガスとして除去
し、つぎに第１導電体層上に第２導電体層を蒸着法によ
り形成することを特徴とする蛍光膜基板の製造方法。 - 【請求項２】 基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μ
ｍ〜0.25μｍ以下の第１導電体層、接着層からなる転写
層が形成された転写材Ｂを用いて、第１導電体層を形成
する請求項１記載の蛍光膜基板の製造方法。 - 【請求項３】 基材フィルム上に剥離層、膜厚が0.01μ
ｍ〜0.25μｍ以下の第１導電体層、蛍光体層、接着層か
らなる転写層が形成された転写材Ｃの転写層側を、ガラ
ス基板上に重ね合わせて、転写材Ｃをガラス基板上に接
着させ、基材フィルムを剥離して転写層をガラス基板上
に転写し、つぎに加熱して転写層中の有機成分を熱分解
ガスとして除去し、つぎに第１導電体層上に第２導電体
層を蒸着法により形成することを特徴とする蛍光膜基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25908692A JPH0684459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 蛍光膜基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25908692A JPH0684459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 蛍光膜基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684459A true JPH0684459A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17329127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25908692A Pending JPH0684459A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 蛍光膜基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684459A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100831003B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2008-05-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 열전사 장치 및 이를 이용한 모노크롬 음극선관의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP25908692A patent/JPH0684459A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100831003B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2008-05-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 열전사 장치 및 이를 이용한 모노크롬 음극선관의 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020206 |